电子设备和电容值的确定方法与流程

1.本技术属于电子技术领域，具体涉及一种电子设备和电容值的确定方法。


背景技术：

2.随着电子技术的飞速发展，手机以及平板电脑等电子设备越来越普及，并逐渐成为人们日常生活中不可缺少的一部分。其中，sar传感器作为电子设备中的重要部件之一，其可以根据电容值变化实现检测人体是否靠近电子设备，使得电子设备在人体靠近的情况下，可以降低其辐射功率，从而减少因电子设备的辐射对人体造成伤害。
3.相关技术中，sar传感器的电容值变化量与构成该sar传感器的介质的介电常数相关，即在人体靠近电子设备的情况下，介电常数越大，此时电容值变化量越大；反之，在人体远离电子设备的情况下，介电常数越小，此时电容值变化量越小。但是，构成sar传感器的介质的介电常数容易受到温度的影响，从而导致sar传感器的检测精度降低。


技术实现要素：

4.本技术实施例的目的是提供一种电子设备和电容值的确定方法，能够解决目前sar传感器存在检测精度低的问题。
5.第一方面，本技术实施例提供了一种电子设备，包括：
6.耦合电容组件，所述耦合电容组件包括耦合电容；
7.sar传感器，所述sar传感器与所述耦合电容电连接；
8.电容检测组件，所述电容检测组件对应于所述耦合电容组件设置，并与所述耦合电容组件耦合形成检测电容，所述检测电容与所述耦合电容并联接入所述sar传感器。
9.其中，所述sar传感器在人体靠近所述电子设备的情况下检测到第一电容值，以使所述电子设备根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值，所述第一电容值为在所述电子设备所处环境的环境温度下的电容值，所述第二电容值为所述耦合电容在所述预设温度下的电容值，所述第三电容值为所述检测电容在所述预设温度下的电容值，所述电容变化系数为所述耦合电容在所述环境温度相对所述预设温度下的电容值变化幅度。
10.第二方面，本技术实施例提供了一种电容值的确定方法，应用于如第一方面所述的电子设备，所述方法包括：
11.在人体靠近所述电子设备的情况下，获取所述sar传感器的第一电容值，所述第一电容值为所述电子设备所处环境的环境温度下的电容值；
12.根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值，其中，所述第二电容值为所述耦合电容在所述预设温度下的电容值，所述第三电容值为所述检测电容在所述预设温度下的电容值，所述电容变化系数为所述耦合电容在所述环境温度相对所述预设温度下的电容值变化幅度。
13.第三方面，本技术实施例提供了一种电容值的确定装置，应用于如第一方面所述
的电子设备，所述装置包括：
14.第一获取模块，用于在人体靠近所述电子设备的情况下，获取所述sar传感器的第一电容值，所述第一电容值为所述电子设备所处环境的环境温度下的电容值；
15.目标电容值确定模块，用于根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值，其中，所述第二电容值为所述耦合电容在所述预设温度下的电容值，所述第三电容值为所述检测电容在所述预设温度下的电容值，所述电容变化系数为所述耦合电容在所述环境温度相对所述预设温度下的电容值变化幅度。
16.第四方面，本技术实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括处理器和存储器，所述存储器存储可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第二方面所述的方法的步骤。
17.第五方面，本技术实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第二方面所述的方法的步骤。
18.第六方面，本技术实施例提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现如第二方面所述的方法。
19.第七方面，本技术实施例提供一种计算机程序产品，该程序产品被存储在存储介质中，该程序产品被至少一个处理器执行以实现如第二方面所述的方法。
20.在本技术实施例中，通过在电子设备中设置电容检测组件，电容检测组件与耦合电容组件连接并耦合形成检测电容，检测电容与耦合电容并联接入sar传感器，且检测电容与sar传感器之间的连接通路可处于导通状态和断开状态。如此，在人体靠近电子设备的情况下，电子设备根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值，实现可以将在各种所处环境的环境温度下的电容值转换成预设温度下的电容值，从而避免sar传感器在不同温度下的检测精度发生变化。
附图说明
21.图1是本技术提供的电子设备的实施例的结构示意图；
22.图2是本技术提供的电子设备的实施例中的电路拓扑示意图；
23.图3是本技术提供的电子设备的实施例中的另一电路拓扑示意图；
24.图4是本技术提供的电子设备的实施例中的部分结构的示意图；
25.图5是本技术提供的电子设备的实施例中的部分结构的另一示意图；
26.图6是本技术提供的电子设备的实施例中的部分结构的另一示意图；
27.图7是本技术提供的电子设备的实施例中的部分结构的另一示意图；
28.图8是本技术提供的电子设备的实施例中主电路板的部分区域的示意图；
29.图9是本技术提供的电子设备的实施例中的另一电路拓扑示意图；
30.图10是本技术提供的电子设备的控制方法的实施例的流程示意图；
31.图11是本技术提供的电容值的确定方法的实施例的流程示意图；
32.图12是本技术提供的电容值的确定装置的实施例的结构示意图；
33.图13是本技术提供的电子设备的另一实施例的结构示意图；
34.图14是本技术提供的电子设备的另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
35.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
36.本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
37.下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本技术实施例提供的电子设备和电容值的确定方法进行详细地说明。
38.请参见图1和图2，本技术实施例提供一种电子设备。如图1和图2所述，上述电子设备包括：
39.耦合电容组件10，耦合电容组件10包括耦合电容；
40.sar传感器20，sar传感器20与耦合电容电连接；
41.电容检测组件30，电容检测组件30对应于耦合电容组件10设置，并与耦合电容组件10耦合形成检测电容，检测电容与耦合电容并联接入sar传感器20，且检测电容与sar传感器20之间的连接通路可分别处于导通状态和断开状态。
42.其中，所述sar传感器在人体靠近所述电子设备的情况下检测到第一电容值，以使所述电子设备根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值，第一电容值为在电子设备所处环境的环境温度下的电容值，所述第二电容值为所述耦合电容在所述预设温度下的电容值，所述第三电容值为所述检测电容在所述预设温度下的电容值，所述电容变化系数为所述耦合电容在所述环境温度相对所述预设温度下的电容值变化幅度。
43.基于此，通过在电子设备中设置电容检测组件30，电容检测组件30与耦合电容组件10连接并耦合形成检测电容，检测电容与耦合电容并联接入sar传感器20，且检测电容与sar传感器20之间的连接通路可处于导通状态和断开状态。如此，在人体靠近电子设备的情况下，电子设备根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值，实现可以将在各种所处环境的环境温度下的电容值转换成预设温度下的电容值，从而避免sar传感器20在不同温度下的检测精度发生变化。
44.本技术实施例中，上述电子设备包括耦合电容组件10，且该耦合电容组件10包括耦合电容。
45.上述耦合电容组件10可以是包括任意能够耦合形成耦合电容的组件。其中，sar传感器20检测到的电容值包括该耦合电容的电容值。
46.具体地，上述耦合电容组件10可以包括如下至少一项：
47.主电路板11，该主电路板11具有主板板间耦合电容c1；
48.主板外电容组件12，该主板外电容组件12具有主板外耦合电容c3。
49.其中，上述主电路板11具有主板板间耦合电容c1，可以是主电路板11中相邻的两层线路层耦合形成线路层耦合电容，且上述主板板间耦合电容c1包括至少一个相邻的两层线路层耦合形成的线路层耦合电容。当然，上述主电路板11还可以包括基材层(如环氧树脂等)，任意相邻的两层线路层之间设置有该基材层，使得基材层作为线路层耦合电容的填充介质。
50.上述主板外电容组件12可以是包括任意除上述主电路板11之外能够耦合形成电容的组件。
51.具体地，上述主板外电容组件12可以包括：
52.主上金属层121，主上金属层121与主电路板11电连接；
53.检测区域金属层122，检测区域金属层122与主上金属层121间隔设置；
54.支撑介质层123，支撑介质层123设置于主上金属层121与检测区域金属层122之间。
55.其中，上述主上金属层121可以是设置于电子设备内的接地金属层，且上述主电路板11与该主上金属层121电连接，以实现主电路板11的接地。
56.上述检测区域金属层122可以是与上述主上金属层121间隔设置，且该检测区域金属层122可以与上述主上金属层121耦合形成电容。另外，该检测区域金属层122在人体靠近电子设备的情况下，可以与人体耦合形成人体检测电容。例如，上述检测区域金属层122可以是设置于电子设备的壳体上的天线金属层，等等。
57.上述支撑介质层123可以是设置于主上金属层121与上述检测区域金属层122之间，且该支撑介质层123不仅可以作为检测区域金属层122与上述主上金属层121耦合形成电容的填充介质，还可以对电子设备的壳体等起到支撑作用。
58.需要说明的是，上述主板外电容组件12除包括上述主上金属层121、检测区域金属层122和支撑介质层123之外，还可以包括其他介质层。
59.例如，主板外电容组件12还包括第一壳体介质层和第二壳体介质层，第一壳体介质层设置于检测区域金属层122和第二壳体介质层之间，且第一金属层312与第二壳体介质层、第一金属层312与检测区域金属层122间隔设置，且检测区域金属层122可以与第一金属层312、第二壳体介质层之间的空气等耦合形成电容，即上述主板外耦合电容c3包括检测区域金属层122与上述主上金属层121耦合形成的电容，以及，检测区域金属层122与第一金属层312、第二壳体介质层之间的空气等耦合形成的电容，等等。
60.本技术实施例中，上述电子设备还包括sar传感器20，且该sar传感器20与检测电容、耦合电容电连接。
61.上述sar传感器20可以检测到电容值，以根据检测到的电容值判断人体是否接近电子设备，且sar传感器20检测到的电容值可以包括耦合电容的电容值；以及，在检测电容与sar传感器20的连接通路导通的情况下，sar传感器20检测到的电容值还可以包括检测电容的电容值。
62.需要说明的是，在上述人体接近上述电子设备的情况下，上述sar传感器20检测到的电容值还包括上述人体检测电容的电容值，而在人体未接近电子设备的情况下，该人体
检测电容的电容值可视为0，即其所在连接通路处于断开状态，如图3所示。当然，上述sar传感器20检测到的电容值还可以包括其他电容的电容值，如还可以包括集总电容的电容值，等等。
63.本技术实施例中，上述电子设备还包括电容检测组件30，该电容检测组件30对应于耦合电容组件10设置，并与耦合电容组件10耦合形成检测电容。
64.上述电容检测组件30可以是与耦合电容组件10对应设置的金属件，且该金属件可以与耦合电容组件10中间隔设置的金属结构耦合形成上述检测电容。
65.在一些实施方式中，上述耦合电容组件10包括：
66.主电路板11，主电路板11具有主板板间耦合电容c1；
67.主板外电容组件12，主板外电容组件12具有主板外耦合电容c3，且主板外耦合电容c3与主板板间耦合电容c1并联接入sar传感器20；
68.电容检测组件30设置于主电路板11、主板外电容组件12中的至少一者内。
69.基于此，通过将电容检测组件30对应于上述主电路板11、主板外电容组件12中的至少一者设置，从而使得形成的检测电容与上述主板板间耦合电容c1、主板外耦合电容c3中的至少一项并联接入sar传感器20，从而可以避免主板板间耦合电容c1、主板外耦合电容c3中的至少一项，因温度影响引起的电容值变化而导致的sar传感器20检测精度变化。
70.上述电容检测组件30可以是对应设置于主电路板11、主板外电容组件12中的任一者；或者，上述电容检测组件30也可以是对应设置于上述主电路板11、主板外电容组件12。
71.需要说明的是，在上述耦合电容包括主板板间耦合电容c1和主板外耦合电容c3的情况下，该耦合电容可以视为一个整体，且通过在主电路板11和主板外电容组件12上设置电容检测组件30，使得主电路板11、主板外电容组件12与电容检测组件30共同形成一个检测电容，该一个检测电容与作为整体的耦合电容相对应。
72.在一些实施方式中，上述电容检测组件30包括：
73.第一金属件31，第一金属件31设置于主电路板11，且第一金属件31与主电路板11耦合形成主板板间检测电容，且主板板间检测电容与主板板间耦合电容c1并联接入sar传感器20；
74.第二金属件32，第二金属件32对应于主板外电容组件12设置，第二金属件32与主板外电容组件12耦合形成主板外检测电容，且主板外检测电容与主板外耦合电容c3并联接入sar传感器20。
75.基于此，通过在主电路板11设置上述第一金属件31，以及在主板外电容组件12设置第二金属件32，使得耦合形成主板板间检测电容和主板外检测电容，而通过主板板间检测电容可以实现避免因温度影响引起主板板间耦合电容c1的电容值变化而导致sar传感器20检测精度变化，以及，通过主板外检测电容可以实现避免因温度影响引起主板外耦合电容c3的电容值变化而导致sar传感器20检测精度变化，从而进一步提升在温度变化下sar传感器20的检测精度。
76.例如，如图2和3所示所示，主电路板11可以耦合形成主板板间耦合电容c1，第一金属件31与主电路板11可以耦合形成与c1对应的电容c1_t(即主板板间检测电容)；而主板外电容组件12可以耦合形成主板外耦合电容c3(即主板外检测电容)，第二金属件32与主板外电容组件12可以耦合形成与c3对应的电容c3_t(即上述检测电容包括电容c1_t和c3_t)，且
c1、c1_t、c3和c3_t并联连接；
77.此时，如图3所示，在人体未靠近电子设备的情况下，主板板间耦合电容c1、集总电容c2、主板外耦合电容c3以及检测电容c1_t、c3_t并联接入sar传感器20，且sar传感器20检测到的电容为c1、集总电容c2、主板外耦合电容c3以及检测电容c1_t、c3_t的电容值之和；
78.如图1所示，而在人体靠近电子设备的情况下，人体与检测区域金属层122与人体耦合形成人体检测电容c4，且人体检测电容与主板板间耦合电容c1、集总电容c2、主板外耦合电容c3、检测电容c1_t、c3_t并联接入sar传感器20，使得sar传感器20检测到的电容为c1、集总电容c2、主板外耦合电容c3、人体检测电容c4以及检测电容c1_t、c3_t的电容值之和。
79.上述第一金属件31设置于主电路板11，可以是上述电容检测组件30与主电路板11间隔设置。
80.在一些实施方式中，如图4和5所示，第一金属件31包括第一基材层311和第一金属层312，第一基材层311设置于主电路板11的一侧，第一金属层312设置于第一基材层311远离主电路板11的一侧，即如图4所示；或者，第一金属层312嵌设于第一基材层311中并与主电路板11间隔设置，即如图5所示。
81.本实施方式中，通过在主电路板11的一侧设置第一基材层311，且可以在第一基材层311远离主电路板11的一侧设置第一金属层312，或者，也可以是在第一基材层311中嵌设第一金属层312，从而使得设置上述第一金属件31的方式更简单且易于实现。
82.在上述第一基材层311远离主电路板11的一侧设置第一金属层312，或者在第一基材层311内嵌设第一金属层312且第一金属层312与主电路板11间隔设置的情况下，上述第一金属层312可以与主电路板11上的至少一层线路层耦合形成电容，且第一金属层312与主电路板11耦合形成的电容、主板板间耦合电容c1并连接入上述sar传感器20。
83.上述第一金属层312的尺寸以及形状等可以根据实际需要进行设定。例如，可以是设置上述第一金属层312在主电路板11上的投影面积占主电路板11面积的一半或者四分之一，等等。
84.需要说明的是，在上述第一金属层312与主电路板11耦合形成电容的情况下，上述第一金属层312与主电路板11之间的至少部分第一基材层311，可以视为该第一金属层312与主电路板11耦合形成电容的填充介质。
85.或者，上述第一金属件31设置于主电路板11，也可以是上述电容检测组件30嵌设于主电路板11内。
86.具体地，如图6所示，主电路板11包括第二基材层111、第二线路层112和第三线路层113，第二线路层112和第三线路层113设置于第二基材层111的相对两侧，第一金属件31嵌设于第二基材层111中，并与第二线路层112、第三线路层113间隔设置。
87.基于此，通过将第一金属件31嵌设于主电路板11的相邻两层线路层之间的基材层中，从而使得可以在不改变主电路板11的厚度的情况下，实现设置第一金属件31并与主电路板11耦合形成电容，从而降低电子设备的厚度。
88.其中，上述第一金属件31嵌设于第二线路层112和第三线路层113之间的第二基材层111中的情况下，上述第一金属件31可以是与第二线路层112和第三线路层113中的至少一者耦合形成电容，使得第一金属件31与主电路板11耦合形成与主板板间耦合电容c1并联
设置的电容。
89.上述第一金属件31与第二线路层112、第三线路层113间隔设置，可以是第一金属件31、第三线路层113之间的间隔，与第一金属件31、第二线路层112之间的间隔不相同。
90.或者，如图7所示，上述第一金属件31与第二线路层112、第三线路层113的间距相等，从而使得第一金属件31与主电路板11耦合形成电容更稳定
91.上述第二金属件32设置于主板外电容组件12，可以是在上述主板外电容组件12包括上述主上金属层121、检测区域金属层122以及支撑介质层123的情况下，上述第二金属件32包括第二金属层和第三基材层，第二金属层间隔设置于检测区域金属层122远离支撑介质层123的一侧，第三基材层设置于第二金属层与检测区域金属层122之间，且第二金属层与检测区域金属层122耦合形成电容，且第二金属层与检测区域金属层122并联接入sar传感器20，以使第二金属层与检测区域金属层122耦合形成电容、主板外耦合电容c3并联接入sar传感器20中。
92.在一些实施方式中，主板外电容组件12包括：
93.主上金属层121，主上金属层121与主电路板11电连接；
94.检测区域金属层122，检测区域金属层122与主上金属层121间隔设置；
95.支撑介质层123，支撑介质层123设置于主上金属层121与检测区域金属层122之间，且第二金属件32设置于支撑介质层123。
96.基于此，通过将第二金属件32设置于支撑介质层123，使得第二金属件32与检测区域金属层122耦合形成与主板外耦合电容c3并联接入sar传感器20中的电容，从而可以实现在不影响主板外电容组件12的厚度的情况下设置第二金属件32，进而降低电子设备的厚度。
97.本技术实施例中，上述耦合电容组件10包括上述耦合电容，可以是耦合电容组件10中耦合成耦合电容的金属层为一个整体，使得上述耦合电容为一个电容。
98.在一些实施方式中，耦合电容组件10设置有n个耦合区域，且耦合电容组件10在各耦合区域的部分耦合，以使耦合电容组件10形成与n个耦合电容区域对应的n个耦合子电容，n为大于1的整数；
99.电容检测组件30包括n个检测电容件，n个检测电容件对应设置于n个耦合区域，且各检测电容与其对应的耦合区域的部分耦合电容组件10耦合，以使耦合电容组件10形成与n个耦合子电容对应设置的n个检测子电容。
100.基于此，在上述耦合电容组件10形成上述n个耦合子电容的情况下，通过设置电容检测组件30包括n个检测电容件，使得电容检测组件30与耦合电容组件10可以耦合形成与n个耦合子电容对应设置的n个检测子电容，从而使得通过各检测子电容，可以避免其对应的耦合子电容因温度影响引起的电容值变化而导致的sar传感器20检测精度变化。
101.在上述耦合电容组件10耦合形成上述n个耦合子电容的情况下，上述n个耦合子电容可以是并联接入sar传感器20。
102.上述n个检测子电容与n个耦合子电容对应设置，可以是各耦合区域的部分耦合电容组件10可以设置有一个检测电容件，使得该耦合区域的部分耦合电容组件10与所对应设置的检测电容件形成检测子电容，且该检测子电容与该耦合区域的部分耦合电容组件10耦合形成的耦合子电容并联接入sar传感器20。
103.例如，如图8所示，由于主电路板11的走线较长，且在主电路板11多个线路层之间穿插，使得主电路板11形成温度存在差异的2个主板区域a和b，且2个主板区域的部分主电路板11耦合形成的主板间耦合子电容c11和c12，该c11和c12并联接入sar传感器20。此时，可以在2个主板区域中的部分主电路板11内各嵌设一个金属件(即检测电容件)，使得2个主板区域的部分主电路板11与其对应的金属件耦合形成检测子电容c11_t和c12_t，且c11_t与c11对应设置且并联接入sar传感器20；以及c12_t与c12对应设置且并联接入sar传感器20，如图9所示；
104.同样地，上述主板外电容组件12也可以形成温度存在差异的2个检测子区域，且2个检测子区域的部分主板外电容组件12耦合形成2个主板外耦合子电容c31和c32，该c31和c32并联接入sar传感器20。此时，可以在2个检测子区域中的部分主板外电容组件12内各嵌设一个金属件(即检测电容件)，使得2个检测子区域中的部分主板外电容组件12与其对应的金属件耦合形成检测子电容c31_t和c32_t，且c31_t与c31对应设置且并联接入sar传感器20；以及c32_t与c12对应设置且并联接入sar传感器20。
105.本技术实施例中，上述检测电容与耦合电容并联连接，可以是检测电容与耦合电容的一端接入sar传感器20的同一电容检测端，且另一端均接入sar传感器20的地端。
106.例如，如图1和3所示，c1_t、c1、c3_t以及c3均连接于sar传感器20的电容检测端和地端之间。
107.在一些实施方式中，sar传感器20设置有第一电容检测端、第二电容检测端以及地端；
108.耦合电容的第一端与第一电容检测端电连接，检测电容的第一端与第二电容检测端电连接，耦合电容的第二端和检测电容的第二端并联接入地端。
109.基于此，通过将耦合电容和检测电容分别与不同的电容检测端电连接，使得检测电容与sar传感器20、耦合电容与sar传感器20之间可以形成不同的连接通道，从而可以避免电容检测组件30对耦合电容组件10造成的干扰。
110.例如，如图10所示，sar传感器20设置电容检测端1、电容检测端2以及地端，那么，上述电容c1和c3可以并联连接于电容检测端1和地端之间，而电容c1_t和电容c3_t并联连接于电容检测端2和地端之间。
111.本技术实施例中，上述检测电容与sar传感器20之间的连接通路可以分别处于导通状态和断开状态。具体地，可以是上述电容检测组件30设置有开关件，该开关件设置于耦合形成的检测电容与sar传感器20的连接通路上，且该开关件关闭的情况下，检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于导通状态；而在开关件断开的情况下，检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于断开状态。
112.例如，可以是检测电容c1_t的一端分别设置有开关s1，在开关s1关闭的情况下，c1_t与sar传感器20之间的连接通路处于导通状态；而在开关s1断开的情况下，c1_t与sar传感器20之间的连接通路处于断开状态；
113.同样地，可以是检测电容c3_t的一端分别设置有开关s2，在开关s2关闭的情况下，c3_t与sar传感器20之间的连接通路处于导通状态；而在开关s2断开的情况下，c3_t与sar传感器20之间的连接通路处于断开状态。
114.需要说明的是，在上述检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于导通状态的
情况下，上述sar传感器检测到的电容值包括上述检测电容的电容值；而在上述检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于断开状态的情况下，上述sar传感器检测到的电容值不包括上述检测电容的电容值。
115.本技术实施例中，在人体靠近所述电子设备的情况下，所述sar传感器检测到第一电容值，且电子设备可以根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值，所述第二电容值为所述耦合电容在所述预设温度下的电容值，所述第三电容值为所述检测电容在所述预设温度下的电容值，所述电容变化系数为所述耦合电容在所述环境温度相对所述预设温度下的电容值变化幅度。
116.上述第一电容值可以是检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于断开状态下检测到的电容值。
117.或者，上述第一电容值可以是检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于导通状态下检测到的电容值，此时，上述第一电容值可以通过如下公式(1)表示：
118.c
0导通
＝c
耦合0
c
检测0
c
集总
c
人体
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
119.c
0导通
表示上述第一电容值；
120.c
耦合0
表示所处环境下耦合电容的电容值；
121.c
检测0
表示所处环境下检测电容的电容值；
122.c
集总
表示集总电容的电容值(集总电容的介质可以设置为不受温度影响)；
123.c
人体
表示人体检测电容的电容值(在人体未靠近的情况下视为零)。
124.需要说明的是，在上述耦合电容包括多个耦合子电容，且检测电容包括与多个耦合子电容对应的多个检测子电容的情况下，上述连接通路处于导通状态，可以理解为上述多个检测子电容与sar传感器20之间的连接通路均导通。
125.上述第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，可以是通过测量设备测量得到并预先配置于电子设备中。
126.例如，可以是在完成电子设备组装前，通过电容测试仪在预设温度下测量上述耦合电容的第二电容值、检测电容的第三电容值，以及，检测各环境温度下耦合电容的环境电容值，并将环境电容与第二电容值的比值作各环境温度相对预设温度下的电容变化系数，等等。
127.在一些实施方式中，上述根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值之前，还包括：
128.在所述电子设备处于所述预设温度下，控制所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于导通状态，并获取所述sar传感器的第四电容值；以及，控制所述连接通路处于断开状态，并获取所述sar传感器的第五电容值；
129.根据所述第四电容值和所述第五电容值，计算得到所述第三电容值。
130.基于此，通过在预设温度下分别控制sar传感器与检测电容值之间的连接通路处于导通状态和断开状态，并根据sar传感器检测到第四电容值和第五电容值，确定检测电容在预设环境下的第三电容值，从而使得确定的第三电容值更准确，进一步提升sar传感器20的检测精度。
131.需要说明的是，上述检测第四电容值和第五电容值，可以是在人体靠近电子设备的情况下检测到，或者，也可以是在人体未靠近电子设备的情况下检测到，在此并不进行限
定。
132.例如，电子设备出厂时，在电子设备所处环境的温度为常温(即预设温度)且人体未靠近电子设备的情况下，可以控制检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于导通状态，此时sar传感器20检测到第四电容值可以通过如下公式(2)表示：
133.c
常_导通
＝c
耦合_常
c
检测_常
c
集总
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)
134.c
常_导通
表示上述第四电容值；
135.c
耦合_常
表示在常温下耦合电容的电容值；
136.c
检测_常
表示在常温下检测电容的电容值(即第三电容值)。
137.还可以控制检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于断开状态，此时sar传感器20检测到第五电容值可以通过如下公式(3)表示：
138.c
常_断开
＝c
耦合_常
c
集总
ꢀꢀꢀꢀ
(3)
139.c
常_断开
表示上述第五电容值。
140.如此，通过上述公式(2)和(3)，可以计算得到上述第三电容值为：
141.c
检测_常
＝c
常_导通-c
常_断开
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(4)
142.在一些实施方式中，上述根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值之前，还包括：
143.在所述电子设备处于所述环境温度下，控制所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于导通状态，并获取所述sar传感器的第六电容值；以及，控制所述连接通路处于断开状态，并获取所述sar传感器的第七电容值；
144.根据所述第六电容值、所述第七电容值和所述第三电容值，计算得到所述电容变化系数。
145.基于此，通过上述第六电容值、第七电容值和第三电容值，实现确定上述电容值变化系数，从而使得确定的电容值变化系数更准确，进一步提升sar传感器20的检测精度。
146.上述sar传感器20在环境温度下检测到第六电容值和第七电容值，可以是sar传感器20在电子设备当前所处环境，检测到第六电容值和第七电容值；或者，也可以是在预设环境中检测到第六电容值和第七电容值，该预设环境的温度与电子设备当前所处环境的温度相同，即均为上述环境温度。
147.需要说明的是，上述检测第六电容值和第七电容值，可以是在人体靠近电子设备的情况下检测到，或者，也可以是在人体未靠近电子设备的情况下检测到，在此并不进行限定。
148.上述根据第六电容值、第七电容值和第三电容值，确定电容值变化系数，可以是电子设备根据第六电容值和第七电容值，计算得到上述环境温度下检测电容的电容值，并将检测电容在环境温度下的电容值与在预设温度下的电容值的比值，作为检测电容在环境温度下相对预设温度下的电容值变化系数。由于检测电容与耦合电容对应设置，则两者的电容值变化系数接近或者一致，从而可以将检测电容的电容值变化系数确定为耦合电容的电容值变化系数。
149.例如，在电子设备处于上述环境温度且人体未靠近电子设备的情况下，可以控制检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于导通状态，此时sar传感器20检测到的第六电容值可以通过如下公式(5)表示：
150.c
环_导通
＝c
耦合_环
c
检测_环
c
集总
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(5)
151.c
环_导通
表示上述第六电容值；
152.c
耦合_环
表示在常温下耦合电容的电容值；
153.c
检测_环
表示在常温下检测电容的电容值。
154.而上述公式(5)可以变换为如下公式(6)：
155.c
环_导通
＝kc
耦合_常
kc
检测_常
c
集总
ꢀꢀꢀ
(6)
156.k表示上述电容值变化系数。
157.还可以控制检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于断开状态，此时sar传感器20检测到第七电容值可以通过如下公式(7)表示：
158.c
环_断开
＝c
耦合_环
c
集总
ꢀꢀꢀꢀ
(7)
159.c
环_断开
表示上述第七电容。
160.同样地，而上述公式(7)可以变换为如下公式(8)：
161.c
环_断开
＝kc
耦合_常
c
集总
ꢀꢀꢀ
(8)。
162.如此，通过上述公式(6)和(8)，可以计算得到：
[0163][0164]
进一步地，由上述公式(4)和(9)，可以得到：
[0165][0166]
在一些实施方式中，上述根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值之前，还包括：
[0167]
根据第五电容值、第七电容值和电容值变化系数，计算得到第二电容值。
[0168]
基于此，通过上述第五电容值、第七电容值和电容值变化系数确定第二电容值，从而使确定的第二电容值更准确，进一步提升sar传感器20的检测精度。
[0169]
例如，由上述公式(3)和(8)，可以得到：
[0170][0171]
在上述公式(11)中，c
耦合_常
表示上述第二电容值。
[0172]
在上述电子设备获取到所述第二电容值、所述第三电容值以及所述电容值变化系数的情况下，电子设备可以基于所述第一电容值、所述第二电容值、所述第三电容值以及所述电容值变化系数，计算得到与所述第一电容值对应的目标电容值。
[0173]
例如，上述公式(1)可以转换为如下公式(12)：
[0174]c0导通
＝kc
耦合_常
kc
检测_常
c
集总
c
人体
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(12)
[0175]
而在常温下存在人体检测电容的情况下，上述连接通路处于导通状态下的目标电容值为：
[0176]c目标
＝c
耦合_常
c
检测_常
c
集总
c
人体
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(13)
[0177]c目标
表示目标电容值。
[0178]
如此，通过公式(12)和公式(13)，可以得到如下公式(14)
[0179]c目标
＝(1-k)(c
耦合_常
c
检测_常
) c
0_导通
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(14)。
[0180]
为便于更好地理解本技术实施例中电子设备，在此对上述耦合电容包括上述主板板间耦合电容c1和主板外耦合电容c3时，确定第一电容值对应的目标电容值的过程进行说明，具体如下：
[0181]
过程一
[0182]
如图3所示，在人体未靠近电子设备的情况下，电子设备可以分别确定主板板间检测电容和主板外检测电容在常温(即预设温度)下的电容值，即：
[0183]
首先，控制开关s1和s2闭合，使主板板间检测电容和主板外检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于导通状态，此时，sar传感器20检测到的电容值为：
[0184]cs1闭_s2闭
＝c1_t
常温
c1
常温
c2
常温
c3_t
常温
c3
常温
ꢀꢀꢀꢀ
(15)
[0185]cs1闭_s2闭
表示常温、s1闭合且s2闭合下sar传感器20检测到的电容值；
[0186]
c1_t
常温
表示主板板间检测电容在常温下的电容值；
[0187]
c1
常温
表示主板板间耦合电容c1在常温下的电容值；
[0188]
c2
常温
表示集总电容在常温下的电容值；
[0189]
c3_t
常温
表示主板外检测电容在常温下的电容值；
[0190]
c3
常温
表示主板外耦合电容c3在常温下的电容值。
[0191]
然后，开关s1断开，开关s2闭合，此时，sar传感器20检测到的电容值为：
[0192]cs1断_s2闭
＝c1
常温
c2
常温
c3_t
常温
c3
常温
ꢀꢀꢀꢀ
(16)
[0193]cs1断_s2闭
表示常温、s1断开且s2闭合下sar传感器20检测到的电容值。
[0194]
由公式(15)和(16)，可以得到主板板间检测电容在常温下的电容值：
[0195]
c1_t
常温
＝c
s1闭_s2闭-c
s1断_s2闭
ꢀꢀꢀꢀ
(17)
[0196]
c1_t
常温
表示主板板间检测电容在常温下的电容值。
[0197]
同样地，通过将开关s1闭合，开关s2断开，可以得到主板外检测电容在常温下的电容值：
[0198]
c3_t
常温
＝c
s1闭_s2闭-c
s1闭_s2断
ꢀꢀꢀꢀ
(18)
[0199]
c3_t
常温
表示主板外检测电容在常温下的电容值；
[0200]cs1闭_s2断
表示在常温、s1闭合且s2断开下sar传感器20检测到的电容值。
[0201]
过程二
[0202]
如图3所示，在人体未靠近电子设备的情况下，电子设备可以分别确定非常温(即环境温度)下相对上述常温下，主板板间耦合电容c1的电容值变化系数k1和主板外耦合电容c3的电容值变化系数k3，即：
[0203]
首先，在非常温下，开关s1和s2均闭合，使主板板间检测电容和主板外检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于导通状态，此时，sar传感器20检测到的电容值为：
[0204]c非s1闭_s2闭
＝c1_t
非
c1
非
c2
非
c3_t
非
c3
非
ꢀꢀꢀꢀ
(19)
[0205]c非s1闭_s2闭
表示非常温、s1闭合且s2闭合下sar传感器20检测到的电容值；
[0206]
c1_t
非
表示主板板间检测电容在非常温下的电容值；
[0207]
c1
非
表示主板板间耦合电容c1在非常温下的电容值；
[0208]
c2
非
表示集总电容在非常温下的电容值。
[0209]
c3
非
表示主板外耦合电容c3在非常温下的电容值；
[0210]
c3_t
非
表示主板外检测电容在非常温下的电容值；
[0211]
上述公式(19)可以转换为：
[0212]c非s1闭_s2闭
＝k1c1_t
常温
k1c1
常温
k2c2
常温
k3c3_t
常温
k3c3
常温
ꢀꢀꢀꢀ
(20)
[0213]
其中，由于检测电容c1_t和c3_t分别靠近c1和c2放置，处于同一温度环境，所以电容值变化系数相同，而集总电容c2因为温度特性好，可以认为k2＝1。
[0214]
然后，在非常温下开关s1断开且s2闭合，此时，sar传感器20检测到的电容值为：
[0215]c非s1断_s2闭
＝k1c1
常温
k2c2
常温
k3c3_t
常温
k3c3
常温
ꢀꢀꢀꢀ
(21)
[0216]c非s1断_s2闭
表示非常温、s1断开且s2闭合下sar传感器20检测到的电容值。
[0217]
由公式(20)和(21)，可以计算得到k1：
[0218][0219]
同样地，通过将开关s1闭合且s2断开，可以计算得到k3：
[0220][0221]c非s1闭_s2断
表示非常温、s1闭合且s2断开下sar传感器20检测到的电容值。
[0222]
过程三
[0223]
如图3所示，在人体未靠近电子设备的情况下，电子设备可以分别确定常温下主板板间耦合电容c1的电容值c1
常温
和主板外耦合电容c3的的电容值c3
常温
，即：
[0224]
首先，在非常温下，开关s1和s2均断开，使主板板间检测电容和主板外检测电容与sar传感器20之间的连接通路处于断开状态，此时，sar传感器20检测到的电容值为：
[0225]c非s1断_s2断
＝c1
非
c2
非
c3
非
＝k1c1
常温
c2
常温
k3c3
常温
ꢀꢀꢀꢀ
(24)
[0226]c非s1断_s2断
表示非常温、s1断开且s2断开下sar传感器20检测到的电容值。
[0227]
然后，在常温下开关s1断开且s2断开，此时，sar传感器20检测到的电容值为：
[0228]cs1断_s2断
＝c1
常温
c2
常温
c3
常温
ꢀꢀꢀꢀ
(25)
[0229]cs1断_s2断
表示常温、s1断开且s2断开下sar传感器20检测到的电容值。
[0230]
由于集总电容c2
常温
为出厂时设定，如此，可以通过对公式(24)和(25)进行方程求解，得到c1
常温
和c3
常温
。
[0231]
过程四
[0232]
在电子设备的实际使用过程中，如图1所示，在电子设备所处环境(环境温度为上述非常温)下，将开关s1闭合且s2闭合，此时sar传感器20可以检测得到的电容值(即第一电容值)为：
[0233]c环s1断_s2闭
＝k1c1_t
常温
k1c1
常温
k2c2
常温
k3c3_t
常温
k3c3
常温
c4
ꢀꢀꢀꢀ
(26)
[0234]c环s1断_s2闭
表示第一电容值。
[0235]
而此时上述sar传感器20在常温下可检测到的目标电容值为：
[0236]c目标s1闭_s2闭
＝c1_t
常温
c1
常温
c2
常温
c3_t
常温
c3
常温
c4
ꢀꢀꢀꢀ
(27)
[0237]c目标s1闭_s2闭
表示人体接近电子设备时sar传感器20在常温下可检测到的目标电容值。
[0238]
那么，通过公式(26)和公式(27)，以及已知的c1_t
常温
、c1
常温
、c3_t
常温
、c3
常温
、k1以及
k3，可以求得第一电容值与目标电容值之间的对应关系。
[0239]
需要说明的是，在上述耦合电容包括n个子耦合电容且检测电容包括n个子检测电容的情况下，也可以实现确定与第一电容值对应的目标电容值，其实现原理与上述过程类似，在此并不进行赘述。
[0240]
本技术实施例中，在电子设备获取到上述目标电容值之后，电子设备可以通过目标电容值确定人体是否接近电子设备，从而使得sar传感器的检测精度更高，如此，可以进一步将sar传感器的检测距离分成多个区间，实现sar传感器的检测场景的增加。
[0241]
请参见图11，是本技术实施例提供的电容值的确定方法的流程示意图，该方法应用于上述电子设备。如图11所示，方法包括如下步骤：
[0242]
步骤1101在人体靠近所述电子设备的情况下，控制所述连接通路处于导通状态并获取所述sar传感器的第一电容值，所述第一电容值为所述电子设备所处环境的环境温度下的电容值；
[0243]
步骤1102、根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值，其中，所述第二电容值为所述耦合电容在所述预设温度下的电容值，所述第三电容值为所述检测电容在所述预设温度下的电容值，所述电容变化系数为所述耦合电容在所述环境温度相对所述预设温度下的电容值变化幅度。
[0244]
在一些实施方式中，上述根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值之前，还包括：
[0245]
在所述电子设备处于所述预设温度下，控制所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于导通状态，并获取所述sar传感器的第四电容值；以及，控制所述连接通路处于断开状态，并获取所述sar传感器的第五电容值；
[0246]
根据所述第四电容值和所述第五电容值，计算得到所述第三电容值。
[0247]
在一些实施方式中，上述根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值之前，还包括：
[0248]
在所述电子设备处于所述环境温度下，控制所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于导通状态，并获取所述sar传感器的第六电容值；以及，控制所述连接通路处于断开状态，并获取所述sar传感器的第七电容值；
[0249]
根据所述第六电容值、所述第七电容值和所述第三电容值，计算得到所述电容变化系数。
[0250]
在一些实施方式中，上述根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值之前，还包括：
[0251]
根据所述电容变化系数、所述第五电容值和所述第七电容值，确定所述第二电容值。
[0252]
其中，所述第五电容为在所述电子设备处于所述预设温度，且所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于断开状态的情况下，sar传感器检测到的电容值；所述第七电容为在所述电子设备处于所述环境温度，且所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于断开状态的情况下，sar传感器检测到的电容值。
[0253]
本技术实施例提供的电容值的确定方法能够实现图1至10的电子设备实施例实现的各个过程并达到相同的效果，为避免重复，这里不再赘述。
[0254]
本技术实施例提供的电容值的确定方法，执行主体可以为电容值的确定装置。本技术实施例中以电容值的确定装置执行电容值的确定方法为例，说明本技术实施例提供的电容值的确定装置。
[0255]
请参见图12，是本技术提供的电容值的确定装置的实施例的结构示意图，应用于上述电子设备。如图12所示，该装置1200包括：
[0256]
第一获取模块1201，用于在人体靠近所述电子设备的情况下，控制所述连接通路处于导通状态并获取所述sar传感器的第一电容值，所述第一电容值为所述电子设备所处环境的环境温度下的电容值；
[0257]
目标电容值确定模块1202，用于根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值，其中，所述第二电容值为所述耦合电容在所述预设温度下的电容值，所述第三电容值为所述检测电容在所述预设温度下的电容值，所述电容变化系数为所述耦合电容在所述环境温度相对所述预设温度下的电容值变化幅度。
[0258]
在一些实施方式中，上述装置1200，还包括：
[0259]
第二获取模块，用于在所述电子设备处于所述预设温度下，控制所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于导通状态，并获取所述sar传感器的第四电容值；以及，控制所述连接通路处于断开状态，并获取所述sar传感器的第五电容值；
[0260]
第一计算模块，用于根据所述第四电容值和所述第五电容值，计算得到所述第三电容值。
[0261]
在一些实施方式中，上述装置1200，还包括：
[0262]
第三获取模块，用于在所述电子设备处于所述环境温度下，控制所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于导通状态，并获取所述sar传感器的第六电容值；以及，控制所述连接通路处于断开状态，并获取所述sar传感器的第七电容值；
[0263]
第二计算模块，用于根据所述第六电容值、所述第七电容值和所述第三电容值，计算得到所述电容变化系数。
[0264]
在一些实施方式中，上述装置1200，还包括：
[0265]
第三计算模块，用于根据所述电容变化系数、所述第五电容值和所述第七电容值，计算得到所述第二电容值。
[0266]
其中，所述第五电容为在所述电子设备处于所述预设温度，且所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于断开状态的情况下，sar传感器检测到的电容值；所述第七电容为在所述电子设备处于所述环境温度，且所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于断开状态的情况下，sar传感器检测到的电容值。
[0267]
本技术实施例中的电容值的确定装置可以是电子设备，也可以是电子设备中的部件，例如集成电路或芯片。该电子设备可以是终端，也可以为除终端之外的其他设备。示例性的，电子设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载电子设备、移动上网装置(mobile internet device，mid)、增强现实(augmented reality，ar)/虚拟现实(virtual reality，vr)设备、机器人、可穿戴设备、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，umpc)、上网本或者个人数字助理(personal digital assistant，pda)等，还可以为服务器、网络附属存储器(network attached storage，nas)、个人计算机
(personal computer，pc)、电视机(television，tv)、柜员机或者自助机等，本技术实施例不作具体限定。
[0268]
本技术实施例中的电容值的确定装置可以为具有操作系统的装置。该操作系统可以为安卓(android)操作系统，可以为ios操作系统，还可以为其他可能的操作系统，本技术实施例不作具体限定。
[0269]
本技术实施例提供的电容值的确定装置能够实现图11的方法实施例实现的各个过程并达到相同的效果，为避免重复，这里不再赘述。
[0270]
可选地，如图13所示，本技术实施例还提供一种电子设备1300，包括处理器1301和存储器1302，存储器1302上存储有可在处理器1301上运行的程序或指令，该程序或指令被处理器1301执行时实现上述电容值的确定方法实施例的各个步骤，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
[0271]
需要说明的是，本技术实施例中的电子设备包括上述的移动电子设备和非移动电子设备。
[0272]
图14为实现本技术实施例的一种电子设备的硬件结构示意图。
[0273]
该电子设备1400包括但不限于：射频单元1401、网络模块1402、音频输出单元1403、输入单元1404、传感器1405、显示单元1406、用户输入单元1407、接口单元1408、存储器1409以及处理器1410等部件。其中，传感器1405包括sar传感器14051。
[0274]
本领域技术人员可以理解，电子设备1400还可以包括给各个部件供电的电源(比如电池)，电源可以通过电源管理系统与处理器1410逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。图14中示出的电子设备结构并不构成对电子设备的限定，电子设备可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置，在此不再赘述。
[0275]
其中，处理器1410，用于：
[0276]
在人体靠近所述电子设备的情况下，控制所述连接通路处于导通状态并获取所述sar传感器的第一电容值，所述第一电容值为所述电子设备所处环境的环境温度下的电容值；
[0277]
根据所述第一电容值、第二电容值、第三电容值以及电容变化系数，确定在预设温度下所述sar传感器的目标电容值，其中，所述第二电容值为所述耦合电容在所述预设温度下的电容值，所述第三电容值为所述检测电容在所述预设温度下的电容值，所述电容变化系数为所述耦合电容在所述环境温度相对所述预设温度下的电容值变化幅度。
[0278]
在一些实施方式中，处理器1410，还用于：
[0279]
在所述电子设备处于所述预设温度下，控制所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于导通状态，并获取所述sar传感器的第四电容值；以及，控制所述连接通路处于断开状态，并获取所述sar传感器的第五电容值；
[0280]
根据所述第四电容值和所述第五电容值，计算得到所述第三电容值。
[0281]
在一些实施方式中，处理器1410，还用于：
[0282]
在所述电子设备处于所述环境温度下，控制所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于导通状态，并获取所述sar传感器的第六电容值；以及，控制所述连接通路处于断开状态，并获取所述sar传感器的第七电容值；
[0283]
根据所述第六电容值、所述第七电容值和所述第三电容值，计算得到所述电容变化系数。
[0284]
在一些实施方式中，处理器1410，还用于：
[0285]
根据所述电容变化系数、所述第五电容值和所述第七电容值，计算得到所述第二电容值。
[0286]
其中，所述第五电容为在所述电子设备处于所述预设温度，且所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于断开状态的情况下，sar传感器检测到的电容值；所述第七电容为在所述电子设备处于所述环境温度，且所述sar传感器与所述检测电容之间的连接通路处于断开状态的情况下，sar传感器检测到的电容值。
[0287]
本技术实施例提供的电子设备能够实现图11的方法实施例实现的各个过程并达到相同的效果，为避免重复，这里不再赘述。
[0288]
应理解的是，本技术实施例中，输入单元1404可以包括图形处理器(graphics processing unit，gpu)14041和麦克风14042，图形处理器14041对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。显示单元1406可包括显示面板14061，可以采用液晶显示器、有机发光二极管等形式来配置显示面板14061。用户输入单元1407包括触控面板14071以及其他输入设备14072中的至少一种。触控面板14071，也称为触摸屏。触控面板14071可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其他输入设备14072可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆，在此不再赘述。
[0289]
存储器1409可用于存储软件程序以及各种数据。存储器1409可主要包括存储程序或指令的第一存储区和存储数据的第二存储区，其中，第一存储区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序或指令(比如声音播放功能、图像播放功能等)等。此外，存储器1409可以包括易失性存储器或非易失性存储器，或者，存储器1409可以包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(read-only memory，rom)、可编程只读存储器(programmable rom，prom)、可擦除可编程只读存储器(erasable prom，eprom)、电可擦除可编程只读存储器(electrically eprom，eeprom)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(random access memory，ram)，静态随机存取存储器(static ram，sram)、动态随机存取存储器(dynamic ram，dram)、同步动态随机存取存储器(synchronous dram，sdram)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(double data rate sdram，ddrsdram)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced sdram，esdram)、同步连接动态随机存取存储器(synch link dram，sldram)和直接内存总线随机存取存储器(direct rambus ram，drram)。本技术实施例中的存储器1409包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
[0290]
处理器1410可包括一个或多个处理单元；可选的，处理器1410集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理涉及操作系统、用户界面和应用程序等的操作，调制解调处理器主要处理无线通信信号，如基带处理器。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器1410中。
[0291]
本技术实施例还提供一种可读存储介质，可读存储介质上存储有程序或指令，该程序或指令被处理器执行时实现上述电容值的确定方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
[0292]
其中，处理器为上述实施例中的电子设备中的处理器。可读存储介质，包括计算机可读存储介质，如计算机只读存储器rom、随机存取存储器ram、磁碟或者光盘等。
[0293]
本技术实施例另提供了一种芯片，芯片包括处理器和通信接口，通信接口和处理器耦合，处理器用于运行程序或指令，实现上述电容值的确定方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
[0294]
应理解，本技术实施例提到的芯片还可以称为系统级芯片、系统芯片、芯片系统或片上系统芯片等。
[0295]
本技术实施例提供一种计算机程序产品，该程序产品被存储在存储介质中，该程序产品被至少一个处理器执行以实现如上述电容值的确定方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
[0296]
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本技术实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。
[0297]
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以计算机软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如rom/ram、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本技术各个实施例所述的方法。
[0298]
上面结合附图对本技术的实施例进行了描述，但是本技术并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本技术的启示下，在不脱离本技术宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本技术的保护之内。