量测辐射系统中的高压和真空水平传感器的制作方法

量测辐射系统中的高压和真空水平传感器
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年5月29日提交的题为“量测辐射系统中的高压和真空水平传感器(high pressure and vacuum level sensor in metrology radiation systems)”的美国申请号63/032,187的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开涉及用于在光刻过程中使用的极紫外(euv)辐射系统内输送源材料以制造半导体器件的供给机构。


背景技术：

4.光刻装置是将期望图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(ic)。在该实例中，图案形成装置(其可以为掩模或掩模版)可以用于生成要正在被形成的ic的各个层上形成的电路图案，并且该图案可以转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的一部分)上。转印图案通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(例如，抗蚀剂)层上。一般而言，单个衬底将包含经过接连图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；以及所谓的扫描器，其中通过由给定方向(扫描方向)上的辐射射束扫描图案来照射每个目标部分，同时沿平行于该扫描方向的方向或沿平行于扫描方向并且与扫描方向相对的方向对目标部分进行同步扫描。通过将图案压印到衬底上，还可以将图案从图案形成装置转印到衬底。
5.极紫外线(“euv”)光(例如，电磁辐射，其波长为约50纳米(nm)或更小(有时也被称为软x射线)并且包括波长为约13nm的光)可以用于光刻装置或与该光刻装置一起使用，以在诸如例如硅晶片之类的衬底中产生极小特征。产生euv光的方法包括但不必局限于使用euv范围内的发射线将具有元素(例如，氙(xe)、锂(li)或锡(sn))的材料转换为等离子体状态。例如，在一种这样的方法中，可以通过使用可以被称为驱动激光器的经放大光束照射形式为微滴、板、带、流或材料簇的目标材料来产生通常被称为激光产生等离子体(“lpp”)的等离子体，该目标材料在lpp源的上下文中可互换地被称为燃料。对于该过程，通常在密封容器(例如，真空腔室)中产生等离子体，并且使用各种类型的量测设备对该等离子体进行监测。
6.在传统的锡基辐射源容器内部，许多功能(诸如保护性氢气(h2)、热屏蔽和精密护罩安装)也必须允许量测视场(fov)和微滴路径间隙，同时防止sn堆积。而且，当前系统不能以适当方式监测可用于向euv微滴生成器供应源材料的源。因而，需要改进源的可用性并且消除与缺乏对微滴生成器(dgen)的高质量源供应器(例如，sn供应器)相关联的停机时间。


技术实现要素：

7.本公开描述了用于在极紫外(euv)辐射系统中提供光学量测的系统、装置和方法
的各个方面以及各种其他方面。更具体地，本公开描述了一种内联再填充(ir)系统，该ir系统允许连续监测高纯度sn并且将高纯度sn连续供应到微滴生成器组件(dga)中。
8.根据一个方面，一种用于测量燃料供给水平的方法包括：以预定入射角，引导检查射束通过辐射燃料的顶部表面处的燃料箱观察端口。该方法还可以包括：在与观察端口相邻定位的传感器处，接收检查射束的由辐射燃料的顶部表面反射的一部分。在其他方面中，该方法包括：测量从传感器到辐射燃料的顶部表面的距离；以及基于所测量的距离，计算燃料箱中的辐射燃料的填充水平。
9.根据一个方面，公开了一种用于测量燃料填充水平的测量设备和方法。根据一些实施例，公开了一种用于测量极紫外(euv)辐射系统中的辐射燃料的燃料填充水平的测量设备，该测量设备位于燃料箱内。根据一些方面，测量设备包括多个探针，该多个探针在燃料箱内延伸，并且多个探针中的每个探针响应于与辐射燃料接触而生成信号。根据一些方面，多个探针通过多个气密高压密封件连接到燃料箱。根据一些方面，测量设备还可以包括控制器，该控制器包括处理电路系统。根据一些方面，控制器响应于接收到一个或多个所生成的信号而计算燃料箱内的燃料填充水平，生成指示所计算的填充水平的输出信号，并且将输出信号传输到至少另一控制器。
10.根据一些实施例，可以提供一种光刻辐射系统。在一些方面中，光刻辐射系统可以包括第一燃料箱，该第一燃料箱耦合到第一传感器设备和第一控制器。在一些方面中，光刻辐射系统可以包括第二燃料箱，该第二燃料箱耦合到第二传感器设备和第二控制器。在一些方面中，第二燃料箱位于燃料填充系统中的第一燃料箱的上游，并且向光刻辐射系统提供辐射燃料。根据一些方面，第一控制器计算第一燃料箱内的燃料填充水平，以生成指示所计算的填充水平的输出信号，并且将该输出信号传输到第二控制器。
11.下文参考附图对其他特征以及各个方面的结构和操作进行详细描述。应当指出，本发明不限于本文中所描述或说明的特定方面。本文中仅出于说明目的而呈现这些方面。基于本文中所包含的教导，对于一个或多个相关领域的技术人员而言，其他方面将是显而易见的。
附图说明
12.并入本文并且形成说明书的一部分的附图图示了本发明，并且与描述一起进一步用来解释本发明的各方面的原理，并且使得一个或多个相关领域的技术人员能够制作并使用本发明的各方面。
13.图1a是根据本公开的一些方面的示例反射光刻装置的示意性图示；
14.图1b是根据本公开的一些方面的示例透射光刻装置的示意性图示；
15.图2a、图2b和图3示出了根据一些实施例的反射光刻装置的更详细的示意图；
16.图4示出了根据一些实施例的光刻单元的示意图；
17.图5是根据本公开的一些方面的用于示例反射光刻装置的示例辐射源的示意性图示；
18.图6a和图6b图示了根据一些实施例的箱内水平传感器的示意性架构；
19.图7图示了根据一些实施例的内联再填充系统的示意性架构；
20.图8a至图8b图示了根据一些实施例的用于检测真空箱中的源水平的非侵入式三
角测量传感器；
21.图8c是图示了由光学设备测量的平均sn水平和噪声水平的偏移的温度-时间曲线图；
22.图9a至图9d图示了根据一些实施例的用于检测真空箱中的源水平的非侵入式三角测量传感器部署的另一示例；
23.图10是根据一些实施例的在传感器的接收器阵列处检测的信号的图形表示；以及
24.图11是示出了根据一些实施例的内联再填充系统中的源水平的检测方法的示例的流程图。
25.根据下文结合附图所阐述的具体实施方式，本公开的特征和优点将变得更加显而易见，在附图中相同的附图标记始终标识对应元件。在附图中，除非另有说明，否则相同的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。附加地，通常，附图标记的最左边的数字标识附图标记首次出现的附图。除非另有说明，否则在整个公开内容中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。
具体实施方式
26.本说明书公开了并入本公开的特征的一个或多个实施例。一个或多个所公开的实施例仅描述本公开。本公开的范围不限于一个或多个所公开的实施例。本公开的宽度和范围由所附权利要求及其等同物限定。
27.所描述的一个或多个实施例以及说明书中对“一个实施例”、“一实施例”、“示例实施例”、“示例性实施例”等的引用指示所描述的一个或多个实施例可以包括特定特征、结构或特点，但是每个实施例可以不必包括该特定特征、结构或特点。而且，这些短语不一定指同一实施例。进一步地，当结合实施例对特定特征、结构或特点进行描述时，应当了解，无论是否明确描述，结合其他实施例影响这种特征、结构或特点都在所属领域的技术人员的知识范围之内。
28.本文中可以使用空间上相对的术语，诸如“在
……
下面”，“在
……
下方”、“在
……
下部”、“在
……
上方”、“在
……
上”、“在
……
上部”等，以便于描述如图所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了图中所示的方位之外，空间上相对的术语还旨在涵盖设备在使用或操作时的不同方位。该装置可以以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)并且本文中所使用的空间上相对的描述符同样可以相应地进行解释。
29.如本文中所使用的术语“约”指示可以基于特定技术发生变化的给定量的值。基于特定技术，术语“约”可以表示在例如值的10％至30％(例如值的
±
10％、
±
20％或
±
30％)内发生变化的给定量的值。
30.本文中所公开的辐射源容器和cfr具有许多优点和益处。例如，本公开的各个方面提供：模块化(例如，提高了可维护性，增强了可升级性)；改善性能(例如，单个装置中包括更多功能)；改善的可用性(例如，与传统辐射源容器相比，减少sn沉积以及更快的可维护性)；以及降低成本(例如，将周边流动功能构建到cfr中可能比将周边流动功能构建到辐射收集器中更便宜，如传统设计一样)。
31.然而，在对这些方面进行更详细的描述之前，呈现其中可以实施本发明的各方面的示例环境具有指导意义。
32.示例光刻系统
33.图1a和图1b分别是其中可以实施本公开的各方面的光刻装置100和光刻装置100'的示意性图示。如图1a和图1b所示，光刻装置100和100'从垂直于xz平面(例如，x轴指向右并且z轴指向上)的视点(例如，侧视图)图示，而图案形成装置ma和衬底w从垂直于xy平面(例如，x轴指向右并且y轴指向上)的附加视点(例如，俯视图)图示。
34.光刻装置100和光刻装置100'各自包括以下各项：照射系统il(例如，照射器)，被配置为调节辐射射束b(例如，深紫外(duv)辐射射束或极紫外(euv)辐射射束)；支撑结构mt(例如，掩模台)，被配置为支撑图案形成装置ma(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)并且连接到第一定位器pm，该第一定位器pm被配置为精确定位图案形成装置ma；以及衬底保持器，诸如衬底台wt(例如，晶片台)，被配置为保持衬底w(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)并且连接到第二定位器pw，该第二定位器pw被配置为精确定位衬底w。光刻装置100和100'还具有投射系统ps，该投射系统ps被配置为将由图案形成装置ma赋予辐射射束b的图案投射到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或多个管芯的部分)上。在光刻装置100中，图案形成装置ma和投射系统ps具有反射性。在光刻装置100'中，图案形成装置ma和投射系统ps具有透射性。
35.照射系统il可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型部件、反射型部件、磁性型部件、电磁型部件、静电型部件、或其他类型的光学部件、或其任何组合，以用于引导、整形或控制辐射射束b。
36.支撑结构mt以取决于图案形成装置ma相对于参考系的方位、光刻装置100和100'中的至少一个光刻装置的设计以及其他条件(诸如例如，图案形成装置ma是否保持在真空环境中)的方式支撑图案形成装置ma。支撑结构mt可以使用机械、真空、静电或其他夹紧技术来保持图案形成装置ma。支撑结构mt可以例如是框架或台，其根据需要可以固定或可移动。通过使用传感器，支撑结构mt可以确保图案形成装置ma处于例如相对于投射系统ps的期望位置。
37.术语“图案形成装置”应当被广义地解释为是指可以用于赋予辐射射束的横截面图案以便在衬底w的目标部分c中产生图案的任何设备。赋予辐射射束b的图案可以与在目标部分c中产生以形成集成电路的设备中的特定功能层相对应。
38.图案形成装置ma可以是透射式图案形成装置(如在图1b的光刻装置100'中一样)或反射式图案形成装置(如在图1a的光刻装置100中一样)。图案形成装置ma的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列和可编程lcd面板。掩模包括诸如二元、交替相移和衰减相移之类的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，其中每个小反射镜可以单独倾斜，以便沿不同方向反射入射辐射射束。倾斜反射镜在辐射射束b中赋予图案，该图案由小反射镜矩阵反射。
39.视正在使用的曝光辐射或其他因子(诸如在衬底w上使用浸没液体或使用真空)的情况而定，术语“投射系统”ps可以包括任何类型的投射系统，诸如折射型部件、反射型部件、磁性型部件、电磁型部件、静电型部件、或其他类型的光学部件、或其任何组合。由于其他气体可能吸收太多的辐射或电子，所以真空环境可以用于euv或电子射束辐射。因此，可以借助于真空壁和真空泵向整个射束路径提供真空环境。
40.光刻装置可以是具有两个(双载物台)或更多个衬底台(或两个或更多个掩模台)
的类型。在这种“多载物台”机器中，可以并行使用附加衬底台wt，或可以在一个或多个台上执行准备步骤，同时正在使用一个或多个其他衬底台wt进行曝光。在一些情况下，附加台可能不是衬底台wt。
41.光刻装置还可以是以下类型的光刻装置，其中衬底的至少一部分可以被折射率相对较高的液体(例如，水)覆盖，以便填充投射系统与衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻装置中的其他空间，例如，施加在掩模与投射系统之间。浸没技术提供用于增加投射系统的数值孔径。如本文中所使用的术语“浸没”并不意指诸如衬底之类的结构必须淹没在液体中，而是仅意指液体在曝光期间位于投射系统与衬底之间。
42.参考图1a和图1b，照射系统il从辐射源so接收辐射射束。例如，当辐射源so是准分子激光器时，辐射源so和光刻装置100或100'可以是分开的实体。在这种情况下，不认为辐射源so是光刻装置100或100'的一部分，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的射束递送系统bd，辐射射束从辐射源so传递到照射系统il。在其他情况下，例如，当辐射源so是水银灯时，辐射源so可以是光刻装置100或100'的组成部分。辐射源so和照射系统il以及(如果需要)与射束递送系统bd一起被称为辐射系统。
43.照射系统il可以包括调整器ad(例如，如图1b所示)，该调整器ad用于调整辐射射束的角强度分布。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围(radial extent)和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照射系统il可以包括各种其他部件(例如，如图1b所示)，诸如积分器in和辐射收集器co(例如，会聚器或收集器光学器件)。照射系统il可以用于调节辐射射束b，以在其横截面中具有期望均匀性和强度分布。
44.参考图1a，辐射射束b入射在保持在支撑结构mt(例如，掩模台)上的图案形成装置ma(例如，掩模)上，并且通过图案形成装置ma进行图案化。在光刻装置100中，辐射射束b从图案形成装置ma反射。在从图案形成装置ma反射之后，辐射射束b穿过投射系统ps，该投射系统ps将辐射射束b聚焦到衬底w的目标部分c上。借助于第二定位器pw和位置传感器if(例如，干涉仪设备、线性编码器、或电容传感器)，可以精确移动衬底台wt(例如，以便将不同的目标部分c定位在辐射射束b的路径中)。同样，第一定位器pm和另一位置传感器ps1(例如，干涉仪设备、线性编码器、或电容传感器)可以用于相对于辐射射束b的路径精确定位图案形成装置ma。可以使用掩模对准标记m1和m2和衬底对准标记p1和p2来对准图案形成装置ma和衬底w。
45.参考图1b，辐射射束b入射在保持在支撑结构mt上的图案形成装置ma上，并且通过图案形成装置ma进行图案化。在横穿图案形成装置ma之后，辐射射束b穿过投射系统ps，该投射系统ps将辐射射束聚焦到衬底w的目标部分c上。投射系统具有与照射系统光瞳ipu的光瞳共轭ppu。辐射的各部分从照射系统光瞳ipu处的强度分布发出并且横穿掩模图案而不受掩模图案处的衍射影响，并且在照射系统光瞳ipu处产生强度分布的图像。
46.投射系统ps将掩模图案mp的图像mp'投射到涂覆在衬底w上的抗蚀剂层上，其中图像mp'由通过来自强度分布的辐射由掩模图案mp产生的衍射射束形成。例如，掩模图案mp可以包括线和间隔的阵列。位于阵列处的并且与零阶衍射不同的辐射的衍射生成沿垂直于线的方向具有方向改变的控向衍射射束。未衍射射束(例如，所谓的零阶衍射射束)沿传播方向横穿图案，而没有任何改变。零阶衍射光束在投射系统ps的光瞳共轭ppu的上游横穿投射
系统ps的上部透镜或上部透镜组以到达光瞳共轭ppu。位于光瞳共轭ppu的平面中并且与零阶衍射射束相关联的强度分布的部分是照射系统il的照射系统光瞳ipu中的强度分布的图像。孔径设备pd例如设置在或基本设置在包括投射系统ps的光瞳共轭ppu的平面处。
47.借助于第二定位器pw和位置传感器ifd(例如，干涉仪设备、线性编码器或电容传感器)，可以精确移动衬底台wt(例如，以便在辐射射束b的路径中定位不同的目标部分c)。同样，第一定位器pm和另一位置传感器(图1b中未示出)可以用于相对于辐射射束b的路径精确定位图案形成装置ma(例如，在从掩模库机械取回之后或在扫描期间)。
48.一般而言，移动支撑结构mt可以借助于长行程定位器(粗定位)和短行程定位器(精定位)实现，该长行程定位器和短行程定位器形成第一定位器pm的一部分。同样，移动衬底台wt可以使用长行程定位器和短行程定位器实现，该长行程定位器和短行程定位器形成第二定位器pw的一部分。在步进器(与扫描仪相对)的情况下，支撑结构mt可以仅连接到短行程致动器或可以固定。可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准图案形成装置ma和衬底w。尽管衬底对准标记(如所图示的)占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(例如，划线对准标记)。同样，在其中图案形成装置ma上设置多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。
49.支撑结构mt和图案形成装置ma可以位于真空腔室v中，其中真空内机器人ivr可以用于将诸如掩模之类的图案形成装置移入或移出真空腔室。可替代地，当支撑结构mt和图案形成装置ma位于真空腔室的外部时，真空外机器人可以用于各种运输操作，与真空内机器人ivr类似。在一些示例中，真空内机器人和真空外机器人两者都需要被校准以用于将任何有效载荷(例如，掩模)平滑转印到转印站的固定运动支座。
50.光刻装置100和100'可以在以下模式中的至少一种模式下使用：
51.1.在步进模式下，支撑结构mt和衬底台wt保持基本静止，同时赋予辐射射束的整个图案一次投射到目标部分c上(即，单一静态曝光)。然后，衬底台wt沿x方向和/或y方向偏移，使得可以对不同目标部分c进行曝光。
52.2.在扫描模式下，对支撑结构mt和衬底台wt进行同步扫描，同时赋予辐射射束的图案投射到目标部分c上(即，单一动态曝光)。衬底台wt相对于支撑结构mt(例如，掩模台)的速度和方向可以通过投射系统ps的(缩小)放大率和图像反转特点来确定。
53.3.在另一模式下，用于保持可编程图案形成装置ma的支撑结构mt保持基本静止，并且对衬底台wt进行移动或扫描，同时赋予辐射射束b的图案投射到目标部分c上。可以采用脉冲辐射源so，并且在衬底台wt的每次移动之后或在扫描期间的接连辐射脉冲之间，根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以容易应用于利用可编程图案形成装置ma(诸如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
54.还可以采用上述使用模式的组合和/或变型或完全不同的使用模式。
55.在另一方面中，光刻装置100包括euv源，该euv源被配置为生成用于euv光刻的euv辐射射束。一般而言，euv源配置在辐射系统中，并且对应照射系统被配置为调节euv源的euv辐射射束。
56.图2a更详细地示出了光刻装置100，该光刻装置100包括辐射源so(例如，源收集器装置)、照射系统il和投射系统ps。如图2a所示，光刻装置100从垂直于xz平面(例如，x轴指向右并且z轴指向上)的视点(例如，侧视图)图示。
57.辐射源so被构造并布置为使得真空环境可以维持在围合结构220内。辐射源so包括源腔室211和收集器腔室212，并且被配置为产生和透射euv辐射。euv辐射可以由气体或蒸气(例如，xe气体、li蒸气或sn蒸气)产生，其中产生euv辐射发射等离子体210以发射电磁光谱的euv范围内的辐射。至少部分被电离的euv辐射发射等离子体210可以通过例如放电或激光射束产生。例如，约10.0帕斯卡(pa)的xe气体、li蒸气、sn蒸气或任何其他合适气体或蒸气的分压可以用于有效生成辐射。在一些方面中，提供经激励的sn的等离子体以产生euv辐射。
58.由euv辐射发射等离子体210发射的辐射经由可选的气体阻挡件或污染物阱230(在一些情况中，也被称作为污染物阻挡件或翼片阱)从源腔室211传递到收集器腔室212，该气体阻挡件或污染物阱230被定位在源腔室211中的开口中或其后面。污染物阱230可以包括通道结构。污染物阱230还可以包括气体阻挡件或气体阻挡件和通道结构的组合。还在本文中所指示的污染物阱230至少包括通道结构。
59.收集器腔室211可以包括辐射收集器co(例如，会聚器或收集器光学器件)，该辐射收集器co可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器co具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿辐射收集器co的辐射可以被光栅光谱滤光片240反射，以在虚拟源点if处聚焦。虚拟源点if通常被称作中间焦点，并且源收集器装置被布置为使得中间焦点if定位在围合结构220中的开口221处或其附近。虚拟源点if是euv辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤光片240特别用于抑制红外(ir)辐射。
60.随后，辐射横穿照射系统il，该照射系统il可以包括琢面场反射镜设备222和琢面光瞳反射镜设备224，该琢面场反射镜设备222和琢面光瞳反射镜设备224被布置为在图案形成装置ma处提供辐射射束221的期望角分布以及在图案形成装置ma处提供辐射强度的期望均匀性。在辐射射束221在由支撑结构mt保持的图案形成装置ma处反射之后，经图案化的射束226被形成，并且经图案化的射束226经由反射元件228、229通过投射系统ps成像到由晶片载物台或衬底台wt保持的衬底w上。
61.比所示出的元件更多的元件可能通常设置在照射系统il和投射系统ps中。可选地，光栅光谱滤光片240可以依据光刻装置的类型而存在。进一步地，可能存在比图2所示的反射镜更多的反射镜，例如，投射系统ps中可能存在比图2a所示的反射元件多1个反射元件至6个反射元件。
62.如图2a所图示的辐射收集器co被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴o轴向对称设置，并且这一类型的辐射收集器co优选地与放电产生等离子体(dpp)源组合使用。
63.图2b示出了根据一些实施例的光刻装置100(例如，图1)的选定部分但在源收集器装置so中具有备选收集光学器件的示意性图示。应当领会，图2a所示的未在图2b中出现的结构(为了清楚起见)仍可以包括在参考图2b的实施例中。图2b中具有与图2a中的附图标记相同的附图标记的元件具有与参考图2a所描述的结构和功能相同或基本类似的结构和功能。
64.在一些实施例中，光刻装置100可以用于例如使用euv光的经图案化射束来曝光衬底w，诸如涂覆有抗蚀剂的晶片。在图2b中，照射系统il和投射系统ps被组合表示为使用来自源收集器装置so的euv光的曝光设备256(例如，诸如步进器、扫描仪、步进扫描系统、直写
系统、使用接触和/或接近掩模的设备等之类的集成电路光刻工具)。光刻装置100还可以包括收集器光学器件258，该收集器光学器件258将来自热等离子体210的euv光沿着路径反射到曝光设备256中以照射衬底w。收集器光学器件258可以包括近垂直入射收集器反射镜，该近垂直入射收集器反射镜具有形式为长椭球体(即，围绕其主轴旋转的椭圆)的反射表面，该长椭球体具有例如具有钼和硅的交替层的分级多层涂层，并且在一些情况下，具有一个或多个高温扩散阻挡层、平滑层、覆盖层和/或蚀刻停止层。
65.图3示出了根据一个或多个实施例的光刻装置100(例如，图1、图2a和图2b)的一部分的详细视图。图3中具有与图1、图2a和图2b中的附图标记相同的附图标记的元件具有与参考图1、图2a和图2b所描述的结构和功能相同或基本相似的结构和功能。在一些实施例中，光刻装置100可以包括具有lpp euv光辐射器的源收集器装置so。如所示出的，源收集器装置so可以包括激光器系统302，其用于生成光脉冲串并且将光脉冲输送到光源腔室212中。对于光刻装置100，光脉冲可以沿着一个或多个射束路径从激光器系统302行进并且进入腔室212，以照射照射区域304处的源材料，从而生成等离子体(例如，图2b中的热等离子体210所在的等离子体区域)，该等离子体产生用于在曝光设备256中曝光衬底的euv光。
66.在一些实施例中，用于激光器系统302的合适激光器可以包括脉冲激光器设备，例如，例如使用dc或rf激励产生9.3pm或10.6pm的辐射的脉冲气体放电co2激光器设备，该脉冲激光器设备在相对较高的功率(例如，10kw或更高)和高脉冲重复率(例如，50khz或更高)下操作。在一些实施例中，激光器可以是具有带有多级放大的振荡器放大器配置(例如，主振荡器/功率放大器(mopa)或功率振荡器/功率放大器(popa))并且具有由具有相对较低的能量和高重复率(例如，能够进行100khz操作)的q开关式振荡器启动的种子脉冲的轴流式rf泵浦co2激光器。然后，来自振荡器的激光脉冲可以在到达照射区域304之前被放大、整形和/或聚焦。经过连续泵浦的co2放大器可以用于激光器系统302。可替代地，激光器可以被配置为所谓的“自靶向”激光器系统，其中微滴用作激光器的光学空腔的一个反射镜。
67.在一些实施例中，依据应用，其他类型的激光器也可以是合适的，例如，在高功率和高脉冲重复率下操作的准分子或分子氟激光器。一些示例包括固态激光器，例如，具有纤状有源介质、棒状有源介质、板状有源介质或盘状有源介质；其他激光器架构，具有一个或多个腔室，例如，振荡器腔室和一个或多个放大腔室(其中放大腔室并联或串联)；主振荡器/功率振荡器(mopo)布置，主振荡器/功率环形放大器(mopra)布置，或植入一个或多个受激准分子、分子氟或co2放大器或振荡器腔室的固态激光器可能是合适的。可以设想其他合适设计。
68.在一些实施例中，源材料可以首先被前脉冲照射，然后被主脉冲照射。前脉冲种子和主脉冲种子可以由单个振荡器或两个分开的振荡器生成。可以使用一个或多个公共放大器来放大前脉冲种子和主脉冲种子。在一些实施例中，可以使用分开的放大器来放大前脉冲种子和主脉冲种子。
69.在一些实施例中，光刻装置100可以包括射束调节单元306，该射束调节单元306具有用于调节射束的一个或多个光学器件，诸如在激光器系统302与照射区域304之间扩展、操纵和/或聚焦射束。例如，可以提供控向系统，该控向系统可以包括一个或多个反射镜、棱镜、透镜等，控向系统被布置为将激光焦斑控向到腔室212中的不同位置。例如，控向系统可以包括第一平面镜，该第一平面镜安装在倾斜致动器上，该倾斜致动器可以在两个维度上
独立移动第一平面镜；以及第二平面镜，该第二平面镜安装在倾斜致动器上，该倾斜致动器可以在两个维度上独立移动第二平面镜。通过一个或多个所描述的布置，控向系统可以在基本正交于射束传播方向(射束轴线或光轴)的方向上以可控方式移动焦斑。
70.射束调节单元306可以包括聚焦组件，以将射束聚焦到照射区域304并且沿着射束轴线调整焦斑的位置。对于聚焦组件，可以使用诸如聚焦透镜或反射镜之类的光学器件，该光学器件耦合到致动器，其用于在沿着射束轴线的方向上移动，以沿着射束轴线移动焦斑。
71.在一些实施例中，源收集器装置so还可以包括源材料递送系统308，例如，将诸如sn微滴之类的源材料输送到腔室212的内部中以到达照射区域304，在该照射区域304处，微滴将与来自激光器系统302的光脉冲相互作用，以最终产生等离子体并且生成euv发射，从而在曝光设备256中对诸如涂覆有抗蚀剂的晶片之类的衬底进行曝光。关于各种微滴分配器配置的更多细节可以在例如于2011年1月18日公布的题为“systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma euv light source”的美国专利号7,872,245、于2008年7月29日公布的题为“method and apparatus for euv plasma source target delivery”的美国专利号7,405,416、于2008年5月13日公布的题为“lpp euv plasma source material target delivery system”的美国专利号7,372,056、以及于2019年7月18日公布的题为“apparatus for and method of controlling coalescence of droplets in a droplet stream”的国际申请号wo 2019/137846找到，其中各自的全部内容通过引用并入本文。
72.在一些实施例中，用于产生用于曝光衬底的euv光输出的源材料可以包括但不必限于包括锡、锂、氙或其组合的材料。euv发射元件(例如，锡、锂、氙等)可以是微滴和/或包含在微滴内的固体颗粒的形式。例如，元素锡可以用作纯锡、锡化合物(例如，snbr4、snbr2、snh4)、锡合金(例如，锡-镓合金，锡-铟合金，锡-铟-镓合金)或其组合。依据所使用的材料，源材料可以在包括室温或近室温的各种温度下(例如，锡合金、snbr4)、在升高的温度下(例如，纯锡)或在低于室温的温度下(例如，snh4)呈现给照射区域，并且在一些情况下，可以具有相对挥发性，例如，snbr4。
73.在一些实施例中，光刻装置100还可以包括控制器310，该控制器310还可以包括驱动激光器控制系统312，该驱动激光器控制系统312用于控制激光器系统302中的设备，从而生成用于输送到腔室212中的光脉冲，和/或用于控制射束调节单元306中的光学器件的移动。光刻装置100还可以包括微滴位置检测系统，该微滴位置检测系统可以包括一个或多个微滴成像器314，该一个或多个微滴成像器314提供输出信号，该输出信号指示一个或多个微滴例如相对于照射区域304的位置。微滴成像器314可以将该输出提供给微滴位置检测反馈系统316，该微滴位置检测反馈系统316可以例如计算微滴位置和轨迹，由此可以例如在逐个微滴的基础上或平均地计算微滴误差。然后，微滴误差可以作为输入提供给控制器310，控制器310可以例如向激光器系统302提供位置、方向和/或定时校正信号，以控制激光器触发定时和/或控制射束调节单元306中的光学器件的移动，例如，改变正在被输送到腔室212中的照射区域304的光脉冲的位置和/或焦度。此外，对于源收集器装置so，源材料递送系统308可以具有控制系统，该控制系统可以响应于来自控制器310的信号(在一些实现方式中，该信号可以包括上文所描述的微滴误差或从中导出的一些量)而操作，以例如修改释放点、初始微滴流方向、微滴释放定时和/或微滴调制，从而校正到达照射区域304的微滴
中的误差。
74.在一些实施例中，光刻装置100还可以包括收集器光学器件和气体分配器设备320。气体分配器设备320可以在来自源材料递送系统308的源材料的路径(例如，照射区域304)中分配气体。气体分配器设备320可以包括喷嘴，所分配的气体可以通过该喷嘴离开。气体分配器设备320可以被构造为(例如，具有孔径)使得当靠近激光器系统302的光学路径放置时，来自激光器系统302的光不被气体分配器设备320阻挡并且被允许到达照射区域304。诸如氢、氦、氩或其组合之类的缓冲气体可以被引入到腔室212中，被补充和/或从腔室212中移除。缓冲气体可以在等离子体放电期间存在于腔室212中，并且可以用于减慢等离子体产生离子，以减少光学器件的退化，和/或增加等离子体效率。可替代地，磁场和/或电场(未示出)可以单独使用，或与缓冲气体组合使用，以减少快速离子损伤。
75.在一些实施例中，光刻装置100还可以包括收集器光学器件258，诸如近垂直入射收集器反射镜，其具有形式为长椭球体(即，围绕其主轴旋转的椭圆)的反射表面，该收集器光学器件258具有例如带有钼和硅的交替层的分级多层涂层，并且在一些情况下，具有一个或多个高温扩散阻挡层、平滑层、覆盖层和/或蚀刻停止层。收集器光学器件258可以形成有孔径，以允许由激光器系统302生成的光脉冲穿过并到达照射区域304。相同或另一类似孔径可以用于允许气体从气体分配器设备320流入腔室212。如所示出的，收集器光学器件258可以是例如长椭球反射镜，该长椭球反射镜具有照射区域304内或附近的第一焦点和所谓的中间区域318处的第二焦点，其中euv光可以从源收集器装置so输出并且输入到利用euv光的曝光设备256，例如，集成电路光刻工具。应当领会，可以使用其他光学器件来代替长椭球反射镜，其用于收集光并将其引导到中间位置，以便随后输送到利用euv光的设备。还可以设想使用具有参考图3所描述的结构和功能的收集器光学器件co(图2a)的实施例。
76.示例光刻单元
77.图4示出了光刻单元400，有时也称为光刻单元或簇。光刻装置100或100'可以形成光刻单元400的一部分。光刻单元400还可以包括用于对衬底执行曝光前过程和曝光后过程的一个或多个装置。例如，这些装置可以包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂机sc、用于显影经曝光的抗蚀剂的显影剂de、激冷板ch和烘烤板bk。衬底处理器ro(例如，机器人)从输入/输出端口i/o1和i/o2拾取衬底，在不同的处理装置之间移动它们，并且将它们输送到光刻装置100或100'的进料台lb。通常统称为轨道的这些设备处于轨道控制单元tcu的控制下，该轨道控制单元tcu本身由监督控制系统scs控制，该监督控制系统scs还经由光刻控制单元lacu控制光刻装置。因此，可以操作不同装置以使吞吐量和处理效率最大。
78.示例辐射源
79.图5示出了用于示例反射光刻装置的辐射源so(诸如如图3所示)的示例。如图5所示，从垂直于如下文所描述的xy平面的视点(例如，俯视图)图示了辐射源so。
80.图5所示的辐射源so是可以被称为激光产生等离子体(lpp)源的类型。可以例如包括二氧化碳(co2)激光器的激光器系统501被布置为经由一个或多个激光射束502将能量沉积到燃料靶503'中，诸如由燃料靶生成器503(例如，燃料发射器、微滴生成器)提供的一个或多个离散sn微滴。根据一些方面，激光器系统401可以是脉冲激光器、连续波激光器或准连续波激光器，或可以以上述各者的方式操作。从燃料靶生成器503发射的燃料靶503'(例如，微滴)的轨迹可以平行于x轴。根据一些方面，一个或多个激光射束502沿平行于y轴的方
向传播。z轴垂直于x轴和y轴两者，并且通常延伸到页面的平面中(或延伸出页面的平面)，但是在其他方面中，使用其他配置。
81.尽管在以下描述中提到sn，但是可以使用任何合适的靶材料。靶材料可以例如呈液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料靶生成器503可以包括喷嘴，该喷嘴被配置为沿着朝向等离子体形成区域504的轨迹例如以燃料靶503'(例如，离散微滴)的形式引导锡。在说明书的其余部分中，对“燃料”、“燃料靶”或“燃料微滴”的引用应当被理解为是指由燃料靶生成器503发射的靶材料(例如，微滴)。燃料靶生成器503可以包括燃料发射器。一个或多个激光射束502入射到等离子体形成区域504处的靶材料(例如，锡)上。将激光能量沉积到靶材料中，以在等离子体形成区404处产生等离子体507。在等离子体的离子和电子的去激发和再结合期间，从等离子体507发射包括euv辐射在内的辐射。
82.euv辐射由收集器505(例如，辐射收集器co)收集和聚焦。在一些方面中，收集器505可以包括近垂直入射辐射收集器(有时更一般地称为垂直入射辐射收集器)。收集器505可以具有多层结构，该多层结构被布置为反射euv辐射(例如，具有诸如约13.5nm的期望波长的euv辐射)。根据一些方面，收集器505可以具有椭球形配置，该椭球形配置具有两个焦点。第一焦点可以在等离子体形成区域504处，而第二焦点可以在中间焦点506处，如本文中所讨论的。
83.在一些方面中，激光器系统501可以位于与辐射源so相距相对较长的距离处。在这种情况下，借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器和/或其他光学器件的射束递送系统(未示出)，一个或多个激光射束502可以从激光器系统501传递到辐射源so。激光器系统501和辐射源so可以一起被认为是辐射系统。
84.由收集器505反射的辐射形成辐射射束b。辐射射束b被聚焦在点(例如，中间焦点506)，以形成等离子体形成区域504的图像，该图像充当照射系统il的虚拟辐射源(参见图2a和图2b)。辐射射束b被聚焦的点可以被称为中间焦点(例如，中间焦点506)。辐射源so被布置为：使得中间焦点506位于辐射源so的围合结构509中的开口508处或其附近。
85.与图2a和图2b类似，辐射射束b从辐射源so传递进入照射系统il，该照射系统il被配置为调节辐射射束b。辐射射束b穿过照射系统il并且入射到由支撑结构mt保持的图案形成装置ma上。图案形成装置ma反射辐射射束b并且对其进行图案化。在从图案形成装置ma反射之后，经图案化的辐射射束b进入投射系统ps。投射系统包括多个反射镜，该多个反射镜被配置为将辐射射束b投射到由衬底台wt保持的衬底w上。投射系统ps可以将缩减因子应用于辐射射束，从而形成具有比图案形成装置ma上的对应特征小的特征的图像。例如，可以应用4的缩减因子。尽管在图2a和图2b中投射系统ps被示为具有两个反射镜，但是投射系统可以包括任何数目的反射镜(例如，六个反射镜)。
86.辐射源so可以包括图5中未图示的部件。例如，可以在辐射源so中提供光谱滤波器。光谱过滤器基本上可能透射euv辐射，但基本上可能阻挡诸如红外辐射之类其他波长的辐射。
87.辐射源so(或辐射系统)还包括燃料靶成像系统，以获得等离子体形成区域504中的燃料靶(例如，微滴)的图像，或更具体地，获得燃料靶的阴影的图像。燃料靶成像系统可以检测从燃料靶边缘衍射的光。在下文中对燃料靶的图像的引用也应当被理解为是指燃料靶的阴影或由燃料靶引起的衍射图案的图像。
88.燃料靶成像系统可以包括光电检测器，诸如ccd阵列或cmos传感器，但是应当领会，可以使用适于获得燃料靶图像的任何成像设备。应当领会，除了光电检测器之外，燃料靶成像系统还可以包括光学部件，诸如一个或多个透镜。例如，燃料靶成像系统可以包括相机510，例如，光电传感器(或，光检测器)和一个或多个透镜的组合。可以选择光学部件，使得光传感器或相机510获得近场图像和/或远场图像。相机510可以位于辐射源so内的任何适当位置处，相机的视线从该适当位置到等离子体形成区域504和设在收集器505上的一个或多个标记(图5中未示出)。然而，可能有必要将相机510定位为远离一个或多个激光射束502的传播路径并且远离从燃料靶生成器503发射的燃料靶的轨迹，以避免损坏相机510。根据一些方面，相机510被配置为经由连接512向控制器511提供燃料靶的图像。连接512被示为有线连接，但是应当领会，连接512(以及本文中所提及的其他连接)可以被实现为有线连接或无线连接或其组合。
89.如图5所示，辐射源so可以包括燃料靶生成器503，该燃料靶生成器503被配置为生成燃料靶503'(例如，离散sn微滴)并且朝向等离子体形成区域504发射燃料靶503'。辐射源so还可以包括激光器系统501，该激光器系统501被配置为使用一个或多个激光射束502撞击燃料靶503'中的一个或多个燃料靶503'，其用于在等离子体形成区504处生成等离子体507。辐射源so还可以包括收集器505(例如，辐射收集器co)，该收集器505被配置为收集由等离子体507发射的辐射。在一些方面中，收集器流动环cfr(图5中未示出)可以与收集器505相邻设置，以减轻燃料碎屑(例如，锡)在辐射源so中的堆积以及其他特征。收集器流动环cfr可以沿着平行于x轴的轴线(例如，靠近从燃料靶生成器503发射的燃料靶503'的轨迹)设置。
90.为了使辐射源正常运转，需要连续供应燃料。这意味着需要测量、监测和维护以确保燃料的连续内联供应。
91.如本文中关于图6至图11所进一步描述的，可以提供一种内联再填充系统。根据一些方面，在内联再填充系统中，可以通过经由已知尺寸的孔口从加压贮存器释放一定量的气体来间接测量sn水平。然后，可以针对加压气体的体积来测量贮存器内部的压力下降的速率。然后，可以通过从总贮存器容积中减去气体容积来确定sn容积。这种方法可以与贮存器上的压力波动一起使用，以便确定贮存器内部的sn体积。本公开提供了用于当压力容器正在将sn供应到微滴生成器(dg)时测量sn体积的其他实施例，从而避免了与sn干燥运行以及由于干燥而在转移线中产生气泡相关联的任何问题。有用的是：准确监测加压贮存器中sn的体积，以避免气体体积到达冻结阀，在该条件下，系统可能变得不可控，因为难以关闭充满气体的冻结阀。
92.图6a和图6b图示了根据一些实施例的箱内水平传感器的示意性架构600。架构600可以包括无源水平传感器，该无源水平传感器不需要sn贮存器中的压力波动，如本文中所进一步描述的。
93.架构600可以包括多个钼棒602，该多个钼棒602可以容纳在燃料箱604内并且使用玻璃/陶瓷密封件606稳固。燃料箱604可以由各种金属、陶瓷、聚合物或其他合适刚性材料构成。在一些方面中，可以使用短长度的硼硅酸盐管子系统来构造密封件。硼硅酸盐管子系统可以提供相对于钼的有利的线性膨胀系数(cte)，因此可以更好地保持并密封钼棒。根据一些方面，可以在硼硅酸盐与钼之间提供化学键以增加密封。以非限制性方式，应当理解，
可以利用其他键合材料，这些键合材料包括例如硅酸铝(al2sio5)在内。
94.根据一些方面，多个钼棒602可以基于检测方法的组合来检测满状态608或空状态610。在一些方面中，可以利用两个钼棒(a和b)来确定箱604中的低sn水平。在这点上，可以监测闭合电路状态，并且当sn水平下降到低于最小阈值(其中钼棒不再与sn接触)时，产生开路，并且信号可以被传输到控制器/处理器(诸如控制器310)，该信号指示箱中sn的低水平。
95.根据图6b所图示的一些实施例，可以以水平方式布置钼棒612。在该实现方式中，钼棒e可以被指定为低水平阈值，其中当sn水平下降到低于该低水平阈值时，可以提供空指示。在一个示例中，当检测到棒a和e之间的连续性(例如，闭合电路)时，可以转回指示“满”状态的满信号。当没有检测到d与e之间的连续性时，可以指示“空”状态。而且，当e与b、c或d之间存在连续性时，可以提供比例水平指示。
96.图6a和图6b所描述的实施例无需压力波动作为测量sn水平的手段。而且，可以在达到该水平之后立即提供水平指示，例如，满、空、50％等。这实现了更为简单的，因此更为快速的控制系统，因为这是被发送到控制系统的无源信号，与需要某些系统状态的主动测量相反。附加地，图6a和图6b所图示的本实现方式使得能够进一步简化内联再填充系统。
97.图7图示了根据一些实施例的内联再填充系统700的示意性架构。为了改进euv光刻系统中的源可用性，存在驱动减少或甚至消除与缺乏对微滴生成器(dg)的高质量sn供应相关联的停机时间。根据本实施例的各方面，所描述的内联再填充系统(ir)允许将高纯度sn连续供应到微滴生成器组件(dga)中。而且，在不知道sn供应的状态(例如，sn(例如，液体或固体)的剩余量、清洁度和状态)的情况下，操作内联再填充系统可能毫无成效。
98.为了允许实现ir，可能需要确定跨过两个或更多个ir子模块的sn的状态，如本文中所进一步描述的。系统700可以包括容纳初始水平的固体sn的sn灌注箱(tpt)702。tpt 702可以被配置为接收和灌注sn固体并且熔化sn。tpt 702还可以被配置为将熔化的sn供给到sn再填充箱(trt)704中。trt 704可以被配置为向再填充贮存器(rr)708供应新清洁液体sn。根据一些方面，rr 708然后可以将液体sn供应到主贮存器(pr)714和/或dga 722。液体sn的转移可以通过包括流动阀和导管(710a-e)的组合的流动系统来完成。应当理解，流动系统710a-e可以包括能够承受安全、恒定和均匀转移系统700内的熔化的sn的物理特性。
99.根据一些方面，rr 708可以供应用于微滴的sn，并且向pr 714供应更多的sn，并且pr 714可以向dga 722供应液体sn。容纳在rr 708和pr 714中的液体sn可以图示为液体sn 712。应当指出，本文中所描述的箱和贮存器的数目是说明性的，并且为了提高效率和成本措施，可以实现它们和数目的不同组合。
100.根据一些方面，系统700中的箱/贮存器中的一个或多个箱/贮存器可以耦合到光学传感器716、718或720，该光学传感器716、718或720被配置为测量包含在每个箱/贮存器内的sn特性。在一个示例中，tpt 702、trt 704、rr 708和pr 714可以各自耦合到相关联的光学传感器(例如，耦合到光学传感器716的tpt 702)，该光学传感器可以测量位于每个箱/贮存器内部的sn的特性。光学传感器可以测量的特性是sn水平、sn污染水平、视镜污染等，如本文中所进一步描述的。应当理解，光学传感器在本文中还可以被称为传感器、光学设备、测量设备或光学测量设备。
101.根据一些实施例，tpt 702、传感器716可以被配置为检测固体sn何时被装载，并且
监测trt 704中的熔化操作。根据一些实施例，trt 704处的传感器718可以监测trt 704中的sn水平，并且当需要时，提供对来自tpt 702的更多sn的请求。根据一些方面，这种对sn的需要可以基于由传感器718进行的测量来确定，或可以基于从其他传感器(例如，rr 708上的传感器720或光学传感器，未示出)接收的请求信号来确定。传感器718还可以监测被推送/供应到rr 708的sn的量。根据一些方面，传感器720可以监测pr 714中的sn水平，并且请求从trt 704向rr 708和随后的pr 714输送更多sn。
102.根据一些方面，可以经由在trt 704处施加的加压气体混合物(例如，≈98％ar(氩)、2％h(氢))的推动，从而通过流动阀710a和导管710b将sn输送至rr 708，该rr被保持在低压(并非深真空)下。根据一些方面，trt 704可以经由tpt 702填充。附加地，pr 714可以在高压下操作整个时间以供应dga 722。在一个示例中，一旦rr 708是满的，流动阀710c就可以被关闭；然后，可以向rr 708施加压力以与pr 714中的压力匹配。一旦压力处于与pr 714匹配的水平，流动阀710c就可以被打开，使得例如当pr714接近空时，燃料可以从rr 708流到pr 714。因此，由传感器720进行的水平测量可以指示流动阀(诸如流动阀724)何时可以打开和关闭。传感器720也可以被称为光学设备720，并且这些术语在本文中可以互换使用。如先前所指出的，每个传感器可以被配置为监测sn水平改变(以及随后的体积改变)、sn纯度水平和sn状态状况(例如，液体或固体)。
103.根据一些方面，贮存器在整个系统中的压力操纵可以提供不同的功能。例如，根据一些方面，可以采用深真空和低压气体，这被称为循环净化。根据一些方面，可以将sn保持在深真空下，同时可以使用高压来维持sn微滴在喷嘴(例如，dga 722)处的速度。可以直接位于dga 722之前pr 714或的任何其他贮存器/箱可以维持高压，以能够供应sn以产生euv。附加地，trt 704和tpt 702可以维持清洁sn的环境。例如，由于sn和tpt 702在密封tpt 702之前所暴露于的环境，所以从固态sn切换到液态sn可能会引入sn污染的机会。根据一些方面，加热sn的方式可能会影响sn的清洁度。附加地，对于通过精确定位微滴以延长生成微滴，sn清洁度是期望的。
104.根据一些方面，rr 708可以采用从低压到高压的过渡，因此切换到低压以从trt 704接收sn，并且当将sn供应到pr 714时切换回到高压。根据一些方面，光学设备720可以包括处理器，该处理器可以生成控制信号以控制sn通过贮存器的流动。附加地或作为备选，光学设备720可以将主动测量传输到控制器(例如，图3中的控制器310)，以进一步处理和控制sn流。系统700中的其他光学设备可以执行类似操作。例如，光学设备716、718和720中的每个光学设备可以包括其自己的处理能力，从而用于监测和报告上述属性并且基于监测来采取动作。在该上下文中采取动作可以意味着提供控制信号，以便于例如转移或供给sn的动作。根据一些方面，每个传感器可以监测数据并且将数据报告给中央处理器(例如，控制器310)，或报告给一个或另一传感器(例如，依据哪个传感器可以被配置为提供指令/控制信号而报告上游或下游的传感器)。
105.在一个示例中，传感器720可以被配置为确定pr 714内的sn特性。附加地，基于所确定的特性以及处理传感器716和718关于sn的上游可用性所报告的内容，传感器720可以为其他箱提供指令以采取某些动作。例如，传感器720可以向tpt 702、trt 704和/或rr 708中的任一个或每个发送指令以采取动作。这样的动作可以包括熔化更多的sn，或从一个贮存器到另一贮存器提供某些水平的sn。这样的指令可以把与加热和转移sn、导管特性、箱特
性等有关的热力学考量考虑在内。应当领会，传感器720可以将动作命令发送到一个或多个箱、一个或多个传感器和一个或多个处理器，该一个或多个处理器可以执行必要动作以确保sn的连续供应。根据其他方面，传感器720可以是向中央处理器(例如，控制器310)报告的多个传感器中的一个传感器，并且控制器310可以向系统700中的任何和所有传感器/箱提供其他指令。
106.根据一些方面，pr 714可以是sn到dga 722的主要供应商。如此，监测pr 714中的sn水平可能是实现向dga 722恒定供应sn的有益状态。根据一些方面，传感器720(或控制器310)可以对pr714的读数设置更大的加权因子。例如，由于需要将sn直接供给dga722，所以pr 714处的低sn水平可能比tpt 702或trt 704处的低sn水平更为关键。同样，不同箱/箱处的污染物读数可以基于它们在内联组件中的位置被指派不同的权重。
107.图8a至图8b图示了根据一些实施例的在系统700内部署的非侵入式三角测量传感器组件800，从而检测诸如系统700中的主贮存器714和再填充贮存器708之类的真空箱中的源水平。根据一些实施例，组件800可以包括光学设备802，该光学设备802将光信号804传输到箱806中并且接收该光信号804，以测量sn 808的水平和其他特性。如本文中所进一步描述的，光学设备802也可以被称为光学传感器、光学测量设备、传感器设备、测量设备等。根据一些方面，光学设备802可以包括光学传输器816和光学接收器818。光学传输器816可以被配置为传输光束804。光束804可以是激光光束。在一些方面中，所传输和接收的光804可以通过包括一个或多个观察端口的凸缘810进入和离开箱806。
108.根据一些方面，光学设备802可以被配置为通过使用三角测量来确定sn在箱中的水平、质量和状态。根据一些方面，光学设备802可以包括包含光源的光学传输器816和包含检测器阵列的光学接收器818。根据一些方面，光学传输器816传输入射射束(例如，激光射束等)，并且光学接收器818被配置为接收反射光束。在接收到反射光束之后，光学设备802可以执行三角测量计算，以确定与sn和安装有光学设备802的箱相关联的特性。
109.根据一些实施例，光学传输器816可以以已知角度θ传输射束。基于箱中的sn水平，所传输的射束在某一点被反射，并且被反射回到光学接收器818。根据一些方面，sn水平的高度可以在光学接收器818上确定在何处接收到反射射束。因此，为了确定sn水平814，光学设备802测量如下的水平距离812，该水平距离812从光学接收器818上接收反射射束的点到光学传输器816内的照射点。根据一些方面，可以从将光传输到接收反射光的检测器阵列上的点(例如，阵列中的预定像素位置或预定传感器)的点测量距离812。根据一些方面，可以在检测器阵列上的多个位置处接收反射光。因而，出于测量水平距离812的目的，可以利用阵列内的接收最强信号(例如，具有最高幅度的信号)的位置。给定测量812和已知入射角θ，可以计算水平814。
110.根据一些方面，来自传感器的反馈允许测量sn水平和质量的多功能性，而对高压、高真空和高纯度环境没有不利影响。根据一些方面，光学设备802可以测量跨越光学接收器818上的传感器阵列上的光强度。使用来自光学接收器818的原始数据，可以生成作为光学接收器818上的位置的函数的光强度图(例如，位置对强度，如图10所示)。该光强度图可以包括多个峰值，如本文中所进一步描述的。根据一些方面，当光学设备802与sn一起使用并且贮存器处于垂直配置时，如图8a所示，额外峰值可以忽略不计，并且主要功能可以是监测sn水平和sn相变(例如，固体、液体)。
111.根据一些方面，光学设备802可以用作检测相变的独立设备。根据一些方面，与可以生成热电偶读数的热电偶设备(例如，探针(未示出))之间的配对，光学设备802可以进一步增强sn的相移读数。
112.图8c是运用随所测量的温度而标绘的由光学设备802测量的平均sn水平的偏移和噪声水平的温度-时间曲线图。在一个示例中，该偏移可以在sn熔化的预定温度范围(例如，约232℃)下发生，如820所描绘的。基于固体sn和液体sn的光学特性，确定sn的相变可以考虑sn供应的计算(例如，多少sn被融化对多少sn为固体)。例如，可以容易获得熔化的sn，而固体sn可能需要附加时间来熔化并且通过系统700供给。
113.根据一些方面，光学设备802可以检测图形上的最大尖峰，并且确定其为所接收的最主要反射，然后，其与sn水平的距离测量相关，如本文中所描述的。可以根据二级光强度尖峰和三级光强度尖峰来导出其他信息。这可以是当贮存器806直立或处于角度配置时的情况。
114.根据一个示例，可以基于附图所示的一个或多个数据点来检测sn纯度水平。根据一个方面，刚好在检测器点(即，在光学接收器818处接收反射光的位置)与照射点(即，从光学传输器816传输光信号的位置)之间的距离测量之前发现的光尖峰根据sn纯度发生改变。这是由于当sn表面变得更受污染(例如，光斑在sn本身上变得更主要)时光从sn的反射减少而引起。根据一些方面，当贮存器处于如图9所示的角度配置时，污染等的影响可能被放大。
115.图9a图示了根据一些实施例的用于检测系统700内的真空箱中的源水平的非侵入式三角测量传感器部署900的另一示例。在部署900中，光学设备802可以传输和接收光束，并且基于如本文中所进一步描述的某些参数来生成sn水平的读数和sn的其他物理特性的读数。根据一些方面，入口和出口部位902可以在位于箱/贮存器的端部处的观察窗口810内的玻璃端口处。根据一些方面，清洁的玻璃端口将在入射光从其进入和离开的入口和出口点处表现出最小的光强度。相反地，这些入口和出口点处的光强度的增大指示视镜正在变脏，或变得更大程度地受污染，并且需要其他注意/维护。下文所描述的图9b至图9d中进一步图示了在光学设备802处接收的光/强度的描绘。
116.根据一些方面，在904处测量的光强度指示sn水平检测。根据一些实施例，例如，如图8a和图8b所示，液体sn可以用作反射镜，并且当sn成一角度时，可以根据从贮存器壁反射的反射圆点904计算距离。根据其他方面，点906可以指示sn纯度检测位置。在904处，随着该位置变得更加可见，sn被反射更少，这意味着锡-氧化物积聚增加。
117.图9b至图9d图示了在传感器(例如，光学设备802)处接收和测量的强度。例如，图9b图示了在观察端口和sn均清洁的情形下在光学设备802处接收的光信号。图9c图示了在观察端口变脏并且sn清洁的情形下在光学设备802处接收的光信号。图9d图示了在观察端口清洁而sn变脏的情形下在光学设备802处接收的光信号。应当领会，“干净”和“脏”的指定可以反映所检测的污染水平，高于该污染水平，观察端口/sn可以被认为“变脏”，低于该污染水平，观察端口/sn可以被认为“干净”。
118.根据一些方面，所接收的信号/光的一般位置可能已知。例如，观察端口入口点902和返回点908可以是固定位置。反射圆点904和点906可能发生变化。这两个信号之间的相关性涉及sn水平和纯度水平的测定。例如，反射圆点904可以是强度最高的点，从而指示sn的反射(要么在sn表面要么在贮存器壁处)并且因此其位置与sn水平相关。然而，随着sn污染
水平增加，906处的强度增加，而反射圆点904处的强度减小。这可以继续直到点906处的强度大于反射圆点904处的强度。在这种情况下，光学设备802可以使用反射圆点906代替反射圆点904作为与sn水平相对应的位置。而且，光学设备802还可以生成指示高污染水平的警告。应当领会，这种警告可以通过图形用户界面(gui)或指示所检测的sn污染的其他方法传输到操作员。
119.图10是根据一些实施例的在传感器的接收器阵列处检测的信号的图形表示。根据一些方面，例如，光学接收器818的接收器阵列可以接收在被指示为峰值的不同位置处(接收器阵列内的不同位置处)具有不同强度剖面的光。根据一些实施例，峰值1002可以指示观察端口清洁度检测的光强度。峰值1004可以指示sn纯度检测的光强度，其中该强度随着sn变得更脏而增长。峰值1006可以指示sn水平检测的光强度，而峰值1008可以指示观察端口返回射束的光强度。根据一些方面，峰值的位置和彼此的关系并非任意。如图9b至图9d所描述的，例如，主信号输出(最高峰值-峰值1006)可以被指定为表示sn水平检测的峰值。进一步确定正好在最高峰值1006之前(或如图9b至图9d所示，正好在其之后)的峰值(峰值1004)可以指示sn纯度的光强度。而且，根据一些方面，第一强度峰值和最后强度峰值可以被确定为与观察端口的光强度相关联的峰值，因此可以确定观察端口清洁度检测。
120.根据一些方面，接收器818的检测器阵列可以基于已知θ使所接收的信号的距离测量相关。例如，由于系统几何形状已知(例如，光学设备802的位置、观察端口入口点和返回点、以及贮存器尺寸)，所以可以预计相对峰值的预期位置在特定位置范围内。因而，检测器阵列读数可以聚焦在904和906上，以确定深度水平和污染水平。在一些方面中，当光强度从904切换到906(例如，图9c至图9d)时，光学设备802可以包含进一步编程，该进一步编程可以切换到使用906测量作为与sn的深度相关联的测量结果。附加地，光学设备802(通过其自身的控制器或控制器310)可以向操作员传输消息，从而让操作员得知检测到保证调查的高污染水平。
121.图11图示了示出了根据一些实施例的内联再填充系统中的源水平的检测方法1100的示例的流程图。
122.根据一些方面，方法1100可以是用于测量极紫外(euv)辐射系统中的辐射燃料的内联供给的方法。如步骤1102所图示的，方法1100可以包括：以预定入射角，引导检查射束通过辐射燃料的顶部表面处的燃料箱观察端口。方法1100还可以包括：在与观察端口相邻的传感器处，接收由辐射燃料的顶部表面反射的检查射束的一部分，如步骤1104所图示的。方法1100还可以包括：测量与辐射燃料的顶部表面相距的距离，如步骤1106所图示的。而且，方法1100还可以包括：基于所测量的距离，计算燃料箱中的辐射燃料的填充水平，如步骤1108所图示的。
123.尽管未在图11中图示，但是方法1100还可以包括：在多个照射点处照射检查射束，并且计算基于具有最高信号强度的一个或多个反射。而且，方法1100还可以包括：将指示所计算的填充水平的信号传输到第一上游箱(例如，rr 708)，从而向燃料箱(例如，pr 714)供应辐射燃料。根据一些方面，所传输的信号还包括维持动作过程命令至第一上游箱(例如，rr 708)，以响应于填充水平在预定阈值内而维持动作过程。例如，如果pr 714的填充水平在预定填充范围内，其中箱未满并且未接近空，则传感器720可以传输如下的信号传感器，该信号指示动作过程应予以维持的、且与rr 708或控制器310相关联。
124.根据一些方面，方法1100还可以包括：将指示所计算的填充水平的第二信号传输到将sn供应到第一上游箱(例如，rr 708)的第二上游箱(例如，tpt 702)，第二上游箱是被配置为收集辐射燃料并且将其加热到预定温度的箱。根据一些方面，tpt 702可以直接向rr 708提供sn，或最初向trt 704提供sn。如本文中所指出的，可以基于系统要求和dga 722的所要求需要来部署系统中的任何数目/组合的箱和贮存器。根据一些方面，方法1100还可以包括：传输用于供应sn的时间参数，该时间参数把加热sn所需的时间考虑在内。在一个示例中，在tpt 702处(即，经由控制器310或传感器716)接收的信号可以包括定时参数。定时参数可以把系统因素考虑在内，这些系统因素包括：例如可能需要多长时间加热和熔化sn、流动系统710a-e中的导管的长度、以及系统中的箱的数目(例如，rr 708、trt 704)。而且，第二信号还可以指令第二上游箱(例如，tpt 702)何时将所收集和加热的辐射燃料供应到第一上游箱(例如，trt 704或rr 708)。附加地，方法1100还可以包括：通过传感器716测量正在被加热的sn的量，并且将所测量的量传输到传感器720，该所测量的量指示达到euv辐射系统的内联供给(inline feed)的sn的量。
125.根据一些方面，方法1100还可以包括：对来自一个或多个反射(例如，1002、1004或1008)的另一反射信号进行处理，该另一反射信号具有比具有最高信号强度的一个或多个反射更低的强度；并且生成操作员消息，该消息指示与观察端口相关联的污染水平(例如，观察端口太脏)。在又一方面中，该消息可以指示与sn相关联的污染水平(例如，sn污染太高)。
126.尽管在本上下文中可以具体参考在ic的制造中使用光刻装置，但是应当理解，本文中所描述的光刻装置可以具有其他应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头等。本领域技术人员应当领会，在这样的备选应用的上下文中，本文中术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以被认为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，可以在例如跟踪单元(通常将抗蚀剂层施加到衬底上并且使经曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测单元和/或检查单元中对本文中所提及的衬底进行处理。在适用的情况下，本文中的公开内容可以应用于这种和其他衬底处理工具。进一步地，例如，为了产生多层ic，可以不止一次地对衬底进行处理，使得本文中所使用的术语衬底也可以是指已经包含多个经处理层的衬底。
127.应当理解，本文中的措辞或术语是为了描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞应由相关领域的技术人员根据本文中的教导来解释。
128.本文中所公开的实施例是对本公开的实施例的说明而非限制。所属领域中通常遇到的并且对于一个或多个相关领域的技术人员而言将是显而易见的各种条件和参数的其他合适修改和改编在本发明的精神和范围内。
129.虽然上文已经对本发明的特定方面进行了描述，但应当领会，各方面可以以与所描述的方式不同的方式来实践。该描述并非旨在限制本公开的实施例。
130.应当领会，具体实施方式部分而非背景技术、发明内容和摘要部分旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述发明人所设想的一个或多个但并非所有的示例实施例，因此不旨在以任何方式限制本实施例和所附权利要求。
131.上文借助于图示了特定功能及其关系的实现的功能构建块对本公开的一些方面进行了描述。为了便于描述，这些功能构建块的边界本文中以任意方式进行定义。只要以适
当方式执行指定功能及其关系，就可以定义备选边界。
132.本公开内容的特定方面的上述描述将充分地揭示这些方面的一般性质，使得其他人可以通过应用本领域技术人员的知识，在不偏离本公开内容的一般概念的情况下，容易修改和/或改编这些特定方面以用于各种应用，而无需过多实验。因此，基于本文中所呈现的教导和指导，这些改编和修改旨在在所公开的各方面的等同物的含义和范围内。
133.本发明的其他方面在以下编号的条款中进行阐述。
134.1.一种用于测量极紫外(euv)辐射系统中的辐射燃料的燃料填充水平的方法，该方法包括：
135.以预定入射角，引导检查射束通过辐射燃料的顶部表面处的燃料箱观察端口；
136.在与观察端口相邻定位的传感器处，接收检查射束的由辐射燃料的顶部表面反射的一部分；
137.确定检查射束的传输位置的传输坐标；
138.确定检查射束的所接收的一部分的接收位置的接收坐标；
139.测量接收坐标与传输坐标之间的距离；以及
140.基于所测量的距离，计算燃料箱中的辐射燃料的填充水平。
141.2.根据条款1所述的方法，其中检查射束在多个照射点处被引导，并且计算基于具有最高信号强度的一个或多个反射。
142.3.根据条款1的方法，还包括：
143.向第一上游箱传输信号，该信号指示所计算的填充水平，该第一上游箱向燃料箱供应辐射燃料。
144.4.根据条款3所述的方法，其中所传输的信号还包括对第一上游箱的维持动作过程命令，该维持动作过程命令用于响应于填充水平在预定阈值内而维持动作过程。
145.5.根据条款3的方法，还包括：
146.向第二上游箱传输第二信号，该第二信号指示所计算的填充水平，该第二上游箱向第一上游箱供应辐射燃料，该第二上游箱被配置为收集辐射燃料并且将辐射燃料加热到预定温度。
147.6.根据条款5所述的方法，其中辐射燃料是锡(sn)，并且其中传输第二信号还包括：传输用于供应锡的时间参数，该时间参数把加热锡所需的时间考虑在内。
148.7.根据条款5所述的方法，其中第二信号还指令第二上游箱将所收集和加热的辐射燃料供应到第一上游箱。
149.8.根据条款7所述的方法，还包括：
150.测量正在被加热的辐射燃料的量；以及
151.向传感器传输所测量的量，所测量的量指示达到euv辐射系统的燃料供给水平的辐射燃料的量。
152.9.根据条款3的方法，还包括：
153.对来自一个或多个反射的另一反射信号进行处理，该另一反射信号的强度比具有最高信号强度的一个或多个反射的强度低；以及
154.生成操作员消息，该消息指示与观察端口相关联的污染水平。
155.10.根据条款1的方法，还包括：
156.响应于燃料箱被定位在与竖直位置的角度偏差处，测量检查射束的从箱壁接收的一部分的箱光强度反射，该箱光强度反射指示箱中的燃料水平；以及
157.测量来自箱中的燃料的燃料光强度反射，该燃料光强度反射指示燃料的纯度水平。
158.11.一种用于测量极紫外(euv)辐射系统中的辐射燃料的燃料填充水平的测量设备，该测量设备定位成与燃料箱观察端口相邻，该测量设备包括：
159.传输器，被配置为以预定入射角引导检查射束通过辐射燃料的顶部表面处的燃料箱观察端口；
160.接收器，被配置为接收检查射束的由辐射燃料的顶部表面反射的一部分；以及
161.处理电路系统，被配置为：
162.确定检查射束的传输位置的传输坐标；
163.确定检查射束的所接收的一部分的接收位置的接收坐标；
164.测量接收坐标与传输坐标之间的距离；以及
165.基于所测量的距离，计算燃料箱中的辐射燃料的填充水平。
166.12.根据条款11所述的测量设备，其中检查射束在多个照射点处被引导，并且计算基于具有最高信号强度的一个或多个反射。
167.13.根据条款11所述的测量设备，其中处理电路系统还被配置为向第一上游箱传输信号，该信号指示所计算的填充水平，该第一上游箱向燃料箱供应辐射燃料。
168.14.根据条款13所述的测量设备，其中所传输的信号还包括对第一上游箱的维持动作过程命令，所述维持动作过程命令用于响应于填充水平在预定阈值内而维持动作过程。
169.15.根据条款13所述的测量设备，其中处理电路系统还被配置为向第二上游箱传输第二信号，该第二信号指示所计算的填充水平，该第二上游箱向第一上游箱供应辐射燃料，该第二上游箱是被配置为收集辐射燃料、并且将辐射燃料加热到预定温度的箱。
170.16.根据条款15的测量设备，其中
171.辐射燃料是锡(sn)，并且
172.处理电路系统还被配置为在第二信号内传输用于供应锡的时间参数，该时间参数把加热锡所需的时间考虑在内。
173.17.根据条款15所述的测量设备，其中第二信号还指令第二上游箱将所收集和加热的辐射燃料供应到第一上游箱。
174.18.根据条款17的测量设备，其中处理电路系统还被配置为：
175.从与第二上游箱相关联的传感器，接收正在被加热并供应到第一上游箱的所测量的量的辐射燃料；
176.更新测量结果，该测量结果指示达到euv辐射系统的燃料填充水平的辐射燃料的量；以及
177.计算所加热的辐射燃料预计到达燃料箱的时间间隔。
178.19.根据条款13的测量设备，其中处理电路系统还被配置为：
179.对来自一个或多个反射的另一反射信号进行处理，该另一反射信号的强度比具有最高信号强度的一个或多个反射的强度低；以及
180.生成操作员消息，该消息指示与观察端口相关联的污染水平。
181.20.根据条款11的测量设备，其中处理电路系统还被配置为：
182.响应于燃料箱被定位在与竖直位置的角度偏差处，测量来自箱壁的箱光强度反射，该箱光强度反射指示燃料箱中的燃料水平；以及
183.测量来自燃料箱中的燃料的燃料光强度反射，该燃料光强度反射指示燃料的纯度水平。
184.21.一种用于测量极紫外(euv)辐射系统中的辐射燃料的燃料填充水平的测量设备，该测量设备位于燃料箱内，该测量设备包括：
185.测量传感器，包括：
186.多个探针，在燃料箱内延伸，该多个探针中的每个探针被配置为响应于与辐射燃料接触而生成信号，
187.其中多个探针通过多个气密高压密封件连接到燃料箱；以及
188.控制器，包括处理电路系统，该控制器被配置为：
189.响应于接收到一个或多个所生成的信号，计算燃料箱内的燃料填充水平，
190.生成输出信号，该输出信号指示所计算的填充水平，以及
191.将输出信号传输到至少另一控制器。
192.22.根据条款21所述的测量设备，其中至少另一控制器是与向燃料箱供应辐射燃料的第一上游箱相关联的第一上游控制器。
193.23.根据条款22所述的测量设备，其中所传输的输出信号包括对第一上游控制器的维持动作过程命令，所述维持动作过程命令用于响应于填充水平在预定阈值内而维持供给动作过程。
194.24.根据条款22所述的测量设备，其中控制器还配置为向第二上游控制器传输第二信号，该第二信号指示所计算的填充水平，该第二上游控制器与向第一上游箱供应辐射燃料的第二上游箱相关联，该第二上游箱是被配置为收集辐射燃料并且将辐射燃料加热到预定温度的箱。
195.25.根据条款24的测量设备，其中
196.辐射燃料是锡(sn)，并且
197.控制器还被配置为在第二信号内传输时间参数，该时间参数用于基于加热sn所需的时间来供应sn。
198.26.根据条款24所述的测量设备，其中第二信号还指令第二上游控制器将所收集和加热的辐射燃料供应到第一上游箱。
199.27.根据条款26的测量设备，其中控制器还被配置为：
200.从第二上游控制器接收正在被加热并供应到第一上游箱的所测量的量的辐射燃料；
201.更新测量结果，该测量结果指示达到euv辐射系统的燃料填充水平的辐射燃料的量；以及
202.计算所加热的辐射燃料预计到达燃料箱的时间间隔。
203.28.根据条款21所述的测量设备，其中多个探针向下延伸到燃料箱内的不同深度。
204.29.根据条款21所述的测量设备，其中多个探针在不同的竖直位置处侧向延伸到
箱中。
205.30.一种光刻辐射系统，包括：
206.第一燃料箱，耦合到第一传感器设备和第一控制器；以及
207.第二燃料箱，耦合到第二传感器设备和第二控制器，
208.第二燃料箱位于燃料填充系统中的第一燃料箱的上游、并且向光刻辐射系统提供辐射燃料，
209.第一控制器被配置为：
210.计算第一燃料箱内的燃料填充水平，
211.生成输出信号，该输出信号指示所计算的填充水平，以及将输出信号传输到第二控制器。
212.31.根据条款30所述的光刻辐射系统，其中第一传感器设备是光学传感器。
213.32.根据条款31的光刻辐射系统，其中光学传感器被配置为：
214.以预定入射角，引导检查射束通过辐射燃料的顶部表面处的第一箱观察端口，以及
215.接收检查射束的由辐射的顶部表面反射的一部分。
216.33.根据条款32的光刻辐射系统，其中光学传感器还被配置为：
217.确定检查射束的传输位置的传输坐标；
218.确定检查射束的所接收的一部分的接收位置的接收坐标；以及
219.测量接收坐标与传输坐标之间的距离。
220.34.根据条款33所述的光刻辐射系统，其中光学传感器还被配置为基于所测量的距离来计算燃料箱中的辐射燃料的填充水平。
221.35.根据条款30所述的光刻辐射系统，其中第一传感器设备位于燃料箱内。
222.36.根据条款35的光刻辐射系统，其中测量传感器包括：
223.多个探针，在燃料箱内延伸，该多个探针中的每个探针被配置为响应于与辐射燃料接触而生成信号。
224.37.根据条款36所述的光刻辐射系统，其中多个探针通过多个气密高压密封件连接到燃料箱。
225.38.根据条款35的光刻辐射系统，还包括：
226.控制器，包括处理电路系统，该控制器被配置为：
227.响应于接收到一个或多个所生成的信号，计算燃料箱内的燃料填充水平，
228.生成输出信号，该输出信号指示所计算的填充水平；以及将输出信号传输到至少另一控制器。
229.39.根据条款38所述的光刻辐射系统，其中至少另一控制器是与向燃料箱供应辐射燃料的第一上游箱相关联的第一上游控制器。
230.40.根据条款39所述的光刻辐射系统，其中所传输的信号包括对第一上游控制器的维持过程动作命令，该维持过程动作命令用于响应于填充水平在预定阈值内而维持供给动作过程。
231.41.根据条款37所述的光刻辐射系统，其中多个探针向下延伸到燃料箱内的不同深度。
232.42.根据条款37所述的光刻辐射系统，其中多个探针在不同的竖直位置处侧向延伸到箱中。
233.本公开的宽度和范围不应受任何上述示例方面或实施例的限制，而应仅根据所附权利要求及其等同物来限定。