半导体器件及显示面板的制作方法

技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；有源定义部，位于所述衬底上，包括在厚度方向上间隔设置的第一表面和第二表面，以及连接于所述第一表面和所述第二表面之间且呈倾斜设置的连接面；以及有源层，包括位于第一表面上的第一掺杂部、位于第一掺杂部靠近第二表面的一侧的第二掺杂部，以及位于所述连接面上且连接于所述第一掺杂部和所述第二掺杂部之间的沟道部；其中，所述沟道部的长度小于或等于1微米，且所述沟道部的晶粒的数量小于或等于3。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道部的长度小于或等于0.3微米，所述沟道部的晶粒的数量等于1。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接面与所述第一表面具有第一夹角；其中，所述第一夹角大于或等于90
°
且小于或等于135
°
。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：第一绝缘层，位于所述衬底和所述有源层之间，包括所述有源定义部。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一表面为所述第一绝缘层的顶面，所述第二表面为所述第一绝缘层的底面且与所述第一表面平行，所述连接面为所述第一绝缘层的外侧面。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层设有凹槽，所述第一表面为所述凹槽的底面，所述第二表面为所述第一绝缘层的顶面，所述连接面为所述凹槽的侧表面。7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：栅极层，位于所述有源层上，包括对应于所述沟道部的栅极，所述栅极相对于所述第一表面朝向所述沟道部倾斜，且呈环形。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：栅极层，位于所述衬底和所述有源层之间，包括栅极，所述栅极包括所述有源定义部。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一表面为所述栅极的顶面，所述第二表面为所述栅极的底面且与所述第一表面平行，所述连接面为所述栅极的外侧面。10.根据权利要求5或9所述的半导体器件，其特征在于，还包括：源漏极层，位于所述有源层上，包括与所述第一掺杂部电性连接的第一电极和与所述第二掺杂部电性连接的第二电极，所述第一电极连接于所述第一掺杂部的中部。11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～10任一所述的半导体器件。

技术总结
本发明提供一种半导体器件及一种显示面板。半导体器件包括有源定义部及有源层。有源定义部包括在厚度方向上间隔设置的第一表面和第二表面，以及连接于第一表面和第二表面之间且呈倾斜设置的连接面。有源层包括位于第一表面上的第一掺杂部、位于第一掺杂部靠近第二表面的一侧的第二掺杂部，以及位于连接面上且连接于第一掺杂部和第二掺杂部之间的沟道部。通过使沟道部的长度小于或等于1微米，且沟道部的晶粒的数量小于或等于3，以使半导体器件在连接面上生成的晶粒数量较少，从而控制晶界数量，以提高半导体器件的迁移率，利于使半导体器件实现短沟道及高迁移率的设计。显示面板包括半导体器件。包括半导体器件。包括半导体器件。


技术研发人员：李治福 刘广辉 艾飞 宋德伟 李壮
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2022.11.16
技术公布日：2023/2/3