用于合成DNA的芯片的制备方法及该芯片的用途、DNA的合成方法与流程

技术特征：
1.一种用于合成dna的芯片的制备方法，其特征在于，包括：在覆有硅烷膜层的基板表面，喷墨打印亲水物质，待所述亲水物质与所述硅烷膜层反应形成共价连接后，在所述硅烷膜层的表面形成亲水点阵；利用疏水物质在所述硅烷膜层的除所述亲水点阵之外的剩余表面进行疏水封闭，以在所述亲水点阵外形成疏水区域，所述疏水物质与所述硅烷膜层共价连接；其中，所述亲水物质包括亲水分子，所述亲水分子的两个端基中，其中一个端基用于与所述硅烷膜层形成共价连接，另一个端基为碱基。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述亲水分子还包括连接两个所述端基的中间亲水基团，所述中间亲水基团为1-16个原子长度的有机分子链。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述中间亲水基团包括聚乙二醇、聚氧醚或聚酰胺基团中的一种。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷膜层为胺基硅烷膜层时，所述亲水分子中，用于与所述硅烷膜层形成共价连接的端基包括nhs基、酸酐基、nco酯基或亚磷酰胺基中的至少一种。5.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷膜层为羟基硅烷膜层时，所述亲水分子中，用于与所述硅烷膜层形成共价连接的端基包括酸酐基、nco酯基或亚磷酰胺基中的至少一种。6.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷膜层为环氧硅烷膜层时，所述亲水分子中，用于与所述硅烷膜层形成共价连接的端基包括nh2基、oh基、sh基或肼基中的至少一种。7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在覆有硅烷膜层的基板表面，喷墨打印亲水物质，待所述亲水物质与所述硅烷膜层反应形成共价连接后，在所述硅烷膜层的表面形成亲水点阵，包括：先喷墨打印第一亲水物质，然后再喷墨打印第二亲水物质，待所述第一亲水物质与所述硅烷膜层反应形成共价连接且所述第一亲水物质与所述第二亲水物质共价连接后，在所述硅烷膜层的表面形成亲水点阵；其中，所述第一亲水物质的一端与所述硅烷膜层共价连接，所述第一亲水物质的另一端与所述第二亲水物质连接；所述第二亲水物质的另一端为碱基。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二亲水物质为带dmt保护基团的亚磷酰胺单体。9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述疏水物质包括疏水分子，所述疏水分子的两个端基中，其中一个端基用于与所述硅烷膜层形成共价连接，另一个端基为疏水基团。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述疏水基团为c链基或含f的c链基。11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述疏水基团为8-16个原子长度的有机分子链。12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述疏水基团选自c8、c10、c12、
c14、c16、或全f取代的c8、c10、c12、c14、c16中的一种。13.根据权利要求9-12任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷膜层为胺基硅烷膜层时，所述疏水分子中，用于与所述硅烷膜层形成共价连接的端基包括nhs基、酸酐基、nco酯基或亚磷酰胺基中的至少一种。14.根据权利要求9-12任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷膜层为羟基硅烷膜层时，所述疏水分子中，用于与所述硅烷膜层形成共价连接的端基包括酸酐基、nco酯基或亚磷酰胺基中的至少一种。15.根据权利要求9-12任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷膜层为环氧硅烷膜层时，所述疏水分子中，用于与所述硅烷膜层形成共价连接的端基包括nh2基、oh基、sh基或肼基中的至少一种。16.利用权利要求1-15任一项所述的制备方法得到的芯片在合成dna中的用途。17.一种合成dna的方法，其特征在于，包括以下步骤：在覆有硅烷膜层的基板表面，喷墨打印亲水物质，待所述亲水物质与所述硅烷膜层反应形成共价连接后，在所述硅烷膜层的表面形成亲水点阵；其中，所述亲水物质包括亲水分子，所述亲水分子的两个端基中，其中一个端基用于与所述硅烷膜层形成共价连接，另一个端基为碱基；利用疏水物质在所述硅烷膜层的除所述亲水点阵之外的剩余表面进行疏水封闭，以在所述亲水点阵外形成疏水区域，所述疏水物质与所述硅烷膜层共价连接；对形成有亲疏水区域的基板进出干燥后，以所述碱基为起点喷墨打印合成dna。

技术总结
本申请提供了一种用于合成DNA的芯片的制备方法及该芯片的用途、DNA的合成方法。该制备方法包括以下步骤：在覆有硅烷膜层的基板表面，喷墨打印亲水物质，待亲水物质与硅烷膜层反应形成共价连接后，在硅烷膜层的表面形成亲水点阵；利用疏水物质在硅烷膜层的除亲水点阵之外的剩余表面进行疏水封闭，以在亲水点阵外形成疏水区域，疏水物质与硅烷膜层共价连接；其中，亲水物质包括亲水分子，亲水分子的两个端基中，其中一个端基用于与硅烷膜层形成共价连接，另一个端基为碱基。利用该制备方法可在形成亲疏水区域的同时，简化芯片的制备工艺，降低芯片的制造成本。降低芯片的制造成本。降低芯片的制造成本。


技术研发人员：刘力维 赵智 徐君
受保护的技术使用者：深圳市曙芯生物科技有限公司
技术研发日：2021.07.07
技术公布日：2023/1/13