技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于：多个半导体层，在一基底上；一栅极结构，包覆环绕所述多个半导体层的一中间部分，其中该栅极结构包括一高介电常数介电层；一间隔结构，邻近所述多个半导体层的一端部；以及一保护层，介于该高介电常数介电层和该间隔结构之间。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该保护层包括高介电常数介电材料。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该高介电常数介电层和该保护层包括氧化铪。4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，该保护层具有一第一厚度，并且该高介电常数介电层具有大于该第一厚度的一第二厚度。5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，该保护层的厚度为至6.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，该保护层具有一第一厚度且该高介电常数介电层具有一第二厚度，该第一厚度对该第二厚度的比为0.05至0.3。7.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，该保护层和该高介电常数介电层之间的界面包括氟。8.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还包括一栅极间隔物，在该栅极结构的侧壁上，其中该栅极间隔物接触该高介电常数介电层。9.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该保护层包括氧化铪或氧化锆。10.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还包括包覆环绕所述多个半导体层的一界面层。
技术总结
本实用新型实施例提出一种半导体装置，在内间隔结构上具有保护层。半导体装置包含基底上的纳米结构。纳米结构包含多个半导体层。半导体装置还包含包覆环绕多个半导体层的中间部分的栅极结构和邻近多个半导体层的端部的间隔结构。栅极结构包含高介电常数介电层。半导体装置还包含介于高介电常数介电层和间隔结构之间的保护层。结构之间的保护层。结构之间的保护层。
技术研发人员：罗伊辰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.07.05
技术公布日：2022/12/9
再多了解一些
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