电压调节装置的制作方法

1.本公开是有关于一种电压产生技术，尤其是一种电压调节装置。


背景技术：

2.一般使输出电压不受负载影响的电压调节器(voltage regulator)包括运算放大器(operational amplifier，opa)，其利用运算放大器锁定电压，而使输出电压不随负载变化而改变。然而，运算放大器是由多种不同功能的子电路组成的复杂电路，因此运算放大器会占电压调节器或芯片的较大的面积。其次，运算放大器为复杂电路，相对于简单电路而言，运算放大器需进行较多的组件变异性补偿，致使运算放大器在进行电压调节时所运作的带宽会遭到限制(例如无法运行在较高速的带宽中)。
3.另外，电压跟随器(voltage follower)是另一种用以产生电压的电路，其结构较简单，然而，电压跟随器所产生的电压会受温度的影响而改变，其次，由于电压跟随器为开回路(open loop)，因而电压也会随着负载变化而改变。


技术实现要素：

4.鉴于上述，本案提供一种电压调节装置。依据一些实施例，电压调节装置能在不需做多余的组件变异性补偿的情形下，使其输出电压不受负载及温度的影响。依据一些实施例，电压调节装置可以降低其于所设置的装置或芯片占有的面积。
5.依据一些实施例，电压调节装置包括一第一阻抗、一参考电流产生电路、一电流镜电路、一第二阻抗以及一负反馈电路。第一阻抗具有一第一阻抗值。参考电流产生电路耦接第一阻抗及一参考电压。参考电流产生电路具有一第一电位差。参考电流产生电路用以依据参考电压、第一电位差及第一阻抗值，产生一参考电流。电流镜电路耦接参考电流产生电路及一第一节点。电流镜电路用以依据参考电流将一输出电流输出至第一节点。输出电流与参考电流之间具有一第一比例。第二阻抗耦接于第一节点与一第二节点之间。第二阻抗具有一第二阻抗值。第二阻抗用以依据第一节点的一电压、输出电流及第二阻抗值而在第二节点产生一输出电压。第二阻抗值与第一阻抗值之间具有一第二比例。第二比例与第一比例互为反比。负反馈电路耦接第一节点及第二节点。负反馈电路用以依据第一节点的电压产生一反馈电压，并依据反馈电压调节输出电压。第一节点的电压实值相同于第一电位差，使得输出电压符合参考电压。
6.综上所述，依据一些实施例，电压调节装置具有简单的结构，致使不需做多余的组件变异性补偿，而使所运作的带宽不受限制(例如可运作于高速的带宽中)。依据一些实施例，藉由第一比例(输出电流与参考电流之间的比例)与第二比例(第二阻抗值与第一阻抗值之间的比例)互为反比，致使输出电压不受温度的影响。依据一些实施例，藉由负反馈电路对输出电压的调节，而使输出电压不受负载的影响。
附图说明
7.图1为本案一些实施例的电压调节装置的方块示意图。
具体实施方式
8.关于本文中所使用的“第一”及“第二”等术语，其用以区别所指的组件，而非用以排序或限定所指组件的差异性，且也非用以限制本公开的范围。并且，所使用的“耦接”等术语，其是指二或多个组件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触；举例来说，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表第一装置可直接电性连接于第二装置，或者通过其他装置或连接手段间接地电性连接至第二装置。
9.参照图1，图1为本案一些实施例的电压调节装置10的方块示意图。电压调节装置10包括一第一阻抗r1、一参考电流产生电路11、一电流镜电路13、一第二阻抗r2以及一负反馈电路15。参考电流产生电路11耦接第一阻抗r1及一参考电压v
ref
。电流镜电路13耦接参考电流产生电路11及一第一节点n1。第二阻抗r2耦接于第一节点n1与一第二节点n2之间。负反馈电路15耦接第一节点n1及第二节点n2。在一些实施例中，第一阻抗r1、电流镜电路13及负反馈电路15还耦接接地端gnd。
10.参考电压v
ref
可以是由一带隙参考电压(band gap reference voltage)产生电路(图未示)产生的无温度系数带隙参考电压。也就是说，参考电压v
ref
可以是与温度系数无关或是不随温度变化而改变的电压。
11.第一阻抗r1具有第一阻抗值。第一阻抗r1可以是由电阻、电容及电感等被动组件形成。第一阻抗r1耦接于接地端gnd与参考电流产生电路11之间。在一些实施例中，如图1所示，第一阻抗r1是电阻，而第一阻抗值为电阻值。虽图1仅以一个电阻符号表示第一阻抗r1，但本公开不限于此，可以依据实际设计需求而包括多个串联及/或并联的电阻。另外，此电阻可以用金属氧化物半导体晶体管来实现，也可以通过离子布植行程的阱区实现。
12.参考电流产生电路11具有一第一电位差v
gs1
。参考电流产生电路11用以依据参考电压v
ref
、第一电位差v
gs1
及第一阻抗值，产生一参考电流i
m1
。在一些实施例中，如式1所示，参考电流i
m1
为参考电流产生电路11将参考电压v
ref
减去第一电位差v
gs1
之后除以第一阻抗值而得。
[0013][0014]
其中，r1为第一阻抗值。
[0015]
电流镜电路13用以依据参考电流i
m1
输出一输出电流i
m2
至第一节点n1(容后说明)，其中输出电流i
m2
与参考电流i
m1
之间具有一第一比例(如式2所示)。
[0016]im2
＝i
m1
*k1
………………………………
(式2)
[0017]
其中，k1为第一比例。
[0018]
第二阻抗r2具有一第二阻抗值。第二阻抗r2可以是由电阻、电容及电感等被动组件形成。在一些实施例中，如图1所示，第二阻抗r2是电阻，而第二阻抗值为电阻值。虽图1仅以一个电阻符号表示第二阻抗r2，但本发明不限于此，可以依据实际设计需求而包括多个串联及/或并联的电阻。另外，此电阻可以用金属氧化物半导体晶体管来实现，也可以通过离子布植行程的阱区实现。第二阻抗r2用以依据第一节点n1的一电压v1、输出电流i
m2
及第
二阻抗值而在第二节点n2产生一输出电压v
out
。其中，如式3及式4所示，第二阻抗值与第一阻抗值之间具有一第二比例，第二比例与第一比例互为反比。
[0019]
r2＝r1*k2
………………………………
(式3)
[0020][0021]
其中，r1为第一阻抗值，r2为第二阻抗值，k1为第一比例，k2为第二比例。
[0022]
在一些实施例中，第二比例是依据第一阻抗r1及第二阻抗r2的温度系数来决定。例如，以第一阻抗r1及第二阻抗r2皆为电阻为来说明，第一阻抗r1的材质与第二阻抗r2的材质不同，因而其二者之间具有不同的电阻温度系数，致使在相同的温度下，第一阻抗值与第二阻抗值不同。若第一阻抗r1的材质与第二阻抗r2的材质相同，然而电阻温度系数依据材质的性质而呈现正温度系数或是负温度系数(例如若为导体材质时，呈现正温度系数，若为半导体或是绝缘体材质时，呈现负温度系数)，因此若第一阻抗r1与第二阻抗r2分别处于不同温度下时，则第一阻抗值与第二阻抗值不同。也就是说，由于第一阻抗r1及第二阻抗r2会随着温度变化而改变，因而第二比例会随着温度变化而改变。在一些实施例中，第二比例与第二阻抗值呈正比，且第二比例与第一阻抗值呈反比，但本发明并不限于此，第二比例可以与第一阻抗值呈正比，且第二比例与第二阻抗值呈反比。
[0023]
在一些实施例中，如式5所示，输出电压v
out
为第二阻抗r2将输出电流i
m2
乘以第二阻抗值之后加上第一节点n1的电压v1而得。
[0024]vout
＝v1 i
m2
*r2
………………………
(式5)
[0025]
将式1～式5统整可得式6，可见输出电压v
out
与第一阻抗值及第二阻抗值的大小无关，也就是说，输出电压v
out
不会随着温度变化而改变。
[0026]vout
＝v
ref
v
1-v
gs1
……………………
(式6)
[0027]
负反馈电路15用以依据第一节点n1的电压v1产生一反馈电压v
fb
，并依据反馈电压v
fb
调节输出电压v
out
。例如，在负载下降时，输出电压v
out
上升，此时负反馈电路15依据第一节点n1的电压v1及反馈电压v
fb
，降低输出电压v
out
，以将输出电压v
out
稳定在一电压电平；在负载上升时，输出电压v
out
下降，此时负反馈电路15依据第一节点n1的电压v1及反馈电压v
fb
，升高输出电压v
out
，以将输出电压v
out
稳定在该电压电平。也就是说，通过负反馈电路15而使输出电压v
out
不会随着负载变化而改变。
[0028]
前述第一节点n1的电压v1实值相同于第一电位差v
gs1
，使得输出电压v
out
符合参考电压v
ref
。具体来说，由于第一节点n1的电压v1可能会随着温度变化而改变，因此藉由第一节点n1的电压v1实值相同于第一电位差v
gs1
，而使输出电压v
out
符合参考电压v
ref
且与温度无关。举例来说，第一节点n1的电压v1为负反馈电路15的第六晶体管m6的第二电位差v
gs2
(例如第六晶体管m6为金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor，mos)晶体管，而第二电位差v
gs2
为栅极与源极之间的电位差)，由于第六晶体管m6具有负温度系数，因而第二电位差v
gs2
会受温度的影响而改变(即温度变大时，第二电位差v
gs2
变小；温度变小时，第二电位差v
gs2
变大)，藉由第一节点n1的电压v1(即第二电位差v
gs2
)实值相同于第一电位差v
gs1
，则可使输出电压v
out
与温度无关。
[0029]
如图1所示，在一些实施例中，电流镜电路13及负反馈电路15还耦接一工作电压端hv，以供电流镜电路13及负反馈电路15的运作，且工作电压端hv的电压大于输出电压v
out
。
具体来说，由于输出电压v
out
符合参考电压v
ref
，而相较于工作电压端hv的电压，参考电压v
ref
的值相对较小。因此通过将工作电压端hv的电压提供给电压调节装置10，而使电压调节装置10降低来自工作电压端hv的电压而输出相对较小的输出电压v
out
。
[0030]
如图1所示，在一些实施例中，电流镜电路13包括一第一电流镜子电路131a及一第二电流镜子电路131b。虽然图1示出二个电流镜子电路131a、131b，但本公开不限于此，电流镜电路13可以包括一个或是二个以上的电流镜子电路。第一电流镜子电路131a耦接参考电流产生电路11，第二电流镜子电路131b耦接第一电流镜子电路131a及第一节点n1。第一电流镜子电路131a用以依据参考电流i
m1
输出一镜射电流i
m3
。其中，如式7所示，镜射电流i
m3
与参考电流i
m1
之间具有一第三比例。例如，第三比例与参考电流i
m1
呈正比，且第三比例与镜射电流i
m3
呈反比，但本公开并不限于此，第三比例可以与参考电流i
m1
呈正比，且第三比例与镜射电流i
m3
呈反比。第三比例可以是固定的(constant)或是可设定的(configurable)，例如第一电流镜子电路131a为可调式电流镜，因而可调整第三比例的大小。第二电流镜子电路131b用以依据镜射电流i
m3
将输出电流i
m2
输出至第一节点n1。其中，如式8所示，输出电流i
m2
与镜射电流i
m3
之间具有一第四比例。例如，第四比例与镜射电流i
m3
呈正比，且第四比例与输出电流i
m2
呈反比，但本公开并不限于此，第四比例可以与镜射电流i
m3
呈正比，且第四比例与输出电流i
m2
呈反比。第四比例可以是固定的或是可设定的，例如第二电流镜子电路131b为可调式电流镜，因而可调整第四比例的大小。第三比例及第四比例形成第一比例。例如，如式9所示，第三比例乘以第四比例之后的倒数为第一比例，换言之，第一比例、第三比例及第四比例互为反比。
[0031][0032][0033][0034]
其中，k3为第三比例，k4为第四比例，k1为第一比例。
[0035]
如图1所示，在一些实施例中，第一电流镜子电路131a包括一第一晶体管m1及一第二晶体管m2。第二电流镜子电路131b包括一第三晶体管m3及一第四晶体管m4。第一晶体管m1及第二晶体管m2可以为p型mos晶体管或是p型双载子(bipolar)晶体管。第三晶体管m3及第四晶体管m4可以为n型mos晶体管或是n型双载子晶体管。在此以第一晶体管m1及第二晶体管m2为p型mos晶体管，第三晶体管m3及第四晶体管m4为n型mos晶体管进行说明。
[0036]
第一晶体管m1耦接于工作电压端hv与参考电流产生电路11之间(具体而言，第一晶体管m1的源极耦接工作电压端hv，而第一晶体管m1的漏极耦接参考电流产生电路11)，参考电流i
m1
流过第一晶体管m1。第二晶体管m2耦接于工作电压端hv与第二电流镜子电路131b之间(具体而言，第二晶体管m2的源极耦接工作电压端hv，而第二晶体管m2的漏极耦接第二电流镜子电路131b)。第一晶体管m1的栅极、第二晶体管m2的栅极及第一晶体管m1的漏极耦接在一起。第一电流镜子电路131a依据流经第一晶体管m1的参考电流i
m1
，而在第二晶体管m2的漏极产生镜射电流i
m3
，也就是说，镜射电流i
m3
流过第二晶体管m2。在一些实施例中，如式10所示，第三比例是依据第一晶体管m1及第二晶体管m2的尺寸比例来决定(例如，第一晶
体管m1的漏极至栅极的电位差与第二晶体管m2的漏极至栅极的电位差相等或相近，因而可以忽略第一晶体管m1及第二晶体管m2对于参考电流i
m1
及镜射电流i
m3
所产生的沟道长度调变效应(channel length modulation))。
[0037][0038]
其中，为第一晶体管m1的尺寸比例，其内的w为第一晶体管m1的栅极宽度，l为第一晶体管m1的栅极长度，为第二晶体管m2的尺寸比例，其内的w为第二晶体管m2的栅极宽度，l为第二晶体管m2的栅极长度，k3为第三比例。
[0039]
在一些实施例中，第一晶体管m1为复数个且互相并联及/或第二晶体管m2为复数个且互相并联。第三比例是依据第一晶体管m1的数量及第二晶体管m2的数量来决定。举例来说，第一晶体管m1的并联的数量及第二晶体管m2的并联的数量会影响沟道长度调变参数，进而影响镜射电流i
m3
的值的大小。
[0040]
第三晶体管m3耦接于接地端gnd与第一电流镜子电路131a之间(具体而言，第三晶体管m3的源极耦接接地端gnd，而第三晶体管m3的漏极耦接第一电流镜子电路131a)，镜射电流i
m3
流过第三晶体管m3。第四晶体管m4耦接于接地端gnd与第一节点n1之间(具体而言，第四晶体管m4的源极耦接接地端gnd，而第四晶体管m4的漏极耦接第一节点n1)。第三晶体管m3的栅极、第四晶体管m4的栅极及第三晶体管m3的漏极耦接在一起。第二电流镜子电路131b依据流经第三晶体管m3的镜射电流i
m3
，而在第四晶体管m4的漏极产生输出电流i
m2
，也就是说，输出电流i
m2
流过第四晶体管m4。在一些实施例中，如式11所示，第四比例是依据第三晶体管m3及第四晶体管m4的尺寸比例来决定(例如，第三晶体管m3的漏极至栅极的电位差与第四晶体管m4的漏极至栅极的电位差相等或相近，因而可以忽略第三晶体管m3及第四晶体管m4对于镜射电流i
m3
及输出电流i
m2
所产生的沟道长度调变效应)。
[0041][0042]
其中，为第三晶体管m3的尺寸比例，其内的w为第三晶体管m3的栅极宽度，l为第三晶体管m3的栅极长度，为第四晶体管m4的尺寸比例，其内的w为第四晶体管m4的栅极宽度，l为第四晶体管m4的栅极长度，k4为第四比例。
[0043]
在一些实施例中，第三晶体管m3为复数个且互相并联及/或第四晶体管m4为复数个且互相并联。第四比例是依据第三晶体管m3的数量及第四晶体管m4的数量来决定。举例来说，第三晶体管m3的并联的数量及第四晶体管m4的并联的数量会影响沟道长度调变参数，进而影响输出电流i
m2
的值的大小。
[0044]
值得注意的是，第一电流镜子电路131a也能够以n型mos晶体管或是n型双载子晶体管来实现，而第二电流镜子电路131b也能够以p型mos晶体管或是p型双载子晶体管来实现，且在上述情形下依据本公开的公开内容可推导出如何适当地调整电流镜电路13(或是
第一电流镜子电路131a及第二电流镜子电路131b)的架构。
[0045]
如图1所示，在一些实施例中，参考电流产生电路11包括一第五晶体管m5。第五晶体管m5包括一第一控制端m5_g以及一第一端m5_s。第五晶体管m5耦接于第一阻抗r1与电流镜电路13之间(具体而言，耦接于第一阻抗r1与第一电流镜子电路131a之间)。第一控制端m5_g耦接参考电压v
ref
，第一端m5_s耦接第一阻抗r1。第一控制端m5_g与第一端m5_s之间具有第一电位差v
gs1
。第五晶体管m5依据参考电压v
ref
、第一电位差v
gs1
及第一阻抗值产生参考电流i
m1
。例如，第五晶体管m5以式1的方式产生出参考电流i
m1
。
[0046]
以第五晶体管m5为n型mos晶体管来说明，第一控制端m5_g为第五晶体管m5的栅极，第一端m5_s为第五晶体管m5的源极，而第五晶体管m5的漏极耦接电流镜电路13(具体而言，如图1所示，以第一晶体管m1为p型mos晶体管为例，第五晶体管m5的漏极耦接第一晶体管m1的漏极)，且由于第五晶体管m5的漏极至源极的电位差接近于零，因此第五晶体管m5在其漏极及源极产生同一(实质相同地)参考电流i
m1
。第一电位差v
gs1
为第五晶体管m5的栅源电压(即栅极至源极的电位差)。由于n型mos晶体管具有负温度系数，因而栅源电压(即第一电位差v
gs1
)会受温度的影响而变化，例如温度变大时，第一电位差v
gs1
变小，温度变小时，第一电位差v
gs1
变大。
[0047]
在一些实施例中，第五晶体管m5为n型mos晶体管或是n型双载子晶体管，但本公开并不限于此，第五晶体管m5可以为p型mos晶体管或是p型双载子晶体管，且在上述情形下依据本公开的公开内容可推导出如何适当地调整参考电流产生电路11的架构。
[0048]
如图1所示，在一些实施例中，负反馈电路15包括一反馈电路151以及一电压跟随电路153。反馈电路151耦接第一节点n1。电压跟随电路153耦接第二节点n2及反馈电路151。反馈电路151用以依据第一节点n1的电压v1产生反馈电压v
fb
。其中在负载下降时，输出电压v
out
上升，第一节点n1的电压v1上升，而反馈电压v
fb
下降；在负载上升时，输出电压v
out
下降，第一节点n1的电压v1下降，而反馈电压v
fb
上升。电压跟随电路153用以在反馈电压v
fb
上升时，升高输出电压v
out
，并在反馈电压v
fb
下降时，降低输出电压v
out
。
[0049]
在一些实施例中，反馈电路151包括第六晶体管m6。第六晶体管m6包括一第二控制端m6_g以及一第二端m6_s。第六晶体管m6耦接于接地端gnd、第一节点n1及电压跟随电路153之间。第二控制端m6_g耦接第一节点n1，第二端m6_s耦接接地端gnd。第二控制端m6_g与第二端m6_s之间具有形成第一节点n1的电压v1的一第二电位差v
gs2
。换言之，第二控制端m6_g与第二端m6_s之间的电位差(即第二电位差v
gs2
)即为第一节点n1的电压v1。第六晶体管m6用以依据第一节点n1的电压v1产生反馈电压v
fb
。在一些实施例中，第六晶体管m6还包括一反馈端m6_d。反馈端m6_d耦接一电流源a1及电压跟随电路153。其中，电流源a1的有别于耦接反馈端m6_d及电压跟随电路153的一端是耦接于工作电压端hv，换言之，电流源a1耦接于工作电压端hv、电压跟随电路153及反馈端m6_d之间。
[0050]
以第六晶体管m6为n型mos晶体管来说明，第二控制端m6_g为第六晶体管m6的栅极，第二端m6_s为第六晶体管m6的源极，反馈端m6_d为第六晶体管m6的漏极。第六晶体管m6依据第一节点n1的电压v1及电流源a1的电流而在反馈端m6_d产生反馈电压v
fb
。具体来说，由于反馈端m6_d耦接电流源a1，因而反馈端m6_d具有定电流，因此在负载下降时，输出电压v
out
上升，而第一节点n1的电压v1上升(如式5所示)，此时第六晶体管m6会降低于反馈端m6_d所产生的反馈电压v
fb
；在负载上升时，输出电压v
out
下降，而第一节点n1的电压v1下降(如
式5所示)，此时第六晶体管m6会升高于反馈端m6_d所产生的反馈电压v
fb
。其中，第二电位差v
gs2
为第六晶体管m6的栅源电压(即栅极至源极的电位差)。由于第二电位差v
gs2
会受温度的影响，进而使第一节点n1的电压v1及输出电压v
out
受温度的影响。因此，为了避免输出电压v
out
受温度影响，藉由将第五晶体管m5调整或选用为与第六晶体管m6相同的规格，以使第一控制端m5_g与第一端m5_s之间的第一电位差v
gs1
实质相同于第二电位差v
gs2
，进而使输出电压v
out
与温度无关。例如参照式6，由于第一节点n1的电压v1为第二电位差v
gs2
，而第二电位差v
gs2
实质相同于第一电位差v
gs1
，因而输出电压v
out
符合(例如等于)参考电压v
ref
，因此输出电压v
out
与温度无关。
[0051]
在一些实施例中，第六晶体管m6为n型mos晶体管或是n型双载子晶体管，但本公开并不限于此，第六晶体管m6可以为p型mos晶体管或是p型双载子晶体管，且在上述情形下依据本公开的公开内容可推导出如何适当地调整反馈电路151的架构。
[0052]
在一些实施例中，电压跟随电路153为一源极跟随电路，其包括一第七晶体管m7。第七晶体管m7为n型mos晶体管。在一些实施例中，电压跟随电路153为一射极跟随电路，此时第七晶体管m7为n型双载子晶体管。以电压跟随电路153为源极跟随电路，且第七晶体管m7为n型mos晶体管来说明。第七晶体管m7包括一第三控制端m7_g以及一第三端m7_s。第七晶体管m7耦接于工作电压端hv与第二节点n2之间(具体而言，第七晶体管m7的漏极耦接工作电压端hv，第三端m7_s耦接第二节点n2)。第三控制端m7_g耦接反馈电路151(具体而言，第三控制端m7_g耦接电流源a1及第六晶体管m6的反馈端m6_d)。第三控制端m7_g为第七晶体管m7的栅极，第三端m7_s为第七晶体管m7的源极。由于源极跟随电路的输入电压(来自第三控制端m7_g的电压，即反馈电压v
fb
)与源极跟随电路的输出电压v
out
(来自第三端m7_s的电压，也为第二节点n2的电压)之间的比值近似于一(换言之，源极跟随电路对于将输入电压放大为输出电压v
out
的放大倍率为一或是近似于一)，且两者互为同相位。因此，在反馈电压v
fb
上升时(即此时负载为上升的)，第七晶体管m7通过其放大倍率而经由第三端m7_s升高输出电压v
out
(例如，将输出电压v
out
升高至或是接近至反馈电压v
fb
)，以在负载上升时将输出电压v
out
稳定在一电压电平；在反馈电压v
fb
下降时(即此时负载为下降的)，第七晶体管m7通过其放大倍率而经由第三端m7_s降低输出电压v
out
(例如，将输出电压v
out
降低至或是接近至反馈电压v
fb
)，以在负载下降时将输出电压v
out
稳定在该电压电平。藉此，输出电压v
out
不会受负载的影响。
[0053]
在一些实施例中，当电压跟随电路153为源极跟随电路时，第七晶体管m7可以为p型mos晶体管，且在上述情形下依据本公开的公开内容可推导出如何适当地调整电压跟随电路153的架构。在一些实施例中，当电压跟随电路153为射极跟随电路，第七晶体管m7可以为p型双载子晶体管，且在上述情形下依据本公开的公开内容可推导出如何适当地调整电压跟随电路153的架构。
[0054]
由上述可知，电压调节装置10能够以简单的电路架构在集成电路中产生与温度及负载无关的输出电压v
out
。电压调节装置10的运作无需搭配额外的输出接脚与外部组件，因而具有节省电路面积的优点，且由于不需做额外的组件变异性补偿，致使运作的带宽不受限制。
[0055]
综上所述，依据一些实施例，电压调节装置具有简单的结构，致使不需做多余的组件变异性补偿，而使所运作的带宽不受限制(例如可运作于高速的带宽中)。依据一些实施
例，藉由第一比例(输出电流与参考电流之间的比例)与第二比例(第二阻抗值与第一阻抗值之间的比例)互为反比，致使输出电压不受温度的影响。依据一些实施例，藉由负反馈电路对输出电压的调节，而使输出电压不受负载的影响。
[0056]
【符号说明】
[0057]
10：电压调节装置
[0058]
11：参考电流产生电路
[0059]
m5：第五晶体管
[0060]
m5_g：第一控制端
[0061]
m5_s：第一端
[0062]vref
：参考电压
[0063]vgs1
：第一电位差
[0064]
r1：第一阻抗
[0065]im1
：参考电流
[0066]
13：电流镜电路
[0067]
131a：第一电流镜子电路
[0068]
m1：第一晶体管
[0069]
m2：第二晶体管
[0070]im3
：镜射电流
[0071]
131b：第二电流镜子电路
[0072]
m3：第三晶体管
[0073]
m4：第四晶体管
[0074]im2
：输出电流
[0075]
15：负反馈电路
[0076]
151：反馈电路
[0077]
m6：第六晶体管
[0078]
m6_g：第二控制端
[0079]
m6_s：第二端
[0080]
m6_d：反馈端
[0081]vgs2
：第二电位差
[0082]vfb
：反馈电压
[0083]
a1：电流源
[0084]
153：电压跟随电路
[0085]
m7：第七晶体管
[0086]
m7_g：第三控制端
[0087]
m7_s：第三端
[0088]
r2：第二阻抗
[0089]vout
：输出电压
[0090]
n1：第一节点
[0091]v1
：电压
[0092]
n2：第二节点
[0093]
hv：工作电压端
[0094]
gnd：接地端