用于激光辅助接合的关注区定位的制作方法

1.本发明一般涉及半导体器件，并且更特别地涉及用于在激光辅助接合期间定位关注区的方法和器件。


背景技术：

2.半导体器件通常在现代电子产品中找到。半导体器件执行各种各样的功能，例如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、将太阳光转换成电、以及为电视显示器产生视觉图像。半导体器件在通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中找到。半导体器件也在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中找到。
3.半导体制造的一个目标是生产较小的半导体器件。较小的器件通常消耗较少的功率，具有较高的性能，并且可以更高效地生产。此外，较小的半导体器件具有较小的占用区域（footprint），这对于较小的最终产品是期望的。通过前端工艺中的改进，可以实现较小的半导体管芯尺寸，从而产生具有较小、较高密度的有源和无源元器件的半导体管芯。后端工艺可以通过在电互连和封装材料中的改进而产生具有较小占用区域的半导体器件封装。
4.当半导体器件在尺寸方面减小时，制造工艺的许多方面变得有问题并且必须被改进或替换。半导体管芯通常通过将半导体管芯的焊料凸块设置成与衬底的接触焊盘接触而安装到衬底上。在炉中加热该组件以回流焊料凸块，从而将半导体管芯附着到衬底。
5.随着半导体管芯以及伴随的互连结构被制造得更小和更薄，回流炉工艺的影响对电部件有更大损害。激光辅助接合（lab）已经被采用作为改进的解决方案。lab使用激光将能量直接施加到正被安装的管芯的背面，该能量被转换成热能以回流在管芯的正面上的焊料凸块。lab提供比回流炉更局部的热量，并能够以更短的循环时间回流凸块。结果是lab可以用于将管芯安装到衬底，而降低损坏薄管芯和互连层的可能性。
6.lab的重要方面是使用红外（ir）相机来实时监测管芯的温度。在称为关注区（roi）的管芯的特定区域内监测温度。目前，ir相机由工程师手动定位，并且然后ir相机上的特定像素作为roi被监测以保持可接受的温度。手动ir相机放置易遭受可能导致roi位置被错放的人为错误。可靠地复制roi定位是困难的。因此，存在如下需要：改进的方法和系统，用于在激光辅助接合期间将ir相机对准到关注区。
附图说明
7.图1a-1c示出具有由切道分离的多个半导体管芯的半导体晶片；图2a-2h示出关注区（roi）对准；图3a-3e示出自动roi对准；图4a-4c示出一个roi对准示例；图5a-5c示出另一roi对准示例；图6a-6c示出激光辅助接合之后的半导体封装的完成；以及图7示出具有激光辅助接合器件的电子器件。
具体实施方式
8.在以下描述中，参考附图在一个或多个实施例中描述本发明，在所述附图中，相同的数字表示相同或类似的要素。虽然根据用于实现本发明目的的最佳模式描述本发明，但是本领域技术人员将会理解，本发明旨在覆盖可以包括在由所附权利要求以及由以下公开和附图支持的它们的等同物限定的本发明的精神和范围内的替代、修改和等同物。本文中所使用的术语“半导体管芯”指代单数形式和复数形式的词语两者，且因此可以指代单个半导体器件和多个半导体器件两者。
9.半导体器件通常使用两种复杂的制造工艺来制造：前端制造和后端制造。前端制造涉及在半导体晶片的表面上形成多个管芯。晶片上的每个管芯包含被电连接以形成功能电路的有源和无源电元器件。有源电元器件，例如晶体管和二极管，具有控制电流流动的能力。无源电元器件，例如电容器、电感器和电阻器，产生为执行电路功能所需的电压和电流之间的关系。
10.后端制造指代将完成的晶片切割或单片化为个别半导体管芯并封装该半导体管芯以用于结构支撑、电互连和环境保护。为了单片化半导体管芯，晶片沿晶片的称为切道或划线的非功能区域被刻划和断开。使用激光切割工具或锯条将晶片单片化。在单片化之后，将个别半导体管芯安装到封装衬底，所述封装衬底包括用于与其他系统元器件互连的引脚或接触焊盘。然后将形成在半导体管芯上的接触焊盘连接到封装内的接触。可以用导电层、凸块、柱形凸块、导电膏、接合线或其他合适的互连结构来进行电连接。将封装剂或其他模制材料沉积在封装上以提供物理支撑和电隔离。然后将完成的封装插入到电系统中，并且使半导体器件的功能可用于其他系统元器件。
11.图1a示出具有基底衬底材料102的半导体晶片100，所述基底衬底材料102例如硅、锗、磷化铝、砷化铝、砷化镓、氮化镓、磷化铟、碳化硅或用于结构支撑的其他块体材料。多个半导体管芯或元器件104形成在晶片100上，由无源、管芯间晶片区域或切道106分离。切道106提供切割区域以将半导体晶片100单片化成个别半导体管芯104。在一个实施例中，半导体晶片100具有100-450毫米（mm）的宽度或直径。
12.图1b示出半导体晶片100的一部分的截面图。每个半导体管芯104都具有背或无源表面108和有源表面110，所述有源表面110包含被实现为根据管芯的电设计和功能而形成在管芯内且电互连的有源器件、无源器件、导电层和电介质层的模拟或数字电路。例如，电路可以包括：一个或多个晶体管、二极管和其他电路元件，形成在有源表面110内以实现模拟电路或数字电路，例如数字信号处理器（dsp）、功率放大器、专用集成电路（asic）、存储器或其他信号处理电路。半导体管芯104还可以包含用于rf信号处理的ipd，例如电感器、电容器和电阻器。
13.使用pvd、cvd、电解电镀、化学电镀工艺或其他合适的金属沉积工艺在有源表面110上形成导电层112。导电层112可以是一层或多层铝（al）、铜（cu）、锡（sn）、镍（ni）、金（au）、银（ag）或其他合适的导电材料。导电层112作为电连接到有源表面110上的电路的接触焊盘来操作。
14.使用蒸发、电解电镀、化学电镀、球滴或丝网印刷工艺在导电层112上沉积导电凸块材料。凸块材料可以是具有可选焊剂溶液的al、sn、ni、au、ag、铅（pb）、铋（bi）、cu、焊料、其组合、或其他合适的导电材料。例如，凸块材料可以是共晶sn/pb、高铅焊料或无铅焊料。
使用合适的附着或接合工艺将凸块材料接合到导电层112。在一个实施例中，通过将凸块材料加热到其熔点以上来使该材料回流以形成球或凸块114。在一个实施例中，凸块114形成在具有润湿层、阻挡层和粘合层的凸块下金属化层（ubm）上。凸块114还可以被压缩接合或热压接合到导电层112。凸块114表示可以在导电层112上形成的一种类型的互连结构。互连结构还可以使用接合线、导电膏、柱形凸块、微凸块或其他电互连。
15.在图1c中，使用锯条或激光切割工具118通过切道106将半导体晶片100单片化成个别半导体管芯104。可以检查和电测试个别半导体管芯104以识别单片化后的已知良好管芯（kgd）。
16.为了将半导体管芯104并入到电子器件中，凸块114通常被回流到较大衬底120的接触焊盘124上，如图2a所示。使用拾取和放置机器将半导体管芯104放置到衬底120上的期望位置处，并且然后使用激光辅助接合（lab）将凸块114回流到接触焊盘124上。焊剂可选地被添加到凸块114上以改进焊料材料到接触焊盘124的表面上的回流。可以使用非导电膏、非导电膜、各向异性导电膏和其他合适的材料来代替焊剂126。
17.图2a示出其上设置有衬底120的载体122的局部截面图。载体122是平坦片材的有机材料、玻璃、硅、聚合物或任何其他适于在制造工艺期间提供衬底120的物理支撑的材料。可选的双面胶带、热释放层、uv释放层或其他合适的界面层可以设置在载体122和衬底120之间。
18.衬底120由基底绝缘材料形成，其中，导电层124形成在插入器（interposer）的顶表面和底表面上且交错在绝缘材料的层之间。导电层124包括：接触焊盘、导电迹线和导电通孔，根据需要被配置成实现期望的信号路由。导电层124的部分是电共用的或电隔离的，这取决于所形成的器件的设计和功能。导电层124可以是一层或多层al、cu、sn、ni、au、ag或其他合适的导电材料。在一些实施例中，在衬底120的顶表面和底表面上形成钝化或阻焊层，其具有开口以暴露导电层124的接触焊盘。
19.衬底120还可以是任何合适的层压插入器、pcb、晶片形式、条带插入器、引线框或其他类型的衬底。衬底120可以包括预浸渍（预浸渍处理）聚四氟乙烯（ptfe）、fr-4、fr-1、cem-1或cem-3与酚醛棉纸、环氧树脂、树脂、玻璃织物、毛面玻璃、聚酯和其他增强纤维或织物的组合的一个或多个层压层。衬底120的绝缘材料包含一层或多层二氧化硅（sio2）、氮化硅（si3n4）、氮氧化硅（sion）、五氧化二钽（ta2o5）、氧化铝（al2o3）、阻焊剂、聚酰亚胺、苯并环丁烯（bcb）、聚苯并恶唑（pbo）和具有类似绝缘和结构性质的其他材料。衬底120还可以是多层柔性层压材料、陶瓷、覆铜层压材料、玻璃或半导体晶片，其包括包含一个或多个晶体管、二极管和其他电路元件以实现模拟或数字电路的有源表面。衬底120可以是用于半导体封装或电子器件的任何合适的衬底。
20.在激光辅助接合中，lab组件130设置在半导体管芯104上，其中，半导体管芯位于衬底120上。lab组件130被安装到允许lab组件的x-y位置被控制的台架上。x-y位置意味着可以沿x和y轴但不必沿z轴控制位置。x-y平面平行于衬底120的主表面取向。x轴是在图2a中从左到右延伸的轴，而y轴是延伸进入和离开图2a的页面的轴。z轴在图2a中上下取向，垂直于衬底120的主表面。如果期望，在一些实施例中，lab组件130所附着到的机架可以允许z轴（竖直）移动。
21.lab组件130包括激光均化器132。均化器132接收经由光纤光缆、波导或其他合适
机构输入的激光束，并在半导体管芯104上输出均化的激光束134。光束均化器是一种消除激光束轮廓中的不规则并产生更均匀轮廓的器件。大多数光束均化器使用具有正方形小平面的多面反射镜。该反射镜以不同的角度反射光，以产生具有横跨光束134的整个轮廓的基本上均匀功率的光束。
22.光束134的能量被半导体管芯104吸收并转换为热能以回流凸块114。在一些实施例中，背表面108包括作为电磁干扰（emi）屏蔽层在半导体管芯104上形成的导电层。导电层还改进在lab期间从激光能量到热能的转换效率。背表面108还可以具有由增加激光能量的吸收的任何材料形成的其他类型的激光吸收层。
23.多个衬底120和半导体管芯104同时放置在载体122上，并且lab组件130由台架移动以在每个管芯上一次一个地执行lab。在处理完一个半导体管芯104之后，通过在衬底120上寻找基准标记或通过标识管芯的拐角，视觉相机138用于将lab组件130对准在下一个管芯上。台架移动lab组件130，直到如视觉相机138所报告的那样激光匀化器132与下一个半导体管芯104对准。
24.红外（ir）相机136附着到lab组件130并位于激光均化器132的侧面之外。由于ir相机136的定位，ir相机通常需要以角度θ倾斜以正确地观察到管芯104。角度θ通常为大约70度，但可以变化。ir相机136在lab工艺期间提供半导体管芯104的热图像。热图像用于在执行lab时实时监测半导体管芯104的温度。
25.图2b示出温度被监测的多个关注区（roi）150。通常使用五个roi 150：在管芯104的中心处的一个roi 150a以及在四个拐角的每一个处的roi 150b-150e。图2c和2d示出roi 150的细节。图2c中的roi 150b形成为沿x轴距半导体管芯104的拐角153b距离152并且沿y轴距该拐角距离154。每个拐角roi 150b-150e被定位成距相应拐角153b-153e相同的距离（152,154），使得仅需要配置两个距离参数。在其他实施例中，roi 150b-150e可以独立定位。
26.如图2d所示，在管芯104的中心处的roi 150a被定位成在管芯的每对相对侧之间的等距离。roi 150a被定位成沿x轴距每个拐角153b-153e相同的距离162并且沿y方向距每个拐角相同的距离164。roi 150a在管芯104上居中。
27.每个roi 150a-150e通常是相同尺寸，即沿x轴的大小156和沿y轴的大小158。如果大小156和158不同，roi 150是矩形。如果大小156等于大小158，roi 150是正方形。在其他实施例中，roi 150彼此不同地成形或不规则地成形。
28.距离152、154、162和164以及大小156和158全部在由ir相机136捕获的图像上以像素数量进行测量。在lab期间的目标是监测在ir相机136的相对于半导体管芯104的拐角的固定像素上的温度。由于制造设备具有移动机械部件的现实，在制造工艺期间，ir相机136可以相对于lab组件130的其余部分轻微移动。如果ir相机136被轻微移动，则正被监测的ir相机136的像素将不再处于相对于半导体管芯104的拐角的正确位置。
29.图2e和2f示出roi 150的这种错放。来自ir相机136的示例性图像被叠加到衬底120上。roi 150a被放置在ir相机的视图的区域170，而roi 150b-150e被适当地放置在图像中以成为距管芯104的拐角的期望数量的像素。在图2e中，区域170以及因此roi 150a与半导体管芯104的中心对准。由于对准，roi 150b-150e每个如预期的那样距它们相应的拐角153等距。
30.图2f示出可能由多种因素引起的未对准。最常见的是当不同的器件正在工作时在不同的roi位置之间的不良机器转换，或者在移动期间导致角偏移172的相机倾斜改变。当在载体122上的单元之间移动lab组件130时或当装载新的一批单元时，可能容易出现角偏移172。代替例如具有恰好70度的角度，该角度将无意地偏离一度的几分之一（a fraction of a degree）。
31.角度偏移172足以在半导体管芯104的占用区域内显著移动roi 150，如图2f所示。在偏移172的情况下，roi 150在y方向上移动，直到roi 150b和150c刚好在半导体管芯104的边缘上并且roi 150d和150e朝向管芯的中心移动显著路程。lab工艺将继续，其中，相对于ir相机的视图的区域170正监测相同的roi 150像素。然而，由于区域170已经移动，所以被监测的像素不再位于半导体104上的所关注的实际点上。ir相机136图像中的roi 150不再与半导体管芯104的实际所关注的区域对准。
32.图2g示出错放的roi 150b的细节。ir相机136已经被移动，使得roi 150b和拐角153b之间在x方向上的距离182显著大于拐角和roi之间在y方向上的距离184。由ir相机136实际正监测的位置不是roi 150b的预期位置。
33.类似地，图2h示出错放的roi 150a。roi 150b应在半导体管芯104上居中。然而，ir相机136的移动已经在x和y轴两者上移动了roi 150a。roi 150a和拐角153b之间在x方向上的距离186不同于roi和拐角153c之间在x方向上的距离187，尽管这些距离应当相同。roi 150a和拐角153b之间在y方向上的距离188不同于roi和拐角153d之间在y方向上的距离189，尽管这些距离应该相同。由ir相机136实际上作为roi 150a正监测的位置不是如预期的那样在半导体管芯104上居中。
34.图3a-3e示出用于自动roi定位的方法和系统。图3a-3e中的图像来自ir相机136的视点。图3a中的ir图像190是由ir相机136捕获的原始图像。计算机图像处理用于把ir图像190当做输入并且然后输出像素图192，该像素图192示出图3b中半导体管芯104的边界200。用于生成像素图192的图像处理涉及适于肯定地标识边界200的滤波、增加对比度、锐化、平滑、二值化（即，将像素转换成两个可能值中的一个，例如1或0）等的任何组合。基于半导体管芯的已知近似形状和位置，可以消除其他视觉特征（例如设置在衬底120上与半导体管芯104相邻的元器件）。
35.在图像处理之后，图3b中的合成图像将管芯104的占用区域示出为白色并且将管芯外部的衬底120示出为黑色。使用黑色和白色，因为那些颜色与人眼形成高度对比。然而，任何两个数值都可用于将管芯104的区域与衬底120区分。计算机处理的图像可以被计算机算法用于通过寻找黑色像素和白色像素之间的边界来标识边界200。
36.如图3c所示，使用位图192，可以容易地标识管芯中心153a和拐角153b-153e的精确像素位置。拐角153b-153e被标识为在每个方向上最远的白色像素。中心153a被标识为四个角之间的平均位置。从角153b-153e到roi 150b-150e的位置的转换是从每个拐角像素153b-153e添加或减去距离152和154以找到相应roi的位置的简单事情。
37.图3d示出叠加到ir图像190上的roi 150以及从位图192确定的中心和拐角的标记153。图3e仅示出所得到的roi 150。在一个实施例中，用于生成位图192的图像处理软件还输出中心153a和拐角153b-153e的坐标列表。在一个实施例中，用户输入roi尺寸156-158和距管芯边缘152-154的roi距离的值列表，并且图像处理软件输出roi 150 的坐标列表，如
下表1所示：roi 150a的坐标点：x轴=160 | y轴=109roi 150b的坐标点：x轴=145 | y轴=93roi 150c的坐标点：x轴=175 | y轴=94roi 150d的坐标点：x轴=145 | y轴=125roi 150e的坐标点：x轴=174 | y轴=125表1来自表1的roi坐标列表以及roi尺寸可以手动输入或自动导入到lab软件中，该lab软件实际上进行roi 150的温度监测。坐标指示每个roi 150的拐角像素，其连同roi尺寸一起具体地告诉lab软件要监测ir图像190的哪些像素。可以针对正被接合的每个管芯104重新计算roi像素，或者对于整个载体122或者对于只要正在处理相同管芯104和衬底120的不同单元，可以针对正被处理的每个管芯104重新使用相同的像素。坐标可以可选地被重新使用，直到lab组件130被手动触摸，直到定位误差被检测，或者周期性地（例如，每天或每小时）自动被重新计算。
38.图4a-4c示出一个示例，其中，距每个拐角的距离为4个像素并且roi尺寸在每个方向上为4个像素。图4a示出具有roi 210和位置标记212的由ir相机136所看到的衬底120。图4b是拐角153b的特写视图。图4c是对管芯104放大的视图。首先，用户将距离和尺寸参数输入到图像处理系统中。对于图4a-4c，针对每个参数214输入相同的4个像素值。
39.图像处理软件产生示出ir图像中的管芯104的精确位置的位图，并且然后自动为由标记212b-212e所指示的拐角和由标记212a所指示的中心准确定位精确像素。然后，图像处理软件基于由标记标识的像素来放置roi 150a-150e。roi 210b-210e被放置成一个拐角分别在x和y方向两者上从标记212b-212e向内四个像素。每个拐角roi 210b-210e的相对拐角被放置成在x和y方向两者上向内四个附加像素。
40.中心标记212a被放置在所有四个拐角标记212b-212e的平均位置。中心roi 210a以四个像素乘四个像素的尺寸被放置在中心标记212a处。y方向上的距离216在两个方向上在半导体管芯104的边缘之间是相同的。在x方向上的距离218在两个方向上在半导体管芯104的边缘之间是相同的。roi 210a-210e的正方形表示示出将在lab期间监测的图像的像素。
41.图5a-5c示出另一示例，其中，距每个拐角的距离为8个像素并且roi尺寸在每个方向上为8个像素。图5a示出具有roi 220和位置标记222的由ir相机136所看到的衬底120。图5b是拐角153b的特写视图。图5c是对管芯104放大的视图。对于图5a-5c，用户通过输入所有距离参数224的八个像素而开始。
42.图像处理软件产生示出ir图像中的管芯104的精确位置的位图，并且然后为由标记222b-222e所指示的拐角准确定位精确像素。图像处理软件将拐角roi 220b-220e的一个拐角放置成分别从标记222b-222e在x和y方向两者上向内八个像素。每个拐角roi 220b-220e的相对拐角被放置成在x和y方向两者上向内八个附加像素。
43.中心标记222a被放置在所有四个拐角标记222b-222e的平均位置。中心roi 220a以八个像素乘八个像素的尺寸被放置在中心标记222a处。y方向上的距离226在两个方向上在半导体管芯104的边缘之间是相同的。x方向上的距离228在两个方向上在半导体管芯104
的边缘之间是相同的。roi 220a-220e的正方形表示对应于将在lab期间监测的图像的像素。lab继续进行被标识为正被监测的roi的像素，以将半导体管芯104的温度保持在可接受的限度内。
44.一旦衬底120上的所有管芯104都经由lab进行接合，制造就继续进行其他期望的步骤。可以形成任何类型的封装。图6a中的许多可能性的仅一个示例示出将多个管芯104接合到衬底120。在图6b中，使用膏印刷、压缩模制、传递模制、液体封装剂模制、真空层压、旋涂或另一合适的施加器将封装剂或模制化合物230沉积在衬底120上。封装剂230可以是聚合物复合材料，例如具有或没有填料的聚合物、环氧树脂、或环氧丙烯酸酯。封装剂230是不导电的，提供结构支撑，并且在环境上保护半导体器件免受外部要素和污染物。
45.在图6c中，使用锯条、水切割工具或激光切割工具232将由衬底120和封装剂230形成的面板单片化为个别半导体封装234。封装234通常在单片化之后存储在卷带（tape-and-reel）中以用于分发给将把器件集成到其产品中的电子器件制造商。衬底120包括：导电层和其他互连结构，用于通过衬底路由信号。与管芯104相对的衬底120的底表面将通常具有球栅阵列、接点栅格阵列或用于电连接到较大电子器件的其他类型的互连结构。图6a-6c旨在仅示出在激光辅助接合之后可以完成封装的许多不同方式中的一种。任何类型的衬底都可以具有利用激光辅助接合而接合到该衬底的半导体管芯，并且可以在激光辅助接合之后执行任何期望的处理以形成任何种类的最终封装。所公开的roi放置方法可以针对使用lab的任何情形工作。
46.图7示出包括pcb 300的电子器件350，其中，多个半导体封装安装在pcb的表面上，包括封装234和管芯104。电子器件350可以具有一种类型的半导体封装，或者多种类型的半导体封装，这取决于应用。直接安装到pcb 300的管芯104示出了管芯-光束对准工艺可以用于将管芯直接安装到除了封装衬底120之外的器件衬底300。
47.电子器件350可以是使用半导体封装来执行一个或多个电功能的独立系统。替选地，电子器件350可以是较大系统的子元器件。例如，电子器件350可以是平板计算机、蜂窝电话、数码相机、通信系统或其他电子器件的一部分。电子器件350还可以是图形卡、网络接口卡或插入到计算机中的另一信号处理卡。半导体封装可以包括微处理器、存储器、asic、逻辑电路、模拟电路、rf电路、分立有源或无源器件，或其他半导体管芯或电子元器件。
48.pcb 300提供用于安装在pcb上的半导体封装的结构支撑和电互连的一般衬底。使用蒸发、电解电镀、化学电镀、丝网印刷或其他合适的金属沉积工艺在pcb 300的表面上或在pcb 300的层内形成导电信号迹线302。信号迹线302提供半导体封装、安装的元器件和其他外部系统或元器件之间的电通信。迹线302还根据需要向半导体封装提供电源和地连接。
49.在一些实施例中，半导体器件具有两个封装级。第一级封装是用于将半导体管芯机械和电附着到中间衬底的技术。第二级封装涉及将中间衬底机械和电附着到pcb 300。在其他实施例中，半导体器件可以仅具有第一级封装，其中，管芯直接机械和电安装到pcb 300。
50.为了说明的目的，在pcb 300上示出几种类型的第一级封装，包括接合线封装356和倒装芯片358。另外，几种类型的第二级封装，包括球栅阵列（bga）360、凸块芯片载体（bcc）362、接点栅格阵列（lga）366、多芯片模块（mcm）368、四方扁平无引线封装（qfn）370和四方扁平封装372，被示出与管芯104和封装234一起安装在pcb 300上。导电迹线302电耦合
设置在pcb 300上的各种封装和元器件。
51.根据系统要求，配置有第一和第二级封装样式的任何组合的半导体封装的任何组合以及其他电子元器件可以连接到pcb 300。在一些实施例中，电子器件350包括单个附着的半导体封装，而其他实施例要求多个互连的封装。通过在单个衬底上组合一个或多个半导体封装，制造商可以将预制的元器件并入到电子器件和系统中。由于半导体封装包括复杂的功能，所以可以使用不太贵的元器件和流水线制造工艺来制造电子器件。所得到的器件不太可能失效，并且制造不太贵，从而导致消费者的较低成本。
52.虽然已经详细地示出本发明的一个或多个实施例，但是本领域技术人员将会理解，在不偏离所附权利要求中阐述的本发明的范围的情况下可以做出对那些实施例的修改和适配。