斯格明子的驱动方法

技术特征：
1.一种斯格明子的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法包括：在与预设的磁性薄膜所在平面垂直的方向上施加交变电场，所述磁性薄膜生成有斯格明子，以驱动所述斯格明子做呼吸运动；其中，所述磁性薄膜上镀有非磁性薄膜，以维持斯格明子的稳定性，所述磁性薄膜与非磁性薄膜相接触所形成的界面区域为异质结；所述交变电场为周期性变化的电场，所述交变电场的电场强度公式为：e＝e0sin(ωt)其中，所述e为交变电场的电场强度，所述e0为交变电场的振幅，所述ω为交变电场的频率，所述t为时间。2.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于，在与预设的磁性薄膜所在平面垂直的方向上施加交变电场时，所述驱动方法还包括：在所述磁性薄膜所在平面内施加第一外磁场，以驱动斯格明子根据所述第一外磁场的磁场方向定向运动。3.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于，所述磁性薄膜中的斯格明子通过以下步骤生成：在与所述磁性薄膜所在平面垂直的方向上施加第二外磁场，以使所述磁性薄膜的磁矩沿着所述第二外磁场的磁场线方向排列，得到均匀磁化的所述磁性薄膜；沿着均匀磁化的所述磁性薄膜的法向量方向施加脉冲电流，以改变所述磁性薄膜的指定空间区域内的磁矩方向，其中，所述磁性薄膜的边界在所述指定空间区域内；待所述指定空间区域内的磁矩方向改变后，停止施加所述脉冲电流，以生成所述斯格明子。4.如权利要求1所述的斯格明子的驱动方法，其特征在于，所述磁性薄膜的膜厚度的取值范围以及非磁性薄膜的膜厚度的取值范围均为1～10纳米。5.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法还包括：将量子比特放置在所述异质结朝向所述磁性薄膜的方向上，所述量子比特距离所述异质结预设高度；利用所述斯格明子的呼吸运动所产生的交变偶极场控制量子比特的量子叠加态。6.如权利要求5所述的驱动方法，其特征在于，在将所述量子比特放置在所述异质结朝向所述磁性薄膜的方向上之前，所述驱动方法还包括：初始化所述量子比特，以使所述量子比特处于基态；相应地，在将处于基态的所述量子比特放置在所述异质结朝向所述磁性薄膜的方向上之后，所述驱动方法还包括：测量预设时间内所述量子比特的拉比震荡信号；根据所述拉比震荡信息号确定所述斯格明子的磁矩分布。7.如权利要求1-6任意一项所述的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法还包括：获取所述斯格明子的呼吸运动频率，根据所述呼吸运动频率设置所述交变电场的频率，以控制所述斯格明子的运动速度。

技术总结
本申请公开了一种斯格明子的驱动方法，该方法包括：在与预设的磁性薄膜所在平面垂直的方向上施加交变电场，所述磁性薄膜生成有斯格明子，以驱动所述斯格明子做呼吸运动。本申请通过对磁性薄膜施加交变电场，持续性的向磁性薄膜中的斯格明子提供能量，以驱动斯格明子进行呼吸运动，能够减少驱动斯格明子产生的热效应和霍尔效应所带来的不良影响。应和霍尔效应所带来的不良影响。应和霍尔效应所带来的不良影响。


技术研发人员：袁怀洋 王宪思 翁文康 王向荣
受保护的技术使用者：南方科技大学
技术研发日：2021.06.09
技术公布日：2022/12/8