污染物标识量测系统、光刻设备及其方法与流程

污染物标识量测系统、光刻设备及其方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年4月24日提交的美国临时专利申请号63/015,034的优先权，其全部内容通过引入并入本文。
技术领域
3.本公开涉及光刻系统，例如用于检测光刻设备中的掩模版上的污染物的检查系统。


背景技术：

4.光刻设备是将期望图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成待在ic的单独层上形成的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干个管芯的部分)上。通常经由将图案成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上，而进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性欧曝光到目标部分上，从而辐射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上借助辐射束扫描图案同时平行或反平行于该扫描方向扫描目标部分，从而辐射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上，而将图案从图案形成装置转印到衬底。
5.在光刻操作期间，不同的处理步骤可能需要在衬底上顺序地形成不同的层。对于每个图案转印过程，通常通过根据每个层的期望图案更换不同的掩模版，从而实现层的排序。
6.典型的光刻系统在与掩模版上的图案和从掩模版转印到晶片上的图案有关的亚纳米公差内工作。在光刻设备的环境中，发生高度动态的过程，例如，掩模版切换、晶片切换、受控气流、真空室壁的除气、液体分配(例如，光致抗蚀剂涂层)、温度变化、金属沉积、多个可致动部件的快速移动以及结构的磨损。随着时间的推移，动态过程在光刻设备内引入并积聚污染物颗粒。掩模版上的污染物颗粒可能对所转印的图案引入误差。因此，期望保持如下的不含污染物的掩模版，该掩膜版能够以亚纳米精度将图案精确地转印到晶片上、同时使得假阳性检测最小化。


技术实现要素：

7.需要提供改进的检查技术来检测光刻设备的光学关键部件上的污染物。
8.在一些实施例中，系统包括照射系统、检测系统和处理电路。照射系统生成在第一波长下的第一照射束和在第二波长下的第二照射束。第一波长不同于第二波长。照射系统使用第一照射束和第二照射束来同时辐射物体。检测系统接收由物体表面处存在的颗粒所散射的在第一波长下的辐射。检测系统生成检测信号。处理电路基于检测信号来确定颗粒
的特性。
9.在一些实施例中，方法包括使用在第一波长下的第一照射束和在第二波长下的第二照射束来同时辐射物体。第一波长不同于第二波长。方法还包括接收由物体表面处存在的颗粒所散射的在第一波长下的辐射；基于所接收的散射辐射而生成检测信号；分析检测信号；以及基于检测信号来确定颗粒的特性。
10.在一些实施例中，光刻设备包括照射设备、投射系统和量测系统。量测系统包括照射系统、检测系统和处理器。照射系统生成在第一波长下的第一照射束和在第二波长下的第二照射束。第一波长不同于第二波长。照射系统使用第一照射束和第二照射束来同时辐射物体。检测系统接收由物体表面处存在的颗粒所散射的在第一波长下的辐射。检测系统生成检测信号。处理电路基于检测信号来确定颗粒的特性。
11.以下参考附图来详细描述本公开的其它特征以及各种实施例的结构和操作。应注意，本公开不限于本文所述的特定实施例。本文提出的这些实施例仅用于例示的目的。基于本文所包含的教导，其它实施例对于相关领域的技术人员将是显而易见的。
附图说明
12.并入本文并形成说明书的一部分的附图图示了本公开并与说明书一起进一步用于解释本公开的原理，并且使得相关领域的技术人员能够制造和使用本文所述的实施例。
13.图1a示出了根据一些实施例的反射型光刻设备的示意图。
14.图1b示出了根据一些实施例的透射型光刻设备的示意图。
15.图2示出了根据一些实施例的反射型光刻设备的更详细示意图。
16.图3示出了根据一些实施例的光刻单元的示意图。
17.图4示出了根据一些实施例的颗粒检查系统的示意图。
18.图5示出了根据一些实施例的以第一波长和第二波长穿过艾里斑(airy disk)的截面的强度。
19.图6示出了根据一些实施例的在第一波长下的强度和在第二波长下的强度之间的差。
20.图7示出了根据一些实施例的具有艾里斑的中心的示例性像素网格。
21.图8a示出根据一些实施例的在第一波长下的颗粒的图像。
22.图8b示出根据一些实施例的在第二波长下的颗粒的图像。
23.图9示出了根据一些实施例的在第一波长和第二波长下的颗粒的图像的截面。
24.图10a示出了根据一些实施例的在第一波长下的颗粒的第一图像与在第二波长下的颗粒的第二图像之间的差异。
25.图10b示出了根据一些实施例的图10a的图像的截面。
26.图11示出了根据一些实施例的艾里斑的中心位于像素的中间处的示例性像素网格。
27.图12a示出了根据一些实施例的在第一波长下的颗粒的图像。
28.图12b示出了根据一些实施例的在第二波长下的颗粒的图像。
29.图13示出了根据一些实施例的在第一波长和第二波长下的颗粒的图像的截面。
30.图14a示出了根据一些实施例的在第一波长下的颗粒的第一图像与在第二波长下
的颗粒的第二图像之间的差异。
31.图14b示出了根据一些实施例的图14a的图像的截面。
32.图15示出了根据一些实施例的来自不同颗粒类型的示例性反射。
33.图16示出了根据一些实施例的颗粒检查系统的示意图。
34.图17示出了根据一些实施例的检查方法的流程图。
35.从以下结合附图阐述的具体实施方式中，本公开的特征将变得更加明显，在附图中相同的附图标记始终标识对应的元素。在附图中，相同的附图标记通常指示相同、功能类似和/或结构类似的元素。附加地，通常，附图标记的最左边数字标识附图标记首次出现的附图。除非另有说明，否则在整个公开内容中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。
具体实施方式
36.本说明书公开了并入本公开的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例作为示例提供。本公开的范围不限于所公开的(多个)实施例。所要求保护的特征由所附权利要求限定。
37.所描述的(多个)实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例实施例”等的引用指示所描述的(多个)实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的短语不一定指代同一实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，结合其它实施例实现这样的特征、结构或特性在所属领域的技术人员的知识范围内。
38.在本文中可以使用空间上相对的术语，诸如“在
…
下方”、“在
…
之下”、“下部”、“在
…
之上”、“在
…
上”、“上部”等，以便于描述如图所示的一个元素或特征与另一元素或特征的关系。除了图中所示的取向之外，空间上相对的术语旨在包括器件在使用或操作中的不同取向。设备可以以其他方式定向(旋转90度或以其他取向)并且本文所使用的空间上相对的描述符同样可以相应地解释。
39.如本文所使用的术语“约”指示可以基于特定技术变化的给定量的值。基于特定技术，术语“约”可以指示在例如值的10-30％(例如值的
±
10％、
±
20％或
±
30％)内变化的给定量的值。
40.本公开的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本公开的实施例还可以被实现为机器可读介质上存储的指令，指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(rom)；随机存取存储器(ram)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存装置；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程和/或指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应理解，此类描述仅为方便起见并且此类动作实际上由计算设备、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其它设备产生。本文中可以使用术语“非暂时性”来表征用于存储数据、信息、指令等的计算机可读介质，唯一例外为暂时性传播信号。
41.然而，在更详细地描述这些实施例之前，提供其中可以实现本公开的实施例的示例环境是有益的。
42.示例光刻系统
43.图1a和图1b分别图示了其中可以实现本公开的实施例的光刻设备100和光刻设备100’的示意图。光刻设备100和光刻设备100’各自包括以下各项：照射系统(照射器)il，其被配置为调节辐射束b(例如，深紫外或极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模台)mt，其被配置为支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)ma并且被连接到第一定位器pm，第一定位器pm被配置为对图案形成装置ma精确地进行定位；以及衬底台(例如，晶片台)wt，其被配置为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)w并且被连接到第二定位器pw，第二定位器pw被配置为对衬底w精确地进行定位。光刻设备100和100’还具有投射系统ps，其被配置为将由图案形成装置ma赋予辐射束b的图案投射到衬底w的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)c上。在光刻设备100中，图案形成装置ma和投射系统ps是反射型的。在光刻设备100’中，图案形成装置ma和投射系统ps是透射型的。
44.照射系统il可以包括用于对辐射束b进行引导、成形或控制的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或它们的任意组合。
45.支撑结构mt根据图案形成装置ma相对于参考框架的取向、光刻设备100和100’中的至少一个的设计以及其它条件(诸如图案形成装置ma是否被保持在真空环境中)来保持图案形成装置ma。支撑结构mt可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案形成装置ma。支撑结构mt可以是例如可以根据需要是固定的或可移动的框架或工作台。通过使用传感器，支撑结构mt可以确保图案形成装置ma例如相对于投射系统ps处于期望位置处。
46.术语“图案形成装置”ma应当被广义地解释为指代可以被用于将图案在辐射束b的截面上赋予辐射束b，以在衬底w的目标部分c中创建图案的任何装置。被赋予辐射束b的图案可以对应于在用于形成集成电路的目标部分c中创建的器件中的特定功能层。
47.图案形成装置ma可以是透射型的(如在图1b的光刻设备100’中)或反射型的(如在图1a的光刻设备100中)。图案形成装置ma的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列或可编程lcd面板。掩模在光刻中是公知的、并且包括诸如二元、交替相移或衰减相移的掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个反射镜可以单独倾斜，以在不同方向上反射传入的辐射束。倾斜的反射镜在辐射束b中赋予图案，辐射束b被小反射镜矩阵反射。
48.术语“投射系统”ps可以涵盖任何类型的投射系统，根据所使用的曝光辐射或其它因素(诸如在衬底w上使用浸没液体或使用真空)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统或它们的任何组合。真空环境可以被用于euv或电子束辐射，因为其它气体可能吸收过多的辐射或电子。真空环境因此可以借助真空壁和真空泵而提供给整个光束路径。
49.光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双载物台)或更多衬底台wt(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这样的“多载物台”机器中，在一个或多个其它衬底台wt被用于曝光的同时，附加衬底台wt可以被并行地使用或者准备步骤可以在一个或多个台上执行。在一些情况下，附加台可以不是衬底台wt。
50.光刻设备还可以是其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖来填充投射系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加到光刻设备中的其它空间，例如掩模和投射系统之间的空间。浸没技术在本领域中是公知的，用于增加
投射系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投射系统和衬底之间。
51.参考图1a和图1b，照射器il接收来自辐射源so的辐射束。例如，当源so是准分子激光器时，源so和光刻设备100、100’可以是分离的物理实体。在这种情况下，源so不被认为形成光刻设备100或100’的一部分，并且辐射束b借助包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的光束传递系统bd(在图1b中)从源so被传递到照射器il。在其它情况下，例如当源so是汞灯时，源so可以是光刻设备100、100’的组成部分。根据需要，源so和照射器il以及光束传递系统bd可以被称为辐射系统。
52.照射器il可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器ad(在图1b中)。通常，至少照射器的光瞳平面中的强度分布的外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)可以被调整。附加地，照射器il可以包括各种其它部件(在图1b中)，诸如积分器in和聚束器co。照射器il可以被用于调节辐射束b，以在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。
53.参考图1a，辐射束b入射到支撑结构(例如，掩模台)mt上保持的图案形成装置(例如，掩模)ma上，并由图案形成装置ma图案化。在光刻设备100中，辐射束b从图案形成装置(例如，掩模)ma反射。在从图案形成装置(例如，掩模)ma反射之后，辐射束b穿过投射系统ps，投射系统ps将辐射束b聚焦到衬底w的目标部分c上。借助第二定位器pw和位置传感器if2(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台wt可以被精确地移动(例如，以在辐射束b的路径中定位不同的目标部分c)。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器if1可以被用于相对于辐射束b的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)ma。可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准图案形成装置(例如，掩模)ma和衬底w。
54.参考图1b，辐射束b入射到支撑结构(例如，掩模台mt)上保持的图案形成装置(例如，掩模ma)上，并由图案形成装置图案化。在穿过掩模ma之后，辐射束b穿过投射系统ps，投射系统ps将辐射束聚焦到衬底w的目标部分c上。投射系统具有与照射系统光瞳ipu共轭的光瞳ppu。在不受掩模图案处的衍射影响的情况下，部分辐射从照射系统光瞳ipu处的强度分布发出并穿过掩模图案，并在照射系统光瞳ipu处创建强度分布的图像。
55.投射系统ps将掩模图案mp的图像mp’投射到衬底w上涂覆的光致抗蚀剂层上，其中图像mp’通过来自强度分布的辐射由标记图案mp产生的衍射束形成。例如，掩模图案mp可以包括线和间隔的阵列。辐射在阵列处的衍射不同于零阶衍射，其生成在与线垂直的方向上具有方向变化的转向衍射束。未衍射束(即，所谓的零阶衍射束)在传播方向上没有任何变化地穿过图案。零阶衍射束穿过投射系统ps的在投射系统ps的光瞳共轭ppu的上游的上部透镜或上部透镜组，以到达光瞳共轭ppu。光瞳共轭ppu的平面中并与零阶衍射束相关联的强度分布部分是照射系统il的照射系统光瞳ipu中的强度分布的图像。孔径装置pd例如被设置在或基本上设置在包括投射系统ps的光瞳共轭ppu的平面处。
56.投射系统ps被布置为借助透镜或透镜组l不仅捕获零阶衍射束，而且捕获第一阶或第一阶和更高阶衍射束(未示出)。在一些实施例中，用于对在垂直于线的方向上延伸的线图案进行成像的偶极照射可以被用于利用偶极照射的分辨率增强效应。例如，第一阶衍射束在晶片w的水平处与对应的零阶衍射束干涉，以在最高可能的分辨率和过程窗口(即，与可容忍的曝光剂量偏差组合的可用焦深)处创建线图案mp的图像。在一些实施例中，可以
通过在照射系统光瞳ipu的相物体限中提供辐射极(未示出)来减小像散像差。此外，在一些实施例中，可以通过阻挡投射系统的光瞳共轭ppu中的与相反的象限中的辐射极相关联的零阶束来减小像散像差。这在2009年3月31日公布的us7,511,799b2中更详细地描述，其全文通过引用并入本文。
57.借助第二定位器pw和位置传感器if(例如，干涉量测装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台wt可以被精确地移动(例如，以在辐射束b的路径中定位不同的目标部分c)。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器(图1b中未示出)可以被用于将掩模ma相对于辐射束b的路径精确地定位(例如，在从掩模库机械获取之后或在扫描期间)。
58.通常，可以借助长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现掩模台mt的移动，长行程模块和短行程模块形成第一定位器pm的一部分。类似地，衬底台wt的移动可以使用长行程模块和短行程模块来实现，长行程模块和短行程模块形成第二定位器pw的一部分。在步进器(与扫描仪相对)的情况下，掩模台mt可以被仅连接到短行程致动器或者可以被固定。可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准掩模ma和衬底w。尽管衬底对准标记(如图所示)占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(被称为划线对准标记)。类似地，在掩模ma上提供多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。
59.掩模台mt和图案形成装置ma可以在真空室v中，其中真空内机器人ivr可以被用于将图案形成装置(诸如掩模)移入和移出真空室。备选地，当掩模台mt和图案形成装置ma在真空室的外部时，真空外机器人可以类似于真空内机器人ivr，被用于进行各种运输操作。真空内和真空外机器人均需要被校准，以将任何有效载荷(例如，掩模)平滑地传送到传送站的固定运动支座。
60.光刻设备100和100’可以被用于以下模式中的至少一个：
61.1.在步进模式中，在赋予辐射束b的整个图案被投射到目标部分c上的同时，支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底台wt被保持基本静止(即，单次静态曝光)。衬底台wt然后在x和/或y方向上移位，使得不同的目标部分c可以被曝光。
62.2.在扫描模式中，在赋予辐射束b的图案投射到目标部分c上的同时，支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底台wt被同步地扫描(即，单次动态曝光)。可以由投射系统ps的(缩小)放大率和图像反转特性来确定衬底台wt相对于支撑结构(例如，掩模台)mt的速度和方向。
63.3.在另一模式中，在赋予辐射束b的图案被投射到目标部分c上的同时，保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如，掩模台)mt基本上保持静止，并且衬底台wt被移动或扫描。可以采用脉冲辐射源so，并且可编程图案形成装置在衬底台wt的每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要被更新。该操作模式可以被容易地应用于利用可编程图案形成装置(诸如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。
64.也可以采用所描述的使用模式的组合和/或变型或者完全不同的使用模式。
65.在一些实施例中，光刻设备可以生成duv和/或euv辐射。例如，光刻设备100’可以被配置为使用duv源来操作。在另一示例中，光刻设备100包括极紫外(euv)源，其被配置为生成用于euv光刻的euv辐射束。通常，euv源被配置在辐射系统中，并且对应的照射系统被配置为调节euv源的euv辐射束。
66.图2更详细地示出了光刻设备100，光刻设备100包括源收集器设备so、照射系统il
和投射系统ps。源收集器设备50被构造和布置为使得真空环境可以在源收集器设备50的闭合结构220中被维持。可以通过放电产生的等离子体源形成euv辐射发射等离子体210。euv辐射可以由气体或蒸气产生，例如xe气体、li蒸气或sn蒸气，其中非常热的等离子体210被创建，以发射电磁波谱的euv范围内的辐射。例如通过导致至少部分电离的等离子体的放电而创建非常热的等离子体210。为了有效地生成辐射，可能需要例如10pa的xe、li、sn蒸气或任何其它合适的气体或蒸气的分压。在一些实施例中，激发锡(sn)的等离子体被提供来产生euv辐射。
67.由热等离子体210发射的辐射从源室211经由可选的气体阻挡部或污染物陷阱230(在一些情况下也被称为污染物阻挡部或箔陷阱)而进入收集器室212，气体阻挡部或污染物陷阱230被定位在源室211中的开口中或之后。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230还可以包括气体阻挡部、或气体阻挡部和通道结构的组合。此处进一步指示的污染物陷阱或污染物阻挡部230至少包括通道结构。
68.收集器室212可以包括辐射收集器co，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器co具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器co的辐射可以从光栅光谱滤波器240反射，以聚焦在虚拟源点if中。虚拟源点if通常被称为中间焦点、并且源收集器设备被布置为使得中间焦点if位于闭合结构220中的开口219处或附近。虚拟源点if是辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤波器240具体用于抑制红外(ir)辐射。
69.随后，辐射穿过照射系统il，照射系统il可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224被布置为：在图案形成装置ma处提供辐射束221的期望角分布、以及在图案形成装置ma处提供辐射强度的期望均匀性。当辐射束221在由支撑结构mt保持的图案形成装置ma处被反射时，经图案化的光束226形成，并且经图案化的光束226由投射系统ps经由反射元件228、229成像到由晶片台或衬底台wt保持的衬底w上。
70.在照射光学单元il和投射系统ps中通常可以存在比所示出的更多的元件。根据光刻设备的类型，光栅光谱滤波器240可以可选地存在。此外，可以存在比图2所示的反射镜更多的反射镜，例如与图2所示相比，在投射系统ps中可以存在1至6个附加反射元件。
71.如图2所示，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例，收集器光学元件co被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢套式收集器。掠入射反射器253、254和255围绕光轴o轴对称设置，并且该类型的收集器光源元件co优选地与放电产生等离子体源(通常被称为dpp源)组合使用。
72.示例性光刻单元
73.图3示出了根据一些实施例的光刻单元300，有时也被称为光刻池或簇。光刻设备100或100’可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括用于在衬底上执行曝光前和曝光后工艺的一个或多个设备。常规地，这些包括：用于沉积抗蚀剂层的旋涂机sc、用于将经曝光的抗蚀剂显影的显影剂de、激冷板ch和烘烤板bk。衬底处理器或机器人ro从输入/输出端口i/o1、i/o2拾取衬底，在不同的处理设备之间移动它们并将它们传递到光刻设备100或100’的装载舱lb。这些通常被统称为轨道的装置处于轨道控制单元tcu的控制下，轨道控制单元tcu本身由监督控制系统scs控制，监督控制系统scs还经由光刻控制单元lacu来控制光刻设备。因此，不同的设备可以被操作来将产量和处理效率最大化。
74.示例性污染物检查设备
75.在一些实施例中，量测系统可以被用于检查物体来确定物体的清洁度。检查技术可以被执行为使得表面(例如，掩模版或衬底的表面)上的不期望缺陷被成功地检测，同时将错误检测(或假阳性)最小化。检查技术可以包括光学检查。
76.术语“缺点”、“缺陷”、“瑕疵”等在本文中可以被用于指代结构与指定公差的偏差或不均匀性。例如，平坦表面可以具有诸如划痕、孔或凹陷、外来颗粒、污点等缺陷。
77.在缺点的上下文中，术语“外来颗粒”、“污染物颗粒”、“污染物”等在本文中可以被用于指代未预期的、非典型的、不期望的等(本文中不期望的)颗粒物质，该颗粒物质存在于未被设计成容许存在不期望颗粒物质的区域中或表面上，或该颗粒物质以其它方式不利地影响其上存在颗粒物质的设备的操作。外来颗粒的一些示例可以包括灰尘、杂散光致抗蚀剂或光刻设备内的其它脱落材料。脱落材料的示例可以包括钢、au、ag、al、cu、pd、pt、ti等。由于例如在衬底上制造金属互连件的工艺以及致动结构的摩擦和冲击，可能发生材料脱落。污染物可能进入光刻设备中的敏感部分(例如，掩模版或衬底)、并增加光刻工艺中的错误的似然值。本公开的实施例提供了用于检测光刻设备或工艺的敏感部分上的缺陷的结构和功能。
78.大多数基于图像的算法在单个图像上操作，并且一系列形貌操作被执行来区分目标物体，例如：区分颗粒和周围背景。典型地，在开发分析算法的同时考虑考虑与物体和背景之间的强度比以及目标物体边缘的一些模型有关的某些假设的情况下，，(多个)物体的几何特征被测量。最常用的模型假设目标物体和周围邻居之间的强度的高斯型转变。强度水平与半高全宽(fwhm)(目标与背景相比的强度)相等，通常被用来隔离物体。这些可以导致相当简单的数据处理例程，其可以利用任意预设的强度阈值水平来对图像进行二值化，随后进行一系列形貌操作来标识感兴趣的物体。该方法的简单性带来了显著的缺点。为了保证以所要求的概率水平进行检测和在所要求的准确度和概率下确定尺寸，场景信噪比连同背景噪声水平必须满足特定指标。附加地，典型地，所分析的图像必须满足质量指标，诸如背景均匀性和目标物体可见性，其通常被假设为在图像上是恒定的。这些假设在实践中很难满足，因为所测量的目标的双向反射分布函数(brdf)通常不均匀，并且结果，(多个)目标的亮度随着照射方向、取向和到成像系统的距离而改变。
79.颗粒检测和尺寸确定在光刻机上安装的测试和测量设备中起到重要作用。从功能角度看，当前使用的系统(例如，掩模版背侧检查(rbi)、集成掩模版检查系统(iris))实质上是基于图像的散射仪。散射测量系统或散射仪提供与颗粒位置及尺寸有关的信息。散射仪基于由目标反射到检测系统方向的能量来确定颗粒的尺寸。散射仪在其光-机械布局方面相当简单，并且数据分析基本上被简化为分析与颗粒面积成比例的强度信号。虽然基于该原理操作的仪器比较简单，但是它们具有几个缺点，主要是：
[0080]-基于返回强度的颗粒尺寸被限制为具有比检测系统的空间分辨率更小的尺寸的颗粒。
[0081]-颗粒的散射性质与材料和表面轮廓相关。因此，如以下进一步描述的，由不同材料制成的和/或具有不同表面光学性质的颗粒可能被不正确地确定尺寸。
[0082]-散射仪不提供与颗粒的材料组成有关的信息。
[0083]
散射仪通常利用校准曲线，该校准曲线提供颗粒的强度和物理尺寸之间的直接转
换，通常针对诸如psl(聚苯乙烯-乳胶球)的参考类型的目标来测量颗粒的强度和物理尺寸。因此，由散射仪报告的颗粒尺寸应被解释为等效psl的尺寸，而不是感兴趣颗粒的物理尺寸。因此，在不同反射率下，与校准标准不同的材料颗粒引起不同的光强度，导致尺寸的不准确读取。
[0084]
此外，假阳性对光刻是有害的。例如，通过不必要地提示维护动作(例如，掩模版替换)或甚至推荐丢弃完全符合的掩模版，假阳性检测可能减慢生产。工业上正在考虑几种解决方案来改进颗粒尺寸测量的精度和准确度，然而，这样的解决方案(例如，多方向照射、涉及偏振的多成像技术)可能不能提供足够的假阳性率衰减，因为印刷在掩模版上的图案是未知的。
[0085]
为了克服上述限制，本文所述的颗粒检测/测量系统采用高分辨率成像系统、并且基于颗粒的图像面积的表面来测量颗粒尺寸。因此，本文所述的系统提供了与显微镜系统相当的尺寸准确度。准确度与成像系统性质直接相关。此外，本公开的实施例提供了用于减少实例或消除假阳性的结构和功能。本公开的实施例提供了颗粒的材料组成(类型)。
[0086]
图4示出了根据一些实施例的颗粒检查系统400的示意图。在一些实施例中，颗粒检查系统400可以在光刻设备中实现。颗粒检查系统400可以包括照射系统402、检测系统404和处理器406。照射系统402可以包括辐射源408。照射系统402可以包括一个或多个辐射调整元件410(例如，偏振器、波长滤波器、聚焦元件、分束器、光束组合器等中的任一个)。
[0087]
颗粒检查系统400可以包括外壳412。外壳412可以包括一个或多个隔室。外壳412可以包括检视窗口414和416。
[0088]
然而，在更详细地描述颗粒检测系统400的实施例之前，提供可以使用颗粒检测系统400检测的物体的示例是有益的。在一些实施例中，物体418可以是掩模版。掩模版可以包括图案特征420。图案特征420可以包括例如待经由光刻工艺转印到衬底上的产品和对准标记图案。物体418的表面424上的外来颗粒422可能对光刻造成负面影响，因为当外来颗粒被夹持在物体418和掩模版台之间时，外来颗粒可能被复印或以其它方式扭曲物体418的形状，或者当外来颗粒被夹持在它们之间时，对掩模版或掩模版台表面造成损坏，或者外来颗粒422被转移到掩模版台，从而污染掩模版台并可能污染或损坏同一载物台上装载的其它掩模版。在一个示例中，颗粒422可以具有在5μm至200μm范围内的直径。
[0089]
在一些实施例中，辐射源408可以生成辐射束426或多于一个辐射束426来照射物体418。辐射束426可以包括在第一波长下的第一辐射束、和在不同于第一波长的第二波长下的第二辐射束。辐射源408可以包括一个或多个辐射源。例如，辐射源408可以包括被配置为生成在第一波长下的辐射束的第一辐射源、和被配置为生成在第二波长下的辐射束的第二辐射源。在一些实施例中，辐射源408可以是可调谐辐射源，其被配置为生成在第一波长和第二波长下的辐射束。由辐射源408生成的辐射可以是相干辐射。例如，辐射源408可以是一个或多个激光二极管。辐射源408可以同时或相继使用第一辐射束和第二辐射束来照射物体418。
[0090]
在一个示例中，可以使用单个辐射源来生成第一辐射束和第二辐射束。一个或多个辐射调整元件410(例如，波长滤波器)可以被用来选择用于照射物体418的波长。例如，单个辐射源可以是被配置为生成宽带辐射束的宽带辐射源。一个或多个波长滤波器被用于对宽带辐射束进行光谱滤波，以获得具有在不同波长下的第一辐射束和第二辐射束。
[0091]
在一些实施例中，外壳412可以包括附加的检视窗口。例如，第一辐射束和第二辐射束可以经由分离的检视窗口来照射物体418。
[0092]
在一个示例中，第一波长可以在可见光谱中，并且第二波长可以在红外光谱中。
[0093]
在一个示例中，第一波长和第二波长可以在可见光谱中。
[0094]
在一些实施例中，检测系统404可以包括传感器元件428和聚焦元件430(例如，物镜或透镜系统)。传感器元件428可以捕获不同波长的物体的图像。检测系统404可以是图像捕获装置或多单元光检测器(例如，光检测器二维阵列、相机)。传感器元件428可以包括电荷耦合装置(ccd)或互补金属氧化物半导体(cmos)。在一些实施例中，传感器元件可以包括多个传感器元件，每个传感器元件被配置为捕获特定波长下的图像。在一些实施例中，检测系统404可以是单个单元光检测器(没有更多，可能不能分辨图像)，在这种情况下，传感器元件428可以是光敏二极管。然而，在尺寸、易于组装和/或成本效率是显著因素的情况下，单个单元光检测器可能是期望的。在一个示例中，物体418的表面424上的感兴趣面积可以被扫描。检测系统404可以具有从紫外到近红外的检测范围。在一些实施例中，检测系统404可以具有可见光谱中的检测范围。
[0095]
在一些实施例中，检测系统404可以接收由所检测的辐射432表示的、在表面424处散射并且由表面附近的结构(例如，图案特征420)散射的辐射。所检测的、在表面424处散射的辐射432可以包括由表面424上设置的颗粒422散射的辐射。检测系统404可以基于所接收的辐射来生成检测信号。检测信号可以包括所接收的辐射的信息，例如强度、相位等。检测信号可以包括检测图像的数据。
[0096]
处理器406可以接收并分析检测信号。处理器406可以确定表面424上的颗粒422的尺寸、颗粒422的边缘和/或颗粒422的材料成分(例如，碳、生物、钢、铝)。此外，如以下进一步描述的，处理器406可以区分伪信号、以及与表面424上的颗粒422存在相对应的信号。
[0097]
在辐射检测的上下文中，术语“假”、“伪”、“重影”、“寄生”等可以被用于描述与不与外来颗粒相互作用的辐射相关联的信号。
[0098]
在一些实施例中，由处理器406执行的确定可以包括确定颗粒422的潜在存在的污染类型。处理器406可以将检测结果呈现给颗粒检测系统400的用户(例如，在计算机显示器上)。
[0099]
尽管已在检测外来颗粒(例如，颗粒422)的上下文中描述了具体实施例，但是本文描述的实施例不限于颗粒污染检测。在一些实施例中，本文描述的颗粒检查系统可以总体上检测缺点，诸如划痕、孔或凹陷、外来颗粒、污点等。期望检测造成破坏光刻工艺风险的所有类型的缺点。
[0100]
在一些实施例中，处理器406使用在不同光谱带中获取的至少两个图像来标识物体/颗粒的边缘。对于在固定共轭和数值孔径f/#下工作的光学系统，成像波长的变化导致分辨率的变化，并因此导致与艾里斑直径的变化成比例的物体尺寸的成比例变化。在不同波长下获取的图像之间的强度差在理论上被预测、并且被用于找到物体边缘。在本文描述的系统中，物体之间的尺寸差与图像之间的光谱间隔直接成比例。尺寸差是辐射源和检测系统的光谱性质的函数。
[0101]
在一些实施例中，颗粒检查系统400被色度校正(na无关)。由检测系统404获取的一系列光谱分离的图像被用于使得目标物体与背景隔离。由于分辨率和成像系统是波长相
关的并且通常用于具有固定na，f/#的系统，因此f/#随着波长的增加而减小。由非相干观察系统给出的物体图像以输入与系统的脉冲响应(艾里斑)的卷积给出。艾里斑直径由公知的等式给出，并且受数值孔径(na)和波长(λ)两者的影响，因此在较短波长下获取的图像比在(多个)较长波长下获取的图像具有较高的分辨率。由于分辨率的改变，波长的改变导致包封物体强度分布的横向偏移全宽半高边界(fwhd)。使用在不同波长下获取的至少两个图像的集合或者使用在不同数值孔径下操作的光学系统，可以测量任意物体的尺寸变化。已知至少两个图像之间的分辨率比，可以在数值上重构目标物体边界。这进而允许基于在不同波长下获取的图像中的强度分布之间的差，来标识和确定目标物体的尺寸。
[0102]
在一个示例中，检测系统404具有na＝0.1、-1x的放大率，并且传感器元件428(或成像检测器)具有3.5μm平方像素。图像在两个波长λ1＝450nm和λ2＝650nm.下被顺序地获取。针对该情况的艾里斑直径是并且针对第二光谱通道，艾里斑直径是在λ1和λ2下操作的检查系统之间的艾里斑直径差是艾里斑直径的变化与图像检测器像素的尺寸相当。
[0103]
图5示出了根据一些实施例的在第一波长和第二波长下穿过艾里斑的截面的强度。曲线图502图示了在λ1＝450nm下强度分布的截面，并且曲线图504图示了在λ2＝650nm下强度分布的截面。艾里斑的直径对应于检测系统404的分辨率。
[0104]
图6示出了根据一些实施例的在第一波长和第二波长下的强度之间的差。曲线图602是在图5的曲线图502和曲线图504所示的λ1＝450nm和λ2＝650nm下强度之间的差。
[0105]
示例1
[0106]
图8a和图8b中分别示出由在λ1＝450nm和λ2＝650nm下操作的检查系统400成像的、具有10μm直径的碟状物体的仿真图像。检查系统具有na＝0.1的衍射受限光学系统。传感器元件428(或成像检测器)具有3.5μm平方像素。图7描绘了参考仿真强度分布的坐标系的相机像素组织。颗粒的中心处于相机像素的边缘处。
[0107]
图9示出了根据一些实施例的在第一波长和第二波长下的颗粒图像的截面。曲线图902示出了穿过图8a的中心行的水平截面。曲线图904示出了穿过图8b的中心行的水平截面。
[0108]
图10a示出了根据一些实施例的在第一波长下的颗粒的第一图像以及在第二波长下的颗粒的第二图像之间的差。
[0109]
图10b示出了根据一些实施例的图10a的图像的截面。曲线图1002示出了穿过图10a的中心行的水平截面。
[0110]
示例2
[0111]
在图12a和图12b中示出由在图λ1＝450nm和λ2＝650nm下操作的检查系统400成像的、具有10μm直径的碟形物体的仿真图像。检查系统具有衍射受限光学系统，其具有na＝0.1。传感器元件428(或成像检测器)具有3.5μm平方像素。图11描绘了参考仿真强度分布的坐标系的相机像素组织。颗粒的中心对应于传感器元件428的像素的中心。
[0112]
图13示出了根据一些实施例的在第一波长和第二波长下的颗粒图像的截面。曲线
图1302示出了穿过图12a的中心行的水平截面。曲线图1304示出了穿过图12b的中心行的水平截面。
[0113]
图14a示出了根据一些实施例的在第一波长下的颗粒的第一图像、以及在第二波长下的颗粒的第二图像之间的差。
[0114]
图14b示出了根据一些实施例的图14a的图像的截面。曲线图1402示出了穿过图14a的中心行的水平截面。
[0115]
处理器406可以在所获取的图像中标识物体边缘。处理器406从检测系统404获取在第一波长和第二波长下的至少两个图像。处理器406确定与在第一波长下的第一图像和在第二波长下的第二图像(例如，图10a和图14a所示的图像)之间的强度差相对应的差异图像。然后，处理器406基于差异图像来标识物体边缘。例如，可以通过在两个图像之间执行减法操作来获得差异图像。
[0116]
在一些实施例中，处理器406可以在所获取的图像中标识物体边缘。处理器406从检测系统404获取在两个不同数值孔径(na)处获取的至少两个图像。处理器406确定与第一数值孔径处的第一图像和第二数值孔径处的第二图像之间的强度差相对应的差异图像。然后，处理器406基于差异图像来标识物体边缘。
[0117]
在一些实施例中，标识物体边缘可以包括基于以下参数来标识强度i(x，y)穿过差异图像或在第一和第二图像中的零强度的位置：最小负值、最小正值、测试强度值的取向上的距离、所测试的正和负强度之间的差等。处理器406可以基于距离来连接断开的边缘点。处理器406可以将强度变化与理论预测值(模板匹配)或实验验证值进行比较，以标识边缘并将它们与假阳性区分开。例如，物体418包括可能引起假阳性的衍射图案420。处理器406可以使得能够基于差分强度信号，来标识从掩模版图案的衍射性质出现的(多个)假阳性检测。由于重影反射位置由光栅等式控制，而物体边缘位置由成像系统的性质控制，因此在λ1和λ2处获取的图像中，重影反射位置和物体边缘位置将相同地移动/移位的概率较低。
[0118]
在一个实施例中，处理器406可以基于两个图像之间的强度差来区分颗粒422和重影信号。强度的小差异可以对应于重影信号。处理器406可以将强度差与预设阈值进行比较，以确定物体表面上是否存在颗粒。
[0119]
在一个方面，当检查薄膜正面时，类似的机制是造成假阳性的原因(在这种情况下，光将穿过掩模版图案和薄膜之间的空气间隙，而不是在玻璃中行进)。
[0120]
在一些实施例中，第一波长和第二波长对应于检测系统的量子效率的边缘。这提供了使得在第一波长下获取的第一图像和在第二波长下获取的第二图像之间的目标尺寸变化最大化的优点。
[0121]
在一个示例中，针对强度变化，第一图像和第二图像的每个像素被单独分析。也就是说，本文描述的系统对于非均匀照射和目标物体的反射率是鲁棒的。
[0122]
在一些实施例中，颗粒检查系统400可以确定颗粒422的材料成分。辐射源408可以是被配置为以两个或更多个波长辐射的激光源。
[0123]
在一些实施例中，检测系统可以使用具有不同数值孔径的成像系统在单个波长下获取颗粒422的两个图像。例如，检测系统404可以表示具有不同数值孔径的两个或更多个检测系统404。照射系统402使用单个照射束来照射颗粒422。两个或更多个检测系统404捕获颗粒422的至少两个图像。处理器406分析表示来自颗粒422的至少两个图像的数据的检
测信号，以确定颗粒422的边缘。换言之，检测系统可以以不同的分辨率获取颗粒422的两个图像，并基于两个图像的强度差来确定颗粒422的边缘。
[0124]
在一些实施例中，处理器406可以将使用颗粒检查系统400确定的尺寸数据与使用诸如光学显微镜的另一系统获取的尺寸数据进行比较。处理器406基于比较来确定趋势。具有一致图案的尺寸变化(与较高精度的设备相比，来自检查系统400的尺寸较高或较低)指示材料类型，诸如较高反射性的金属或较低反射性的有机物。
[0125]
图15示出了根据一些实施例的来自不同颗粒类型的示例性反射。与由高折射率材料形成的第二颗粒1504相比，由低折射率材料形成的第一颗粒1502反射/散射更多的光。
[0126]
图16示出了根据一些实施例的颗粒检查系统1600的示意图。颗粒检查系统1600包括第一照射系统1602、第二照射系统1604和检测系统1606。第一照射系统1602可以包括第一辐射源1608。在一些实施例中，辐射源1608可以生成第一辐射束1610，以第一波长来照射物体1612。第一照射系统1602可以包括一个或多个辐射调整元件1614(例如，偏振器、波长滤波器、聚焦元件、分束器、光束组合器等中的任一个)。第二照射系统1604可以包括第二辐射源1616。第二照射系统1604可以包括一个或多个辐射调整元件1628。第二辐射源1616生成第二辐射束1618，以第二波长与第一辐射束1610同时照射物体1612。颗粒1624可以存在于物体1612的表面1626上。
[0127]
在一个实施例中，第一波长在可见光谱中，并且第二波长在红外光谱中。第一波长可以是大约532nm。第一辐射束1610和第二辐射束1618驱动颗粒的热行为。具体地，颗粒的热膨胀系数由于第二辐射束1618进行的照射而改变。即，颗粒的光学响应由于红外曝光而改变。
[0128]
检测系统1606将经散射的辐射1620引导到一个或多个感测元件。检测系统1606被配置为基于在第一波长下的经散射的辐射1620而生成检测信号。
[0129]
颗粒检查系统1600还可以包括处理器1622。处理器1622可以经由接口向用户输出材料成分。处理器1622可以基于所检测的米氏散射来确定材料成分。
[0130]
此外，处理器1622可以基于材料成分来输出校正动作警告。例如，响应于确定材料成分或类型是有机物，向用户输出警告。响应于确定材料成分是金属，输出用于检查系统的警告。校正动作警告还可以包括基于被检查样本的材料成分的历史数据的尺寸确定算法的重新校准数据。
[0131]
在一个实施例中，颗粒检查系统1600可以包括第三照射系统(未示出)，其被配置为生成具有可见光谱中的第三波长的第三辐射束。检测系统可以获取物体在第一波长和第三波长下的图像。
[0132]
在一个实施例中，第一照射系统1602可以具有被配置为在可见光谱中的两个波长之间调谐的可调辐射源。检测系统可以获取物体在两个波长下的图像。如本文中先前所述，处理器1622可以分析图像来确定颗粒的边缘。
[0133]
在一个实施例中，物体1612是掩模版并且颗粒检查系统被集成在深紫外(duv)光刻系统或极紫外(euv)光刻系统中。
[0134]
图17示出了根据一些实施例的检查方法1700的流程图。应当理解，方法1700中所示的操作不是穷举的并且在任何所示操作之前、之后或之间也可以执行其它操作。在本公开的各种实施例中，方法1700的操作可以以与作为示例描述的那些不同的顺序和/或使用
不同的装置来执行。
[0135]
操作1702包括：使用在第一波长下的第一照射束和在第二波长下的第二照射束(例如，由辐射源408生成的辐射束426)，来同时辐射物体的表面。第一波长不同于第二波长。例如，物体的表面可以是图4的光刻图案形成装置或掩模版418的背侧。
[0136]
操作1704包括：在检测器处，接收由物体表面处存在的颗粒所散射的在第一波长下的辐射。这可以接收由在图4的光刻图案形成装置或物体418的背侧上发现的颗粒或污染物散射的散射光。
[0137]
操作1706包括：基于在检测系统(例如，图4的检测系统404)处接收的散射辐射，生成检测信号。在一些实施例中，操作1706可以包括检测非弹性光学散射来确定颗粒的分子成分。
[0138]
操作1708包括：使用处理电路(例如，图4的颗粒检查系统400的处理器406)，来分析检测信号。
[0139]
操作1710包括基于检测信号来确定颗粒的特性。
[0140]
在一些实施例中，第一波长在可见光谱中，并且第二波长在红外光谱中。
[0141]
在一些实施例中，可以存在获取操作，以从第二检查系统获取与颗粒相对应的尺寸数据。此外，可以存在比较操作，以将所获取的尺寸数据与物体的尺寸进行比较。标识操作基于比较操作来标识趋势。可以存在确定操作，以基于所标识的趋势来确定颗粒的材料类型。
[0142]
在一些实施例中，可以存在输出操作，以基于确定来输出校正动作警告。
[0143]
在一些实施例中，可以存在分析操作，以分析在第一波长下的检测信号的瑞利散射(例如，米氏散射)的光热调制。此外，可以存在确定操作，以基于分析来确定颗粒的材料类型。
[0144]
在一些实施例中，第一波长和第二波长在可见光谱中。
[0145]
在一些实施例中，检测系统包括图像捕获装置，并且检测信号表示图像数据。
[0146]
在一些实施例中，在第一波长下获取的第一图像以及在第二波长下获取的第二图像被用于：通过分析在第一图像和第二图像中编码的空间和光谱信息，来标识目标物体。
[0147]
在一些实施例中，本文中描述的量测系统可以在更大的系统中实现，例如在光刻设备内实现。
[0148]
实施例可以使用以下条款来进一步描述：
[0149]
1.一种检查系统，包括：
[0150]
照射系统，其被配置为生成在第一波长下的第一照射束和在第二波长下的第二照射束，并且使用第一照射束和第二照射束来同时辐射物体，第一波长不同于第二波长，；
[0151]
检测系统，其被配置为接收由物体的表面处存在的颗粒所散射的在第一波长下的辐射并且生成检测信号；以及
[0152]
处理电路，其被配置为基于检测信号来确定颗粒的特性。
[0153]
2.根据条款1所述的检查系统，其中第一波长在可见光谱中，并且第二波长在红外光谱中。
[0154]
3.根据条款2所述的检查系统，其中：
[0155]
特性是颗粒的尺寸，并且
[0156]
处理电路被进一步配置为：
[0157]
从第二检查系统，获取与颗粒相对应的尺寸数据；
[0158]
将所获取的尺寸数据与颗粒的尺寸进行比较；
[0159]
基于比较来标识趋势；以及
[0160]
基于所标识的趋势来确定颗粒的材料类型。
[0161]
4.根据条款3所述的检查系统，其中处理电路还被配置为基于确定来输出校正动作警告。
[0162]
5.根据条款2所述的检查系统，其中处理电路被进一步配置为：
[0163]
分析在第一波长下的检测信号的瑞利散射的光热调制；以及
[0164]
基于分析来确定颗粒的材料类型。
[0165]
6.根据条款2所述的检查系统，其中所接收的辐射包括非弹性散射光并且处理电路被进一步配置为：
[0166]
基于非弹性散射光来确定材料类型。
[0167]
7.根据条款1所述的检查系统，其中第一波长和第二波长在可见光谱中。
[0168]
8.根据条款1所述的检查系统，其中：
[0169]
检测系统包括图像捕获装置，并且
[0170]
检测信号表示图像数据。
[0171]
9.根据条款8所述的检查系统，其中特性是颗粒的边缘。
[0172]
10.根据条款9所述的检查系统，其中处理电路被进一步配置为：
[0173]
基于在第一波长下的检测信号，获取第一图像；
[0174]
基于在第二波长下获取的第二检测信号，获取第二图像；
[0175]
基于第一图像和第二图像，确定第三图像；以及
[0176]
基于一个或多个指标，标识颗粒在第三图像中的边缘。
[0177]
11.根据条款10所述的检查系统，其中一个或多个指标包括最小强度值、最大强度值和预测强度值。
[0178]
12.根据条款9所述的检查系统，其中处理电路还被配置为：基于第一图像和第二图像中的位置偏移，区分颗粒的边缘和重影反射位置。
[0179]
13.根据条款9所述的检查系统，其中检测系统具有从第一波长到第二波长的光谱范围。
[0180]
14.一种检查方法，包括：
[0181]
使用在第一波长下的第一照射束和在第二波长下的第二照射束来同时辐射物体，第一波长不同于第二波长；
[0182]
接收由物体的表面处存在的颗粒所散射的在第一波长下的辐射；
[0183]
基于所接收的散射辐射，生成检测信号；
[0184]
分析检测信号；以及
[0185]
基于检测信号，确定颗粒的特性。
[0186]
15.根据条款14所述的检查方法，其中第一波长在可见光谱中，并且第二波长在红外光谱中。
[0187]
16.根据条款15所述的检查方法，其中：
[0188]
特性是颗粒的尺寸；并且
[0189]
方法进一步包括：
[0190]
从第二检查系统，获取与颗粒相对应的尺寸数据，
[0191]
将所获取的尺寸数据与颗粒的尺寸进行比较，
[0192]
基于比较来标识趋势，以及
[0193]
基于所标识的趋势来确定颗粒的材料类型。
[0194]
17.根据条款16所述的检查方法，进一步包括：
[0195]
基于确定来输出校正动作警告。
[0196]
18.根据条款15所述的检查方法，进一步包括：
[0197]
分析在第一波长处的检测信号的米氏散射的光热调制；以及
[0198]
基于分析来确定颗粒的材料类型。
[0199]
19.根据条款14所述的检查方法，其中第一波长和第二波长在可见光谱中。
[0200]
20.根据条款14所述的检查方法，其中：
[0201]
检测系统包括图像捕获装置，并且
[0202]
检测信号表示图像数据。
[0203]
21.一种光刻设备，包括：
[0204]
照射设备，其被配置为照射图案形成装置的图案；
[0205]
投射系统，其被配置为将图案的图像投射到衬底上；以及
[0206]
量测系统，包括：
[0207]
照射系统，其被配置为生成在第一波长下的第一照射束和在第二波长下的第二照射束，并且使用第一照射束和第二照射束来同时辐射物体，第一波长不同于第二波长，
[0208]
检测系统，其被配置为接收由物体的表面处存在的颗粒所散射的在第一波长下的辐射并且生成检测信号，以及
[0209]
处理电路，其被配置为基于检测信号来确定颗粒的特性。
[0210]
尽管在本文中可以具体参考光刻设备在ic的制造中的使用，但是应当理解，本文描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、lcd、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这样的备选应用的上下文中，本文中术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以被认为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，可以在例如跟踪单元(通常将抗蚀剂层施加到衬底并且使得经曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测单元和/或检查单元中处理本文中提到的衬底。在适用的情况下，本文的公开内容可以被应用于这样的和其它衬底处理工具。此外，例如为了创建多层ic，衬底可以被处理多于一次，使得本文中使用的术语衬底也可以指代已包含多个处理层的衬底。
[0211]
尽管以上已具体参考了本公开的实施例在光学光刻的上下文中的使用，但是应当理解，本公开可以用于其他应用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上创建的图案。图案形成装置的形貌可以被按压入提供给衬底的抗蚀剂层中，由此抗蚀剂通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来固化。图案形成装置移出抗蚀剂，在抗蚀剂固化之后在其中留下图案。
[0212]
应理解，本文的措辞或术语是为了描述而非限制的目的，使得本公开的术语或措
辞应由相关领域的技术人员根据本文的教导来解释。
[0213]
本文中使用的术语“衬底”描述了在其上添加材料层的材料。在一些实施例中，衬底本身可以被图案化，并且添加在其顶部的材料也可以被图案化，或者可以在未图案化的情况下保持。
[0214]
尽管在本文中可以具体参考根据本公开的设备和/或系统在ic制造中的使用，但是应当清楚地理解，这样的设备和/或系统具有许多其它可能的应用。例如，其可以被用于制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、lcd面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这样的备选应用的上下文中，本文中术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用应被认为分别由更通用的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”替换。
[0215]
虽然以上已描述了本公开的具体实施例，但是应当理解，本公开可以以不同于所描述的方式来实践。本说明书不旨在限制本公开。
[0216]
应当理解，具体实施方式部分而不是发明内容和摘要部分旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述(多个)发明人预期的本公开的一个或多个但不是所有示例性实施例，并且因此不旨在以任何方式限制本公开和所附权利要求。
[0217]
以上借助图示了特定功能及其关系的实现方式的功能构建块描述了本公开。为了便于描述，这些功能构建块的边界在本文中被任意限定。只要适当地执行指定的功能及其关系，就可以限定替换边界。
[0218]
具体实施例的以上描述将充分揭示本公开的整体性质，使得在不脱离本公开的一般概念的情况下，其他人可以通过应用本领域的技术内的知识，在无需过多的实验的情况下，容易地修改和/或适配这样的具体实施例的各种应用。因此，基于本文给出的教导和指导，这样的适配和修改旨在处于所公开的实施例的等同物的含义和范围内。
[0219]
所保护的主题的广度和范围不应受任何上述示例性实施例的限制，而应仅根据所附权利要求及其等同物来限定。