一种背孔过刻蚀检验方法及装置与流程

1.本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种背孔过刻蚀检验方法及装置。


背景技术：

2.gaas mmic器件功率密度很高，局部发热严重，gaas晶圆衬底的厚度一般有650um，这很不利于散热，因此需要进行背面工艺，背面金属化工艺是半导体制造背面工艺中非常重要的环节，金属化系统和金属化工艺的优劣会影响电路的电特性和可靠性，背面通孔(bv)简称背孔，是背面金属化工艺重要的一步前层工艺，bv刻蚀工艺是否稳定，决定了背面工艺的优劣，bv刻蚀中首先在晶圆背面进行光刻，在对应于正面要进行通孔的区域形成图形，然后用刻蚀的方法去除此区域的gaas，一直刻蚀到正面金属的下底面裸露，bv刻蚀是否干净及刻蚀深度的一致性是衡量刻蚀工艺的重要指标。
3.现有技术中，一般采用人工通过显微镜观察的方式来进行检验bv刻蚀，因晶圆一般为50um～200um厚，孔洞直径为30um～50um，bv一般为梯形柱体结构且各尺寸存在厚度偏差，这样需要频繁的调节显微镜的焦距、倍率和亮度来判断bv的刻蚀情况，检验效率低下。且当bv孔洞存在残留物时，残留物积聚在狭小的bv中会干扰显微镜检验的结果，无法完全分辨bv刻蚀的情况。
4.此外，目前行业内还没有提出在解键合前的检查背孔项目或者装置，当过刻蚀的产品，生产至解键合工艺时，如果不进行快速有效的检验，导致异常产品漏检至解键合工艺出现异常，解键合时，晶圆正面的保护胶会沿着过刻蚀的bv孔洞漏出至设备，即使解键合时真空释放晶圆，因为漏胶的存在，晶圆仍会粘附在设备上导致晶圆无法正常分离；或者是因为漏胶的存在，晶圆会半粘附住设备上，导致解键合时，晶圆卡在机器中出现碎片；同时因为漏胶的存在，污染了设备，造成设备宕机，从而花费大量的人力物力和时间去清洁，甚至更换备件，造成更大的损失。因此，在解键合前进行背孔过刻蚀风险的检查显得尤为重要。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于克服现有技术中采用人工通过显微镜观察背孔刻蚀存在的问题，提供了一种背孔过刻蚀检验方法及装置。
6.本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
7.在第一方面，提供一种背孔过刻蚀检验方法，所述方法包括：
8.收集背孔完全刻蚀穿正面金属的不同型号的晶圆作为标准片，其中所述标准片中背孔作为标准背孔；
9.使用光源照射所述标准片，并测得透射过标准背孔的光线，得到不同标准片的标准背孔透射光；
10.使用与测量标准背孔相同的光源照射所述待测晶圆，根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆的过刻蚀情况；
11.所述根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆是否存在
过刻蚀，包括：
12.设定过刻蚀背孔数阈值，统计存在背孔透射光的背孔个数，当存在背孔透射光的背孔个数超过所述过刻蚀背孔数阈值时，则所述待测晶圆存在过刻蚀风险；当存在背孔透射光的背孔个数小于过刻蚀背孔数阈值且不为0时，则所述待测晶圆存在过刻蚀，但不存在过刻蚀风险；当存在背孔透射光的背孔个数为0时，则所述待测晶圆不存在过刻蚀；其中，所述过刻蚀风险指的是过刻蚀会对机台造成污染且存在碎片风险。
13.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，所述根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆是否存在过刻蚀，还包括：
14.设定过刻蚀光强阈值，并用标准片中存在背孔透射光的背孔个数乘以标准背孔的标准背孔透射光强，得到标准过刻蚀光强，当待测晶圆中所有背孔的背孔透射光强度与所述标准过刻蚀光强的比值大于所述过刻蚀光强阈值时，则所述待测晶圆存在过刻蚀风险；
15.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，所述根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆是否存在过刻蚀，还包括：
16.设定过刻蚀光斑面积阈值，并用标准片中存在背孔透射光的背孔个数乘以标准背孔的标准背孔透射光斑面积，得到标准过刻蚀光斑面积，当待测晶圆中所有背孔的透射光斑面积与所述标准过刻蚀光斑面积的比值大于所述过刻蚀光斑面积阈值时，则所述待测晶圆存在过刻蚀风险。
17.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，设单个标准背孔的标准背孔透射光强或光斑面积为1，当待测晶圆中某个背孔的背孔透射光强或光斑面积为1时，则该背孔过刻蚀；当待测晶圆中某个背孔的背孔透射光强或光斑面积为小于1且不为0时，则该背孔中存在残留物或过刻蚀孔小于标准背孔；当待测晶圆中某个背孔的背孔透射光强或光斑面积为0时，则该背孔未过刻蚀。
18.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，将过刻蚀风险的判断结果以不同的颜色显示，包括：
19.待测晶圆背孔不存在过刻蚀风险时，界面显示绿色；待测晶圆背孔存在过刻蚀风险时，界面显示红色。
20.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，所述比较待测晶圆的每个背孔的透射光强与同型号标准片的标准背孔透射光强大小，包括：
21.将待测晶圆中每个背孔的透射光强与标准背孔透射光强进行同比例放大。
22.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，所述使用光源照射所述标准片，并测得透射过标准背孔的光线，包括：
23.将晶圆的背面朝上并放置在光源上方，光源从晶圆的正面照射背孔。
24.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，所述光源的波长为500nm～700nm。
25.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，所述光源与待测晶圆的正面距离为10mm～30mm。
26.在第二方面，提供一种背孔过刻蚀检验装置，所述装置包括光源和光检测单元，所述光源用于在待测晶圆正面照射背孔，所述光检测单元用于在待测晶圆背面接收透射过来的光；
27.还包括过刻蚀检验单元，用于根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断
所述待测晶圆的过刻蚀情况；
28.所述根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆是否存在过刻蚀，包括：
29.设定过刻蚀背孔数阈值，统计待测晶圆中存在背孔透射光的背孔个数，当存在背孔透射光的背孔个数超过所述过刻蚀背孔数阈值时，则所述待测晶圆存在过刻蚀风险；当存在背孔透射光的背孔个数小于过刻蚀背孔数阈值且不为0时，则所述待测晶圆存在过刻蚀，但不存在过刻蚀风险；当存在背孔透射光的背孔个数为0时，则所述待测晶圆不存在过刻蚀；其中，所述过刻蚀风险指的是过刻蚀会对机台造成污染且存在碎片风险。
30.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验装置，还包括可视化显示单元，用于将过刻蚀的判断结果以不同的颜色显示。
31.需要进一步说明的是，上述系统各选项对应的技术特征在不冲突的情况下可以相互组合或替换构成新的技术方案。
32.与现有技术相比，本发明有益效果是：
33.(1)本发明通过测量待测晶圆的背孔透射光，提出了一种新的背孔过刻蚀检验方法，能够帮助工作人员清楚地知道是否存在过刻蚀，避免了频繁的调节显微镜的焦距、倍率和亮度来判断背孔情况，提高了背孔检验的效率和检验精度，同时，存储有不同型号标准片的标准背孔透射光强，能够对多种芯片晶圆进行检验，具有普适性；同时，对晶圆的过刻蚀风险进行判断，保证了解键合时工艺的稳定性。
34.(2)在一个示例中，设定判断阈值，并将待测晶圆背孔过刻蚀情况的判断结果以不同的颜色显示，方便判断背孔过刻蚀的情况。
35.(3)在一个示例中，将待测晶圆的背面朝上并放置在光源上方，光源从待测晶圆的正面照射背孔，更易于观察和发现透射的光线。
36.(4)在一个示例中，所述光源的波长为500nm～700nm，一般背孔中残留物为光刻胶和砷化镓(或si等材料)残留且分布在背孔边缘，光源的波长不在硅、砷化镓和碳化硅材料的吸收频谱，有利于减少光线的吸收和漫反射，保证光线的传播，检验过程不受残留物的影响；同时，所述光源与待测晶圆的正面距离为10mm～30mm，避免晶圆正面直接接触光源造成损伤，另一方面避免光源太远不利于光线的聚焦和传输。
37.(5)在一个示例中，本发明通过光强或光斑面积来判断待测晶圆的过刻蚀情况，方面配合图像处理设备或其他处理工具生成map图形，让工作人员清楚的知道晶圆每一个芯片甚至背孔的过刻蚀情况，方便分析异常。同时，通过比较待测晶圆的背孔透射光强或光斑面积与同型号标准片的标准背孔透射光强或光斑面积，能够有效判断背孔是否存在过刻蚀，背孔中是否有残留物，方便工作人员调整工艺、设置参数，保证背孔刻蚀的一致性和稳定性。
38.(6)本发明的装置利用光源高度调节座能够调节光源与待测晶圆的距离，利用检测仪高度调节座能够调节光强检测仪与待测晶圆的距离，实现检测时的精细调节，保证检验的精度。
39.(7)在一个示例中，在所述止型台面附近的晶圆支撑体上设有凹口，所述检测支撑体上设有与所述适配的凸台，通过凹口与凸台的配合使得装置成为一体结构，方便安装拆卸，简单实用。
40.(8)在一个示例中，第一u型口和第二u型口的两侧均设有刻度值，提高调节精度，保证待测晶圆、光源以及光强检测仪三者之间最合适的位置，一方面避免晶圆正面直接接触光源造成损伤，另一方面避免光源太远不利于光线的聚焦、传输以及检测。
41.(9)在一个示例中，电源开关为旋钮开关，可通过旋钮调节光线亮度和进行开关操作，便于根据不同材质的晶圆选用不同的亮度进行观察识别。
42.(10)在一个示例中，所述止型台面的台阶高度大于所述待测晶圆的厚度，便于稳固待测晶圆，保证测量的准确性。
附图说明
43.图1为本发明实施例示出的一种背孔过刻蚀检验方法的流程示意图；
44.图2为本发明示出的一种背孔过刻蚀检验装置的结构示意图；
45.图3为本发明示出的刻蚀检验示意图；
46.图4为本发明示出的光源高度调节座以及检测仪高度调节座的结构示意图；
47.图5为本发明示出的背孔过刻蚀检验装置的斜视示意图。
48.图中标号说明：1、光源；2、待测晶圆；3、光强检测单元；4、晶圆支撑体；5、光源支撑座；41、止型台面；42、光源高度调节座；31、光强检测仪；32、检测支撑体；321、检测仪高度调节座；43、凹口；33、凸台；421、第一u型口；422、第一锁紧螺丝；3211、第二u型口；3212、第二锁紧螺丝；11、led灯；12、led灯电源接口；13、电源开关；312、光强检测单元；311、光强显示单元；6、背孔；7、bv过刻蚀的正面金属；8、bv孔刻蚀正常的正面金属；9、光线。
具体实施方式
49.下面结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
50.在本发明的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，属于“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
51.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
52.此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
53.本发明主要通过测量待测晶圆的背孔透射光，并比较待测晶圆的背孔透射光与同型号标准片的标准背孔透射光，提出一种新的背孔过刻蚀检验方法，避免了频繁的调节显微镜的焦距、倍率和亮度来判断背孔情况，提高了背孔检验的效率和检验精度，同时避免了
bv过刻蚀的晶圆在解键合过程中出现碎片和设备污染、造成设备宕机。
54.在一示例性实施例中，提供一种背孔过刻蚀检验方法，如图1所示，所述方法包括：
55.收集背孔完全刻蚀穿正面金属的不同型号的晶圆作为标准片，其中所述标准片中背孔作为标准背孔；
56.使用光源照射所述标准片，并测得透射过标准背孔的光线，得到不同标准片的标准背孔透射光；
57.使用与测量标准背孔相同的光源照射所述待测晶圆，根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆的过刻蚀情况；
58.所述根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆是否存在过刻蚀，包括：
59.设定过刻蚀背孔数阈值，统计存在背孔透射光的背孔个数，当存在背孔透射光的背孔个数超过所述过刻蚀背孔数阈值时，则所述待测晶圆存在过刻蚀风险；当存在背孔透射光的背孔个数小于过刻蚀背孔数阈值且不为0时，则所述待测晶圆存在过刻蚀，但不存在过刻蚀风险；当存在背孔透射光的背孔个数为0时，则所述待测晶圆不存在过刻蚀；其中，所述过刻蚀风险指的是过刻蚀会对机台造成污染且存在碎片风险。
60.具体地，对于一个晶圆来说，其上设置有上千甚至上万颗芯片，每颗芯片上存在一个或多个背孔，以一个芯片仅有一个背孔为例，当某个芯片存在一条背孔透射光时，则说明该芯片存在过刻蚀，当存在背孔透射光的背孔个数较多时，说明存在过刻蚀的芯片较多，只要发现其中某一个背孔出现过刻蚀，则该背孔对应的芯片就表示不合格，但对于整体的晶圆来说，其上有部分芯片不合格或者说部分背孔存在过刻蚀，是在允许的范围内的，该晶圆可以继续使用，只有过刻蚀的芯片或者背孔数量过多时，才表示该晶圆存在过刻蚀风险，不能继续使用至解键合过程中。
61.进一步地，所述根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆是否存在过刻蚀，还包括：
62.设定过刻蚀光强阈值，并用标准片中存在背孔透射光的背孔个数乘以标准背孔的标准背孔透射光强，得到标准过刻蚀光强，当待测晶圆中所有背孔的背孔透射光强度与所述标准过刻蚀光强的比值大于所述过刻蚀光强阈值时，则所述待测晶圆存在过刻蚀风险。
63.具体地，光强为单位面积上的功率，首先对某背孔(或器件)的晶圆dummy片(整晶圆仅有一款芯片)进行bv刻蚀工艺且背孔全部刻穿(最大过刻蚀)，同理，以此片为光强检测装置标准片，在当前二三代半导体bv工艺下，有多个背孔，背孔大小和形状尺寸一致。光线穿过此片中的标准背孔，进而测量其光强(或功率)大小并按比例放大输出，得到该标准背孔对应的标准背孔透射光强。该标准背孔透射光强为基础数据保存至检测样本库中，可根据产品工艺名称进行命名，检测样本库可储存多组不型号标准片的基准光强数据，可以对不同工艺的产品进行bv检测。
64.此时，统计标准片中存在背孔透射光的背孔数，用存在背孔透射光的背孔数乘以标准背孔对应的标准背孔透射光强，得到标准过刻蚀光强就是基准光强(用a表示)，从检测样本库选择与待测晶圆相同工艺或型号的标准片的标准背孔透射光强，并进行对比，按标准片同比例放大，用b表示待测晶圆中测得的所有背孔透射光的的光强，由于a表示的是标准背孔全部刻穿的光强，因待测产品和标准片工艺一致、产品型号相同(背孔大小和形状一
致)，所以其刻蚀率可用b/a表示，在一具体实例中，设定b/a的判断阈值，当b/a*100％≥5％，则代表过刻蚀严重，有过刻蚀风险。其中，具体的过刻蚀光强阈值根据实际需求进行设定。
65.进一步地，设定过刻蚀光斑面积阈值，并用标准片中存在背孔透射光的背孔个数乘以标准背孔的标准背孔透射光斑面积，得到标准过刻蚀光斑面积，当待测晶圆中所有背孔的透射光斑面积与所述标准过刻蚀光斑面积的比值大于所述过刻蚀光斑面积阈值时，则所述待测晶圆存在过刻蚀风险，过刻蚀光斑面积阈值判断的方式与前面光强阈值判断的方式相似，根据实际情况设定阈值。在其他实施例中，透射光的表现形式也可以以其他方式呈现，在此不进行限定。
66.进一步地，在另一具体实施例中，设单个标准背孔的标准背孔透射光强或光斑面积为1，当待测晶圆中某个背孔的背孔透射光强或光斑面积为1时，则该背孔过刻蚀；当待测晶圆中某个背孔的背孔透射光强或光斑面积为小于1且不为0时，则该背孔中存在残留物或过刻蚀孔小于标准背孔；当待测晶圆中某个背孔的背孔透射光强或光斑面积为0时，则该背孔未过刻蚀。根据背孔的过刻蚀程度，可以对当前的刻蚀参数进行调节，对以后的刻蚀工作具有参考意义。
67.进一步地，本发明为解键合工艺提供了一种快速有效的来料检验手段，通过判断过刻蚀率对解键合设备进行run货风险评估，避免了bv过刻蚀的晶圆在解键合过程中出现碎片和设备污染、造成设备宕机，其中，run货风险一般指对人、产品和设备造成风险伤害，此处指对设备和产品造成风险，如果标准片的过刻蚀超过标准片的过刻蚀一定程度时，说明对机台污染大，不易去除，且有碎片风险，此时就存在run货风险；如果标准片的过刻蚀小于标准片的过刻蚀以及在标准片的过刻蚀附近较小的范围，则表明该晶圆背孔虽然存在过刻蚀，但设备影响较小，可通过擦拭机台，减小甚至避免影响，对产品影响较小，此时就不存在run货风险。本发明致力于筛选会带来run货风险的不合格产品。
68.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，将过刻蚀风险的判断结果以不同的颜色显示，包括：
69.待测晶圆背孔不存在过刻蚀风险时，界面显示绿色；待测晶圆背孔存在过刻蚀风险时，界面显示红色。当待测晶圆背孔中存在残留物时，界面显示黄色。
70.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，所述使用光源照射所述标准背孔，并测得透射过标准背孔的光线，包括：
71.将晶圆的背面朝上并放置在光源上方，光源从晶圆的正面照射背孔，因背面无图形结构或者图形简单，更易于观察和发现透射的光线，且由于背孔呈倒梯形，晶圆背面朝上，光线易于透射和传输。
72.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，背孔正面阻挡金属材质为au，金属采用薄膜蒸镀工艺，粗糙度小，表面光滑，金属层厚度一致，偏差小于10nm，光源的波长选为500nm～700nm，不在金属吸收频谱范围内，因此光强受金属材质影响较小，不考虑衰减、漫反射，材质吸收光等因素。
73.在一个示例中，一种背孔过刻蚀检验方法，所述光源与待测晶圆的正面距离为10mm～30mm，避免晶圆正面直接接触光源造成损伤，另一方面避免光源太远不利于光线的聚焦和传输。
74.在另一示例性实施例中，提供一种背孔刻蚀检验装置，所述装置包括光源和光检测单元，所述光源用于在待测晶圆正面照射背孔，所述光检测单元用于在待测晶圆背面接收透射过来的光；
75.还包括过刻蚀检验单元，用于根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆的过刻蚀情况；
76.所述根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆是否存在过刻蚀，包括：
77.设定过刻蚀背孔数阈值，统计存在背孔透射光的背孔个数，当存在背孔透射光的背孔个数超过所述过刻蚀背孔数阈值时，则所述待测晶圆存在过刻蚀风险；当存在背孔透射光的背孔个数小于过刻蚀背孔数阈值且不为0时，则所述待测晶圆存在过刻蚀，但不存在过刻蚀风险；当存在背孔透射光的背孔个数为0时，则所述待测晶圆不存在过刻蚀；其中，所述过刻蚀风险指的是过刻蚀会对机台造成污染且存在碎片风险。
78.在一个示例中，一种背孔刻蚀检验装置，还包括可视化显示单元，用于将待测晶圆背孔过刻蚀的判断结果以不同的颜色显示。
79.基于上述检验装置，提供一种具体的背孔透射光强检测装置，如图2-图5所示，该装置包括设置在待测晶圆2正面的光源1、设置在待测晶圆2背面的光强检测单元3、晶圆支撑体4以及光源支撑座5；所述晶圆支撑体4连接在所述光源支撑座5的边缘；
80.所述晶圆支撑体4包括用于支撑待测晶圆2的止型台面41以及连接在所述止型台面41下方的光源高度调节座42，所述光源高度调节座42与所述光源支撑座5连接；
81.所述光强检测单元3包括光强检测仪31、支撑所述光强检测仪31的检测支撑体32，所述检测支撑体32包括检测仪高度调节座321，所述检测仪高度调节座321与所述光强检测仪31连接；
82.在所述止型台面41附近的晶圆支撑体4上设有凹口43，所述检测支撑体32上设有与所述凹口43适配的凸台33。
83.具体地，该装置在使用时，通过凹口43与凸台33的配合，将晶圆支撑体4与检测支撑体32组装，将晶圆支撑体4与光源支撑座5组装，将光源1放在光源支撑座5上，将待测晶圆2的背面朝上放在晶圆支撑体4上，将光强检测仪31安装在检测支撑体32上，使得光源1正对待测晶圆2的正面，光强检测仪31正对待测晶圆2的背面。其中，将待测晶圆2的背面朝上，因背面无图形结构或者图形简单，更易于观察和发现透射的光线9，且由于背孔6呈倒梯形，晶圆背面朝上，光线易于透射和传输。
84.进一步地，通过光强检测仪31测得透射过背孔6的光强，将测得的光强与系统预设的标准的晶圆背孔中透射过的光强进行对比，从而判断出待测晶圆背孔的过刻蚀情况。其中，系统预设的标准的晶圆背孔中透射过的光强，可通过对标准的晶圆进行光强测量得到，在此不进行赘述。
85.进一步地，所述光源高度调节座42被刨铣成长方形平口，在其平口位置开有第一u型口421，所述第一u型口421处设有第一锁紧螺丝422，所述第一锁紧螺丝422与所述光源支撑座5连接。同样，所述检测仪高度调节座321被刨铣成长方形平口，在其平口位置开有第二u型口3211，所述第二u型口3211处设有第二锁紧螺丝3212，所述第二锁紧螺丝3212与所述光强检测仪31连接。具体地，光强检测仪31与待测晶圆2的距离为10mm～50mm，此位置为光
线传播聚焦和测量的最佳范围，待测晶圆2距离光源1的距离为10mm～30mm，避免晶圆正面直接接触光源造成损伤，另一方面避免光源太远不利于光线的聚焦和传输。
86.进一步地，所述第一u型口421两侧设有刻度值，所述第二u型口3211两侧也设有刻度值，且可以精确到毫米，保证待测晶圆2、光源1以及光强检测仪31三者之间最合适的位置，有利于光线9的聚焦、传输以及检测。
87.进一步地，所述光源1包括led灯11、led灯电源接口12以及电源开关13，所述led灯11设置在所述光源支撑座5上，其中，led灯电源接口12设置在光源支撑座5的侧边，led灯电源接口12的上方连接电源开关13，电源开关13与led灯11连接。光源波长为500nm～700nm，不在硅、砷化镓和碳化硅材料的吸收频谱，有利于减少光线的吸收和漫反射，保证光线的传播。实际中，led灯11可均匀分布在光源支撑座5上，光源选用led灯，其发白光，总体光谱比较均匀，和卤素灯光谱相近，为冷光源，寿命长、色彩均匀、低能耗、高亮度，易于光线传播和检测识别。
88.进一步地，所述电源开关13为旋钮开关，led灯功率为10w～100w，功率可调，配合旋钮开关，便于根据不同材质的晶圆选用不同的亮度进行观察识别。
89.进一步地，所述止型台面41的台阶高度大于所述待测晶圆2的厚度，晶圆尺寸和台阶状的止型台面41匹配。
90.进一步地，所述晶圆支撑体4为中空的圆柱形结构，与圆形光强检测仪、晶圆相匹配，此装置也可以根据待测晶圆的大小设计成不同的尺寸。
91.进一步地，所述光强检测仪31集成有光强检测单元312和光强显示单元311，其中，所述光强检测单元312设置在光强检测仪31的下面，所述光强显示单元311设置在光强检测仪31的上面。其中，光强检测单元312将透射过bv孔洞光线强度进行测量，精度可以达0.001mw/cm2，光强显示单元311为数显，将光信号收集检测并转换成数字信号，显示光强大小。
92.进一步地，各支撑座体底部和侧壁的材料可以增强反光强度，颜色和亮度环保，对人眼无损伤。
93.在另一个实施例中，本发明提供一种存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行所述检验方法涉及到的判断步骤。
94.基于这样的理解，本实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(read-only memory，rom)、随机存取存储器(random access memory，ram)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
95.在另一个实施例中，本发明提供一种终端，包括存储器和处理器，存储器上存储有可在处理器上运行的计算机指令，处理器运行计算机指令时执行所述检验方法涉及到的判断步骤。
96.处理器可以是单核或者多核中央处理单元或者特定的集成电路，或者配置成实施本发明的一个或者多个集成电路。
97.本说明书中描述的主题及功能操作的实施例可以在以下中实现：有形体现的计算
机软件或固件、包括本说明书中公开的结构及其结构性等同物的计算机硬件、或者它们中的一个或多个的组合。本说明书中描述的主题的实施例可以实现为一个或多个计算机程序，即编码在有形非暂时性程序载体上以被数据处理装置执行或控制数据处理装置的操作的计算机程序指令中的一个或多个模块。可替代地或附加地，程序指令可以被编码在人工生成的传播信号上，例如机器生成的电、光或电磁信号，该信号被生成以将信息编码并传输到合适的接收机装置以由数据处理装置执行。
98.本说明书中描述的处理及逻辑流程可以由执行一个或多个计算机程序的一个或多个可编程计算机执行，以通过根据输入数据进行操作并生成输出来执行相应的功能。所述处理及逻辑流程还可以由专用逻辑电路—例如fpga(现场可编程门阵列)或asic(专用集成电路)来执行，并且装置也可以实现为专用逻辑电路。
99.适合用于执行计算机程序的处理器包括，例如通用和/或专用微处理器，或任何其他类型的中央处理单元。通常，中央处理单元将从只读存储器和/或随机存取存储器接收指令和数据。计算机的基本组件包括用于实施或执行指令的中央处理单元以及用于存储指令和数据的一个或多个存储器设备。通常，计算机还将包括用于存储数据的一个或多个大容量存储设备，例如磁盘、磁光盘或光盘等，或者计算机将可操作地与此大容量存储设备耦接以从其接收数据或向其传送数据，抑或两种情况兼而有之。然而，计算机不是必须具有这样的设备。此外，计算机可以嵌入在另一设备中，例如移动电话、个人数字助理(pda)、移动音频或视频播放器、游戏操纵台、全球定位系统(gps)接收机、或例如通用串行总线(usb)闪存驱动器的便携式存储设备，仅举几例。
100.虽然本说明书包含许多具体实施细节，但是这些不应被解释为限制任何发明的范围或所要求保护的范围，而是主要用于描述特定发明的具体实施例的特征。本说明书内在多个实施例中描述的某些特征也可以在单个实施例中被组合实施。另一方面，在单个实施例中描述的各种特征也可以在多个实施例中分开实施或以任何合适的子组合来实施。此外，虽然特征可以如上所述在某些组合中起作用并且甚至最初如此要求保护，但是来自所要求保护的组合中的一个或多个特征在一些情况下可以从该组合中去除，并且所要求保护的组合可以指向子组合或子组合的变型。
101.类似地，虽然在附图中以特定顺序描绘了操作，但是这不应被理解为要求这些操作以所示的特定顺序执行或顺次执行、或者要求所有例示的操作被执行，以实现期望的结果。在某些情况下，多任务和并行处理可能是有利的。此外，上述实施例中的各种系统模块和组件的分离不应被理解为在所有实施例中均需要这样的分离，并且应当理解，所描述的程序组件和系统通常可以一起集成在单个软件产品中，或者封装成多个软件产品。
102.以上具体实施方式是对本发明的详细说明，不能认定本发明的具体实施方式只局限于这些说明，对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演和替代，都应当视为属于本发明的保护范围。