一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

基于断电时间的性能限制的制作方法

2023-02-19 02:26:47 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种系统,其包括:存储器装置;和处理装置,其操作性地耦合到所述存储器装置,以执行包括以下各项的操作:响应于存储器装置的通电,基于所述通电发生的时间与所述存储器装置的先前断电发生的时间之间的差来确定经过的断电时间;确定所述经过的断电时间是否满足经过时间阈值标准;响应于确定所述经过的断电时间满足所述经过时间阈值标准:接收对所述存储器装置的存储器单元执行写入操作的请求,将与所述存储器装置的所述存储器单元相关联的性能参数改变为对应于降低的性能水平的第一参数值;并且根据对应于所述降低的性能水平的所述第一参数值对所述存储器装置的所述存储器单元执行所述写入操作。2.根据权利要求1所述的系统,其中所述写入操作为在所述存储器装置的所述通电之后对所述存储器单元执行的所述第一写入操作。3.根据权利要求1所述的系统,所述操作进一步包括:响应于所述写入操作的完成,将与所述存储器单元相关联的所述性能参数改变为对应于正常性能水平的第二参数值。4.根据权利要求3所述的系统,其中所述降低的性能水平与降低的功耗水平相关联,所述降低的功耗水平低于与所述正常性能水平相关联的正常功耗水平。5.根据权利要求3所述的系统,其中所述性能参数包括以下各项中的一或多个:能并行地执行的存储器操作的数目、存储器操作队列深度或连续存储器操作之间的时序延迟。6.根据权利要求5所述的系统,其中所述时序延迟包括所述连续存储器操作之间的写入到读取w2r延迟、写入到写入w2w延迟、读取到写入r2w延迟或读取到读取r2r延迟中的一或多个。7.根据权利要求1所述的系统,所述操作进一步包括:根据所述经过的断电时间确定对应于所述降低的性能水平的所述第一参数值。8.根据权利要求7所述的系统,其中对应于所述降低的性能水平的所述第一参数值是使用将经过的断电时间映射到性能参数值的映射表来确定的,其中所述映射表将每个经过的断电时间映射到对应的性能参数值。9.根据权利要求8所述的系统,其中所述映射表包括多个记录,每个记录包括经过的断电时间阈值标准和一或多个对应性能参数值,其中确定对应于所述降低的性能水平的所述第一参数值包括:在所述映射表中识别包括对应于所述经过的断电时间的经过的断电时间阈值标准的记录,其中所识别的记录进一步包括对应于所述降低的性能水平的所述第一参数值。10.一种方法,其包括:由处理装置接收对存储器装置的存储器单元执行写入操作的请求;确定所述存储器单元自所述存储器装置的通电以来是否先前已被写入至少一次;响应于确定所述存储器单元自所述存储器装置的通电以来先前已被写入至少一次:基于所述存储器装置的所述通电与在所述通电之前的所述存储器装置的断电之间的
时间差而确定所述存储器装置的经过的断电时间;识别对应于所述经过的断电时间的一或多个性能参数值;将与所述存储器装置的所述存储器单元相关联的一或多个性能参数设置为相应识别的性能参数值;以及根据所述识别的性能参数值对所述存储器装置的所述存储器单元执行所述写入操作。11.根据权利要求10所述的方法,其进一步包括:响应于所述写入操作的完成,将所述存储器单元的所述一或多个性能参数设置为对应于正常性能水平的相应值。12.根据权利要求10所述的方法,其中所述一或多个性能参数包括以下各项中的一或多个:能并行地执行的存储器操作的数目、存储器操作队列深度或连续存储器操作之间的时序延迟。13.根据权利要求12所述的方法,其中所述时序延迟包括所述连续存储器操作之间的写入到读取w2r延迟、写入到写入w2w延迟、读取到写入r2w延迟或读取到读取r2r延迟中的一或多个。14.一种包括指令的非暂时性计算机可读媒体,所述指令在由处理装置执行时使得所述处理装置进行包括以下各项的操作:响应于存储器装置的通电,基于所述通电发生的时间与所述存储器装置的先前断电发生的时间之间的差来确定经过的断电时间;确定所述经过的断电时间是否满足经过时间阈值标准;响应于确定所述经过的断电时间满足所述经过时间阈值标准:接收对所述存储器装置的存储器单元执行写入操作的请求,将与所述存储器装置的所述存储器单元相关联的性能参数改变为对应于降低的性能水平的第一参数值;并且根据对应于所述降低的性能水平的所述第一参数值对所述存储器装置的所述存储器单元执行所述写入操作。15.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述写入操作为在所述存储器装置的所述通电之后对所述存储器单元执行的所述第一写入操作。16.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读媒体,所述操作进一步包括:响应于所述写入操作的完成,将与所述存储器单元相关联的所述性能参数改变为对应于正常性能水平的第二参数值。17.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述性能参数包括以下各项中的一或多个:能并行地执行的存储器操作的数目、存储器操作队列深度或连续存储器操作之间的时序延迟。18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述时序延迟包括所述连续存储器操作之间的写入到读取w2r延迟、写入到写入w2w延迟、读取到写入r2w延迟或读取到读取r2r延迟中的一或多个。19.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读媒体,所述操作进一步包括:根据所述经过的断电时间确定对应于所述降低的性能水平的所述第一参数值。20.根据权利要求19所述的非暂时性计算机可读媒体,其中对应于所述降低的性能水
平的所述第一参数值是使用将经过的断电时间映射到性能参数值的映射表来确定的,其中所述映射表将每个经过的断电时间映射到对应的性能参数值。

技术总结
响应于存储器装置的通电,基于所述通电发生的时间与所述存储器装置的先前断电发生的时间之间的差来识别经过的断电时间。响应于确定所述经过的断电时间满足所述经过时间阈值标准:接收自通电以来对所述存储器装置的存储器单元执行第一写入操作的请求;将与所述存储器装置的所述存储器单元相关联的性能参数改变为对应于降低的性能水平的第一参数值;并且根据对应于所述降低的性能水平的所述第一参数值对所述存储器装置的所述存储器单元执行所述写入操作。响应于所述写入操作的完成,将所述性能参数改变为对应于正常性能水平的值。所述性能参数改变为对应于正常性能水平的值。所述性能参数改变为对应于正常性能水平的值。


技术研发人员:郎慕蓉 周振明
受保护的技术使用者:美光科技公司
技术研发日:2022.08.05
技术公布日:2023/2/17
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