显示面板、显示设备及显示面板制备方法与流程

1.本技术涉及透明显示技术领域，具体涉及一种显示面板、显示设备及显示面板制备方法。


背景技术：

2.随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，搭配薄膜晶体管的显示面板(thin film transistor，tft)已经越发成熟，像是薄膜晶体管式液晶显示面板(thin film transistor liquid crystal display，tft-lcd)或是有机发光二极管显示面板(thin film transistor organic light-emitting diode，tft-oled)都已成功量产。在厚度、色彩饱和度、对比度、柔性显示等方面，oled显示面板均具有明显的优势，oled显示面板的发展具有广阔的前景。
3.目前透明显示技术中的面板主要运用自发光oled显示面板。运用于透明显示技术的显示面板时具有显示区域以及非显示区域，相关技术中，oled显示面板的透明度较低。如何提高运用于透明显示技术中整个显示面板的透明度成为需要解决的技术问题。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种显示面板、显示设备及显示面板制备方法，以解决如何提高运用于透明显示技术中整个显示面板的透明度的技术问题。
5.第一方面，本技术提供了一种显示面板，包括承载基板，所述承载基板具有多个像素区及多个透明区，所述显示面板还包括多个像素，所述像素设置于所述像素区，所述像素包括：
6.像素限定层，所述像素限定层包括间隔设置的多个挡墙部，相邻的两个所述挡墙部限定子像素区；
7.阴极层，所述阴极层包括多个阴极部，所述阴极部位于所述子像素区，所述阴极层避开所述透明区。
8.本技术提供的显示面板中，承载基板具有多个像素区及多个透明区，显示面板还包括设置于像素区的像素，像素包括像素限定层以及阴极层，像素限定层中相邻的两个挡墙部限定子像素区，阴极层的多个阴极部皆位于子像素区，且整个阴极层避开透明区。本技术显示面板的非显示区域并不会有阴极层的阴极材料，本技术显示面板可以提高非显示区域的光线穿透率，进而提高整个显示面板的透明度。
9.其中，所述阴极层的材质包括锌镁合金。
10.其中，所述阴极层中锌：镁的合金比例范围为2:1-15:1。
11.所述像素还包括电子注入层，所述电子注入层设于所述阴极层靠近所述承载基板的一侧，所述电子注入层的材质包括镱金属。
12.其中，所述阴极层的厚度为3nm-30nm，所述电子注入层的厚度小于等于5nm。
13.其中，所述显示面板还包括：
14.驱动层，所述驱动层设置于所述承载基板的像素区，且位于所述承载基板与所述像素之间，所述驱动层包括多个驱动单元，所述驱动单元用于驱动所述像素；
15.平坦层，所述平坦层设置于所述驱动层背离所述承载基板的表面；
16.所述像素还包括：
17.阳极层，所述阳极层设置于所述平坦层背离所述承载基板的表面，所述阳极层包括多个阳极部，所述阳极部位于相邻的两个所述挡墙部之间；
18.空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述阳极层背离所述承载基板的表面，所述空穴注入层包括多个空穴注入部，所述空穴注入部位于相邻的两个所述挡墙部之间；
19.空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述空穴注入层背离所述承载基板的表面，所述空穴传输层包括多个空穴传输部，所述空穴传输部位于相邻的两个所述挡墙部之间；
20.发光层，所述发光层设置于所述空穴传输层背离所述承载基板的表面，所述发光层具有多个发光部，所述发光部位于相邻的两个所述挡墙部之间；
21.电子传输层，所述电子传输层设置于所述发光层层背离所述承载基板的表面，所述电子传输层具有多个电子传输部，所述电子传输部位于相邻的两个所述挡墙部之间。
22.第二方面，本技术提供了一种显示设备，所述显示设备包括：
23.设备本体及所述显示面板，所述显示面板设置于所述设备本体。
24.第三方面，本技术提供了一种显示面板制备方法，包括：
25.形成承载基板，所述承载基板具有多个像素区及多个透明区；
26.在所述承载基板的一侧形成像素限定层，所述像素限定层包括间隔设置的多个挡墙部，相邻的两个所述挡墙部限定子像素区；及
27.形成阴极层，所述阴极层包括多个阴极部，所述阴极部位于所述子像素区，所述阴极层避开所述透明区。
28.其中，所述形成阴极层包括：
29.提供掩膜版，并于温度≤400℃下，气压＜10-7torr下，沉积速率＜2a/s下，提供锌镁合金靶材进行沉积形成阴极层。
30.其中，在所述形成阴极层之前还包括：
31.形成电子注入层，所述电子注入层位于所述子像素区。
附图说明
32.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1是本技术实施方式一提供的一种显示设备的结构示意图；
34.图2是本技术实施方式一提供的一种显示面板的部分截面结构示意图；
35.图3是本技术实施方式二提供的一种显示面板的部分截面结构示意图；
36.图4是本技术实施方式三提供的一种显示面板制备方法的流程图；
37.图5是本技术实施方式三提供的一种显示面板制备方法流程s500中包含的流程图；
38.图6是本技术实施方式四提供的一种显示面板制备方法的流程图。
39.标号说明：
40.显示设备-1000、显示面板-1、承载基板-10、像素区-11、透明区-12、像素-30、像素限定层-31、挡墙部-311、子像素区-312、阴极层-32、阴极部-321、阳极层-33、阳极部-331、空穴注入层-34、空穴注入部-341、空穴传输层-35、空穴传输部-351、发光层-36、发光部-361、电子传输层-37、电子传输部-371、电子注入层-38、电子注入部-381、驱动层-40、驱动单元-41、平坦层-50、封装层-60、盖板-70、设备本体-2。
具体实施方式
41.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
42.在本文中提及“实施例”或“实施方式”意味着，结合实施例或实施方式描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
43.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
44.在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述的构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
45.在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
46.随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，搭配薄膜晶体管的显示面板(thin film transistor，tft)已经越发成熟，像是薄膜晶体管式液晶显示面板(thin film transistor liquid crystal display，tft-lcd)或是有机发光二极管显示面板(thin film transistor organic light-emitting diode，tft-oled)都已成功量产。在厚度、色彩饱和度、对比度、柔性显示等方面，oled显示面板均具有明显的优势，oled显示面板的发展具有广阔的前景。
47.目前透明显示技术中的面板主要运用自发光oled显示面板。运用于透明显示技术的显示面板时具有显示区域以及非显示区域，相关技术中，oled显示面板的阴极材料为半透明的镁银合金(通常其比例为mg:ag＝10:1)，该阴极材料需超高的蒸镀温度，业内常用温
度约800℃，而oled蒸镀过程如果使用高精细金属掩膜版(fine metal mask，fmm)，高精细金属掩膜版不能承受如此之高温，会变形并发生膨胀，影响像素的开口大小以及对位精度。oled显示面板的阴极通常采用无掩膜板(open mask)的方式进行整面蒸镀，使得显示面板的非显示区域也会蒸镀一层阴极材料，阴极材料一般为金属材质会对光线产生阻挡进而使得非显示区域的光线穿透率降低以及整个显示面板的透明度降低。如何提高运用于透明显示技术中整个显示面板的透明度以及显示面板的非显示区域的光线穿透率成为需要解决的技术问题。
48.请参照图1，本技术提供了一种显示设备1000，所述显示设备1000包括设备本体2及显示面板1，所述显示面板1设置于所述设备本体2。
49.透明显示技术可广泛运用户外商显设备、智能厨房内的设备、展厅相关设备等多个领域。可选地，所述显示设备1000包括但不限于为户外商显的广告装置、具有透明显示功能的智能冰箱、展厅的展览设备或其他领域的显示设备1000，本技术对此不作具体的线的。举例而言，当所述显示设备1000为户外商显的广告装置时，所述设备本体2为广告屏支架，所述显示面板1为广告屏；当所述显示设备1000为具有透明显示功能的智能冰箱时，所述设备本体2为冰箱主体，所述显示面板1为冰箱的壳体或信息显示屏；当所述显示设备1000为展厅的展览设备时，所述设备主体为展览台，所述显示面板1为展览显示屏。
50.请参照图2，所述显示面板1包括承载基板10，所述承载基板10具有多个像素区11及多个透明区12。所述显示面板1还包括多个像素30，所述像素30设置于所述像素区11。所述像素30包括像素限定层31以及阴极层32。所述像素限定层31包括间隔设置的多个挡墙部311，相邻的两个所述挡墙部311限定子像素区312。所述阴极层32包括多个阴极部321，所述阴极部321位于所述子像素区312，所述阴极层32避开所述透明区12。
51.在本实施方式中，所述承载基板10可以为柔性基板，可选的，所述承载基板10可以采用下述材料中的任意一种或多种制成：聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate two formic acid glycol estr，pen)、环烯烃聚合物(cyclo-olefinpolymer，cop)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚苯乙烯(polystyrene，ps)、聚丙烯(polypropylene，pp)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，ptfe)。在其他实现方式中，所述承载基板10也可以选用非柔性基板，比如，玻璃、陶瓷等，本技术对此不做限制。
52.所述承载基板10具有多个像素区11及多个透明区12，换言之，即所述承载基板10划分为多个像素区11以及多个透明区12。在本实施方式中，所述像素区11与所述透明区12的面积比例等于或约等于1:2，在其他实施方式中，所述像素区11与所述透明区12的面积比例也可以为其他比值，本技术对此不作具体限定。可选地，所述像素区11与所述透明区12的排布方式包括但不限于为矩阵排布。需要说明的是，所述显示面板1的包括有显示区域以及非显示区域，所述显示区域的位置对应于所述基板的像素区11，所述非显示区域的位置即对应于所述基板的透明区12。
53.所述显示面板1还包括多个所述像素30，所述像素30设置于所述像素区11，且不同的所述像素30设置于不同的所述像素区11，换言之，即一个所述像素区11内设置有一个所述像素30。
54.所述像素30包括像素限定层31以及阴极层32。所述像素限定层31包括间隔设置的
多个挡墙部311，相邻的两个所述挡墙部311限定子像素区312。所述像素30还包括有多个子像素，所述子像素即位于所述子像素区312内。在本实施方式中，一个所述像素30包括三个所述子像素，且三个所述子像素分别为红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，在其他实施方式中，一个所述像素30还能包括有2个子像素、或4个子像素、或5个子像素或其他数量的子像素，本技术对此不作限定。
55.所述阴极层32包括多个阴极部321，所述阴极部321位于所述子像素区312，换言之，即一个所述子像素包括有一个所述阴极部321。
56.所述阴极层32避开所述透明区12。具体地，所述承载基板10上的所述像素区11才设有所述阴极层32，所述透明区12不设有所述阴极层32。
57.本技术提供的所述显示面板1中，所述承载基板10具有多个像素区11及多个透明区12，所述像素30包括像素限定层31以及阴极层32，所述像素限定层31中相邻的两个所述挡墙部311限定所述子像素区312，所述阴极层32的多个所述阴极部321皆位于所述子像素区312，且整个所述阴极层32避开所述透明区12。本技术所述显示面板1的非显示区域并不会有所述阴极层32的阴极材料，相较于相关技术中显示面板1的非显示区域上设有会阻挡光线的阴极材料，本技术所述显示面板1可以提高所述非显示区域的光线穿透率，进而提高整个所述显示面板1的透明度。
58.需要说明的是，所述阴极层32的厚度越小，其自身的方块电阻越大；所述阴极层32的厚度越大，其自身的方块电阻越小。因此，当所述阴极层32的厚度小于3nm时，使得所述阴极层32的方块电阻过大导致所述阴极层32的电流效率下降；当所述阴极层32的厚度大于30nm时，可能导致所述显示面板1的发光效果下降。
59.因此，所述阴极层32的厚度为3nm-30nm时为最佳情况，既能保证所述阴极层32的电流效率达标，又能保证所述显示面板1的发光效果不下降。
60.可选地，所述阴极层32的厚度包括但不限于为3nm、或5nm、或10nm、或16nm、或18nm、或22nm、或25nm、或30nm、或处于3nm-30nm内的其他数值。
61.在本实施方式中，以所述阴极层32的厚度为8nm进行举例，当所述阴极层32的厚度为8nm时，所述阴极层32的光线透过率为62％，所述阴极层32所反射的光线亮度为5300cd/m2。以所述阴极层32的厚度为15nm进行举例，当所述阴极层32的厚度为15nm时，所述阴极层32的光线透过率为53％，所述阴极层32所反射的光线亮度为5800cd/m2。
62.需要说明的是，在相关技术中，显示面板的阴极材料一般为半透明的镁银合金(通常其比例为mg:ag＝10:1)。该阴极材料需超高的蒸镀温度，业内常用温度约800℃，而显示面板蒸镀过程如果使用高精细金属掩膜版(fine metal mask，fmm)，高精细金属掩膜版不能承受如此之高温，会变形并发生膨胀，影响像素的开口大小以及对位精度。因此显示面板的阴极通常采用open mask的方式进行整面蒸镀，使得显示面板的非显示区域也会蒸镀一层阴极材料，进而影响整个显示面板的透明度。
63.本技术提供的所述显示面板1中，所述阴极层32的材质不使用镁银合金，所述阴极层32的材质包括锌镁合金。材质为锌镁合金的所述阴极层32可以在低于800℃的环境下进行蒸镀，以使得本技术所述显示面板1的所述阴极层32可以放置金属掩膜版后进行物理气相沉积，使得所述透明区12上不设置所述阴极层32，以提高所述非显示区域的透光度。具体地，所述阴极层32的沉积温度可以小于等于400℃，金属掩膜版在小于等于400℃的环境下
不会发生变形和膨胀。举例而言，所述阴极层32的沉积温度可以为350℃、或360℃、或375℃、或382℃、或391℃、或400℃、或处于小于等于400℃内的其它数值。
64.需要说明的是，所述阴极层32中锌、镁的合金比例的不同会影响对应波长光的穿透率。当所述阴极层32中锌、镁的合金比例小于2:1或大于15:1时，所述阴极层32对于波长处于380nm-780nm内的可见光的光线透过率较低，会使得所述显示面板1的整体显示亮度以及显示效果下降。
65.因此，所述阴极层32中锌：镁的合金比例范围为2:1-15:1时，能够使得所述显示面板1的整体显示亮度较高以及显示效果较好。
66.在本实施方式中，所述阴极层32中锌：镁的合金比例为5:1的最佳比例，在其他实施方式中，所述阴极层32中锌：镁的合金比例还可以为3:1、或4:1、或6:1、或9:1、或10:1、或11:1、或13:1、或14:1、或15:1，本技术对此不作限定。
67.在本实施方式中，以所述阴极层32中锌、镁的合金比例为9:1进行举例说明，当所述阴极层32中锌、镁的合金比例为9:1时，所述阴极层32的表面电阻为36ohm/sq，所述阴极层32的电流效率为83cd/a。以所述阴极层32中锌、镁的合金比例为3:1进行举例说明，当所述阴极层32中锌、镁的合金比例为3:1时，所述阴极层32的表面电阻为29ohm/sq，所述阴极层32的电流效率为76cd/a。
68.请再次参照图2，所述显示面板1还包括驱动层40以及平坦层50，所述驱动层40设置于所述承载基板10的像素区11，且位于所述承载基板10与所述像素30之间，所述驱动层40包括多个驱动单元41，所述驱动单元41用于驱动所述像素30。所述平坦层50设置于所述驱动层40背离所述承载基板10的表面。
69.具体地，所述驱动层40为薄膜晶体管阵列层，所述驱动单元41为薄膜晶体管开关单元，所述驱动单元41可用于驱动所述像素30，使所述像素30发光。
70.所述平坦层50设置于所述驱动层40背离所述承载基板10的表面，所述平坦层50可用于使所述承载基板10平坦化，使得所述显示面板1的外表面更加平整，所述平坦层50还可用于承载所述像素30。
71.可选地，所述平坦层50的材质包括但不限于为有机材质、无机材质或其他类型的材质，举例而言，所述平坦层50的材质可以为氧化硅、聚酰亚胺(polyimide，pi)、有机玻璃(polymethyl methacrylate，pmma)或其他材质。所述平坦层50背离所述承载基板10的表面为平面或近似为平面。所述平坦层50较为平整，以便于所述像素30等膜层的制备。
72.请再次参照图2，所述像素30还包括阳极层33、空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36以及电子传输层37。所述阳极层33设置于所述平坦层50背离所述承载基板10的表面，所述阳极层33包括多个阳极部331，所述阳极部331位于相邻的两个所述挡墙部311之间。所述空穴注入层34设置于所述阳极层33背离所述承载基板10的表面，所述空穴注入层34包括多个空穴注入部341，所述空穴注入部341位于相邻的两个所述挡墙部311之间。所述空穴传输层35设置于所述空穴注入层34背离所述承载基板10的表面，所述空穴传输层35包括多个空穴传输部351，所述空穴传输部351位于相邻的两个所述挡墙部311之间。所述发光层36设置于所述空穴传输层35背离所述承载基板10的表面，所述发光层36具有多个发光部361，所述发光部361位于相邻的两个所述挡墙部311之间。所述电子传输层37设置于所述发光层36层背离所述承载基板10的表面，所述电子传输层37具有多个电子传输部371，所述电子传输
部371位于相邻的两个所述挡墙部311之间。
73.所述阳极层33用于提供空穴，所述阴极层32用于提供电子，所述阳极层33提供的空穴及所述阴极层32提供的电子在所述发光层36中复合并发光。可选地，所述阳极层33的材质包括但不限于为氧化烟锡(indium tin oxide，ito)、其他材质，所述发光层36的材质但不限于为8-羟基喹啉和铝(alq3)、2-叔丁基-9，10-双-(β-萘基)-蒽(tbadn)或其他材质。
74.所述空穴注入层34用于降低从所述阳极层33注入空穴的势垒，使空穴能从所述阳极层33有效地注入到所述发光层36。可选地，所述空穴注入层34包括但不限于为酞菁氧钛(tiopc)、4，4'，4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺(m-mtdata)或其他材质。所述空穴传输层35用于调节空穴传输的速度，所述电子传输层37用于调节电子传输的速度，所述空穴传输层35与所述电子传输层37相配合能够使空穴与电子在同一时间段内抵达所述发光层36并进行发光。
75.所述显示面板1还包括封装层60及盖板70，所述封装层60覆盖所述阴极层32及至少部分所述像素限定层31，所述封装层60可用于隔绝水氧，防止外界环境中的水汽等物质对所述显示面板1内部的元器件发生侵蚀等现象。所述盖板70设于所述封装层60背离所述承载基板10的一侧，用于保护所述显示面板1内部的元器件，避免受到碰撞时发生损坏等现象。
76.请参照图3，所述像素30还包括电子注入层38，所述电子注入层38设于所述阴极层32靠近所述承载基板10的一侧，所述电子注入层38的材质包括镱金属。
77.具体地，所述电子注入层38设于所述电子传输层37背离所述承载基板10的一侧。所述电子注入层38用于降低从所述阴极注入电子的势垒，使电子能从阴极有效地注入到所述发光层36中。所述电子注入层38包括多个电子注入部381，所述电子注入部381位于相邻的两个所述挡墙部311之间。
78.所述电子注入层38的厚度小于等于5nm，可选地，所述电子注入层38的厚度可以为3nm、或3.5nm、或4.1nm、或4.7nm、或5.0nm或其他小于等于5nm的数值，本技术对此不作限定。
79.在本实施方式中，所述电子注入层38的材质为镱(yb)金属。所述电子注入层38可用于降低所述阴极层32的表面能以及所述电子传输层37的表面能之间的差，使得所述阴极层32可以在所述电子注入层38上成功成核并连续长大，便于所述阴极层32的制备，使得所述阴极层32能够不容易脱落。
80.本技术实施方式还提供了一种显示面板1制备方法，所述显示面板1制备方法可制备本技术实施方式提供的显示面板1；相应地，本技术实施方式提供的显示面板1可由本技术实施方式提供的显示面板1制备方法制备而成。
81.请参照图4，所述显示面板1制备方法包括但不限于步骤s100、s300和s500，关于步骤s100、s300和s500的详细描述如下。
82.s100：形成承载基板10，所述承载基板10具有多个像素区11及多个透明区12。
83.s300：在所述承载基板10的一侧形成像素限定层31，所述像素限定层31包括间隔设置的多个挡墙部311，相邻的两个所述挡墙部311限定子像素区312。
84.s500：形成阴极层32，所述阴极层32包括多个阴极部321，所述阴极部321位于所述子像素区312，所述阴极层32避开所述透明区12。
85.所述承载基板10具有多个像素区11及多个透明区12，换言之，即所述承载基板10划分为多个像素区11以及多个透明区12。需要说明的是，所述显示面板1的包括有显示区域以及非显示区域，所述显示区域的位置对应于所述基板的像素区11，所述非显示区域的位置即对应于所述基板的透明区12。
86.本技术提供的所述显示面板1中，所述承载基板10具有多个像素区11及多个透明区12，所述像素30包括像素限定层31以及阴极层32，所述像素限定层31中相邻的两个所述挡墙部311限定所述子像素区312，所述阴极层32的多个所述阴极部321皆位于所述子像素区312，且整个所述阴极层32避开所述透明区12。本技术所述显示面板1的非显示区域并不会有所述阴极层32的阴极材料，相较于相关技术中显示面板1的非显示区域上设有会阻挡光线的阴极材料，本技术所述显示面板1可以提高所述非显示区域的光线穿透率，进而提高整个所述显示面板1的透明度。
87.请参照图5，s500中形成所述阴极层32包括s510，s510详细介绍如下。
88.s510：提供掩膜版，并于温度≤400℃下，气压＜10-7
torr下，沉积速率＜2a/s下，提供锌镁合金靶材进行沉积形成阴极层32。
89.可选地，所述掩膜版包括但不限于为金属掩膜版。
90.举例而言，所述阴极层32的沉积温度可以为350℃、或360℃、或375℃、或382℃、或391℃、或400℃、或处于小于等于400℃内的其它数值。
91.所述阴极层32的沉积环境气压＜10-7
torr时，可以保证所述阴极层32的纯净度。可选地，所述阴极层32的沉积环境气压可以为10-8
、或10-9
、或处于＜10-7torr内的其它数值。
92.请参照图6，在s500，形成阴极层32之前还包括s400。换而言之，所述显示面板1制备方法包括但不限于步骤s100、s300、s400和s500，关于步骤s100、s300和s500的请参阅前面描述，在此不再追溯。对s400详细描述如下。
93.s400：形成电子注入层38，所述电子注入层38位于所述子像素区312。
94.所述电子注入层38的厚度小于等于5nm，可选地，所述电子注入层38的厚度可以为3nm、或3.5nm、或4.1nm、或4.7nm、或5.0nm或其他小于等于5nm的数值，本技术对此不作限定。
95.在本实施方式中，所述电子注入层38的材质为镱(yb)金属。所述电子注入层38可用于降低所述阴极层32的表面能以及所述电子传输层37的表面能之间的差，使得所述阴极层32可以在所述电子注入层38上成功成核并连续长大，便于所述阴极层32的制备，使得所述阴极层32能够不容易脱落。
96.以上所述是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。