一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘的制作方法

1.本实用新型涉及粗硒精炼二氧化硒设备技术领域，更具体的是涉及一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘。


背景技术：

2.为了适应国家可持续发展方针，将有价元素分类回收，硒元素通过卡尔多炉冶炼挥发-水吸收-还原回收粗硒，将粗硒经氧化炉生产二氧化硒产品；我公司卡尔多炉系统投产后，产出粗硒质量波动，低品位的粗硒影响二氧化硒的产量；近年来粗硒平均品位如下：2020年粗硒平均品位86％，2021年粗硒平均品位91％，粗硒质量波动影响了全年二氧化硒的产量；根据生产实践跟踪发现：粗硒经烘箱加热成锭、破碎加入硒氧化炉，由氧化炉前炉将硒锭熔化下料，被通入的氧气氧化为二氧化硒，在氧化的过程中杂质和过量的硒熔融液体进入底盘，杂质上浮覆盖于硒的熔融液之上，阻止了底盘内硒的挥发，从而影响二氧化硒的产量。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于：为了解决硒的熔融液覆盖有杂质，而影响硒的充分挥发，从而影响二氧化硒产量的技术问题，本实用新型提供一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘。
4.本实用新型采用的技术方案如下：一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘，包括底盘，所述底盘内垂直设置有挡板，该挡板上呈间距开有通孔。
5.所述通孔等高排列在挡板的中部,当物料进入底盘后，杂质逐渐富集上浮于含硒物料表面形成一层渣层，随着熔融物料进入到底盘的量逐渐增加液面上升达到挡板通孔处，硒熔融液体通过孔洞进入相邻的含硒熔融物料收集池内实现液渣分离，提高挥发率。
6.所述通孔的直径为0.8-1.5cm，满足快速排出硒熔融液体的要求。
7.所述通孔的最下沿为挡板高度的三分之一处，使硒熔融液体在底盘内有一个富集的过程，使杂质逐渐富集上浮于表面。
8.所述底盘长边方向三分之一处设置有挡板，该挡板与底盘垂直连接，将底盘分成两个区间，一间用于形成表面渣层，一间用于硒熔融液体再度挥发。
9.所述挡板上呈间距开有三个通孔，可满足使用要求。
10.所述挡板的高度为3-10cm。
11.所述通孔为边长0.5-1cm的方孔。
12.综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：
13.本实用新型通过在底盘上增加挡板，挡板上开设通孔，物料进入底盘后通过通孔进行物料与杂质渣层的分离，让氧化炉底盘内的物料与杂质再次分离，进一步提升硒的挥发量，使硒的熔融液体再度挥发氧化为产品，提高二氧化硒产量。
附图说明
14.本实用新型将通过例子并参照附图的方式说明，其中：
15.图1是本实用新型结构示意图；
16.图中标记为：1-底盘，2-挡板，3-通孔。
具体实施方式
17.为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
18.因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
19.实施例1
20.如图1所示，本实施例提供一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘1，包括底盘1，所述底盘1内垂直设置有挡板2，该挡板2上呈间距开有通孔3。
21.实施例2
22.在实施例1的基础上，所述通孔3等高排列在挡板2的中部,当物料进入底盘1后，杂质逐渐富集上浮于含硒物料表面形成一层渣层，随着熔融物料进入到底盘1的量逐渐增加液面上升达到挡板2通孔3处，硒熔融液体通过孔洞进入相邻的含硒熔融物料收集池内实现液渣分离，提高挥发率。
23.实施例3
24.在实施例1的基础上，所述通孔3的直径为0.8-1.5cm，满足快速排出硒熔融液体的要求。
25.实施例4
26.在实施例1的基础上，所述通孔3的最下沿为挡板2高度的三分之一处，使硒熔融液体在底盘1内有一个富集的过程，使杂质逐渐富集上浮于表面。
27.实施例5
28.在实施例1的基础上，所述底盘1长边方向三分之一处设置有挡板2，该挡板2与底盘1垂直连接，将底盘1分成两个区间，一间用于形成表面渣层，一间用于硒熔融液体再度挥发。
29.实施例6
30.在实施例1的基础上，所述挡板2上呈间距开有三个通孔3，可满足使用要求。
31.实施例7
32.在实施例4的基础上，所述挡板2的高度为3-10cm。
33.实施例8
34.在实施例1的基础上，所述通孔3为边长0.5-1cm的方孔。
35.本实用新型的工作原理为：在现有氧化炉底盘1长边方向三分之一处增加纵向内
部挡板2，在挡板2高度三分之一处均匀的开三个直径为1cm的孔，正常操作氧化炉，等物料进入底盘1后，杂质逐渐富集上浮于含硒物料表面形成一层渣层，随着熔融物料进入到底盘1的量逐渐增加液面上升达到挡板2通孔3处，硒熔融液体通过通孔3进入相邻的含硒熔融物料收集池内进行再度挥发，再次被氧化为二氧化硒产品，增加产量。
36.分批加入氧化炉等量的硒锭后，配置不同的底盘1，统计氧化硒产量。具体产量数据如下表1所示：
[0037][0038]
经过以上数据对比可发现新改进的底盘能够明显提升硒的再度挥发，增加二氧化硒产量。


技术特征：
1.一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘，包括底盘(1)，其特征在于，所述底盘(1)内垂直设置有挡板(2)，该挡板(2)上呈间距开有通孔(3)。2.根据权利要求1所述的一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘，其特征在于，所述通孔(3)等高排列在挡板(2)的中部。3.根据权利要求1所述的一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘，其特征在于，所述通孔(3)的直径为0.8-1.5cm。4.根据权利要求1所述的一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘，其特征在于，所述通孔(3)的最下沿为挡板(2)高度的三分之一处。5.根据权利要求1所述的一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘，其特征在于，所述底盘(1)长边方向三分之一处设置有挡板(2)，该挡板(2)与底盘(1)垂直连接。6.根据权利要求1所述的一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘，其特征在于，所述挡板(2)上呈间距开有三个通孔(3)。7.根据权利要求4所述的一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘，其特征在于，所述挡板(2)的高度为3-10cm。8.根据权利要求1所述的一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘，其特征在于，所述通孔(3)为边长0.5-1cm的方孔。

技术总结
本实用新型公开了一种能提高二氧化硒产量的硒氧化炉底盘，涉及粗硒精炼二氧化硒设备技术领域，解决硒的熔融液覆盖有杂质，而影响硒的充分挥发，从而影响二氧化硒产量的技术问题，包括底盘，所述底盘内垂直设置有挡板，该挡板上呈间距开有通孔；本实用新型通过在底盘上增加挡板，挡板上开设通孔，物料进入底盘后通过通孔进行物料与杂质渣层的分离，让氧化炉底盘内的物料与杂质再次分离，进一步提升硒的挥发量，使硒的熔融液体再度挥发氧化为产品，提高二氧化硒产量。高二氧化硒产量。高二氧化硒产量。


技术研发人员：周明祖 贾启金 许多锋 彭亚龙 吴明滨
受保护的技术使用者：白银有色集团股份有限公司
技术研发日：2022.06.17
技术公布日：2023/1/3