显示基板和显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板和显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，全面屏的显示装置因屏占比较大、可视化效果好、有利于分屏、科技感更高等众多优点，逐渐成为显示装置的主流设计之一。其中，屏下摄像头的显示装置是一种全面屏的显示装置，因摄像头设置在显示装置的显示面板之下，对显示装置的视觉画面影响较小，成为当下比较有潜力的一种显示装置设计。
3.然而，采用屏下摄像头的显示装置，对于摄像头所对应的显示面板区域的透光性要求很高，如何提供一种摄像头所对应的区域的透光性高的显示面板成为有待解决的技术问题。


技术实现要素：

4.本公开的实施例的目的在于提供一种显示基板和显示装置，用于提高显示基板的透光显示区的透过率。
5.为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：
6.一方面，提供一种显示基板。所述显示基板具有透光显示区和常规显示区，所述常规显示区至少部分围绕所述透光显示区。所述显示基板包括：背板、多个发光器件以及成膜抑制层。多个发光器件设置于所述背板的一侧；所述发光器件包括依次层叠设置的第一电极、发光部和第二电极，位于所述透光显示区的发光器件的第一电极的厚度，小于位于所述常规显示区的发光器件的第一电极的厚度。
7.上述显示基板中，通过使位于透光显示区的发光器件的第一电极的厚度，小于位于常规显示区的发光器件的第一电极的厚度，能够进一步提高显示基板位于透光显示区的部分的透光率。这样在将显示基板应用至显示装置中，并在显示基板的非出光侧，且在透光显示区设置光学元件的情况下，外界光线可以透过显示基板位于透光显示区的部分入射至光学部件，被光学部件采集，并使得光学部件能够正常工作。
8.在一些实施例中，所述第一电极包括金属层，位于所述透光显示区的第一电极中的金属层的厚度小于位于所述常规显示区的第一电极的金属层的厚度。
9.在一些实施例中，所述显示基板还具有过渡区，所述过渡区位于所述透光显示区和所述常规显示区之间；所述过渡区的透光率大于所述常规显示区的透光率，且小于所述透光显示区的透光率；位于所述过渡区的发光器件的第一电极的厚度小于位于所述常规显示区的发光器件的第一电极的厚度；和/或，位于所述过渡区的发光器件的第一电极的厚度大于位于所述透光显示区的发光器件的第一电极的厚度。
10.在一些实施例中，所述第一电极包括金属层，位于所述过渡区的第一电极中的金属层的厚度小于位于所述常规显示区的第一电极中的金属层的厚度；和/或，位于所述过渡区的第一电极中的金属层的厚度大于位于所述透光显示区的第一电极中的金属层的厚度。
11.在一些实施例中，所述显示基板还包括位于所述第一电极一侧的像素界定层，所述像素界定层具有多个像素界定层开口，所述发光部和所述第二电极至少部分位于所述像素界定层开口内。
12.在一些实施例中，所述显示基板还包括成膜抑制层，所述成膜抑制层位于所述像素界定层远离所述第一电极的一侧，所述成膜抑制层至少部分位于所述透光显示区，且所述成膜抑制层包括多个成膜抑制层开口，所述透光显示区的发光器件的第二电极的至少部分位于所述成膜抑制层开口内。
13.在一些实施例中，所述成膜抑制层对于所述第二电极的材料的初始粘着概率小于或等于0.02。
14.在一些实施例中，所述成膜抑制层的厚度范围为：5nm～50nm。
15.在一些实施例中，位于所述透光显示区的发光器件的第一电极的厚度，小于位于所述常规显示区的发光器件的第一电极的厚度。
16.在一些实施例中，所述显示基板还具有过渡区，所述过渡区位于所述透光显示区和所述常规显示区之间；所述过渡区的透光率大于所述常规显示区的透光率，且小于所述透光显示区的透光率；所述成膜抑制层还位于所述过渡区，位于所述过渡区的第二电极的至少部分位于所述成膜抑制层开口内。
17.在一些实施例中，所述显示基板还包括：透明电极连接层，所述透明电极连接层至少位于所述透光显示区，所述透明电极连接层覆盖所述成膜抑制层和位于所述成膜抑制层开口内的第二电极。
18.在一些实施例中，所述透明电极连接层的材料包括氧化铟锡和/或氧化铟锌。
19.在一些实施例中，所述第二电极在所述背板上的正投影与在所述成膜抑制层在所述背板上的正投影无交叠。
20.在一些实施例中，所述背板包括：衬底；以及，设置在所述衬底一侧的像素电路层，所述像素电路层包括多个像素驱动电路，一个像素驱动电路与一个发光器件的第一电极电连接；其中，位于所述透光显示区的像素电路的分布密度，小于或等于位于所述常规显示区的像素电路的分布密度。
21.又一方面，提供一种显示装置，包括：如上述任一实施例所述的显示基板；以及，设置在所述显示基板的非出光侧的光学部件，所述光学部件在所述显示基板上的正投影至少部分位于所述透光显示区内。
22.上述显示基板的制作方法以及显示装置具有与上述一些实施例中提供的显示面板相同的结构和有益技术效果，在此不再赘述。
附图说明
23.为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程等的限制。
24.图1为根据一些实施例的显示装置的结构图；
25.图2为根据又一些实施例的显示装置的结构图；
26.图3为根据一些实施例的显示基板的结构图；
27.图4为沿图3中的截面线d-d'的截面结构图；
28.图5为又一种沿图3中的截面线d-d'的截面结构图；
29.图6为又一种沿图3中的截面线d-d'的截面结构图；
30.图7为根据又一些实施例的显示基板的制作方法的流程图；
31.图8a～图8f为根据又一些实施例的显示基板的制作方法中各步骤对应的结构图；
32.图9a～图9b为根据一些实施例的显示基板的第一电极层的制作方法中各步骤对应的结构图；
33.图10a～图10b为根据又一些实施例的显示基板的第一电极层的制作方法中各步骤对应的结构图。
具体实施方式
34.下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
35.除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
36.以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
37.在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。术语“耦接”例如表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
[0038]“a、b和c中的至少一个”与“a、b或c中的至少一个”具有相同含义，均包括以下a、b和c的组合：仅a，仅b，仅c，a和b的组合，a和c的组合，b和c的组合，及a、b和c的组合。
[0039]“a和/或b”，包括以下三种组合：仅a，仅b，及a和b的组合。
[0040]
应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。
[0041]
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层的厚度和区域的面积。因此，可设想到由于例如制造技术和/
或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
[0042]
本公开一些实施例提供一种显示装置1000，对于显示装置1000的类型不进行限定，例如可以是电致发光显示装置或光致发光显示装置。在显示装置1000为电致发光显示装置的情况下，电致发光显示装置可以是有机电致发光显示装置(organic light emitting diode，简称oled)或量子点电致发光显示装置(quantum dot light emitting diodes，简称qled)。在该显示装置为光致发光显示装置的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示装置。
[0043]
示例性的，上述显示装置1000可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理、手持式或便携式计算机、全球定位系统接收器/导航器、相机、视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。
[0044]
请参阅图1，显示装置1000包括框架1、盖板2、显示基板3、电路板4以及包括摄像头等其他电子配件。
[0045]
其中，框架1的纵截面呈u型，显示基板3、电路板4以及包括摄像头等的其他电子配件设置于框架1内，电路板4位于显示基板3和框架1之间，盖板2位于显示基板3远离电路板4的一侧。
[0046]
本公开一些实施例提供一种显示基板3，该显示基板3可以应用于上述的显示装置1000中，当然，该显示基板3也可以应用于其他显示装置中，本公开对此不做限制。
[0047]
在一些示例中，请参阅图2和图3，该显示基板3具有透光显示区a1和常规显示区a2，常规显示区a2至少部分围绕透光显示区a1。
[0048]
此处，透光显示区a1的数量可以为至少一个，常规显示区a2的数量例如可以为一个。下面，如图3所示，以透光显示区a1的数量为一个为例，对显示基板3的结构进行示意性说明。
[0049]
示例性的，常规显示区a2可以包围透光显示区a1。此时，透光显示区a1的形状例如可以为圆形、椭圆形或矩形等。
[0050]
示例性的，常规显示区a2可以围绕透光显示区a1的一部分，也即，常规显示区a2的边界的一部分与透光显示区a1的边界的一部分重叠。此时，透光显示区a1的形状例如可以为矩形、圆角矩形、水滴形或半圆形等。
[0051]
示例性的，如图2所示，在将显示基板3应用于上述的显示装置1000中时，上述显示装置1000还可以包括设置在显示基板3的非出光侧的光学元件5。其中，光学元件5在显示基板3上的正投影至少部分位于显示基板3的透光显示区a1。
[0052]
需要说明的是，“光学元件5在显示基板3上的正投影至少部分位于显示基板3的透
光显示区a1”包括光学元件5在显示基板3上的正投影整体位于透光显示区a1，以及光学元件5在显示基板3上的正投影部分位于透光显示区a1两种情况。
[0053]
此外，显示基板3的显示侧用于显示画面，显示基板3的非出光侧是指与显示基板3的显示侧相对的另一侧。
[0054]
示例性的，光学元件5可以包括感光器件。示例性的，该感光器件可以包括图像采集器(例如摄像头)或红外接收器等。
[0055]
此处，光学元件5的设置数量可以根据实际需要选择设置。
[0056]
示例性的，光学元件5对应设置在透光显示区a1，且位于显示基板3的非出光侧后，外界光线能够透过显示基板3的透光显示区a1，入射至光学元件5，使得光学元件5能够进行工作。
[0057]
示例性的，在光学元件5未进行工作的情况下，显示基板3位于透光显示区a1的部分能够进行显示，使得显示基板3整体能够显示图像。或者，显示基板3位于透光显示区a1的部分正常显示，使得显示基板3整体能够显示图像的同时，光学元件5也能正常进行工作。
[0058]
例如，在光学元件5(例如图像采集器)工作(例如用户自拍)的情况下，上述透光显示区a1可以呈现黑色画面，常规显示区a2呈现用户自拍的画面。又例如，在光学元件5(例如图像采集器)工作(例如用户自拍)的情况下，透光显示区a1和常规显示区a2整体呈现用户自拍的画面。
[0059]
在一些实现方式中，为了使设置在显示基板3的非出光侧的光学元件5可以通过透光显示区a1获取图像，采用降低ppi(pixels per inch，像素密度)的方式，即减少透光显示区a1的像素个数，提高透光显示区a1的透光率。但是，在显示基板3显示图像时，透光显示区a1和常规显示区a2的ppi不同，会使得透光显示区a1的显示效果和常规显示区a2的显示效果存在较大差异，可能伴随有衍射条纹，影响观看者的视觉效果。
[0060]
基于此，本公开提供了一种显示基板3，显示基板3的具体结构如下所述。
[0061]
在一些示例中，请参阅图4，该显示基板3包括背板10、设置于背板10的一侧的多个发光器件20。
[0062]
在一些示例中，背板10包括衬底11、以及设置在衬底11一侧的像素电路层12。
[0063]
其中，上述衬底11的类型包括多种，可以根据实际需要选择设置。
[0064]
示例性的，上述衬底11可以为刚性衬底。其中，该刚性衬底可以为玻璃衬底或pmma(polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底等。
[0065]
示例性的，上述衬底11可以为柔性衬底。其中，该柔性衬底可以为pet(polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底、pen(polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底或pi(polyimide，聚酰亚胺)衬底等。此时，上述显示基板3例如可以实现柔性显示。
[0066]
示例性的，像素电路层12包括多个像素驱动电路121。
[0067]
示例性的，像素驱动电路与一条栅扫描信号线和一条数据信号线耦接。像素驱动电路在栅扫描信号线所传输的栅扫描信号的控制下，将数据信号线所传输的电压信号传输给发光器件，从而驱动发光器件发光。
[0068]
上述像素驱动电路121的结构包括多种，可以根据实际需要选择设置。例如，像素驱动电路可以为“2t1c”、“6t1c”、“7t1c”、“6t2c”或“7t2c”等结构。此处，“t”表示为晶体管，
transporting layer，简称etl)、电子注入层(election injection layer，简称eil)、空穴阻挡层(hole blocking layer，简称hbl)、空穴传输层(hole transporting layer，简称htl)、电子阻挡层(electron blocking layer，简称ebl)以及空穴注入层(hole injection layer，简称hil)中的一层或多层。在显示基板3为有机电致发光显示基板的情况下，发光层为有机发光层。在显示基板3为量子点电致发光显示基板的情况下，发光层为量子点发光层。
[0083]
示例性的，像素驱动电路121和发光器件20电连接。其中，两者之间的电连接关系包括多种，具体可以根据实际需要选择设置，本公开对此不作限定。
[0084]
例如，像素驱动电路121和发光器件20可以一一对应地电连接。又如，一个像素驱动电路121可以与多个发光器件20电连接。又如，多个像素驱动电路121可以与一个发光器件20电连接。
[0085]
可以理解的是，像素驱动电路121能够生成驱动信号，并将该驱动信号传输至相应的发光器件20，以控制发光器件20的发光状态。该发光状态例如包括发光器件20是否发光，或者发光器件20的发光亮度。多个像素驱动电路共同控制上述多个发光器件20的发光状态，进而可以使得显示基板3实现画面显示。
[0086]
在一些实施例中，如图4所示，位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度为h1，位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度为h2。
[0087]
在一些示例中，位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1，小于位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2。
[0088]
例如，位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1可以为15nm，位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2为20nm；又例如，位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1可以为30nm，位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2为35nm。
[0089]
由于，第一电极21的材料包括金属材料，金属材料会遮挡光线，通过使位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度，小于位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度，能够提高显示基板3位于透光显示区a1的部分的透光率。这样在将显示基板3应用至显示装置1000中，并在显示基板3的非出光侧，且在透光显示区a1设置光学元件5的情况下，外界光线可以透过显示基板3位于透光显示区a1的部分入射至光学部件5，被光学部件5采集，并使得光学部件5能够正常工作。
[0090]
在一些示例中，如图4所示，第一电极21包括两层透明电极层211以及位于两层透明电极层211之间的金属层212时；位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21中金属层212的厚度，小于位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21中金属层212的厚度。
[0091]
此时，位于透光显示区a1的发光器件20的透明电极层211的厚度，与位于常规显示区a2的发光器件20的透明电极层211的厚度可以相等，也可以不相等，本技术的实施例对此不做限制。
[0092]
例如，位于透光显示区a1的发光器件20的金属层212的厚度范围为5nm～10nm；位于常规显示区a2的发光器件20的金属层212的厚度范围为5nm～15nm；位于透光显示区a1的发光器件20的透明电极层211的厚度，与位于常规显示区a2的发光器件20的透明电极层211的厚度范围相同，且均为5nm～15nm。
[0093]
采用上述设置，使得透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度，小于位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度，能够进一步提高显示基板3位于透光显示区a1的部分的透光率。
[0094]
在一些示例中，请参阅图4，该显示基板3还包括像素界定层30，像素界定层30具有多个像素界定层开口31，该像素界定层开口31限定出发光器件的发光区域。
[0095]
在一些示例中，发光部22和第二电极23至少部分位于像素界定层开口31内。
[0096]
需要说明的是，“发光部22和第二电极23至少部分位于像素界定层开口31内”包括发光部22和第二电极23部分位于像素界定层开口31内，以及发光部22和第二电极23完全位于像素界定层开口31等多种情况。
[0097]
示例性的，像素界定层30的厚度范围为1.0μm～3.0μm。例如，像素界定层30的厚度可以为1.0μm、1.5μm、2.0μm、2.5μm、3.0μm。
[0098]
示例性的，像素界定层30的坡度角范围为20
°
～45
°
。例如，像素界定层的坡度角可以为20
°
、25
°
、30
°
、35
°
、45
°
。
[0099]
上述像素界定层30的坡度角是指：膜层的侧面与膜层的底面之间的夹角。
[0100]
需要说明的是，在一些示例中，像素界定层30仅位于常规显示区a2。像素界定层30在透光显示区a1中相邻的两个发光器件20之间被去除，由此进一步提高透光显示区a1的透光率。
[0101]
在一些示例中，该显示基板3还包括设置于多个发光器件20上的成膜抑制层40。
[0102]
在一些示例中，成膜抑制层40的材料包括有机材料。例如，有机材料可以包括多环芳香族化合物，还包括一种或多种杂原子比如氮(n)、硫(s)、氧(o)、磷(p)和铝(a1)的有机分子。
[0103]
在另一些示例中，成膜抑制层40的材料包括小分子有机材料和有机聚合物。
[0104]
需要说明的是，第二电极23的材料包括金属材料，成膜抑制层40的透光率与第二电极23的透光率相比，成膜抑制层40的透光率大于第二电极23的透光率。
[0105]
示例性的，成膜抑制层40对第二电极23的材料有排斥作用，能够抑制第二电极23的材料在成膜抑制层40的表面上进行沉积。
[0106]
在一些示例中，成膜抑制层40至少部分位于透光显示区a1。
[0107]
需要说明的是，“成膜抑制层40至少部分位于透光显示区a1”包括成膜抑制层40整体位于透光显示区a1，以及成膜抑制层40部分位于透光显示区a1两种情况。
[0108]
在一些示例中，成膜抑制层40包括多个成膜抑制层开口41。
[0109]
示例性的，位于透光显示区a1的发光器件20的第二电极23的至少部分位于成膜抑制层开口41内。
[0110]
需要说明的是，“位于透光显示区a1的发光器件20的第二电极23的至少部分位于成膜抑制层开口41内”可以是位于透光显示区a1的发光器件20的第二电极23整体位于成膜抑制层开口41内；也可以是位于透光显示区a1的发光器件20的第二电极23的部分位于成膜抑制层开口41内。本公开各个实施例对此不做限定。例如，位于透光显示区a1的发光器件20的第二电极23整体位于成膜抑制层开口41内，如图4所示。
[0111]
可以理解的是，第二电极23采用金属材料形成，金属材料形成的第二电极23会对光线进行遮挡，影响透光显示区a1的透光率。本实施例中，通过在透光显示区a1设置成膜抑
制层40，抑制了第二电极23的材料在成膜抑制层40的表面上进行沉积，使得第二电极23在成膜抑制层40处镂空，减少了透光显示区a1中能够对光线进行遮挡的结构，从而使得显示基板3位于透光显示区a1的部分具有较高的透光率；这样在将显示基板3应用至显示装置1000中，并在显示基板3的非出光侧，且在透光显示区a1设置光学元件5的情况下，外界光线可以透过显示基板3位于透光显示区a1的部分入射至光学部件5，被光学部件5采集，并使得光学部件5能够正常工作。
[0112]
在此基础上，可以将透光显示区a1和常规显示区a2的像素密度设置成一致的，从而改善透光显示区a1和常规显示区a2因为像素密度差异而导致的显示效果存在较大差异的问题，提高了观看者的观看效果。
[0113]
需要说明的是，透光显示区a1的像素密度和常规显示区a2的像素密度也可以不同，本技术的实施例对此不做限制。
[0114]
在一些实施例中，成膜抑制层40对于第二电极23的材料的初始粘着概率小于或等于0.02。
[0115]
示例性的，成膜抑制层40对于第二电极23的材料的初始粘着概率可以为0.02、0.018、0.015、0.01、0.005等，本公开的实施例对此不做限制。
[0116]
需要说明的是，成膜抑制层40的成膜抑制的一个量度是其表面对于第二电极23的材料(例如，第二电极23的材料为镁(mg)，第二电极23通过蒸镀形成)的初始粘着概率。此处，“成膜抑制层40对于第二电极23的材料的初始粘着概率”是指第二电极23的材料在成膜抑制层40上沉积的概率。可以理解的是，成膜抑制层40对于第二电极23的材料的初始粘着概率越小，第二电极23的材料在成膜抑制层40上沉积的概率越小。例如，关于镁的成膜抑制层可以指的是，成膜抑制层40具有对于镁蒸气相对低的初始粘着概率的表面，以便抑制镁在成膜抑制层40的表面上的沉积。
[0117]
本实施例中，成膜抑制层40对于第二电极23的材料的初始粘着概率小于或等于0.02，可以更好的抑制第二电极23的材料在成膜抑制层40的表面上的沉积，使得第二电极23在成膜抑制层40处镂空，从而使得显示基板3位于透光显示区a1的部分具有较高的透光率。
[0118]
在一些实施例中，成膜抑制层40的厚度范围为：5nm～50nm。示例性的，成膜抑制层40的厚度可以为5nm、20nm、30nm、40nm、50nm等，本公开的实施例对此不做限制。
[0119]
需要说明的是，成膜抑制层40的厚度如果过小，会导致成膜抑制层40不能很好的抑制第二电极23的材料在成膜抑制层40的表面上的沉积；成膜抑制层40的厚度如果过大，既不利于显示基板3的轻薄化，也会在一定程度上影响显示基板3的显示效果。本实施例中，通过使成膜抑制层40的厚度范围为5nm～50nm，既可以保证成膜抑制层40能够很好的抑制第二电极23的材料在成膜抑制层40的表面上的沉积，而且，可以在保证了显示基板3的轻薄化的基础上，保证显示基板3具有较好的显示效果。
[0120]
在一些实施例中，位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1，位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2，满足：
[0121]
[0122]
示例性的，的值例如可以为：0.45、0.50、0.55、0.60、0.65等。
[0123]
通过上述设置，减小了位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度，也即，减薄了位于透光显示区a1中能够对光线进行遮挡的结构的厚度，进一步提高了显示基板3位于透光显示区a1的部分的透光率。
[0124]
在一些实施例中，请参阅图3，显示基板3还具有过渡区a3，过渡区a3位于透光显示区a1和常规显示区a2之间。
[0125]
在一些示例中，过渡区a3的透光率大于常规显示区a2的透光率，且小于透光显示区a1的透光率。
[0126]
示例性的，过渡区a3的像素密度、透光显示区a1的像素密度和常规显示区a2的像素密度可以相同，也可以不同，本技术的实施例对此不做限制。
[0127]
例如，过渡区a3的像素密度、透光显示区a1的像素密度和常规显示区a2的像素密度均相同。又例如，过渡区a3的像素密度和常规显示区a2的像素密度相同，且过渡区a3的像素密度和常规显示区a2的像素密度均大于透光显示区a1的像素密度。
[0128]
示例性的，请参阅图5，成膜抑制层40还位于过渡区a3，位于过渡区a3的第二电极23的至少部分位于成膜抑制层开口41内。
[0129]
需要说明的是，“位于过渡区a3的第二电极23的至少部分位于成膜抑制层开口41内”可以是位于过渡区a3的第二电极23整体位于成膜抑制层开口41内；也可以是位于过渡区a3的第二电极23的部分位于成膜抑制层开口41内。本公开各个实施例对此不做限定。例如，位于过渡区a3的第二电极23整体位于成膜抑制层开口41内，如图5所示。
[0130]
本实施中，通过使成膜抑制层40还位于过渡区a3，位于过渡区a3的第二电极23的至少部分位于成膜抑制层开口41内，使得过渡区a3的透光率位于常规显示区a2的透光率和透光显示区a1的透光率之间，从而实现常规显示区a2到透光显示区a1较好的过渡显示，从而弱化界面差异，降低常规显示区a2与透光显示区a1的边界区域的异常显示的概率，提高显示基板3的良率。
[0131]
在一些实施例中，如图6所示，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度为h3，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3小于位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2。
[0132]
例如，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3可以为15nm，位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2为20nm。
[0133]
需要说明的是，在位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3小于位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2时，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3与位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1可以相同，也可以不同，本公开的实施例对此不做限制。
[0134]
在一些示例中，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3大于位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1。
[0135]
例如，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3可以为20nm，位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1为15nm。
[0136]
需要说明的是，在位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3大于位于透
光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1时，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3与位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2可以相同，也可以不同，本公开的实施例对此不做限制。
[0137]
在又一些示例中，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3小于位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2，且位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3大于位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1，从而实现过渡区a3的透光率大于常规显示区a2的透光率，且小于透光显示区a1的透光率。
[0138]
采用上述设置，使得过渡区a3的透光率大于常规显示区a2的透光率，且小于透光显示区a1的透光率，从而实现常规显示区a2到透光显示区a1较好的过渡显示，改善了由于常规显示区a2和透光显示区a1的显示差异，影响观看者的视觉效果的问题，提高了显示基板3的显示均一性，提高显示基板3显示的图像的品质。
[0139]
在一些实施例中，如图6所示，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度小于位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度。
[0140]
例如，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度范围为5nm～10nm，位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度范围为5nm～15nm。
[0141]
需要说明的是，在位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度小于位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度时，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度与位于透光显示区a1的发光器件20中的金属层212的厚度可以相同，也可以不同，本公开的实施例对此不做限制。
[0142]
在一些示例中，如图5所示，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度大于位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度。
[0143]
例如，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度范围为5nm～15nm，位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度范围为5nm～10nm。
[0144]
需要说明的是，在位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度大于位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度时，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度与位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21中的金属层212的厚度可以相同，也可以不同，本公开的实施例对此不做限制。
[0145]
采用上述设置，使得过渡区a3的透光率大于常规显示区a2的透光率，且小于透光显示区a1的透光率，从而实现常规显示区a2到透光显示区a1较好的过渡显示，改善了由于常规显示区a2和透光显示区a1的显示差异，影响观看者的视觉效果的问题，提高了显示基板3的显示均一性，提高显示基板3显示的图像的品质。在一些实施例中，请参阅图4～图6，显示基板3还包括：透明电极连接层50。
[0146]
示例性的，透明电极连接层50至少位于透光显示区a1，透明电极连接层50覆盖成膜抑制层40和位于成膜抑制层开口41内的第二电极23。
[0147]
需要说明的是，“透明电极连接层50至少位于透光显示区a1”可以是透明电极连接层50位于透光显示区a1，如图4和图6所示；也可以是成膜抑制层40位于显示基板3的过渡区
a3时，透明电极连接层50除位于透光显示区a1外，还位于过渡区a3，如图5所示。
[0148]“透明”是指光线可以穿过的透明的结构，也即透光结构，该结构具有较高的透光率。示例的，本公开中透明电极连接层50能够使外界光线透过，进而入射至光学部件，被光学部件采集。
[0149]
本实施例中，通过透明电极连接层50，将位于透光显示区a1的多个第二电极23连接在一起，第二电极23与透明电极连接层50并联且电连接，用于共同传输公共电信号，降低了公共电信号传输路径上的电阻，从而降低了公共电信号传输过程中的压降，进而改善了显示基板3的亮度均匀性，同时降低了显示基板3的功耗。
[0150]
在一些实施例中，透明电极连接层50的材料包括氧化铟锡和/或氧化铟锌。
[0151]
氧化铟锡(indium tin oxide，简称：ito)主要由in2o3和sno2混合而成，其光的透过性较好，导电性能好。氧化铟锌(indium zinc oxide，简称：izo)同样具有较好的光的透过性和导电性能。以氧化铟锡为例，可采用溅射如pvd(physical vapor deposition，物理气相沉积)在成膜抑制层40上沉积一层ito薄膜，形成透明电极连接层50。采用氧化铟锡或氧化铟锌制成的透明电极连接层50，均可以减少对光的遮挡，从而提高透光显示区a1的透光率。
[0152]
需要说明的是，氧化铟锡或氧化铟锌可能存在多种形态，本公开的实施例不对氧化铟锡或氧化铟锌的形态做出限定，即包括所有形态。以氧化铟锡为例，包括非晶氧化铟锡和多晶氧化铟锡。可在形成透明电极连接层50后，将非晶氧化铟锡退火转化成多晶氧化铟锡。
[0153]
在一些实施例中，请参阅图4～图6，显示基板3还包括：设置在成膜抑制层40远离背板1一侧的光取出层60。
[0154]
示例性的，在光取出层60位于成膜抑制层40远离背板1的一侧时，光取出层60与第二电极23接触。
[0155]
示例性的，在显示基板3还包括透明电极连接层50时，光取出层60位于透明电极连接层50远离背板10的一侧。
[0156]
cpl(capping layer，光取出层60)位于第二电极23的上方，其作用为对第二电极形成保护；在此基础上，光取出层的材料具有高折射率、低吸收光系数的特性，有利于提升发光器件20的光取出效果。在此基础上，还可以通过改变光取出层60的厚度调整微腔长度，对发光器件20的色偏及效率进行调整。
[0157]
在一些实施例中，光取出层60的折射率大于1.9。
[0158]
示例性的，光取出层60的折射率可以为2.0、2.1、2.2、2.3、2.4等。
[0159]
采用上述设置，能够保证通过光取出层60，提升发光器件20的光取出效果。
[0160]
在一些示例中，显示基板3还包括位于光取出层60远离背板一侧的封装层70。
[0161]
封装层70可以为封装薄膜(thin film encapsulation，简称tfe)，也可以为封装基板。封装层70被配置为将像素驱动电路和多个发光器件20封装在衬底11上，以阻隔水氧，避免水氧对发光器件20造成侵蚀，从而影响发光器件20的发光效率及使用寿命。
[0162]
示例性的，封装层70包括依次层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层。
[0163]
第一无机层和第二无机层起到主要的阻隔水和/或氧入侵发光器件20的作用，有机层起到辅助封装和平坦化的作用，也就是说有机层远离背板的一侧表面越平坦，封装层
远离背板的一侧表面越平坦。
[0164]
示例性的，第一无机层和第二无机层，可采用氮化物、氧化物、氮氧化物、硝酸盐、碳化物或其任何组合的无机材料制作而成。有机层32可采用腈纶、六甲基二硅氧皖、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯等材料制作而成。
[0165]
在一些示例中，位于透光显示区a1的像素驱动电路121的分布密度，小于或等于位于常规显示区a2的像素驱动电路121的分布密度。
[0166]
示例性的，在降低透光显示区a1的像素密度时，上述“位于透光显示区a1的像素驱动电路121的分布密度，小于位于常规显示区a2的像素驱动电路121的分布密度”，可以是将与位于透光显示区a1的发光器件20连接的像素驱动电路121设置在常规显示区a2。
[0167]
示例性的，可以通过将与位于常规显示区a2的发光器件20连接的像素驱动电路121进行压缩，以便将与位于透光显示区a1的发光器件20连接的像素驱动电路121放置在常规显示区a2。
[0168]
需要说明的是，像素驱动电路121需要对电信号进行良好地传输。因此，像素驱动电路121的一部分会采用金属材料形成。可以理解的是，金属材料形成的结构能够对光线进行遮挡。通过将与位于透光显示区a1的发光器件20连接的像素驱动电路121放置在常规显示区a2，进一步减少了透光显示区a1中能够对光线进行遮挡的结构，外界光线也便能够从显示基板3位于透光显示区a1的部分的一侧(例如出光侧)，穿过任意相邻两个发光器件20之间的间隙，从显示基板3位于透光显示区a1的部分的另一侧(例如非出光侧)出射，使得显示基板3位于透光显示区a1的部分具有较高的透光率。
[0169]
本公开的一些实施例提供了一种显示基板的制备方法，用于制备以上一些实施例所提供的显示基板3。
[0170]
图7为根据一些实施例的发光器件的制备方法的流程图。该制备方法包括步骤s1～s5。
[0171]
s1：如图8a所示，提供背板10。
[0172]
其中，背板10的相关说明，可以参照上述一些实施例中的说明，此处不再赘述。
[0173]
s2：如图8b所示，在背板10的一侧形成第一电极层021；第一电极层包括多个第一电极21。
[0174]
其中，第一电极层021的材料和结构的相关说明，可以参考上述一些实施例中的说明，此处不再赘述。
[0175]
示例性的，第一电极层021可以通过溅射工艺形成。
[0176]
示例性的，位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度为h1，位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度为h2，位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度为h3。位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1，位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2以及位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3的大小关系可以参考上述一些实施例中的说明，此处不再赘述。
[0177]
s3：如图8c所示，在第一电极层021远离背板10的一侧形成发光层022，发光层022包括多个发光部22。
[0178]
示例性的，在形成发光层时，可以采用喷墨打印或其他工艺。
[0179]
示例性的，多个发光部22可以连续设置，即，多个发光部22之间没有间隙；多个发
光部22也可以间隔设置，本公开的实施例对此不做限制。例如，多个发光部22间隔设置，如图8c所示。
[0180]
在一些示例中，在第一电极层021远离背板10的一侧形成发光层022之前，还包括，形成像素界定层30，具有多个像素界定层开口31，该像素界定层开口31限定出发光器件的发光区域。
[0181]
s4：如图8d所示，在发光层022远离背板10的一侧形成成膜抑制层40。
[0182]
示例性的，成膜抑制层40位于透光显示区a1，且成膜抑制层40包括多个成膜抑制层开口41。
[0183]
示例性的，第一电极21在背板10上的正投影至少部分位于成膜抑制层开口41在背板10上的正投影围成的区域内。
[0184]
示例性的，可以通过蒸镀、打印、溅射等工艺形成成膜抑制层40。
[0185]
需要说明的是，在通过打印、蒸镀工艺形成成膜抑制层40时，首先，在在发光层022远离背板10的一侧形成一整层成膜抑制层，然后刻蚀形成多个成膜抑制层开口41，最终形成上述成膜抑制层40。
[0186]
s5：如图8e所示，形成第二电极层023，第二电极层023包括多个第二电极23，位于透光显示区a1的发光器件20的第二电极23的至少部分位于成膜抑制层开口41内。
[0187]
示例性的，第二电极层023可以通过蒸镀、打印、溅射等工艺形成。
[0188]
其中，如图8e所示，“位于透光显示区a1的发光器件20的第二电极23的至少部分位于成膜抑制层开口41内”可以是位于透光显示区a1的发光器件20的第二电极23整体位于成膜抑制层开口41内；也可以是位于透光显示区a1的发光器件20的第二电极23的部分位于成膜抑制层开口41内。本公开各个实施例对此不做限定。例如，位于透光显示区a1的发光器件20的第二电极23整体位于成膜抑制层开口41内。
[0189]
在一些示例中，在步骤s5之后，还包括：
[0190]
s6：如图8f所示，在成膜抑制层40和第二电极层023整体远离背板10的一侧形成透明电极连接层50。
[0191]
其中，透明电极连接层50的材料和结构的相关说明，可以参考上述一些实施例中的说明，此处不再赘述。
[0192]
s7：如图8f所示，在透明电极连接层50远离背板10的一侧形成光取出层60。
[0193]
其中，光取出层60的相关说明，可以参考上述一些实施例中的说明，此处不再赘述。
[0194]
s8：如图8f所示，在光取出层60远离透明电极连接层500的一侧形成封装层70。
[0195]
其中，封装层70的相关说明，可以参考上述一些实施例中的说明，此处不再赘述。
[0196]
本实施例中，通过在形成第二电极层023前，形成具有成膜抑制层开口41的成膜抑制层40，利用成膜抑制层40对第二电极层023的材料的排斥作用，使得第二电极层023在成膜抑制层40处镂空，第二电极23的至少部分位于成膜抑制层开口41内，减少了透光显示区a1中能够对光线进行遮挡的结构，从而使得显示基板3位于透光显示区a1的部分具有较高的透光率。
[0197]
在一些实施例中，在背板10的一侧形成第一电极层021，第一电极层包括多个第一电极21，包括s21a～s22a。
[0198]
s21a：如图9a所示，在背板10的一侧形成第一子电极层0211，第一子电极层0211位于常规显示区a2和过渡区a3，第一子电极层0211包括多个第一电极21。
[0199]
此时，位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度h2与位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3相等。
[0200]
s22a：如图9b所示，在背板10的一侧形成第二子电极层0212，第二子电极层0212位于透光显示区a1，第二子电极层0212包括多个第一电极21。
[0201]
示例性的，第一子电极层0211的厚度大于第二子电极层0212的厚度。
[0202]
通过上述制作方法，使得位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度，小于位于常规显示区a2和过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度，提高了显示基板3位于透光显示区a1的部分的透光率，在此基础上，成膜抑制层40还位于过渡区a3，且位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21至少部分位于成膜抑制层40的成膜抑制层开口41内，使得过渡区a3的透光率大于常规显示区a2的透光率，且小于透光显示区a1的透光率，从而实现常规显示区a2到透光显示区a1较好的过渡显示，改善了由于常规显示区a2和透光显示区a1的显示差异，影响观看者的视觉效果的问题，提高了显示基板3的显示均一性，提高显示基板3显示的图像的品质。
[0203]
在一些实施例中，在背板10的一侧形成第一电极层021，第一电极层包括多个第一电极21，包括s21b～s22b。
[0204]
s21b：如图10a所示，在背板10的一侧形成第一子电极层0211，第一子电极层0211位于常规显示区a2，第一子电极层0211包括多个第一电极21。
[0205]
s22b：如图10b所示，在背板10的一侧形成第二子电极层0212，第二子电极层0212位于透光显示区a1和和过渡区a3，第二子电极层0212包括多个第一电极21。
[0206]
此时，位于透光显示区a1的发光器件20的第一电极21的厚度h1与位于过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度h3相等。
[0207]
示例性的，第一子电极层0211的厚度大于第二子电极层0212的厚度。
[0208]
通过上述制作方法，使得位于透光显示区a1和过渡区a3的发光器件20的第一电极21的厚度，小于位于常规显示区a2的发光器件20的第一电极21的厚度，提高了显示基板3位于透光显示区a1的部分的透光率，在此基础上，成膜抑制层40仅位于透光显示区a1使得过渡区a3的透光率大于常规显示区a2的透光率，且小于透光显示区a1的透光率，从而实现常规显示区a2到透光显示区a1较好的过渡显示，改善了由于常规显示区a2和透光显示区a1的显示差异，影响观看者的视觉效果的问题，提高了显示基板3的显示均一性，提高显示基板3显示的图像的品质。
[0209]
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。