晶棒切割方法、装置及设备与流程

技术特征：
1.一种晶棒切割方法，其特征在于，包括：获取切割线单向切入晶棒的目标进线长度，所述目标进线长度是基于所述切割线的加速度以及单向切入所述晶棒的预设切割深度确定的，所述预设切割深度大于或者等于所述晶棒被工作台移动到预设起始点时与预设切割零点之间高度相对标准高度的偏差；当所述工作台移动所述晶棒到达所述预设切割零点时，控制所述切割线所形成线网单向切入所述晶棒；在单向切入所述晶棒的实际进线长度达到所述目标进线长度后，控制所述线网双向切割所述晶棒。2.根据权利要求1所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述目标进线长度的确定方式包括：基于所述预设切割深度、所述切割线的加速度、单向切入所述晶棒采用的所述切割线的目标线速度和所述工作台的目标速度，确定所述目标进线长度。3.根据权利要求2所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述基于所述预设切割深度、所述切割线的加速度、单向切入所述晶棒采用的所述切割线的目标线速度和所述工作台的目标速度，确定所述目标进线长度，包括：将所述预设切割深度输入进线长度模型，得到所述进线长度模型输出的所述目标进线长度，所述进线长度模型包含所述预设切割深度与所述切割线的加速度、单向切入所述晶棒采用的所述切割线的目标线速度和所述工作台的目标速度的函数关系。4.根据权利要求1至3任一项所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述获取切割线单向切入晶棒的目标进线长度之前，还包括：将所述工作台移动所述晶棒刚接触所述线网的位置，记录为所述预设切割零点；控制所述工作台移动所述晶棒抬升所述标准高度，并将抬升后的位置记录为所述预设起始点；若表面平整的标准件置于所述线网与所述晶棒之间时的状态符合设定状态，则所述预设切割零点准确；所述标准高度等于所述标准件的厚度。5.根据权利要求1至3任一项所述的晶棒切割方法，其特征在于，双向切割所述晶棒时采用的所述切割线的目标线速度大于单向切入所述晶棒时采用的所述切割线的目标线速度。6.根据权利要求1所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述晶棒切割后得到的硅片的边长大于或者等于182毫米。7.根据权利要求1或6所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述预设切割深度为2.0-3.0毫米；所述控制所述切割线所形成线网单向切入所述晶棒，包括：控制所述工作台的目标速度为1.5-1.8毫米/分钟，和/或，所述切割线的目标线速度为10-18米/秒，和/或，所述切割线的加速度为4-10米/平方秒，和/或，切割液的流量小于满载时切割液的流量，和/或，切割液的温度为16-24摄氏度；基于所述目标进线长度以及对应的目标回线长度，控制所述线网单向切入所述晶棒，所述目标进线长度为656-1448米，所述目标回线长度为646-1430米。8.一种晶棒切割装置，其特征在于，包括：获取模块，用于获取切割线单向切入晶棒的目标进线长度，所述目标进线长度是基于
所述切割线的加速度以及单向切入所述晶棒的预设切割深度确定的，所述预设切割深度大于或者等于所述晶棒被工作台移动到预设起始点时与预设切割零点之间高度相对标准高度的偏差；第一控制模块，用于当所述工作台移动所述晶棒到达所述预设切割零点时，控制所述切割线所形成线网单向切入所述晶棒；第二控制模块，用于在单向切入所述晶棒的实际进线长度达到所述目标进线长度后，控制所述线网双向切割所述晶棒。9.一种晶棒切割设备，其特征在于，包括如权利要求8所述的晶棒切割装置，或用于执行权利要求1至7任一项所述的晶棒切割方法。10.根据权利要求9所述的晶棒切割设备，其特征在于，还包括表面平整的标准件，所述标准件用于置于所述线网与所述晶棒之间，检验所述预设切割零点是否准确。

技术总结
本发明涉及半导体加工领域，提供一种晶棒切割方法、装置及设备，其中方法包括：获取切割线单向切入晶棒的目标进线长度，目标进线长度是基于切割线的加速度以及单向切入晶棒的预设切割深度确定的，预设切割深度大于或者等于晶棒被工作台移动到预设起始点时与预设切割零点之间高度相对标准高度的偏差；当工作台移动晶棒到达预设切割零点时，控制切割线所形成线网单向切入晶棒；在单向切入晶棒的实际进线长度达到目标进线长度后，控制线网双向切割晶棒。如此，解决了切割线入切点在晶棒上可能会发生偏移，导致不同硅片厚薄不均或硅片产生弯曲的问题，实现了线网平稳切入晶棒，减少了切割晶棒时产生入切厚薄不均或产生弯曲的情况。割晶棒时产生入切厚薄不均或产生弯曲的情况。割晶棒时产生入切厚薄不均或产生弯曲的情况。


技术研发人员：请求不公布姓名 请求不公布姓名 夏益民
受保护的技术使用者：三一硅能（株洲）有限公司
技术研发日：2022.10.11
技术公布日：2023/2/3