用于形成剥离掩模结构的方法与流程

技术特征：
1.一种用于形成剥离掩模结构(1)的方法，所述方法包括：-提供基板主体(10)；-在所述基板主体(10)的表面上沉积底部抗反射涂层barc层(11)；-在所述barc层(11)上沉积光敏抗蚀剂层(12)；-通过光掩模(20)将所述抗蚀剂层(12)暴露于电磁辐射(21)；以及-通过施加显影剂来选择性地去除所述barc层(11)和所述抗蚀剂层(12)的一部分使得所述基板主体(10)的表面的下面部分被暴露来形成所述剥离掩模结构(1)。2.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述剥离掩模结构(1)之后，所述barc层(11)的特征在于具有负侧壁斜坡的底切轮廓(11a)。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在形成所述剥离掩模结构(1)之后，所述抗蚀剂层(12)的特征在于具有正侧壁斜坡的过切轮廓(12a)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述barc层(11)的材料不是光敏的。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述barc层(11)的材料在所述电磁辐射(21)的波长下是吸收性的，尤其是高吸收性的。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述barc层(11)的材料是有机材料。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述barc层(11)的材料和所述光敏抗蚀剂层(12)的材料的特征在于，在所述电磁辐射(21)的波长处的折射率彼此相差小于10％，尤其是小于5％。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述barc层(11)的材料的特征在于在暴露于所述电磁辐射(21)期间在所述抗蚀剂层(12)内引起相消干涉的折射率。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中沉积所述barc层(11)包括在所述基板主体(10)的表面上沉积厚度小于500nm、尤其是小于200nm的barc材料。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中沉积所述光敏抗蚀剂层(12)包括沉积正光致抗蚀剂。11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括在沉积所述抗蚀剂层(12)之前烘烤所述barc层(11)的步骤。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述barc层(11)的材料能够溶于所述显影剂中，尤其是以各向同性的方式能够溶于所述显影剂中。13.一种设备，其按照包括根据权利要求1至12中任一项形成剥离掩模结构(1)的过程制造。14.根据权利要求13所述的设备，其中为了制造所述设备，重复地应用根据权利要求1至12中任一项所述的方法。15.根据权利要求13或14所述的设备，其中所述方法被应用用于制造多层干涉滤波器。

技术总结
一种用于形成剥离掩模结构(1)的方法，包括提供基板主体(10)，在基板主体(10)的表面上沉积底部抗反射涂层BARC层(11)，以及在BARC层(11)上沉积光敏抗蚀剂层(12)。该方法还包括通过光掩模(20)将抗蚀剂层(12)暴露于电磁辐射(21)，以及通过施加显影剂以选择性地去除BARC层(11)和抗蚀剂层(12)的一部分使得基板主体(10)的表面的下面部分被暴露来形成剥离掩模结构(1)。结构(1)。结构(1)。


技术研发人员：P.珀特尔 G.埃尔姆斯坦纳
受保护的技术使用者：艾迈斯-欧司朗股份有限公司
技术研发日：2021.08.12
技术公布日：2023/1/31