一种基于微结构的陶瓷材料的制备方法及其应用与流程

技术特征：
1.一种基于微结构的陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在陶瓷基体的表面加工微结构层，将隔热材料与加工完成的陶瓷基体连接，即得陶瓷材料；其中，所述微结构层由若干周期排列的凸台组成，所述凸台的底面与陶瓷基体连接；所述凸台的底面和顶面为同心正方形，顶面的正方形边长小于底面的正方形边长；所述凸台的横截面形状为梯形，所述梯形的下底边与陶瓷基体连接。2.根据权利要求1所述的一种基于微结构的陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述微结构层包括第一结构层，或者，所述微结构层包括第一结构层和第二结构层，所述第一结构层和第二结构层分别设置在陶瓷基体的两面；所述第一结构层由若干第一凸台组成，所述第二结构层由若干第二凸台组成。3.根据权利要求2所述的一种基于微结构的陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述第一凸台的高度h1为6.3～7.3mm，顶部正方形边长a1为3.4～3.8mm，底部正方形边长b1为5.3～6.3mm，周期p1为6.9～7.1mm。4.根据权利要求2所述的一种基于微结构的陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述第二凸台的高度h2为4.9～5.3mm，顶部正方形边长a2为3.1～4.1mm，底部正方形边长b2为4.9～5.1mm，周期p2为6.9～7.1mm。5.根据权利要求2所述的一种基于微结构的陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述第二凸台的底部与陶瓷基体之间设有倒角结构，所述倒角结构具有弧形开口，弧形开口的宽度为1～1.5mm。6.根据权利要求1所述的一种基于微结构的陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述陶瓷基体的介电常数为2.9～3.3，介电损耗角正切值不大于0.008，陶瓷基体的总厚度为16.1～26.5mm。7.根据权利要求2所述的一种基于微结构的陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述隔热材料与第一结构层连接，所述隔热材料的介电常数为1.1～1.4，介电损耗角正切值不大于0.008，隔热材料的厚度为4.8～5.2mm。8.根据权利要求1所述的一种基于微结构的陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述隔热材料通过粘结剂与陶瓷基体连接，所述粘结剂为磷酸二氢铝。9.一种基于权利要求1-8任一所述的基于微结构的陶瓷材料的制备方法制备得到的陶瓷材料，所述陶瓷材料在4～18ghz内透波率达到70％以上。10.一种由权利要求1-8任一所述的制备方法制备得到的陶瓷材料在宽频带天线罩中应用。

技术总结
一种基于微结构的陶瓷材料的制备方法及其应用，包括以下步骤：在陶瓷基体的表面加工微结构层，将隔热材料与加工完成的陶瓷基体连接，即得陶瓷材料；其中，所述微结构层由若干周期排列的凸台组成，所述凸台的底面与陶瓷基体连接；所述凸台的底面和顶面为同心正方形，顶面的正方形边长小于底面的正方形边长；所述凸台的横截面形状为梯形，所述梯形的下底边与陶瓷基体连接。所述陶瓷材料在4～18GHz内透波率可达到70％以上。可达到70％以上。可达到70％以上。


技术研发人员：张萍萍 王洪升 盖莹 韦其红 王永昊 朱保鑫 袁维军 李昌胜
受保护的技术使用者：山东工业陶瓷研究设计院有限公司
技术研发日：2022.08.15
技术公布日：2022/12/16