一种基于双层光刻胶的光刻方法与流程

技术特征：
1.一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)在基底上旋涂一层正性光刻胶，并烘干；再在正性光刻胶上旋涂一层与正性光刻胶相匹配的负性光刻胶，并烘干；(2)在曝光光源下，透过载有模板图案的光刻掩膜版或者通过聚焦光源直写，对两层光刻胶进行单次曝光，曝光后，在负性光刻胶和正性光刻胶上分别形成大小不同的曝光图案，然后进行烘干；(3)用负胶显影液对负性光刻胶进行显影；(4)用正胶显影液对正性光刻胶进行可控显影，仅洗去正性光刻胶上曝光图案的边缘部分，并暴露基底材料，从而将模板图案转换成轮廓线型图案；(5)通过材料沉积技术或者刻蚀技术，将轮廓线图案转移到基底材料上；(6)去除光刻胶。2.根据权利要求1所述的一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述的旋涂过程包括在500-8000rpm的转速下旋涂；旋涂后烘干的温度为30-300℃。3.根据权利要求1所述的一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述的曝光光源包括紫外光源、深紫外光源、极紫外光源、离子束、电子束或x射线。4.根据权利要求1或3所述的一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述曝光的光源波长为10-400nm，曝光通量为1-1000mj/cm2，曝光后烘干的温度为30-300℃。5.根据权利要求1所述的一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述的正性光刻胶包括正性紫外光刻胶、正性深紫外光刻胶、正性极紫外光刻胶、正性电子束光刻胶、正性离子束光刻胶或正性x射线光刻胶；所述的负性光刻胶，包括负性紫外光刻胶、负性深紫外光刻胶、负性极紫外光刻胶、负性电子束光刻胶、负性离子束光刻胶或正性x射线光刻胶。6.根据权利要求1所述的一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述的显影液为所用光刻胶所对应的显影液。7.根据权利要求1所述的一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述模板图案的特征线宽或者特征尺寸为2nm-1000μm。8.根据权利要求1所述的一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述的材料沉积技术包括电化学沉积、电镀、cvd沉积、激光溅射、磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发或原子沉积；所述的刻蚀技术，包括湿法刻蚀或干法刻蚀；所述的湿法刻蚀包括电化学刻蚀或选择性刻蚀液体刻蚀，所述的干法刻蚀包括离子刻蚀或化学反应离子刻蚀。9.根据权利要求1所述的一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述的聚焦光源直写包括紫外光直写、深紫外光直写、极紫外光直写、离子束直写、电子束直写或x射线直写。10.根据权利要求1所述的一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述的基底材料包括半导体、金属、绝缘体、聚合物或复合材料。

技术总结
本发明涉及一种基于双层光刻胶的光刻方法，该方法包括以下步骤：(1)在基底上涂抹一层正性光刻胶，并烘干；再在正性光刻胶上涂抹一层负性光刻胶，并烘干；(2)在曝光光源下，透过载有模板图案的光刻掩膜版或者通过聚焦光源直写，对两层光刻胶进行单次曝光，然后进行烘干；(3)用负胶显影液对负性光刻胶进行显影；(4)用正胶显影液对正性光刻胶进行可控显影；(5)通过材料沉积技术或者刻蚀技术，将轮廓线图案转移到基底材料上；(6)去除光刻胶。与现有单次曝光的光刻技术相比，本发明方法简单，通过图案轮廓化，实现比传统技术更高小的线宽，该方法可广泛应用于半导体工艺，并具有广泛研究和应用价值。究和应用价值。究和应用价值。


技术研发人员：高艺佼
受保护的技术使用者：上海微起光电科技有限公司
技术研发日：2021.06.11
技术公布日：2022/12/12