场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质。


背景技术：

2.随着半导体技术的不断发展，新材料、新技术不断得到研发和应用，推动工艺节点的持续前进。随着工艺尺寸进一步微缩，器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。如何准确地表征器件模型，来为集成电路设计和优化提供参考是急需解决的重要问题。
3.现有技术中，主要使用的是bsim模型来作为连接半导体工艺制造技术与电路设计的桥梁，为电路设计者提供电路仿真的器件级模型。
4.但是，对于场效应管来说，由于源极、漏极到体端之间形成有结，容易出现反向电流，而现有的bsim模型无法精准的对反向电流进行表征，如此就导致了技术人员电路仿真准确性下降。


技术实现要素：

5.本技术提供一种场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质，用于解决现有器件模型精准度差，导致技术人员使用器件模型进行电路仿真时仿真准确性下降的问题。
6.第一方面，本技术实施例提供一种场效应管器件模型的生成方法，包括：
7.确定场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流，所述源体结反向电流为所述场效应管器件的体端对源极的电流，所述漏体结反向电流为所述场效应管器件的体端对漏极的电流；
8.根据所述源体结反向电流和漏体结反向电流，构建得到子电路模型；
9.根据预设初始场效应管器件模型和所述子电路模型，构建得到目标场效应管器件模型。
10.第二方面，本技术实施例提供一种场效应管器件模型的生成装置，包括：
11.反向电流确定模块，用于确定场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流，所述源体结反向电流为所述场效应管器件的体端对源极的电流，所述漏体结反向电流为所述场效应管器件的体端对漏极的电流；
12.子模型构建模块，用于根据所述源体结反向电流和漏体结反向电流，构建得到子电路模型；
13.器件模型构建模块，用于根据预设初始场效应管器件模型和所述子电路模型，构建得到目标场效应管器件模型。
14.第三方面，本技术实施例提供一种计算机设备，包括：处理器，以及与所述处理器通信连接的存储器；所述存储器存储计算机执行指令；所述处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，以实现如上述的方法。
15.第四方面，本技术实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介
质中存储有计算机指令，所述计算机指令被处理器执行时用于实现如上述的方法。
16.第五方面，本技术实施例提供一种计算机程序产品，包括计算机指令，该计算机指令被处理器执行时实现上述的方法。
17.本技术实施例提供的场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质，通过获取场效应管器件的源体方向电流和漏体反向电流，构架出子电路模型，然后将子电路模型拟合到原bsim4的模型中，如此得到的器件模型更加精确，提高技术人员电路仿真精度，从而提升电路性能。
附图说明
18.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理；
19.图1为本技术实施例提供的场效应管器件的结构示意图；
20.图2为本技术实施例提供的场效应管器件模型的生成方法的流程示意图；
21.图3为本技术实施例提供的场效应管器件的模型电路图；
22.图4为本技术实施例提供的目标场效应管器件的模型电路图；
23.图5为本技术实施例提供的场效应管的并联电路示意图；
24.图6为本技术实施例提供的结电流曲线示意图；
25.图7为本技术另一实施例提供的结电流曲线示意图；
26.图8为本技术实施例提供的不同温度的源体结反向电流的仿真值与测试值的对比示意图；
27.图9为本技术实施例提供的场效应管器件模型的生成装置的结构示意图；
28.图10为本技术实施例提供的计算机设备的结构示意图。
29.通过上述附图，已示出本技术明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本技术构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本技术的概念。
具体实施方式
30.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
31.首先对本技术所涉及的名词进行解释：
32.spice模型：是连接半导体工艺制造技术与电路设计的桥梁，为电路设计者提供电路仿真的器件级模型。spice模型由两部分组成，模型方程式和模型参数。
33.bsim模型：是加州大学伯克利分校的bsim研究小组开发的一种基于物理，并具有较高准确性和一定预测性的金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，mosfet)spice仿真模型，是业界在体硅互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)建模中最常用的模型之一。
34.随着coms技术的不断发展，新材料、新技术不断得到研发和应用，推动工艺节点的持续前进。随着工艺尺寸进一步微缩，器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。如何准确地表征器件模型，来为集成电路设计和优化提供参考是急需解决的重要问题。在理想的二极管模型中，电流单向导通，其反向电流为0。但是研究人员发现在实际应用中，由于产生复合和表面效应，会引起二极管出现反向泄露电流，随着工艺节点不断推进，二极管的反向泄漏电流量级越来越大，变得不可忽视，故而二极管的spice模型需要对此进行调整。与此同时，在mos器件的二极管模型中，例如源漏到地端的结，则无法很好地对反向电流模型进行表征。这主要是在bsim4的模型中，未对其结的反向电流进行模型方程式上的描述；另一方面，以n型场效应管(n-metal-oxide-semiconductor，nmos)为例，其工作状态下，当源漏接正电压，地端接地产生源/漏对地的结反向电流时，mos处于工作状态，这部分的电流常常被视为是沟道电流或者沟道泄漏电流。但是源/漏地结泄漏电流随着工艺节点推进也在不断变大，且沟道泄漏电流与源/漏结泄漏电流的温度变化系数不一致，描述这一部分泄漏电流的时候容易造成模型不准确。
35.针对上述问题，本技术提供了一种场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质，为了解决现有的模型无法很好的表征器件的反向电流，需要对现有的模型进行优化调整，具体的，通过获取场效应管器件的源体方向电流和漏体反向电流，构架出子电路模型，然后将子电路模型拟合到原bsim4的模型中，如此得到的器件模型更加精确，提高技术人员电路仿真精度，从而提升电路性能。
36.下面，通过具体实施例对本技术的技术方案进行详细说明。需要说明的是，下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。
37.图1为本技术实施例提供的场效应管器件的结构示意图，如图1所示，该场效应管为nmos，整个nmos包括两块n型半导体、一块p型半导体以及若干金属电极和绝缘层，若干金属电极构成其外部的栅极g、漏极d、源极s和衬底端b。如此整个nmos管就包括有两个pn结。从p到n接正电压可以导通，从n到p接正电压不导通。为便于描述，本文将从p到n的电流称为正向电流，n到p的电流称为反向电流，在理想条件下，pn结是单向导通的，即从n到p的反向电流应当为零。但是在实际应用中，随着工艺节点的推进，反向电流量级越来越大，已经变得不可忽视。
38.图2为本技术实施例提供的场效应管器件模型的生成方法的流程示意图，该方法可以应用于计算机设备或者其他具有处理器的电子设备上，以计算机设备作为执行主体为例，该方法具体可以包括如下步骤：
39.步骤s201，确定场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流。源体结反向电流为场效应管器件的体端对源极的电流，漏体结反向电流为场效应管器件的体端对漏极的电流。
40.在本实施例中，场效应管器件的体端即图1中p型半导体相连的b端，源极s通过金属电极设置于n型半导体上，该n型半导体与p型半导体形成一个pn结，源体结反向电流即为该pn结中n到p的电流。漏极d通过金属电极设置于另一块n型半导体上，该另一块n型半导体与p型半导体形成另一个pn结，漏体结反向电流即为另一个pn结中n到p的电流。
41.其中，在确定场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流时，可以通过测
量得到场效应管器件的漏体结反向电流和源体结反向电流，也可以通过场效应管器件的参数，并依据相应的方程式计算得到漏体结反向电流和源体结反向电流。
42.步骤s202，根据源体结反向电流和漏体结反向电流，构建得到子电路模型。
43.在本实施例中，图3为本技术实施例提供的场效应管器件的模型电路图，如图3所示，场效应管器件包括有栅极g、漏极d、源极s和衬底端b。在步骤s201中已经提到源体结反向电流实际为衬底端b对源极s的电流，漏体结反向电流为衬底端b对漏极d的电流，故而可以构建得到一个子电路模型，该子电路模型可以包括有两个电流源，其中一个电流源中电流流向为衬底端b流向源极s，另一个电流源中电流流向为衬底端b流向漏极d。
44.其中，衬底端b流向源极s的电流大小。衬底端b流向漏极d的电流大小均可以根据步骤s201中的源体结反向电流和漏体结反向电流的大小确定。
45.步骤s203，根据预设初始场效应管器件模型和子电路模型，构建得到目标场效应管器件模型。
46.在本实施例中，预设初始场效应管器件模型的电路图可以如上述图3所示，预设初始场效应管器件模型包括有模型方程式和模型参数，模型参数可以包括有场效应管器件的相关属性参数，模型方程式可用于计算场效应管器件中涉及的电流、电压等参数。
47.示例性的，图4为本技术实施例提供的目标场效应管器件的模型电路图，如图4所示，分别在漏极d与衬底端b之间添加电流源gd1，在源极s与衬底端b之间添加电流源gs1，然后参照实际确定的源体结反向电流和漏体结反向电流，对图4中的模型电路进行拟合，使得拟合结果与实测数据趋同，最终得到目标场效应管器件模型。其中，目标场效应管器件模型中包括有模型方程式和模型参数，模型方程式可以是用于计算源体结反向电流和漏体结反向电流的计算公式，模型参数可以是场效应管器件的相关属性参数以及环境参数等，例如温度参数、漏端面积等等。
48.本技术实施例通过获取场效应管器件的源体方向电流和漏体反向电流，构架出子电路模型，然后将子电路模型拟合到原bsim的模型中，如此得到的器件模型更加精确，提高技术人员电路仿真精度，从而提升电路性能。
49.在一些实施例中，预设初始场效应管模型可以分为模型方程式和模型参数两部分，预设初始场效应管模型通过模型方程式可以计算出场效应管器件的源体结正向电流和漏体结正向电流，由此来表征场效应管器件的源体结正向电流和漏体结正向电流。由此，子模型与预设场效应管器件模型拟合之后得到的目标场效应管模型既可以表征出源体结正向电流和漏体结正向电流，又可以表征出场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流。其中，在确定源体结正向电流和漏体结正向电流时，具体可以通过如下步骤实现：确定场效应管器件的源体结正向电流和漏体结正向电流；根据源体结正向电流和漏体结正向电流，构建得到预设初始场效应管器件模型。其中，源体结正向电流为场效应管器件的源极对体端的电流，漏体结正向电流为场效应管器件的漏极对体端的电流。
50.在本实施例中，可以继续参考图1，源极s通过金属电极设置于一块n型半导体上，与p型半导体形成一个pn结，源体结正向电流即为该pn结中p到n的电流。漏极d通过金属电极设置于另一块n型半导体上，该另一块n型半导体与p型半导体形成另一个pn结，漏体结正向电流即为另一个pn结中p到n的电流。需要说明的是，图1所示的为nmos，在实际应用中mos具体可以分为p型场效应管(positive channel metal oxide semiconductor，pmos)和
nmos，其中，pmos的衬底为n型半导体，而源极s通过金属电极设置于一块p型半导体上，漏极d通过金属电极设置于另一块p型半导体上，不同类型的mos均可以适用于本方案。
51.本技术实施例通过确定场效应管器件的源体结正向电流和漏体结正向电流，构建得到预设初始场效应管器件模型，使得预设初始场效应管器件模型可以表征场效应管器件的源体结正向电流和漏体结正向电流，提高目标场效应管器件的精确性。
52.进一步的，在另一些实施例中，在确定场效应管器件的源体结正向电流和漏体结正向电流时，具体可以通过如下步骤实现：将场效应管器件的栅极、源极和漏极接地；对场效应管器件的体端进行电压扫描，并读取场效应管器件的源极和漏极的电流变化；根据源极和漏极的电流变化，确定源体结正向电流和漏体结正向电流，其中，场效应管器件的体端为衬底端。
53.在本实施例中，可以测量场效应管器件的源体结电流和漏体结电流，其方法为将mos器件的栅极、源极和漏极均接地，对其体端进行电压扫描，读出源极电流变化的参数和漏极电流变化的参数，然后根据参数计算得到源体结正向电流和漏体结正向电流。
54.在另一些实施方式中，还可以为保障电流测量精准，可以将多个场效应管器件并联，得到测量结果之后进行归一化，即可获得单个场效应管器件的源体结正向电流的测量结果和漏体结正向电流的测量结果。具体可以通过如下步骤实现：将至少两个场效应管器件并联，并将并联后的场效应管器件的栅极、源极和漏极接地；对并联后的场效应管器件的体端进行电压扫描，读取并联后的场效应管器件的源极和漏极的电流变化，场效应管器件的体端为衬底端；根据并联后的场效应管器件的源极和漏极的电流变化和并联的场效应管器件的数量，确定源体结正向电流和漏体结正向电流。
55.示例性的，图5为本技术实施例提供的场效应管的并联电路示意图，如图5所示，其中包括并联的两个场效应管，一个场效应管的源极与另一个场效应管的源极连接，漏极与漏极连接，栅极与栅极连接。并联后的场效应管器件可以视为包括一个栅极g、一个源极s、一个漏极d和两个体端b。
56.本技术实施例通过将多个场效应管器件并联，测量得到并联后的场效应管器件的源极和漏极的电流变化，然后对测量结果之后进行归一化，即可获得单个场效应管器件的源体结正向电流和漏体结正向电流的测量结果，如此可以提高测量精度。
57.进一步的，在一些实施例中，在读出源极电流变化的参数和漏极电流变化的参数之后，具体可以通过如下步骤确定源体结正向电流：获取单位面积的第一电流、单位长度沿着栅极边缘的侧边电流、沿着浅槽隔离边缘的侧边电流、源端面积、源端沿着浅槽隔离边缘的周长、场效应管器件宽度和并联的场效应管器件的数量；根据单位面积的第一电流、单位长度沿着栅极边缘的侧边电流、沿着浅槽隔离边缘的侧边电流、源端面积、源端沿着浅槽隔离边缘的周长、场效应管器件宽度和并联的场效应管器件的数量，计算得到源体结正向电流。
58.可以通过如下步骤确定漏体结正向电流：获取单位面积的第二电流、漏端面积、漏端沿着浅槽隔离边缘的周长；根据单位面积的第二电流、单位长度沿着栅极边缘的侧边电流、沿着浅槽隔离边缘的侧边电流、漏端面积、漏端沿着浅槽隔离边缘的周长、场效应管器件宽度和并联的场效应管器件的数量，计算得到漏体结正向电流。
59.其中，第一电流可以是源体电流，第二电流可以是漏体电流。在本实施例中，在计
算得到源体结正向电流时，具体可以通过如下公式计算得到：
60.i
sbs
＝a
seffjss
(t) p
seffjssws
(t) w
effcj
*nf*j
sswgs
(t)
61.上式中，i
sbs
表示源体结正向电流，j
ss
(t)表示单位面积的第一电流，j
ssws
(t)表示单位长度沿着栅极边缘的侧边电流，j
sswgs
(t)表示沿着浅槽隔离(shallow trench isolation，sti)边缘的侧边电流，a
seff
表示源端面积，p
seff
表示源端沿着浅槽隔离边缘的周长，w
effcj
表示场效应管器件的宽度，即沿着源端沿着栅极边缘的长度。
62.在计算得到源体结正向电流时，具体可以通过如下公式计算得到：
63.i
sbd
＝a
deffjsd
(t) p
deffjsswd
(t) w
effcj
*nf*j
sswgd
(t)
64.上式中，i
sbd
表示漏体结正向电流，j
sd
(t)表示单位面积的第二电流，j
sswd
(t)表示单位长度沿着栅极边缘的侧边电流，j
sswd
(t)表示沿着浅槽隔离边缘的侧边电流，a
deff
为漏端面积，p
deff
为漏端沿着浅槽隔离边缘的周长，w
effcj
表示场效应管器件的宽度，即沿着源端沿着栅极边缘的长度。
65.其中，根据场效应管器件模型的常用参数，aseff、adeff可以通过w(器件宽度)与sa/sb(有源区超出栅极的宽度，及源区的宽度)相乘得到；pseff、pdeff可以通过w 2*sa/w 2*sb得到。因此在提供w和sa/sb后，可以根据模型内置的公式，即得出源体结正向电流和漏体结正向电流。
66.本技术实施例通过共识计算得到源体结正向电流和漏体结正向电流，可以保证源体结正向电流和漏体结正向电流的准确性，从而进一步提高目标场效应管器件模型的准确性。
67.在一些实施例中，在上述步骤s201中“确定场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流”，具体可以通过如下步骤实现：获取源体结两端的电压、漏体结两端的电压、场效应管器件宽度、有源区超出栅极的宽度和拟合参数；根据源体结两端的电压、漏体结两端的电压、场效应管器件宽度、有源区超出栅极的宽度和拟合参数，计算得到源体结反向电流和漏体结反向电流。
68.在本实施例中，可以通过如下公式计算得到源体结反向电流和漏体结反向电流：i＝irev*w*sa*exp(fac1)*v(n1，n2)-fac2*pwr(v(n1，n2，w*fac3))。其中，i表示源体结反向电流和漏体结反向电流，v(n1，n2)表示pn结两端的电压，w表示场效应管器件的宽度，sa表示有源区超出栅极的宽度，irev、fac1、fac2、fac3均为拟合参数。拟合参数可以根据实际测试值进行调节，以使得通过上式计算得到的源体结反向电流和漏体结反向电流与实际测试值拟合。exp()为指数函数，pwr()为求次方函数，示例性的，pwr(a，b)为输出a的b次方。
69.示例性的，图6为本技术实施例提供的结电流曲线示意图，如图6所示，其中的点值为实际测试值，实线为利用预设初始场效应管器件模型仿真得到的仿真值，由此可以发现，预设初始场效应管器件模型无法表征出源体结反向电流和漏体结反向电流。
70.图7为本技术另一实施例提供的结电流曲线示意图，如图7所示，其中的点值为实际测试值，实线为利用目标场效应管器件模型仿真得到的仿真值，由此可以发现，目标场效应管器件模型可以表征出源体结反向电流和漏体结反向电流。
71.本技术实施例通过反向电流计算公式计算得到源体结反向电流和漏体结反向电流，是得目标场效应管器件模型可以在对于正向电流基本无影响的情况下，将其反向泄漏电流拟合精准，提高技术人员电路仿真精度，从而提升电路性能。
72.进一步的，在另一些实施例中，还可以添加温度参数来计算得到不同温度下的源体结反向电流和漏体结反向电流。具体可以获取源体结两端的电压、漏体结两端的电压、场效应管器件宽度、有源区超出栅极的宽度、拟合参数和温度参数，温度参数包括有至少两个；根据温度参数、源体结两端的电压、漏体结两端的电压、场效应管器件宽度、有源区超出栅极的宽度和拟合参数，计算得到源体结反向电流和漏体结反向电流。
73.在本实施例中，可以通过如下公式计算源体结反向电流和漏体结反向电流：
74.i＝irev*w*sa*exp(fac1)*v(n1，n2)*(1 temper11*(temper-25))-fac2*pwr(v(n1，n2，w*fac3)*(1 temper2*(temper-25)))。
75.上式中，i表示源体结反向电流和漏体结反向电流，v(n1，n2)表示pn结两端的电压，w表示场效应管器件的宽度，sa表示有源区超出栅极的宽度，irev、fac1、fac2、fac3、temper1和temper2均为拟合参数。拟合参数可以根据实际测试值进行调节，以使得通过上式计算得到的源体结反向电流和漏体结反向电流与实际测试值拟合。exp()为指数函数，pwr()为求次方函数，示例性的，pwr(a，b)为输出a的b次方。temper是指温度。示例性的，图8为本技术实施例提供的不同温度的源体结反向电流的仿真值与测试值的对比示意图，如图8所示，虚线表示实际测试值，实线表示通过上述公式计算得到的仿真值。在不同温度，实际测试值与仿真值拟合。
76.本技术实施例通过在反向电流计算公式中加入温度参数，对于不同温度的测试数据，也可以将目标场效应管器件模型计算得到源体结反向电流和漏体结反向电流与测试数据拟合，提高目标场效应管器件模型在不同温度下的计算结果，进一步使模型更加精准，提高技术人员电路仿真精度，从而提升电路性能。
77.在一些实施例中，还可以通过如下方法建模得到目标场效应管器件模型，该方法包括：(1)流片测试得到建模的测试数据，对场效应管器件的基本参数模型进行调整，使得模型的直流特性仿真模型与测试数据相吻合；(2)测量场效应管器件的源体结电流和漏体结电流，其方法为将场效应管器件的栅极、源极和漏极接地，对其体端进行电压扫描，读出源漏电流变化的参数。为保障电流测量精准，可以将多个场效应管器件器件并联，得到测量结果之后进行归一化，即可获得单个场效应管器件器件的源/漏体结电流的测量结果；(3)对场效应管器件器件建立子电路模型，利用所添加的子电路模型，添加结反向电流源，参照实测数据，对模型进行拟合，使得拟合结果与实测数据趋同，优化模型，减小模型与实测数据误差，得到最终的完整目标场效应管器件模型器件模型。
78.需要说明的是，在本技术中，可以通过对公式中的拟合参数进行调整，并根据调整后的拟合参数和上述的计算公式进行仿真计算得到仿真值，同时与实际测试值进行对比，进一步优化拟合参数，最终减小目标场效应管器件模型与实测数据误差，提高目标场效应管器件模型的精准度。其中，可以通过计算机设备中的相关软件来构建得到目标场效应管器件模型。还可以通过计算机设备中的相关软件来实现仿真过程。
79.下述为本技术装置实施例，可以用于执行本技术方法实施例。对于本技术装置实施例中未披露的细节，请参照本技术方法实施例。
80.图9为本技术实施例提供的场效应管器件模型的生成装置的结构示意图，该场效应管器件模型的生成装置可以集成在计算机设备上，也可以独立于计算机设备且与计算机设备协同实现本方案。如图9所示，该生成装置900包括反向电流确定模块910、子模型构建
模块920和器件模型构建模块930。
81.其中，反向电流确定模块910用于确定场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流。其中，源体结反向电流为场效应管器件的体端对源极的电流，漏体结反向电流为场效应管器件的体端对漏极的电流。子模型构建模块920用于根据源体结反向电流和漏体结反向电流，构建得到子电路模型。器件模型构建模块930用于根据预设初始场效应管器件模型和子电路模型，构建得到目标场效应管器件模型。
82.可选的，上述生成装置还包括初始器件模型构建模块，用于确定场效应管器件的源体结正向电流和漏体结正向电流；根据源体结正向电流和漏体结正向电流，构建得到预设初始场效应管器件模型。其中，源体结正向电流为场效应管器件的源极对体端的电流，漏体结正向电流为场效应管器件的漏极对体端的电流。
83.可选的，初始器件模型构建模块具体可以用于：将场效应管器件的栅极、源极和漏极接地；对场效应管器件的体端进行电压扫描，并读取场效应管器件的源极和漏极的电流变化；根据源极和漏极的电流变化，确定源体结正向电流和漏体结正向电流，其中，场效应管器件的体端为衬底端。
84.可选的，初始器件模型构建模块具体可以用于：将至少两个场效应管器件并联，并将并联后的场效应管器件的栅极、源极和漏极接地；对并联后的场效应管器件的体端进行电压扫描，读取并联后的场效应管器件的源极和漏极的电流变化；根据并联后的场效应管器件的源极和漏极的电流变化和并联的场效应管器件的数量，确定源体结正向电流和漏体结正向电流，其中，场效应管器件的体端为衬底端。
85.可选的，初始器件模型构建模块具体可以用于：获取单位面积的第一电流、单位长度沿着栅极边缘的侧边电流、沿着浅槽隔离边缘的侧边电流、源端面积、源端沿着浅槽隔离边缘的周长、场效应管器件宽度和并联的场效应管器件的数量；根据单位面积的第一电流、单位长度沿着栅极边缘的侧边电流、沿着浅槽隔离边缘的侧边电流、源端面积、源端沿着浅槽隔离边缘的周长、场效应管器件宽度和并联的场效应管器件的数量，计算得到源体结正向电流；
86.以及，获取单位面积的第二电流、漏端面积、漏端沿着浅槽隔离边缘的周长；根据单位面积的第二电流、单位长度沿着栅极边缘的侧边电流、沿着浅槽隔离边缘的侧边电流、漏端面积、漏端沿着浅槽隔离边缘的周长、场效应管器件宽度和并联的场效应管器件的数量，计算得到漏体结正向电流。
87.可选的，反向电流确定模块具体可以用于：获取源体结两端的电压、漏体结两端的电压、场效应管器件宽度、有源区超出栅极的宽度和拟合参数；根据源体结两端的电压、漏体结两端的电压、场效应管器件宽度、有源区超出栅极的宽度和拟合参数，计算得到源体结反向电流和漏体结反向电流。
88.可选的，反向电流确定模块具体可以用于：获取源体结两端的电压、漏体结两端的电压、场效应管器件宽度、有源区超出栅极的宽度、拟合参数和温度参数，温度参数包括有至少两个；根据温度参数、源体结两端的电压、漏体结两端的电压、场效应管器件宽度、有源区超出栅极的宽度和拟合参数，计算得到源体结反向电流和漏体结反向电流。
89.本技术实施例提供的装置，可用于执行上述所示实施例中的方法，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。
90.需要说明的是，应理解以上装置的各个模块的划分仅仅是一种逻辑功能的划分，实际实现时可以全部或部分集成到一个物理实体上，也可以物理上分开。且这些模块可以全部以软件通过处理元件调用的形式实现；也可以全部以硬件的形式实现；还可以部分模块通过处理元件调用软件的形式实现，部分模块通过硬件的形式实现。例如，反向电流确定模块可以为单独设立的处理元件，也可以集成在上述装置的某一个芯片中实现，此外，也可以以程序代码的形式存储于上述装置的存储器中，由上述装置的某一个处理元件调用并执行以上反向电流确定模块的功能。其它模块的实现与之类似。此外这些模块全部或部分可以集成在一起，也可以独立实现。这里的处理元件可以是一种集成电路，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤或以上各个模块可以通过处理器元件中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。
91.图10为本技术实施例提供的计算机设备的结构示意图。如图10所示，该计算机设备1000包括：至少一个处理器1010、存储器1020、总线1030及通信接口1040。其中：处理器1010、通信接口1040以及存储器1020通过总线1030完成相互间的通信。通信接口，用于与其它设备进行通信。该通信接口包括用于进行数据传输的通信接口。处理器1010用于执行存储器存储的计算机执行指令，具体可以执行上述实施例中所描述的方法中的相关步骤。处理器可能是中央处理器，或者是特定集成电路(application specific integrated circuit，asic)，或者是被配置成实施本发明实施例的一个或多个集成电路。计算机设备包括的一个或多个处理器，可以是同一类型的处理器，如一个或多个cpu；也可以是不同类型的处理器，如一个或多个cpu以及一个或多个asic。存储器，用于存放计算机执行指令。存储器可能包含高速ram存储器，也可能还包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器。
92.本实施例还提供一种计算机可读存储介质，可读存储介质中存储有计算机指令，当计算机设备的至少一个处理器执行该计算机指令时，计算机设备执行上述的各种实施方式提供的场效应管器件模型的生成方法。
93.本实施例还提供一种计算机程序产品，该程序产品包括计算机指令，该计算机指令存储在可读存储介质中。计算机设备的至少一个处理器可以从可读存储介质读取该计算机指令，至少一个处理器执行该计算机指令使得计算机设备实施上述的各种实施方式提供的场效应管器件模型的生成方法。
94.本技术中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况，其中a，b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系；在公式中，字符“/”，表示前后关联对象是一种“相除”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b，或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a-b，a-c，b-c，或a-b-c，其中，a，b，c可以是单个，也可以是多个。
95.可以理解的是，在本技术实施例中涉及的各种数字编号仅为描述方便进行的区分，并不用来限制本技术的实施例的范围。在本技术的实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术的实施例的实施过程构成任何限定。
96.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽
管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。