显示设备的制作方法

显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求在韩国知识产权局于2021年6月22日提交的韩国专利申请第10-2021-0081042号的优先权，以及由此获得的所有权益，其内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
3.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及显示设备。


背景技术：

4.发光显示设备具有自发射特性，并且与液晶显示设备不同，不需要单独的光源，因此可以减小设备的厚度和重量。此外，发光显示设备具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性。通常可以使用偏振板或滤色器，以便不仅在室内而且在室外(户外)读取通过发光显示设备实现的图像。


技术实现要素：

5.提供了具有改善的蓝色亮度、白色发光效率和配色率的显示设备。
6.附加的方面将在随后的详细描述中部分阐述，并且部分将从详细描述中显而易见，或者可以通过所呈现的示例性实施方式的实践来了解。
7.根据一方面的显示设备包括：
8.基板，
9.布置在基板上的发光装置层，其中发光装置层包括第一区、第二区和第三区，并且其中发光装置层进一步包括发射第一光的至少一个发光装置，以及
10.布置在发光装置层上的颜色转换层，其中颜色转换层包括第一颜色转换区、第二颜色转换区和第三颜色转换区，
11.其中第一颜色转换区布置为对应于发光装置层的第一区，并且发射第一颜色光，
12.第二颜色转换区布置为对应于发光装置层的第二区，并且发射第二颜色光，
13.第三颜色转换区布置为对应于发光装置层的第三区，并且发射第三颜色光，
14.第一颜色光的最大发射波长、第二颜色光的最大发射波长和第三颜色光的最大发射波长各自大于第一光的最大发射波长，
15.第三颜色光的颜色与第一光的颜色相同，并且
16.第三颜色光的最大发射波长大于第一光的最大发射波长。
17.在一个或多个实施方式中，第三颜色光的最大发射波长可比第一光的最大发射波长大5纳米(nm)或更多。
18.在一个或多个实施方式中，第一颜色转换区可包括第一发射体，第二颜色转换区可包括第二发射体，并且第三颜色转换区可包括第三发射体。
19.在一个或多个实施方式中，第一发射体、第二发射体和第三发射体可彼此不同。
20.在一个或多个实施方式中，第一发射体可布置在从对应于发光装置层的第一区的
部分发射的第一光的第一路径中，第二发射体可布置在从对应于发光装置层的第二区的部分发射的第一光的第二路径中，并且第三发射体可布置在从对应于发光装置层的第三区的部分发射的第一光的第三路径中。
21.在一个或多个实施方式中，基于第三颜色转换区的总重，第三颜色转换区可包括1重量百分数(wt％)至50wt％的量的第三发射体。
22.在一个或多个实施方式中，第三发射体的最大发射波长可为425nm至465nm。
23.在一个或多个实施方式中，第一发射体、第二发射体和第三发射体可各自独立地包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料、量子点或其任意组合。磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料和量子点分别如本文所述。
24.在一个或多个实施方式中，第一颜色转换区、第二颜色转换区和第三颜色转换区中的至少一个可进一步包括散射体。
25.在一个或多个实施方式中，散射体可包括bifeo3、fe2o3、wo3、tio2、sic、batio3、zno、zro2、zro、ta2o5、moo3、teo2、nb2o5、fe3o4、v2o5、cu2o、bp、al2o3、in2o3、sno2、sb2o3、ito或其任意组合。
26.在一个或多个实施方式中，至少一个发光装置中的每个发光装置可包括：第一电极，面向第一电极的第二电极，以及布置在第一电极和第二电极之间的夹层，其中夹层包括至少一个发射层。
27.在一个或多个实施方式中，至少一个发射层中的每个发射层可独立地包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料、量子点或其任意组合。磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料和量子点分别如本文所述。
28.在一个或多个实施方式中，至少一个发光装置为串联发光装置，其包括依次堆叠在第一电极和第二电极之间的至少两个发射单元，以及布置在至少两个发射单元之间的电荷生成层。
29.在一个或多个实施方式中，包括在串联发光装置中的至少两个发射单元可发射具有彼此相同或不同的最大发射波长的光。
30.在一个或多个实施方式中，第一光的最大发射波长可为420nm至460nm。
31.在一个或多个实施方式中，显示设备可包括至少一个滤色器，其布置在颜色转换层上以对应于第一颜色转换区、第二颜色转换区和第三颜色转换区中的至少一个。
附图说明
32.示例性实施方式的上面和其他方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见，在附图中：
33.图1为根据一个或多个实施方式的显示设备的示意图；
34.图2为图1的显示设备中的颜色转换层部分的示意图；
35.图3示出了根据一个或多个实施方式的显示设备的发光装置层和蓝色颜色转换区的发射/吸收光谱；
36.图4为根据一个或多个实施方式的发光装置的示意性横截面图；
37.图5为根据另一实施方式的发光装置的示意性横截面图；
38.图6为根据一个或多个实施方式的发光设备的横截面图；并且
39.图7为根据另一实施方式的发光设备的横截面图。
具体实施方式
40.现在将详细参考示例性实施方式，其示例在所附附图中示出，其中在整个说明书中，相同的附图标记指相同的元件。就此而言，示例性实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的详细描述。因此，下面仅通过参考各图详细描述示例性实施方式，以解释详细描述的一个或多个示例性方面。
41.本文使用的术语仅用于描述一个或多个示例性实施方式的目的，并非旨在限制。如本文使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。术语“或”意味着“和/或”。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a，仅b，仅c，a和b二者，a和c二者，b和c二者，所有的a、b和c，或其变体。
42.将理解，尽管术语第一、第二、第三等可在本文用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因此，在不背离本实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
43.以单数形式使用的表述涵盖复数形式的表述，除非它在上下文中有明显不同的含义。
44.将进一步理解，当在本文使用时，术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”或“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定存在规定的特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
45.将理解，当层、区或组件被称为在另一层、区或组件“上”或“到”另一层、区或组件“上”时，它可以直接或间接形成在另一层、区或组件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区或组件。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”时，不存在居间元件。
46.本文参考作为理想的实施方式的示意性示出的横截面示出而描述了示例性实施方式。正因如此，应预期由例如制造技术和/或公差造成的示出的形状的变型。因此，本文描述的实施方式不应解释为限于本文示出的区域的特别形状，而是包括由例如制造造成的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性特征。此外，示出的尖角可以是圆滑的。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且也不旨在限制本权利要求的范围。
47.为了方便解释，可放大附图中元件的尺寸。换句话说，因为为了方便解释，附图中的组件的尺寸和厚度被随意示出，所以下述实施方式不限于此。
48.当不同地实现某实施方式时，可与描述的顺序不同地进行具体的工艺顺序。例如，可基本上同时进行或可以与描述的顺序相反的顺序进行两个连续描述的工艺。
49.将理解，当层、区或组件被称为“连接至”另一层、区或组件时，层、区或组件可直接连接至另一层、区或组件，或间接连接至另一层、区或组件，因为存在居间层、区或组件。例如，将理解，当层、区或组件被称为“电连接至”另一层、区或组件时，层、区或组件可直接电
连接至另一层、区或组件，或间接电连接至另一层、区或组件，因为存在居间层、区或组件。
50.除非以其他方式限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明总体构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，术语，比如在常用的词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想的或过于正式的意义解释，除非本文明确地如此限定。
51.图1为根据一个或多个实施方式的显示设备的示意性平面图。
52.参见图1，显示设备可包括：基板100；布置在基板100上的发光装置层，其包括第一区p1、第二区p2和第三区p3，并且包括发射第一光的至少一个发光装置10；以及布置在发光装置层上且包括第一颜色转换区410a、第二颜色转换区410b和第三颜色转换区410c的颜色转换层，其中第一颜色转换区410a布置为对应于第一区p1并且发射第一颜色光，第二颜色转换区410b布置为对应于第二区p2并且发射第二颜色光，第三颜色转换区410c布置为对应于第三区p3并且发射第三颜色光，第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光的最大发射波长均大于第一光的最大发射波长，第三颜色光的颜色与第一光的颜色相同，并且第三颜色光的最大发射波长大于第一光的最大发射波长。
53.在本说明书中，第一光、第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光的颜色和波长是通过由quantaurus-qy绝对pl量子产率分光计设备测量形成为单个膜的发射层的发射波长而获得的。
54.例如，显示设备可包括布置在颜色转换层上的滤色器420a、420b和420c(也分别称为第一滤色器420a、第二滤色器420b和第三滤色器420c)中的至少一个，以分别对应于第一颜色转换区410a、第二颜色转换区420b和第三颜色转换区410c中的至少一个。
55.在一个或多个实施方式中，第一滤色器420a可布置在第一颜色转换区410a上，第二滤色器420b可布置在第二颜色转换区410b上，并且第三滤色器420c可布置在第三颜色转换区410c上。在一个或多个实施方式中，可省略第三滤色器420c。滤色器420a、420b和420c分别如本文所述。
56.下面描述的功能区400可分别包括第一颜色转换区410a、第二颜色转换区410b和第三颜色转换区410c，以及分别对应的滤色器420a、420b和420c。
57.在一个或多个实施方式中，第一光的最大发射波长可为420nm至460nm。
58.在一个或多个实施方式中，第一颜色光可为红光或绿光，第二颜色光可为绿光或红光，并且第一光和第三颜色光可为蓝光。
59.如本文使用的，除非本文另外说明，否则“红光”指最大发射波长为约610nm至约640nm的光。如本文使用的，“绿光”指最大发射波长为约510nm至约550nm的光。如本文使用的，“蓝光”指最大发射波长为约420nm至约460nm的光。
60.在显示设备中，发光效率和配色率都是重要的特性，并且这两个特性可以得到改善。
61.就此而言，在显示设备中，随着发光装置的发射组分的短波长组分增加，红色和绿色发光效率可以得到改善，但是蓝光的波长由于短波长组分的增加而缩短，使得蓝色发射亮度降低，导致白色发光效率降低。此外，即使当白色发光效率增加时，整体配色率也会降低。
62.因此，在本公开中，颜色转换层的第三颜色光的最大发射波长比从发光装置层发
射的第一光的最大发射波长更长。因此，通过将发射光谱转换为更长的波长，改善了显示设备的亮度。
63.参见图3，第三颜色光的最大发射波长可比第一光的最大发射波长大5nm或更多。在一个或多个实施方式中，第三颜色光的最大发射波长可比第一光的最大发射波长大10nm或更多。
64.参见图2，第一颜色转换区410a包括第一发射体411a，第二颜色转换区410b包括第二发射体411b，并且第三颜色转换区410c包括第三发射体411c。
65.第一发射体411a吸收第一光，将第一光转换成第一颜色光，并发射第一颜色光，第二发射体411b吸收第一光，将第一光转换成第二颜色光，并发射第二颜色光，并且第三发射体411c吸收第一光，将第一光转换成第三颜色光，并发射第三颜色光。应理解，在该情况下，第一光包括第一光的第一部分、第一光的第二部分和第一光的第三部分，其中第一光的第一部分被第一发射体411a吸收，第一光的第二部分被第二发射体411b吸收，并且第一光的第三部分被第三发射体411c吸收。
66.在一个或多个实施方式中，第一发射体411a、第二发射体411b和第三发射体411c可各自吸收从发光装置层发射的第一光(即，第一发射体411a、第二发射体411b和第三发射体411c中的每一个吸收一部分第一光)并发射光，并且第一发射体411a、第二发射体411b和第三发射体411c吸收从颜色转换层散反射的光，经历再发射过程，并将发射光谱转换为长波长，从而改善亮度。
67.例如，第一发射体411a、第二发射体411b和第三发射体411c可各自发射最大发射波长比第一光的最大发射波长大5nm或更多的光。换句话说，从第一发射体411a、第二发射体411b和/或第三发射体411c发射的光可各自具有比第一光的最大发射波长大至少5nm的最大发射波长。
68.第一发射体411a布置在从对应于发光装置层中第一区p1的部分发射的第一光的第一路径中，第二发射体411b布置在从对应于发光装置层中第二区p2的部分发射的第一光的第二路径中，并且第三发射体411c布置在从对应于发光装置层中第三区p3的部分发射的第一光的第三路径中。
69.基于第一颜色转换区410a的总重，第一发射体411a的含量可为1重量百分数(wt％)至50wt％，或5wt％至45wt％，或10wt％至40wt％。
70.基于第二颜色转换区410b的总重，第二发射体411b的含量可为1wt％至50wt％，或5wt％至45wt％，或10wt％至40wt％。
71.基于第三颜色转换区410c的总重，第三发射体411c的含量可为1wt％至50wt％，或5wt％至45wt％，或10wt％至40wt％。
72.第一发射体411a、第二发射体411b、第三发射体411c可彼此不同。换句话说，在一些实施方式中，第一发射体411a、第二发射体411b和第三发射体411c不包括相同的发射体化合物。
73.第一发射体411a的最大发射峰可为620nm至660nm，或625nm至655nm，或630nm至650nm。
74.第二发射体411b的最大发射峰可为515nm至555nm，或520nm至555nm，或525至550nm。
75.第三发射体411c的最大发射峰可为425nm至465nm，或430nm至460nm，或435nm至455nm。
76.将参考可包括在发射层中的磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料和量子点的详细描述来进一步详细描述第一发射体411a、第二发射体411b和第三发射体411c。
77.第一颜色转换区410a、第二颜色转换区410b和第三颜色转换区410c可分别进一步包括对应的散射体412a、412b和412c。
78.散射体412a、412b和412c可包括具有不同粒径的多个无机颗粒。
79.在一个或多个实施方式中，散射体412a、412b和412c可包括bifeo3、fe2o3、wo3、tio2、sic、batio3、zno、zro2、zro、ta2o5、moo3、teo2、nb2o5、fe3o4、v2o5、cu2o、bp、al2o3、in2o3、sno2、sb2o3、氧化铟锡(ito)或其任意组合。
80.在一个或多个实施方式中，无机颗粒可具有约20nm至约2微米(μm)，或约100nm至约1μm，或约100nm至约300nm的平均粒径(d50)。
81.在一个或多个实施方式中，无机颗粒可具有大于1.5的折射率(在589nm)。例如，无机颗粒可具有1.6或更大的折射率(在589nm)。
82.不希望受限于理论，因为散射体412a、412b和412c包括具有如上所述的各种粒径的无机颗粒，所以折射率可增加，使得与相邻构件的折射率差变大，因此，蓝光的全反射的概率增加，导致蓝光吸收率增加和光转换效率提高。
83.在一个或多个实施方式中，散射体412a、412b和412c可具有大于1.5的折射率，并且可包括平均粒径(d50)为约100nm至约300nm的无机颗粒。
84.在一个或多个实施方式中，散射体412a、412b和412c可包括tio2。
85.在一个或多个实施方式中，分别基于100重量份的第一颜色转换区410a的总量，基于100重量份的第二颜色转换区410b的总量和基于100重量份的第三颜色转换区410c的总量，散射体412a、412b和412c的量可为1重量份至20重量份，例如，1重量份至10重量份，或2重量份至8重量份。
86.在一个或多个实施方式中，颜色转换层可由油墨组合物形成。油墨组合物可分别包括第一发射体411a、第二发射体411b和第三发射体411c中的至少一种，分别包括第一散射体412a、第二散射体412b和第三散射体412c中的至少一种，以及溶剂。
87.在一个或多个实施方式中，溶剂可包括含醇溶剂、含醚溶剂、脂族烃溶剂、芳族烃溶剂或其任意组合。
88.在一个或多个实施方式中，溶剂可包括甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十一烷、正十二烷、正十三烷、正十四烷、正十五烷、正十六烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、4-甲基庚烷、2,2-二甲基己烷、2,3-二甲基己烷、2,4-二甲基己烷、2,5-二甲基己烷、3,3-二甲基己烷、3-乙基己烷、2,2,4-三甲基戊烷、2-甲基辛烷、2-甲基壬烷、2-甲基癸烷、2-甲基十一烷、2-甲基十二烷、2-甲基十三烷、甲基环己烷、乙基环己烷、1,1-二甲基环己烷、1,2-二甲基环己烷、环庚烷、甲基环庚烷、二环己基、十氢化萘、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙基苯、1,3,5-三甲基苯、丙基苯、环己基苯、二甲氧基苯、茴香醚、乙氧基甲苯、苯氧基甲苯、异丙基联苯、二甲基茴香醚、丙基茴香醚、1-乙基萘、2-乙基萘、2-乙基联苯、辛基苯、1,3-二丙氧基苯、4-甲氧基苯甲醛-二甲基-缩醛、4,4'-二氟二苯基甲烷、二苯醚、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、2-苯氧基甲苯、二苯基甲烷、2-苯基吡啶、
二甲基苄基醚、3-苯氧基甲苯、3-苯基吡啶、2-苯基茴香醚、2-苯氧基四氢呋喃、1-丙基-4-苯基苯、2-苯氧基-1,4-二甲基苯、乙基-2-萘基-醚、十二烷基苯、2,2,5-三甲基二苯基醚、二苄基-醚、2,3,5-三甲基二苯基醚、n-甲基二苯基胺、4-异丙基联苯、α,α-二氯二苯基甲烷、4-(3-苯基丙基)吡啶、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸正丙酯、苯甲酸异丙酯、苯甲酸叔丁酯、苯甲酸苄酯、1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷、二甘醇丁基甲醚(degbme)、二甘醇单甲基醚(degme)、二甘醇乙基甲醚(degeme)、二甘醇二丁醚(degdbe)、丙二醇甲醚乙酸酯(pgmea)、三甘醇单甲基醚(tgme)、二甘醇单丁基醚(dgbe)、环己基苯、丙二醇甲醚乙酸酯、三甘醇单甲基醚、二甘醇单丁基醚或其任意组合，但是实施方式不限于此。
89.在一个或多个实施方式中，显示设备可具有89％或更高的bt2020配色率。bt2020指表示uhd(4k)的颜色标准，可比现有颜色标准cie1931表示更宽的色域。bt2020配色率指由变化坐标形成的变化区的比率，该变化坐标是由表示uhd(4k)的颜色标准的参考坐标形成的参考区中实际实现的颜色坐标。
90.尽管在图1中没有单独示出显示设备的显示表面，但是显示设备可包括平坦的显示表面、三维显示表面或弯曲的显示表面。
91.在一个或多个实施方式中，当显示设备包括平坦的显示表面时，显示设备可包括指示不同方向的多个显示区，例如，可包括多棱柱型(即，在纵向方向上延伸并且纵横比大于1的多边形)显示表面。在一个或多个实施方式中，当显示设备包括弯曲的显示表面时，显示设备可以以各种形式实现，比如柔性的、可折叠的或可卷曲的显示设备。
92.尽管在图1中没有单独示出显示设备的显示区的形状，但是显示区可为具有带度数的角的四边形、圆形、椭圆形、比如三角形或五边形的多边形或具有圆角的多边形。
93.作为基板100，可使用玻璃基板或塑料基板。在一个或多个实施方式中，基板100可为柔性基板，并且可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯、聚醚酰亚胺或其任意组合。在一些实施方式中，基板可为硅晶片。
94.在一个或多个实施方式中，基板100可包括聚酰亚胺(pi)、聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙酯、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素(tac)、乙酸丙酸纤维素(cap)、环烯烃聚合物或环烯烃共聚物。
95.发光装置层布置在基板100上。
96.发光装置层包括至少一个发光装置10。当存在两个或更多个发光装置10时，两个或更多个发光装置10可彼此相同或不同。
97.下文将更详细描述发光装置10。
98.图4和图5的描述
99.图4和图5各自显示根据一个或多个实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110，面向第一电极110的第二电极150，以及布置在第一电极110和第二电极150之间的夹层130。
100.下文，将结合图4和图5进一步详细描述根据一个或多个实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
101.第一电极110
102.在图4和图5中，基板可另外布置在第一电极110下面或第二电极150上面。作为基板，可使用玻璃基板或塑料基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
103.第一电极110可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。
104.第一电极110可为反射电极、半透射(即，半光反射)电极或透射(即，非光反射)电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括导电金属氧化物比如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合可用作用于形成第一电极110的材料。
105.第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
106.夹层130
107.夹层130可布置在第一电极110上。夹层130可包括发射层。
108.夹层130可进一步包括布置在第一电极110和发射层之间的空穴传输区，以及布置在发射层和第二电极150之间的电子传输区。
109.除了各种有机材料之外，夹层130可进一步包括一种或多种含金属化合物比如有机金属化合物或一种或多种无机材料比如量子点等。
110.在一个或多个实施方式中，参见图5，夹层130可包括，i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个(或更多个)发射单元131-1和131-2，和ii)布置在两个发射单元131-1和131-2之间的电荷生成层133。当夹层130包括发射单元131-1和131-2以及电荷生成层133时，发光装置10可为串联发光装置。
111.包括在串联发光装置中的两个(或更多个)发射单元131-1和131-2可发射具有彼此相同或不同的最大发射波长的光。
112.在一个或多个实施方式中，串联发光装置可包括各自发射蓝光的两个或更多个发射单元。
[0113]“电荷生成层”可相对于两个相邻的发射单元中的一个发射单元生成电子，因此充当阴极，并且可相对于另一个发射单元生成空穴，因此充当阳极。电荷生成层不直接连接至电极，并且可分隔相邻的发射单元。也提供了包括多个发射单元和多个电荷生成层的发光装置。例如，发光装置可包括m个发射单元并且可包括m-1个电荷生成层。
[0114]
电荷生成层133可包括n-型电荷生成层133a和p-型电荷生成层133b。在该情况下，n-型电荷生成层133a和p-型电荷生成层133b可彼此直接接触以形成np结。由于np结，可在n-型电荷生成层133a和p-型电荷生成层133b之间同时生成电子和空穴。所生成的电子可通过n型电荷生成层133a转移到两个相邻发射单元中的一个。所生成的空穴可以通过p型电荷生成层133b转移到两个相邻发射单元中的另一个。此外，电荷生成层133各自包括n型电荷生成层133a和p型电荷生成层133b，因此，包括m-1个电荷生成层133的发光装置10包括m-1
个n-型电荷生成层133a和m-1个p-型电荷生成层133b。
[0115]
n-型指n-型半导体特性，也就是，注入或传输电子的特性。p-型指p-型半导体特性，也就是，注入或传输空穴的特性。
[0116]
n-型电荷生成层133a与本说明书中结合电子传输区描述的相同，并且p-型电荷生成层133b与本说明书中结合空穴传输区描述的相同。
[0117]
从m个发射单元中的至少一个发射单元发射的光的最大发射波长可不同于从其余发射单元中的至少一个发射单元发射的光的最大发射波长。在一个或多个实施方式中，在其中第一发射单元和第二发射单元堆叠的发光装置中，从第一发射单元发射的光的最大发射波长可不同于从第二发射单元发射的光的最大发射波长。在该情况下，第一发射单元的发射层和第二发射单元的发射层可各自独立地具有i)由单个层组成的单层结构，其中单个层由单一材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，其中单个层由多种不同材料组成，和iii)具有多个层的多层结构，其中每层由单一材料或多种不同材料组成。因此，从第一发射单元或第二发射单元发射的光可为单一颜色光或混合颜色光。在一个或多个实施方式中，在其中第一发射单元、第二发射单元和第三发射单元堆叠的发光装置中，从第一发射单元发射的第一颜色光的最大发射波长可与从第二发射单元发射的第二颜色光的最大发射波长相同，但是不同于从第三发射单元发射的第三颜色光的最大发射波长。在一个或多个实施方式中，从第一发射单元发射的第一颜色光的最大发射波长，从第二发射单元发射的第二颜色光的最大发射波长，和从第三发射单元发射的第三颜色光的最大发射波长可彼此不同。
[0118]
夹层130中的空穴传输区
[0119]
空穴传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，其中单个层由单一材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，其中单个层由多种不同材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，其中每层由单一材料或多种不同材料组成。
[0120]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0121]
例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构，空穴注入层/发射辅助层结构，空穴传输层/发射辅助层结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，每个结构的层从第一电极110依次堆叠，但是实施方式不限于此。
[0122]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0123]
式201
[0124][0125]
式202
[0126][0127]
其中，在式201和式202中，
[0128]
l
201
至l
204
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0129]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0130]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
[0131]
xa5可为选自1至10的整数，
[0132]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0133]r201
和r
202
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物ht16)，
[0134]r203
和r
204
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0135]
na1可为选自1至4的整数。
[0136]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0137][0138]
式cy201至式cy217中的r
10b
和r
10c
分别为如参照r
10a
描述的，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可为未取代的或被如本文描述的r
10a
取代。
[0139]
在一个或多个实施方式中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0140]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0141]
在一个或多个实施方式中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的至少一个基团和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0142]
在一个或多个实施方式中，式201中的xa1可为1，r
201
可为由式cy201至式cy203中的一个或多个表示的基团，xa2可为0，并且r
202
可为由式cy204至式cy207中的一个或多个表示的基团。
[0143]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203表示的基团。
[0144]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203表示的基团，并且可包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0145]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy217表示的基团。
[0146]
在一个或多个实施方式中，空穴传输区可包括化合物ht1至ht44中的至少一种、4,4’,4
”‑
三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-mtdata)、4,4’,4
”‑
三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4’,4
”‑
三{n-(2-萘基)-n-苯基氨基}-三苯胺(2-tnata)、n,n
’‑
二(1-萘基)-n,n
’‑
二苯基-联苯胺(npb，也称为npd)、β-npb，n,n
’‑
双(3-甲基苯基)-n,n
’‑
二苯基-[1,1
’‑
联苯]-4,4
’‑
二胺(tpd)、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、4,4
’‑
亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)]联苯胺(hmtpd)、4,4’,4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸
(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)或其任意组合：
[0147]
[0148]
[0149]
[0150][0151]
空穴传输区的厚度可在约50埃至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压不明显增加的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
[0152]
发射辅助层可根据由发射层发射的光的波长通过补偿光学共振距离来增加光发
射效率，并且电子阻挡层可阻挡来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可包括如上所述的材料。
[0153]
p-掺杂剂
[0154]
除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电性的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或不均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单个层的形式)。
[0155]
电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。
[0156]
在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为约-3.5ev或更小。
[0157]
在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其任意组合。
[0158]
醌衍生物的示例可包括tcnq或f4-tcnq等。
[0159]
含氰基化合物的示例可包括hat-cn或由下式221表示的化合物等。
[0160][0161]
在式221中，
[0162]r221
至r
223
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，并且
[0163]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为各自被以下中的至少一个取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基；或其任意组合。
[0164]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、准金属或其任意组合，并且元素el2可为非金属、准金属或其任意组合。
[0165]
金属的示例可包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁
(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)，或其合金。
[0166]
准金属的示例可包括硅(si)、锑(sb)、锗(ge)、砷(as)、碲(te)或其合金。
[0167]
非金属的示例可包括氧(o)、卤素(例如，f、cl、br、i等)或其任意组合。
[0168]
在一个或多个实施方式中，含有元素el1和元素el2的化合物的示例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。
[0169]
金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)、铼氧化物(例如，reo3等)或其任意组合。
[0170]
金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
[0171]
碱金属卤化物的示例可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi、csi或其任意组合。
[0172]
碱土金属卤化物的示例可包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2、bai2或其任意组合。
[0173]
过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)、金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)、其水合物或其任意组合。
[0174]
后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)、锡卤化物(例如，sni2等)、其水合物或其任意组合。
[0175]
镧系金属卤化物的示例可包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl
3 smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3、smi3、其水合物或其任意组合。
[0176]
准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，sbcl5等)或其水合物。
[0177]
金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，
tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)、镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)、其水合物或其任意组合。
[0178]
夹层130中的发射层
[0179]
当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。
[0180]
发射层的厚度可在约至约例如，约至约的范围。当发射层的厚度在该范围内时，可在驱动电压不明显增加的情况下获得卓越的光发射特性。
[0181]
主体
[0182]
主体可包括由下式301表示的化合物：
[0183]
式301
[0184]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
，
[0185]
其中，在式301中，
[0186]
ar
301
和l
301
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0187]
xb11可为1、2或3，
[0188]
xb1可为选自0至5的整数，
[0189]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷硫基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)、-p(q
301
)(q
302
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0190]
xb21可为选自1至5的整数，并且
[0191]q301
至q
303
分别为如参照q
11
描述的。
[0192]
在一个或多个实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar
301
可经由单键彼此连接。
[0193]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：
[0194]
式301-1
[0195][0196]
式301-2
[0197][0198]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0199]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0200]
x
301
可为o、s、n[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0201]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0202]
l
301
、xb1和r
301
分别为如本文描述的，
[0203]
l
302
至l
304
各自独立地为如参照l
301
描述的，
[0204]
xb2至xb4各自独立地为如参照xb1描述的，并且
[0205]r302
至r
305
和r
311
至r
314
分别为如参照r
301
描述的。
[0206]
在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物。在一个或多个实施方式中，主体可包括含be复合物(例如，化合物h55)、含mg复合物、含zn复合物或其任意组合。
[0207]
在一个或多个实施方式中，主体可包括化合物h1至h125中的至少一种、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4
’‑
双(n-咔唑基)-1,1
’‑
联苯(cbp)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)、3,3-二(9h-咔唑-9-基)联苯(mcbp)或其任意组合：
[0208]
[0209]
[0210]
[0211]
[0212]
[0213][0214]
磷光掺杂剂
[0215]
磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。
[0216]
磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0217]
磷光掺杂剂可为电中性的。
[0218]
在一个或多个实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
[0219]
式401
[0220]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
，
[0221]
其中l
401
可为由式402表示的配体：
[0222]
式402
[0223][0224]
其中，在式401和式402中，
[0225]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0226]
xc1可为1、2或3，其中，当xc1为2或3时，两个或更多个l
401
可彼此相同或不同，
[0227]
l
402
可为有机配体，且xc2可为0、1、2、3或4，其中，当xc2为2、3或4时，两个或更多个l
402
可彼此相同或不同，
[0228]
x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0229]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基，
[0230]
t
401
可为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0231]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、-o-、-s-、-n(q
413
)-、-b(q
413
)-、-p(q
413
)-、-c(q
413
)(q
414
)-或-si(q
413
)(q
414
)-，
[0232]q411
至q
414
分别为如参照q
11
描述的，
[0233]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷硫基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)、-p(q
401
)(q
402
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0234]q401
至q
403
分别为如参照q
11
描述的，
[0235]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
[0236]
式402中的*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。
[0237]
在一个或多个实施方式中，在式402中，i)x
401
可为氮，且x
402
可为碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个可为氮。
[0238]
在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或3时，两个或更多个l
401
中的两个环a
401
可任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，并且两个环a
402
可任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(见化合物pd1至pd4和pd7)。t
402
和t
403
分别为如参照t
401
描述的。
[0239]
式401中的l
402
可为有机配体。在一个或多个实施方式中，l
402
可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、羰基(-c＝o)、异腈基、-cn基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任意组合。
[0240]
磷光掺杂剂可包括，例如，化合物pd1至pd39中的至少一种或其任意组合：
[0241]
[0242]
[0243][0244]
荧光掺杂剂
[0245]
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任意组合。
[0246]
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0247]
式501
[0248][0249]
其中，在式501中，
[0250]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0251]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0252]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0253]
在一个或多个实施方式中，式501中的ar
501
可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
[0254]
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0255]
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物fd1至fd37中的至少一种；dpvbi；dpavbi；或其任意组合：
[0256]
[0257]
[0258][0259]
延迟荧光材料
[0260]
发射层可包括延迟荧光材料。
[0261]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。
[0262]
包括在发射层中的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层中的其他材料的类型。
[0263]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料的第一激发三重态(t1)能级(电子伏特，ev)和延迟荧光材料的第一激发单重态(s1)能级(ev)之间的能量差可大于或等于0ev且小于或等于0.5ev，例如，0.05ev至0.45ev，或0.1ev至0.4ev。不希望受限于理论，当延迟荧光材料的第一激发三重态(t1)能级(ev)和延迟荧光材料的第一激发单重态(s1)能级(ev)之间
的能量差满足上述范围时，可有效地发生从延迟荧光材料的三重态到单重态的上转换，因此，可提高发光装置10的发光效率。
[0264]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，比如咔唑基)和至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼(b)原子的同时稠合的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0265]
延迟荧光材料的示例可包括下述化合物df1至df11中的至少一种或其任意组合：
[0266][0267]
量子点
[0268]
发射层可包括量子点。
[0269]
在本说明书中，量子点指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
[0270]
量子点的平均直径(d50)可在，例如，约1nm至约10nm，或约1nm至约8nm，或约1nm至约6nm的范围内。
[0271]
量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的适当工艺来合成。
[0272]
根据湿化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以使量子点颗粒晶体生长。当晶体生长时，如果有机溶剂在量子点晶体的表面上配位，则有机溶剂可以充当分散剂，这可以有助于控制晶体的生长，使得可通过比气相沉积方法(比如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))更容易和/或更有效并且可以以显著更低的成本进行的工艺来控制量子点颗粒的生长。
[0273]
量子点可包括：第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；第iv族元素或化合物；或其任意组合。
[0274]
第ii-vi族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，比如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或其任意组合。
[0275]
第iii-v族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；或其任意组合。在一个或多个实施方式中，第iii-v族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的示例可包括inznp、ingaznp和inalznp等。
[0276]
第iii-vi族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3或inte；三元化合物，比如ingas3或ingase3；或其任意组合。
[0277]
第i-iii-vi族半导体化合物的示例可包括：三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2。
[0278]
第iv-vi族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte等；三元化合物，比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte等；四元化合物，比如snpbsse、snpbsete或snpbste等；或其任意组合。
[0279]
第iv族元素或化合物可包括：单元素，比如si或ge；二元化合物，比如sic或sige；或其任意组合。
[0280]
包括在多元素化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中的每种元素可以以均匀浓度或不均匀浓度存在于颗粒中。
[0281]
在一个或多个实施方式中，量子点可具有单一结构或核-壳双重结构。在具有单一结构的量子点的情况下，包括在对应的量子点中的每种元素的浓度为均匀的。在一个或多个实施方式中，核中含有的材料和壳中含有的材料可彼此不同。
[0282]
量子点的壳可充当保护层以防止核的化学变性，从而保持半导体特性，和/或充当
充电层以赋予量子点电泳特性。壳可为单层或多层。存在于量子点的核和壳之间的界面中的元素可具有朝向量子点的中心降低的浓度梯度。
[0283]
量子点的壳的示例可为金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物，和其任意组合。金属、准金属或非金属的氧化物的示例可包括下述中的至少一种：二元化合物，比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物，比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；或其任意组合。半导体化合物的示例可包括如本文描述的第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物，第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物或其任意组合。另外，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0284]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，颜色纯度或颜色再现性可增加。例如，量子点的发射波长光谱的fwhm可为约10nm至约45nm，或约10nm至约40nm，或约10nm至约30nm，或约10nm至约25nm。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善宽视角。
[0285]
另外，量子点可为球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板。多个量子点中的每个量子点可具有相同或不同的形态。
[0286]
因为能带隙可通过控制量子点的尺寸来调整，所以具有各种波长带的光可从量子点发射层获得。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可实现发射各种波长的光的发光装置。在一个或多个实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，量子点的尺寸可配置为通过组合各种颜色的光来发射白光。
[0287]
夹层130中的电子传输区
[0288]
电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，其中单个层由单一材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，其中单个层由多种不同材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，其中每层独立地包括单一材料或多种不同材料。
[0289]
电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0290]
例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构，空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，电子控制层/电子传输层/电子注入层结构，或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，每种结构的构成层从发射层依次堆叠。
[0291]
在一个或多个实施方式中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一种缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0292]
在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由下式601表示的化合物：
[0293]
式601
[0294]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0295]
其中，在式601中，
[0296]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0297]
xe11可为1、2或3，
[0298]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0299]r601
可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)、-p(q
601
)(q
602
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0300]q601
至q
603
分别为如参照q
11
描述的，
[0301]
xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0302]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0303]
在一个或多个实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
可经由单键连接。
[0304]
在一个或多个实施方式中，式601中的ar
601
可为取代的或未取代的蒽基。
[0305]
在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[0306]
式601-1
[0307][0308]
其中，在式601-1中，
[0309]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0310]
l
611
至l
613
分别为如参照l
601
描述的，
[0311]
xe611至xe613分别为如参照xe1描述的，
[0312]r611
至r
613
分别为如参照r
601
描述的，并且
[0313]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、c
1-c
20
烷硫基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0314]
在一个或多个实施方式中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0315]
电子传输区可包括化合物et1至et47中的至少一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、双(2-甲基-8-喹啉羟基-n1,o8)-(1,1
’‑
联苯-4-羟基)铝(balq)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)-氧化膦(tspo1)或其任意组合：
[0316]
[0317]
[0318][0319]
电子传输区的厚度可为约至约例如，约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地为约至约例如，约至约并且电子传输层的厚度可为约至约例如，约例如，约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在驱动电压不明显增加的情况下获得令人满意的电子传输特性。
[0320]
除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
[0321]
含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碱金属复合物的金属离子可为li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0322]
在一个或多个实施方式中，含金属材料可包括li复合物。li复合物可包括，例如，化合物et-d1(liq)或et-d2：
[0323][0324]
电子传输区可包括利于电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。
[0325]
电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，其中单个层由单一材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，其中单个层由多种不同材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，其中每层独立地包括单一材料或多种不同材料。
[0326]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合。
[0327]
碱金属可包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0328]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或其任意组合。
[0329]
含碱金属化合物可包括碱金属氧化物，比如li2o、cs2o或k2o，碱金属卤化物，比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki，或其任意组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中x为满足0《x《1的条件的实数)或ba
x
ca
1-x
o(其中x为满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在一个或多个实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0330]
碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合作为与金属离子键合的配体。
[0331]
电子注入层可由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合组成。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0332]
在一个或多个实施方式中，电子注入层可由i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合组成。在一个或多个实施方式中，电子注入层可为ki:yb共沉积层或rbi:yb共沉积层
等。
[0333]
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合可均匀地或非均匀地分散于包括有机材料的基质中。
[0334]
电子注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，可在驱动电压不明显增加的情况下获得令人满意的电子注入特性。
[0335]
[第二电极150]
[0336]
第二电极150可布置在具有此类结构的夹层130上。第二电极150可为阴极(其为电子注入电极)，并且作为用于第二电极150的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合。
[0337]
在一个或多个实施方式中，第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任意组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0338]
第二电极150可具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
[0339]
封盖层
[0340]
第一封盖层(未显示)可布置在第一电极110外侧，和/或第二封盖层(未显示)可布置在第二电极150外侧。在一个或多个实施方式中，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。
[0341]
发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层向外提取，或发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层向外提取。
[0342]
根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可提高外部发射效率。因此，提高发光装置10的光提取效率，从而可提高发光装置10的发射效率。
[0343]
第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括折射率(在589nm)为1.6或更大的材料。
[0344]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的复合封盖层。
[0345]
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基取代。
[0346]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0347]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物，由式202表示的化合物，或其任意组合。
[0348]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地
包括化合物ht28至ht33中的一种，化合物cp1至cp7中的一种，β-npb，或其任意组合：
[0349][0350][0351]
电子设备
[0352]
发光装置可包括在各种电子设备中。在一个或多个实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备或认证设备等。
[0353]
除了发光装置之外，电子设备(例如，显示设备)可进一步包括，i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可布置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置和颜色转换层分别与上述的发光装置和颜色转换层相同。在一个或多个实施方式中，颜色转换层可包括量子点或有机材料。
[0354]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区，滤色器可包括分别对应于多个子像素区的多个滤色器区，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区的多个颜色转换区。
[0355]
像素限定层可布置在多个子像素区之间以限定每个子像素区。
[0356]
滤色器可进一步包括多个滤色器区和布置在多个滤色器区之间的遮光图案，并且颜色转换层可包括多个颜色转换区和布置在多个颜色转换区之间的遮光图案。
[0357]
滤色器区(或颜色转换区)可包括发射第一颜色光的第一区，发射第二颜色光的第二区，和/或发射第三颜色光的第三区，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在一个或多个实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光
可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在一个或多个实施方式中，滤色器区(或颜色转换区)可包括量子点。详细地，第一区可包括红色量子点，第二区可包括绿色量子点，并且第三区可不包括量子点。量子点与本说明书中描述的相同。第一区、第二区和/或第三区可各自进一步包括散射体。
[0358]
在一个或多个实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区可吸收第一光以发射第一颜色光，第二区可吸收第一光以发射第二颜色光，并且第三区可吸收第一光以发射第三颜色光。就此而言，第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可具有不同的最大发射波长。详细地，第一光可为蓝光(例如，具有约420nm至约460nm的最大发射波长)，第一颜色光可为红光(例如，具有约610nm至约640nm的最大发射波长)，第二颜色光可为绿光(例如，具有约510nm至约550nm的最大发射波长)，并且第三颜色光可为蓝光(例如，具有约420nm至约460nm的最大发射波长)。
[0359]
除了如上所述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可电连接到发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。
[0360]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极或栅绝缘膜等。
[0361]
有源层可包括结晶硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。
[0362]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可布置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许光从发光装置被提取到外部，同时防止环境空气和水分渗透到发光装置中。密封部分可为密封基板，其包括透明的玻璃基板或塑料基板。密封部分可为薄膜封装层，其包括有机层和无机层中的至少一个层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。
[0363]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可另外布置在密封部分上。功能层可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖或瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。
[0364]
除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[0365]
电子设备可应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学仪器(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器等)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机或船只等的仪表)或投影仪等。
[0366]
图6和图7的描述
[0367]
图6描绘了根据本文描述的一个或多个实施方式的发光设备的横截面图，并且在下面进一步详细描述。
[0368]
图6的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。
[0369]
基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可形成在基板100上。缓冲层210可防止通过基板100的杂质的渗透并且可在基板100上提供平坦的表面。
[0370]
tft可布置在缓冲层210上。tft可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270，但是实施方式不限于此。
[0371]
有源层220可包括无机半导体比如硅或多晶硅、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
[0372]
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可布置在有源层220上，并且栅电极240可布置在栅绝缘膜230上。
[0373]
夹层绝缘膜250布置在栅电极240上。夹层绝缘膜250可置于栅电极240和源电极260之间以将栅电极240与源电极260绝缘，以及置于栅电极240和漏电极270之间以将栅电极240与漏电极270绝缘。
[0374]
源电极260和漏电极270可布置在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
[0375]
tft电连接到发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、第二电极150以及布置在第一电极110和第二电极150之间的夹层130。
[0376]
第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110连接到漏电极270的暴露部分。
[0377]
含有绝缘材料的像素限定层290可布置在第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区，并且夹层130可形成于第一电极110的暴露区。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管未在图6中示出，但是夹层130的至少一些层可延伸超出像素限定层290的上部，以公共层的形式布置。
[0378]
第二电极150可布置在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0379]
封装部分300可布置在封盖层170上。封装部分300可布置在发光装置上以保护发光装置免受水分或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(age)等)或其任意组合；或无机膜和有机膜的组合。
[0380]
图7显示根据一个或多个实施方式的发光设备的横截面图。
[0381]
图7的发光设备与图6的发光设备基本相同，不同之处是阻光图案500和功能区400另外布置在封装部分300上。功能区400可为：i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多个实施方式中，包括在图7的发光设备中的发光装置可为串联发光装置。
[0382]
包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(l-b)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像等中的一个或多个适当的方法形成于特定区中。
[0383]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度下进行，这取决于要包括在要形成的层中的材料和要形成的层的结构。然而，沉积条件不限于此。
[0384]
当各层使用旋涂形成时，涂覆条件可以根据用于形成该层的化合物和要形成层的所需结构和性质而变化。例如，旋转速率可以在约2000转/分钟(rpm)至约5000rpm的范围内，并且在涂覆后进行热处理以去除溶剂的温度可以在约80℃至约200℃的范围内。然而，涂覆条件不限于此。
[0385]
术语的定义
[0386]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由碳作为成环原子组成且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指具有1至60个碳原子且进一步具有除碳之外的杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或者其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基的成环原子的数量可为3至61。
[0387]
如本文使用的术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0388]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子且包括*-n＝*'作为成环部分的杂环基。
[0389]
在一个或多个实施方式中，
[0390]c3-c
60
碳环基可为i)基团t1或ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，
[0391]c1-c
60
杂环基可为i)基团t2，ii)其中两个或更多个基团t2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0392]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为i)基团t1，ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团，iii)基团t3，iv)其中两个或更多个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，c
3-c
60
碳环基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯
并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，
[0393]
缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可为i)基团t4，ii)其中两个或更多个基团t4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0394]
基团t1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0395]
基团t2可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基，
[0396]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0397]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0398]
如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指与任意环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团，这取决于参照其使用术语的式的结构。在一个或多个实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，其可根据包括“苯基”的式的结构容易被本领域普通技术人员理解。
[0399]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的示例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的示例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
[0400]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，且其示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指具有与c
1-c
60
烷
基相同的结构的二价基团。
[0401]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，且其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指具有与c
2-c
60
烯基相同的结构的二价基团。
[0402]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，且其示例包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指具有与c
2-c
60
炔基相同的结构的二价基团。
[0403]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
表示的单价基团(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)，且其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。如本文使用的术语“c
1-c
60
烷硫基”指由-sa
102
表示的单价基团(其中a
102
为c
1-c
60
烷基)。
[0404]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，且其示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指具有与c
3-c
10
环烷基相同的结构的二价基团。
[0405]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子并且具有1至10个碳原子的单价环状基团，并且其示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指具有与c
1-c
10
杂环烷基相同的结构的二价基团。
[0406]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指具有3至10个碳原子和其环中的至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价环状基团，且其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指具有与c
3-c
10
环烯基相同的结构的二价基团。
[0407]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指具有除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和在其环状结构中的至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指具有与c
1-c
10
杂环烯基相同的结构的二价基团。
[0408]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。c
6-c
60
芳基的示例包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。
[0409]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，除了碳原子之外其还具有至少一个杂原子(例如，n、o、p、s、si、se、ge或b)作为成环原子，以及1至60个碳原子。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，除了碳原子之外其还具有至少一个杂原子(例如，n、o、p、s、si、se、ge或b)作为成环原子，以及1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。
[0410]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子(例如，具有8至60个碳原子)作为成环原子，且当作为整体考虑时，在其分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的示例包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有与单价非芳族稠合多环基团相同结构的二价基团。
[0411]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，至少一个除碳原子(例如，具有1至60个碳原子)之外的杂原子(例如，n、o、p、s、si、se、ge或b)作为成环原子，并且当作为整体考虑时，在其分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有与单价非芳族稠合杂多环基团相同结构的二价基团。
[0412]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指示-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指示-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0413]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳氧基”指示-sa
104
(其中a
104
为c
1-c
60
杂芳基)，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳硫基”指示-sa
105
(其中a
105
为c
1-c
60
杂芳基)。
[0414]r10a
可为：
[0415]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0416]
各自未被取代或被以下中的至少一个取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基或c
1-c
60
烷硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(q
11
)(q
12
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合；
[0417]
各自未被取代或被以下中的至少一个取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
1-c
60
烷硫基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(q
21
)(q
22
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合；或
[0418]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)、-p
(q
31
)(q
32
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0419]
如本文使用的q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢，氘，-f，-cl，-br，-i，羟基，氰基，硝基，氨基，脒基，肼基，腙基，羧酸基或其盐，磺酸基或其盐，磷酸基或其盐，c
1-c
60
烷基，c
2-c
60
烯基，c
2-c
60
炔基，c
1-c
60
烷氧基，c
1-c
60
烷硫基，或者各自未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、c
1-c
60
烷硫基、苯基和联苯基中的至少一个取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。
[0420]
如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子之外的原子。杂原子的示例包括o、s、n、p、si、b、ge、se或其任意组合。
[0421]
如本文使用的术语“ph”指苯基，如本文使用的术语“me”指甲基，如本文使用的术语“et”指乙基，如本文使用的术语“tert-bu”或“bu
t”指叔丁基，并且如本文使用的术语“ome”指甲氧基。
[0422]
如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0423]
如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。“三联苯基”为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0424]
除非另外定义，否则如本文使用的*和*'各自指与相应的式中的相邻原子的结合位点。
[0425]
下文，将参考实施例更详细描述根据一个或多个实施方式的显示设备。
[0426]
实施例
[0427]
实施例1
[0428]
发光装置的制造
[0429]
作为基板和阳极，将其上形成有康宁15欧姆每平方厘米(ω/cm2)(厚度为)ito的第一玻璃基板、其上形成有(厚度为)ag的第二玻璃基板以及其上形成有康宁15ω/cm2(厚度为)ito的第三玻璃基板各自切成50毫米(mm)x 50mm x0.7mm的尺寸，用异丙醇和去离子(di)水各自超声5分钟，通过照射紫外光和暴露于臭氧30分钟进行清洁。然后，将第一玻璃基板、第二玻璃基板和第三玻璃基板以叙述的顺序依次堆叠在真空沉积设备上。
[0430]
将hat-cn沉积在阳极上以形成厚度为的空穴注入层。
[0431]
将npb(厚度为)和tcta(厚度为)依次沉积在空穴注入层上以形成空穴传输层。
[0432]
将h125和df10(df10的量为1wt％)共沉积在空穴传输层上以形成厚度为的第一发射层，将et46(厚度为)沉积于其上以形成第一缓冲层，并且将et47和liq以5:5重量比共沉积在第一缓冲层上以形成厚度为的第一电子传输层，从而形成第一发射单元。
[0433]
将bcp和li(li的量为1wt％)共沉积在第一发射单元上以形成厚度为的n-型电荷生成层，并且将hat-cn沉积于其上以形成厚度为的p-型电荷生成层，从而形成电荷生成层。
[0434]
将tcta(厚度为)沉积在电荷生成层上以形成空穴传输(ht)-辅助层，将h125和df10(df10的量为3wt％)共沉积于其上以形成厚度为的第二发射层，将et46(厚度为)沉积于其上以形成第二缓冲层，并且将et47和liq以5:5的重量比共沉积在第二缓冲层上以形成第二电子传输层，从而形成第二发射单元。
[0435]
将yb沉积在第二发射单元上以形成电子注入层，从而形成电子传输区。
[0436]
将ag和mg(厚度为)以9:1的重量比共沉积在电子传输区上以形成阴极，并将cp7(厚度为)沉积在阴极上，从而制造发光装置。
[0437]
颜色转换区的制造
[0438]
在发光装置上，在对应于发光装置的红色子像素区的位置上形成红色颜色转换区，在对应于发光装置的绿色子像素区的位置上形成绿色颜色转换区，并且在对应于发光装置的蓝色子像素区的位置上形成蓝色颜色转换区，从而制造显示设备。qd(量子点)具有inp/gap/zns结构，并且在qd合成过程中，gqd(绿色量子点)和rqd(红色量子点)通过调节ga与gacl3的组合比来制备。红色颜色转换区、绿色颜色转换区和蓝色颜色转换区通过如下油墨组合物形成：
[0439]
红色颜色转换区：pgmea(50wt％) rqd(40wt％) tio2(10wt％)。
[0440]
绿色颜色转换区：pgmea(40wt％) gqd(50wt％) tio2(10wt％)。
[0441]
蓝色颜色转换区：pgmea(80wt％) tio2(10wt％) fd37(10wt％)。
[0442]
比较例1
[0443]
显示设备以与实施例1基本相同的方式制造，不同之处是蓝色颜色转换区通过如下组合物形成：
[0444]
蓝色颜色转换区：pgmea(90wt％) tio2(10wt％)。
[0445]
实施例2
[0446]
显示设备以与实施例1基本相同的方式制造，不同之处是当形成第一发射层和第二发射层时，分别使用df11代替df10，并且蓝色颜色转换区通过如下组合物形成：
[0447]
蓝色颜色转换区：pgmea(80wt％) tio2(10wt％) df10(10wt％)。
[0448]
实施例3
[0449]
显示设备以与实施例2基本相同的方式制造，不同之处是蓝色颜色转换区通过如下组合物形成：
[0450]
蓝色颜色转换区：pgmea(80wt％) tio2(10wt％) fd37(10wt％)。
[0451]
比较例2
[0452]
显示设备以与实施例2基本相同的方式制造，不同之处是蓝色颜色转换区通过如下组合物形成：
[0453]
蓝色颜色转换区：pgmea(90wt％) tio2(10wt％)。
[0454]
评估例1：对显示设备的效率的评估
[0455]
对于实施例1至3以及比较例1和2中的每一个，通过使用ivl测量设备测量红色(r_x，r_y，eff)、绿色(g_x，g_y，eff)和蓝色(b_x，b_y，eff)的ciex和ciey色坐标，并且计算白色的bt2020，获得rgb效率(eff，cd/r)、白色效率(w_eff)和配色率(dci，％)，并且其结果示于下表1中。
[0456]
表1
[0457][0458]
表2
[0459][0460]
参考上表1，当将实施例1与比较例1进行比较并且将实施例2和3与比较例2进行比
较时(其中发光装置分别在相同的条件下制造)，可以证实，当具有比发光装置中包括的掺杂剂的波长更长的波长的发射体应用于蓝色颜色转换区时，配色率(bt2020)显著提高。
[0461]
此外，当将实施例2和3与实施例1进行比较时，与实施例1相比，在将具有较短波长的掺杂剂用作发光装置中包括的掺杂剂的实施例2和3中，可以证实，红色和绿色的效率由于量子点吸收的增加而增加。
[0462]
实施例4
[0463]
显示设备以与实施例2基本相同的方式制造，不同之处是蓝色颜色转换区通过如下组合物形成：
[0464]
蓝色颜色转换区：pgmea(40wt％) ingan(in的量为8wt％)(50wt％) tio2(10wt％)
[0465]
评估例2：对显示设备的效率的评估
[0466]
对于实施例4以及比较例1和2中的每一个，通过使用ivl测量设备测量红色(r_x，r_y，eff)、绿色(g_x，g_y，eff)和蓝色(b_x，b_y，eff)的ciex和ciey色坐标，并计算白色的bt2020，获得rgb效率(eff，cd/r)、白色效率(w_eff)和配色率(dci，％)，并且其结果示于上表2中。
[0467]
参见表2，当将实施例4和比较例2进行比较时，可以证实，当具有比发光装置中包括的掺杂剂的波长更长的波长的发射体应用于蓝色颜色转换区时，配色率(bt2020)显著提高。
[0468]
此外，当将实施例4与比较例1进行比较时，与比较例1相比，在将具有较短波长的掺杂剂用作发光装置中包括的掺杂剂的实施例4中，可以证实，红色和绿色的效率由于量子点吸收的增加而增加。
[0469]
根据上面进一步详细描述的一个或多个实施方式，可以提供具有改善的蓝色亮度、白色发光效率和配色率的显示设备。本公开的范围不受这种效果的限制。
[0470]
应理解，本文描述的示例性实施方式应被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。示例性实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他示例性实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照各图描述了一个或多个示例性实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。