一种高亮度LED芯片及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种高亮度led芯片，其特征在于，包括p型gan层、设于所述p型gan层上的ito金属复合结构和设于所述ito金属复合结构上的ag反射层，其中：所述ito金属复合结构包括ito层和若干个金属块，所述若干个金属块镶嵌在所述ito层中。2.如权利要求1所述的高亮度led芯片，其特征在于，所述ito金属复合结构包括ito盖层和一层以上的ito金属复合层，所述ito盖层设于所述一层以上的ito金属复合层上；所述一层以上的ito金属复合层中的每一层ito金属复合层包括ito层和若干个金属块，所述若干个金属块阵列镶嵌在所述ito层中。3.如权利要求2所述的高亮度led芯片，其特征在于，所述一层以上的ito金属复合层为两层以上的ito金属复合层时，相邻ito金属复合层中的若干个金属块在纵向上相互交错排列且在纵向上的投影均不重合；和/或所述ito盖层的厚度和所述ito金属复合层的厚度满足四分之一波长反射定律。4.如权利要求2所述的高亮度led芯片，其特征在于，所述ito层的厚度为h，所述金属块的厚度为h，所述h和所述h的关系为：和/或所述h和所述h的关系为：h＝h。5.如权利要求2所述的高亮度led芯片，其特征在于，所述金属块为倒圆锥状或倒圆台状结构；所述金属块的宽度为10～20um；和/或每一层ito金属复合层中所述若干个金属块的上表面总面积与所述ito层的面积比取值范围为1:2～2:3。6.一种高亮度led芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在p型gan层上沉积ito层；采用湿法或干法刻蚀ito层，在ito层上形成若干个凹坑结构，在所述凹坑结构中沉积满金属粒子形成ito金属复合结构，所述ito金属复合结构包括ito层和镶嵌在ito层中的若干个金属块；在所述ito金属复合结构上沉积ag镜反射层。7.如权利要求6所述的高亮度led芯片的制备方法，其特征在于，在所述ito金属复合结构包括若干层ito金属复合层时，所述采用湿法或干法刻蚀ito层，在ito层上形成若干个凹坑结构，在所述凹坑结构中沉积满金属粒子形成ito金属复合结构包括：采用湿法或干法刻蚀第一ito层，在第一ito层上形成若干个阵列排布的凹坑结构，所述第一ito层位于p型gan层上；在所述第一ito层的凹坑结构中沉积满金属粒子形成第一ito金属复合层，所述第一ito金属复合层包括第一ito层和镶嵌在第一ito层中的若干个金属块；在所述第一ito金属复合层上沉积第二ito层；采用湿法或干法刻蚀第二ito层，在第二ito层上形成若干个阵列排布的凹坑结构；第一ito层中的凹坑结构和第二ito层中的凹坑结构在纵向上相互交错排列，并且在纵向上的投影均不重合；在所述第二ito层的凹坑结构中沉积满金属粒子形成第二ito金属复合层，所述第二
ito金属复合层包括第二ito层和镶嵌在第二ito层中的若干个金属块；根据ito层的剩余总数按照制备第二ito金属复合层的方法，形成若干层ito金属复合层；在最顶层的ito金属复合层上沉积ito盖层，所述ito盖层和所述若干层ito金属复合层形成ito金属复合结构。8.如权利要求6所述的高亮度led芯片的制备方法，其特征在于，以的速率刻蚀所述ito层形成所述若干个凹坑结构；和/或以的速率在所述若干个凹坑结构中沉积满所述金属粒子。9.如权利要求6所述的高亮度led芯片的制备方法，其特征在于，将所述ito层的1/2～2/3面积刻蚀形成若干阵列排布的所述凹坑结构；和/或将所述凹坑结构刻蚀成凹口宽度为10～20um的倒圆锥状或倒圆台状结构。10.如权利要求7所述的高亮度led芯片的制备方法，其特征在于，在第一ito层刻蚀形成所述凹坑结构时，从所述第一ito层的上表面往下刻蚀至所述第一ito层的1/2～2/3深度形成所述凹坑结构；在若干层ito金属复合层中的任一非第一ito层刻蚀形成所述凹坑结构时，从所述非第一ito层的上表面刻蚀透至所述非第一ito层的下表面形成所述凹坑结构。

技术总结
本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制备方法，涉及发光半导体技术领域，高亮度LED芯片包括P型GaN层、ITO金属复合结构和Ag反射层，通过在P型GaN层上沉积ITO层，然后采用湿法或干法刻蚀ITO层，在ITO层上形成若干个凹坑结构，接着在凹坑结构中沉积满金属粒子形成ITO金属复合结构，ITO金属复合结构包括ITO层和镶嵌在ITO层中的若干个金属块；最后在所述ITO金属复合结构上沉积Ag镜反射层。本发明通过在ITO层中嵌入金属块形成ITO金属复合结构，电流在该结构中能充分横向扩展，最后分散地进入P型GaN层，避免芯片内局部电流集中，降低了芯片的工作电压，获得高亮度。获得高亮度。获得高亮度。


技术研发人员：范凯平 唐恝 邓梓阳 何俊聪 于倩倩
受保护的技术使用者：佛山市国星半导体技术有限公司
技术研发日：2022.10.11
技术公布日：2022/12/30