非光敏胶图形化加工工艺的制作方法

1.本发明涉及半导体干法刻蚀工艺领域，尤其涉及一种非光敏胶图形化加工工艺。


背景技术：

2.目前半导体行业在快速发展，市场对于半导体器件的需求也越来越大，半导体的形式也越来越多样化。其中一部分部件就涉及到在硅基板上涂覆有机胶后进行图形化加工的半导体器件。由于在半导体器件上涂覆的有机胶为非光敏胶导致图形化加工无法直接用光刻显影的方式做出，且使用印刷的方式无法达到图形尺寸精度。
3.因此，如何实现了非光敏胶的高精度图形化加工是现有需要解决的重要研究方向。


技术实现要素：

4.为解决上述技术问题，本发明设计了一种非光敏胶图形化加工工艺。
5.本发明采用如下技术方案：一种非光敏胶图形化加工工艺，其工艺步骤为：s1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏胶达到设定的目标厚度；s2、在非光敏胶上层再涂覆一层光敏胶；s3、在光敏胶上覆盖上掩膜版，掩膜版为部分镂空设计，镂空的部分为图形化加工的产品图案；s4、再使用光刻机曝光的方式将上层光敏胶进行图形化加工，曝光后被光照的区域光敏胶发生质变，再在光敏胶表面倒上显影液通过低速旋涂的方式使显影液流过光敏胶表面，变质的光敏胶会与显影液反应并溶解在显影液中被带走；s5、取下掩膜版，通过干法刻蚀的方式，将气体通入腔体进行电离，电离后的离子在上下电场的作用下加速向下运动将裸露出来的底层非光敏胶刻蚀干净，并保证上层光敏胶保护区域的非光敏胶不被刻蚀到；s6、通过去胶液将非光敏胶上层残留的光敏胶去除，而不破坏下层的非光敏胶，最终得到图形化的非光敏胶，完成整个非光敏胶图形化加工工艺。
6.作为优选，所述非光敏胶采用铁电性能胶。
7.作为优选，步骤s2中，光敏胶厚度为非光敏胶厚度的2-3倍。
8.作为优选，步骤s1中，非光敏胶的厚度控制在微米级。
9.本发明的有益效果是：本发明设计了一种非光敏胶图形化加工工艺, 该工艺实现了非光敏胶的图形化加工，且图形尺寸精度远高于印刷工艺。
附图说明
10.图1是本发明中基板的一种结构示意图；图2是图1中基板涂上非光敏胶的一种结构示意图；
图3是图2中非光敏胶上涂上光敏胶的一种结构示意图；图4是图3中光敏胶上盖上掩膜版的一种结构示意图；图5是图4中光刻显影后的一种结构示意图；图6是图5中拿掉掩膜版的一种结构示意图；图7是图6中干法蚀刻后的一种结构示意图；图8是图7中去除残留的光敏胶的一种结构示意图；图中：1、基板，2、非光敏胶，3、光敏胶，4、掩膜版。
具体实施方式
11.下面通过具体实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的具体描述：实施例：如附图1所示，一种非光敏胶图形化加工工艺，其工艺步骤为：s1、如图1所示，取出基板1，在基板上涂覆一层非光敏胶2达到设定的目标厚度，如图2所示；s2、在非光敏胶上层再涂覆一层光敏胶3，如图3所示；s3、在光敏胶上覆盖上掩膜版4，掩膜版为部分镂空设计，镂空的部分为图形化加工的产品图案，如图4所示；s4、再使用光刻机曝光的方式将上层光敏胶进行图形化加工，曝光后被光照的区域光敏胶发生质变，再在光敏胶表面倒上显影液通过低速旋涂的方式使显影液流过光敏胶表面，变质的光敏胶会与显影液反应并溶解在显影液中被带走，如图5所示；s5、取下掩膜版，如图6所示，通过干法刻蚀的方式，将气体通入腔体进行电离，电离后的离子在上下电场的作用下加速向下运动将裸露出来的底层非光敏胶刻蚀干净，并保证上层光敏胶保护区域的非光敏胶不被刻蚀到，如图7所示；s6、通过去胶液将非光敏胶上层残留的光敏胶去除，而不破坏下层的非光敏胶，最终得到图形化的非光敏胶，如图8所示，完成整个非光敏胶图形化加工工艺。
12.非光敏胶优选铁电性能胶。
13.步骤s2中，光敏胶厚度为非光敏胶厚度的2-3倍。
14.步骤s1中，非光敏胶的厚度控制在微米级。
15.本发明设计了一种非光敏胶图形化加工工艺, 该工艺实现了非光敏胶的图形化加工，且图形尺寸精度远高于印刷工艺，相较而言印刷工艺受限于掩膜板加工精度其尺寸精度在微米级，而本发明的精度与光刻机精度相关最高可做到纳米级。
16.以上所述的实施例只是本发明的一种较佳的方案，并非对本发明作任何形式上的限制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。


技术特征：
1.一种非光敏胶图形化加工工艺，其特征是，其工艺步骤为：s1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏胶达到设定的目标厚度；s2、在非光敏胶上层再涂覆一层光敏胶；s3、在光敏胶上覆盖上掩膜版，掩膜版为部分镂空设计，镂空的部分为图形化加工的产品图案；s4、再使用光刻机曝光的方式将上层光敏胶进行图形化加工，曝光后被光照的区域光敏胶发生质变，再在光敏胶表面倒上显影液通过低速旋涂的方式使显影液流过光敏胶表面，变质的光敏胶会与显影液反应并溶解在显影液中被带走；s5、取下掩膜版，通过干法刻蚀的方式，将气体通入腔体进行电离，电离后的离子在上下电场的作用下加速向下运动将裸露出来的底层非光敏胶刻蚀干净，并保证上层光敏胶保护区域的非光敏胶不被刻蚀到；s6、通过去胶液将非光敏胶上层残留的光敏胶去除，而不破坏下层的非光敏胶，最终得到图形化的非光敏胶，完成整个非光敏胶图形化加工工艺。2.根据权利要求1所述的非光敏胶图形化加工工艺，其特征是，所述非光敏胶采用铁电性能胶。3.根据权利要求1所述的非光敏胶图形化加工工艺，其特征是，步骤s2中，光敏胶厚度为非光敏胶厚度的2-3倍。4.根据权利要求1所述的非光敏胶图形化加工工艺，其特征是，步骤s1中，非光敏胶的厚度控制在微米级。

技术总结
本发明公开了一种非光敏胶图形化加工工艺，其工艺步骤为：S1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏胶达到设定的目标厚度；S2、在非光敏胶上层再涂覆一层光敏胶；S3、在光敏胶上覆盖上掩膜版，掩膜版为部分镂空设计，镂空的部分为图形化加工的产品图案；S4、再使用光刻显影；S5、取下掩膜版，通过干法刻蚀的方式，将裸露出来的底层非光敏胶刻蚀干净，并保证上层光敏胶保护区域的非光敏胶不被刻蚀到；S6、通过去胶液将非光敏胶上层残留的光敏胶去除，而不破坏下层的非光敏胶，最终得到图形化的非光敏胶。本发明工艺实现了非光敏胶的图形化加工，且图形尺寸精度远高于印刷工艺。且图形尺寸精度远高于印刷工艺。且图形尺寸精度远高于印刷工艺。


技术研发人员：陈银培 刘耀菊 宁珈祺 杨巨椽
受保护的技术使用者：杭州美迪凯微电子有限公司
技术研发日：2022.11.22
技术公布日：2023/2/3