一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法

技术特征：
1.一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件，包括有源区和位于有源区外围的结终端区，其特征在于，包括：半导体基底，位于所述半导体基底第一表面的漏极结构，位于所述半导体基底第二表面的若干间隔排列的栅极结构，相邻的栅极结构暴露出的半导体基底内具有p型基区和位于所述p型基区内的n型源区，且所述有源区和结终端区均具有间隔排列的栅极结构、p型基区和n型源区；位于所述有源区表面的源极金属互连层，所述源极金属互连层与所述有源区的n型源区电学连接；位于所述有源区表面的栅极结构金属互连层，所述栅极结构金属互连层连接到栅极结构；位于所述结终端区表面的金属场板，所述金属场板与所述结终端区的n型源区电学连接，且所述源极金属互连层与金属场板为同一金属制备形成。2.如权利要求1所述一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件，其特征在于，所述有源区和所述结终端区的栅极结构、p型基区和n型源区采用相同工艺同时形成。3.如权利要求1所述一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件，其特征在于，所述半导体基底包括sic衬底及sic衬底表面的sic外延片。4.如权利要求1所述一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件，其特征在于，所述有源区和结终端区对应的栅极结构的宽度和相邻栅极结构的间距不同。5.如权利要求1所述一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件，其特征在于，所述有源区的栅极结构与所述结终端区的栅极结构电隔离。6.如权利要求1所述一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件，其特征在于，所述金属场板的宽度大于相邻所述栅极结构的间距。7.如权利要求1所述一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件，其特征在于，所述漏极结构包括：依次位于所述半导体基底第一表面的金属硅化物层、过渡层和漏极金属层。8.如权利要求1所述一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件，其特征在于，所述结终端区的金属场板表面具有钝化层。9.如权利要求1所述一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件，其特征在于，所述p型基区的位置还包括p型重注入体区。10.如权利要求9所述一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件，其特征在于，所述p型重注入体区的深度大于所述p型基区的深度。

技术总结
本实用新型涉及半导体晶体管技术领域。本实用新型提供了一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件，器件结终端区的栅极结构、P型基区和N型源区结构可以和有源区的栅极结构、P型基区和N型源区同时制作，在结终端与半导体基底间形成PN结，当MOSFET器件的漏极加高压时，通过调节相邻两个P型基区和N型源区的距离可以形成不同的的间距来更好地分散电场，且结终端区的金属层形成金属场板，有利于电场的分散，进一步提高结终端区的耐压，从而提高MOSFET器件的击穿电压，同时不需要增加额外的光刻板和光刻精度，节约晶圆制造成本。节约晶圆制造成本。节约晶圆制造成本。


技术研发人员：陈欣璐 黄兴
受保护的技术使用者：派恩杰半导体（杭州）有限公司
技术研发日：2022.09.30
技术公布日：2023/2/10