制造衬底的方法、相应的衬底和半导体器件与流程

技术特征：
1.一种方法，包括：提供雕刻式导电层状结构，在所述雕刻式导电层状结构中具有空间，其中所述雕刻式导电层状结构具有第一厚度，并且包括至少一个管芯焊盘，所述至少一个管芯焊盘具有被配置为安装所安装的半导体芯片的第一管芯焊盘表面、以及与所述第一管芯焊盘表面相对的第二管芯焊盘表面，其中所述至少一个管芯焊盘在所述第一管芯焊盘表面和所述第二管芯焊盘表面之间具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；向所述雕刻式导电层状结构提供从所述第二管芯焊盘表面突出的至少一个柱形成件，其中每个柱形成件具有等于在所述第一厚度和所述第二厚度之间的差的高度；在预模制工具的第一平面夹持表面和第二平面夹持表面之间夹持所述雕刻式导电层状结构，其中所述预模制工具的所述第一平面夹持表面抵靠所述第一管芯焊盘表面，并且所述预模制工具的所述第二平面夹持表面抵靠每个柱形成件的远端部分，其中所述第一平面夹持表面和所述第二平面夹持表面之间的距离基本上等于所述第一厚度；以及模制绝缘预模制材料，以穿透到夹在所述预模制工具的所述第一平面夹持表面和所述第二平面夹持表面之间的所述雕刻式导电层状结构的所述空间中，并且提供层状预模制衬底，所述层状预模制衬底具有所述第一厚度，并且包括所述第一管芯焊盘表面、以及由所述预模制材料暴露的每个柱形成件的远端部分。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述模制绝缘预模制材料之后移除所述至少一个柱形成件。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述第一管芯焊盘表面中提供与从所述第二管芯焊盘表面突出的每个柱形成件对准的盲孔，其中移除所述至少一个柱形成件致使所述盲孔变成在所述第一管芯焊盘表面与所述第二管芯焊盘表面之间的通孔。4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：将半导体芯片安装在所述第一管芯焊盘表面上，所述第一管芯焊盘表面由所述层状预模制衬底中的所述预模制材料暴露；以及在移除所述至少一个柱形成件之后，将绝缘封装模制到所述层状预模制衬底上，所述层状预模制衬底具有安装在所述第一管芯焊盘表面上的所述半导体芯片，其中所述绝缘封装穿透到所述通孔中，并且接触所述层状预模制衬底中的所述预模制材料。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一管芯焊盘表面与所述第二管芯焊盘表面之间的所述第二厚度约为所述第一厚度的一半。6.根据权利要求1所述的方法，其中提供在其中具有空间的所述雕刻式导电层状结构包括：蚀刻层状金属材料。7.一种衬底，包括：雕刻式导电层状结构，在所述雕刻式导电层状结构中具有空间，其中所述雕刻式导电层状结构具有第一厚度，并且包括至少一个管芯焊盘，所述至少一个管芯焊盘具有被配置为安装半导体芯片的第一管芯焊盘表面、以及与所述第一管芯焊盘表面相对的第二管芯焊盘表面；其中所述至少一个管芯焊盘在所述第一管芯焊盘表面和所述第二管芯焊盘表面之间具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；至少一个柱形成件，从所述第二管芯焊盘表面突出，每个柱形成件具有等于所述第一
厚度和所述第二厚度之间的差的高度；以及绝缘预模制材料，被模制到所述层状结构上，其中所述预模制材料穿透到所述空间中以提供层状预模制衬底，所述层状预模制衬底在前表面与后表面之间具有所述第一厚度，并且包括由所述预模制材料在所述前表面处留下暴露的所述第一管芯焊盘表面；其中所述第二管芯焊盘表面被所述预模制材料覆盖，以在所述后表面处提供所述至少一个管芯焊盘的绝缘；以及其中每个柱状形成件的远端部分由所述层状预模制衬底的所述后表面处的所述预模制材料暴露。8.根据权利要求7所述的衬底，其中所述第一管芯焊盘表面被免除于在其上的预模制材料飞边。9.根据权利要求8所述的衬底，其中所述第一管芯焊盘表面与所述第二管芯焊盘表面之间的所述第二厚度约为所述第一厚度的一半。10.一种半导体器件，包括：雕刻式导电层状结构，在所述雕刻式导电层状结构中具有空间，所述层状结构具有第一厚度并且包括至少一个管芯焊盘，所述至少一个管芯焊盘具有第一管芯焊盘表面、以及与所述第一管芯焊盘表面相对的第二管芯焊盘表面，其中所述至少一个管芯焊盘在所述第一管芯焊盘表面和所述第二管芯焊盘表面之间具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；绝缘预模制材料，模制到所述层状结构上，其中所述预模制材料穿透到所述空间中，并且提供层状预模制衬底，所述层状预模制衬底在前表面与后表面之间具有所述第一厚度，并且包括由所述预模制材料在所述前表面处留下暴露的所述第一管芯焊盘表面；以及半导体芯片，安装在所述第一管芯焊盘表面上；其中所述第二管芯焊盘表面由所述预模制材料覆盖，以在所述后表面处提供所述至少一个管芯焊盘的绝缘。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一管芯焊盘表面被免除于在其上的预模制材料飞边。12.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包括：绝缘封装，模制到所述层状预模制衬底和安装在所述第一管芯焊盘表面上的所述半导体芯片上；其中在所述至少一个管芯焊盘中具有至少一个通孔，所述至少一个通孔在所述第一管芯焊盘表面和所述第二管芯焊盘表面之间延伸；以及其中所述绝缘封装穿透到所述通孔中并接触层状预模制衬底中的预模制材料。13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一管芯焊盘表面和所述第二管芯焊盘表面之间的第二厚度约为所述第一厚度的一半。

技术总结
本公开的实施例涉及制造衬底的方法、相应的衬底和半导体器件。预模制引线框包括其中具有空的空间和第一厚度的层状结构，其中管芯焊盘具有相对的第一和第二管芯焊盘表面。将绝缘预模制材料模制到所述层状结构上。预模制材料穿透空的空间并提供具有第一厚度的层状预模制衬底，其中第一管芯焊盘表面保持暴露。管芯焊盘具有小于第一厚度的第二厚度。提供从第二管芯焊盘表面突出到等于第一和第二厚度之间的差的高度的一个或多个柱状结构。在层状结构被夹在管芯的表面之间的情况下，第一管芯焊盘表面和柱形成件紧靠管芯表面。因此，管芯焊盘有效地夹持在夹持表面之间，以对抗第一管芯焊盘表面上的预模制材料的不合需要的飞边。盘表面上的预模制材料的不合需要的飞边。盘表面上的预模制材料的不合需要的飞边。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
技术研发日：2022.07.29
技术公布日：2023/2/3