一种用于对硅部件表面和气孔的清洗方法与流程

技术特征：
1.一种用于对硅部件表面和气孔的清洗方法，其特征在于，包括：s1、将硅部件放入盛装有第一清洗液的第一清洗槽内，使第一清洗液通过带有滤芯的管泵组件在第一清洗槽内外循环，并在第一设定温度下使用第一清洗槽两侧的超声震板对硅部件进行第一预设时间段的超声清洗，然后使用第一清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第二预设时间段的兆声清洗；s2、使用超纯水溢流冲洗经s1清洗后的硅部件第三预设时间段；s3、将经s2清洗的硅部件放入盛装有第二清洗液的第二清洗槽内，使第二清洗液通过带有滤芯的管泵组件在第二清洗槽内外循环，然后在第二设定温度下使用第二清洗槽两侧的超声震板对硅部件进行第三预设时间段的超声清洗，然后使用第二清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第四预设时间段的兆声清洗；s4、使用qdr方法对经过s3清洗的硅零部件进行清洗；s5、将s4清洗后硅部件放入第三清洗槽中，使用超纯水溢流冲洗s4清洗后硅部件第五预设时间段，同时采用第三清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第六预设时间段的兆声清洗；s6、通过烘干槽将经过s5清洗的硅部件的表面和气孔进行烘干。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洗液是氨水、双氧水、超纯水混合得到的清洗溶液；其中，第一清洗液中氨水、双氧水、超纯水的体积比为15:15:80。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二清洗液是盐酸、双氧水、超纯水混合得到的清洗溶液；其中，第二清洗液中盐酸、双氧水、超纯水的体积比为15:25:80。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在s1中，所述在第一设定温度下使用第一清洗槽两侧的超声震板对硅部件进行第一预设时间段的超声清洗，具体包括：在第一设定温度下使用第一清洗槽两侧的超声震板对硅部件进行第一预设时间段的第一预设超声频率的超声清洗；在s1中，所述使用第一清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第二预设时间段的兆声清洗，具体包括：使用第一清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第二预设时间段的第一兆声频率的兆声清洗。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一设定温度为85℃；所述第一预设时间段为5min～10min；所述第一预设超声频率为120khz；所述第二预设时间段为5min～10min；所述第一兆声频率750khz。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述第三预设时间段为5min～10min。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
在s3中，所述在第二设定温度下使用清洗槽两侧的超声震板对硅部件进行第三预设时间段的超声清洗，具体包括：在第二设定温度下使用清洗槽两侧的超声震板对硅部件进行第三预设时间段的第二预设超声频率的超声清洗；在s3中，所述使用第二清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第四预设时间段的兆声清洗，具体包括：使用第二清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第四预设时间段的第二兆声频率的兆声清洗。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二设定温度为：85℃；所述第三预设时间段为5min～10min；所述第四预设时间段为5min～10min；所述第二预设超声频率为：120khz；所述第二兆声频率为：750khz。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第五预设时间段为3min～6min。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，s5中所述采用第三清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第六预设时间段的兆声清洗，具体包括：采用第三清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第六预设时间段的以第三兆声频率的兆声清洗；所述第三兆声频率为1000khz。

技术总结
本发明涉及一种用于对硅部件表面和气孔的清洗方法，包括：S1、将硅部件放入第一清洗槽，第一清洗液在第一清洗槽内外循环，在第一设定温度下进行第一预设时间段的超声清洗，对硅部件进行第二预设时间段的兆声清洗；S2、用超纯水溢流冲洗硅部件第三预设时间段；S3、将经S2清洗的硅部件放入第二清洗槽，第二清洗液在第二清洗槽内外循环，对硅部件进行第三预设时间段的超声清洗，对硅部件进行第四预设时间段的兆声清洗；S4、使用QDR方法对硅部件进行清洗；S5、将硅部件放入第三清洗槽中，用超纯水溢流冲洗S4清洗后硅部件第五预设时间段，同时进行第六预设时间段的兆声清洗；S6、通过烘干槽将经过S5清洗的硅部件进行烘干。将经过S5清洗的硅部件进行烘干。将经过S5清洗的硅部件进行烘干。


技术研发人员：谢岩 张海波 王楠 宋洋 高哲
受保护的技术使用者：锦州神工半导体股份有限公司
技术研发日：2022.10.11
技术公布日：2022/12/30