半导体激光器和包括半导体激光器的激光系统的制作方法

半导体激光器和包括半导体激光器的激光系统
1.本专利申请要求德国专利申请de 10 2020 205 253.0的优先权，其公开内容在此通过引用并入本文。
2.lidar(“光检测和测距”)系统越来越多地用于车辆中，例如用于自动驾驶。例如，它们被用于测量距离或识别目标。在lidar系统的情况下，所用的波长的窄窗口通常非常方便，因为在这种情况下，能够通过窄带滤波器有效抑制作为干扰信号的阳光。由于在传统的边缘发射半导体激光器中，发射波长的变化超过0.2nm/k，因此正在研究即使在温度变化的情况下，波长也几乎不会变化的构思，即，在这种情况下，确保增加的温度稳定性。
3.本发明解决了提供改进的半导体激光器以及改进的lidar系统的问题。
4.根据实施例，该问题通过独立权利要求的主题得以解决。从属专利权利要求中定义了有利的进一步发展。
5.半导体激光器包括：具有用于产生辐射的有源区的半导体层装置、第一谐振器镜、第二谐振器镜和设置在第一与第二谐振器镜之间的谐振器，所述谐振器沿平行于半导体层装置的主表面的方向延伸。半导体激光器还包括设置在半导体层装置与第一谐振器镜之间的第一波长选择吸收元件。
6.半导体激光器还能够包括设置在半导体层装置与第二谐振器镜之间的第二波长选择吸收元件。例如，第一波长选择吸收元件能够具有设置在与目标波长处的电场强度的节点的位置相对应的位置处的吸收层。
7.根据实施例，第一波长选择吸收元件还能够在第一谐振器镜与吸收层之间具有透明介电层。透明介电层的尺寸设定为使得以目标波长形成的驻波的节点设置在吸收层中。在这种情况下，透明介电层和吸收层的平面能够垂直于光传播方向延伸。例如，节点能够设置在吸收层的中心。
8.此外，第一波长选择吸收元件能够具有多个吸收层，其中至少两个相邻吸收层的中心之间的光学距离在每种情况下对应于设置在吸收层之间的透明介电层中的目标波长一半的整数倍。
9.根据实施例，吸收层的材料能够含有锗。或者，吸收层能够实现为隧道结。
10.例如，透明介电层能够含有sio2、sin、znse或透明iii-v半导体材料。
11.根据实施例，对于预定义温度下的目标波长，在有源区内能够存在最大增益。
12.举例来说，半导体层装置能够具有多个激光元件，所述多个激光元件彼此叠置，并且通过至少一个连接层彼此连接。激光元件能够通过至少一个吸收连接层彼此连接。例如，至少一个吸收连接层能够设置在与目标波长处电场强度的节点的位置相对应的位置处。根据实施例，至少一个吸收连接层能够通过隧道结实现。
13.根据实施例，在半导体激光器情况下，半导体层装置的横向边界倾斜地延伸，使得产生的电磁辐射沿着半导体层装置的第一主表面的方向反射。第一和第二谐振器镜设置在半导体层装置的第一主表面之上。
14.例如，第一波长选择吸收元件设置在第一主表面与第一谐振器镜之间。第一波长选择吸收元件能够在第一主表面之上延伸。第一波长选择吸收元件还能够设置在第一主表
面与第二谐振器镜之间。
15.在半导体激光器具有斜反射侧壁的情况下，其中半导体层装置具有多个激光元件并且还具有至少一个吸收连接层，沿垂直方向测量的至少一个激光元件的层厚度s2能够满足关系s2＝u*λ/2。在这种情况下，u是自然数，并且λ表示激光元件的半导体层中的波长。
16.其他实施例涉及包含上文定义的半导体激光器的lidar系统。
17.附图用于理解本发明的示例性实施例。附图示出了示例性实施例，并结合描述对它们进行了说明。这些预期的进一步的示例性实施例和众多优点将从下面的详细描述中显现。附图中所示的元件和结构不一定按照彼此对应的真实比例示出。相同的附图标记是指相同或相互对应的元件和结构。
18.图1a示出了根据实施例的边缘发射半导体激光器的元件。
19.图1b示出了根据进一步实施例的半导体激光器的截面图。
20.图1c示出了根据进一步实施例的半导体激光器的截面图。
21.图1d示出了根据实施例的半导体激光器的细节的截面图。
22.图2a示出了根据实施例的表面发射半导体激光器的截面图。
23.图2b示出了根据进一步实施例的表面发射半导体激光器的截面图。
24.图3a示出了根据实施例的半导体激光器的部件。
25.图3b示出了根据实施例的半导体激光器的截面图。
26.图4a示出了根据进一步实施例的半导体激光器的截面图。
27.图4b示出了根据进一步实施例的半导体激光器的截面图。
28.图4c示出了根据进一步实施例的半导体激光器的截面图。
29.图5示出了根据实施例的lidar系统的示意图。
30.在下面的详细描述中，参考了附图，这些附图构成本公开的一部分并出于说明的目的示出了具体的示例性实施例。在这种情况下，诸如“顶侧”、“底部”、“前侧”、“后侧”、“之上”、“上”、“在
……
前”、“后面”、“在前”、“在后面”等的方向术语与当前描述的附图的方向有关。由于示例性实施例的组成部分能够在不同的方向上定位，所以方向术语仅用于说明，并且没有任何限制。
31.示例性实施例的描述不具有限制性，因为还存在其他示例性实施例，并且能够进行结构或逻辑更改，在这种情况下，不会偏离专利权利要求所定义的范围。特别地，只要上下文中没有明显相反的内容，以下所描述的示例性实施例的元素能够与所述其他示例性实施例的元素组合。
32.此处描述的激光器基于半导体材料。通常，以下描述中使用的术语“晶圆”、“半导体”或“半导体材料”能够包括任何具有半导体表面的基于半导体的结构。晶圆和结构应当理解为包括掺杂和非掺杂半导体、外延半导体层(如果合适的话，由基底支撑件支撑)以及其他半导体结构。举例来说，由第一半导体材料组成的层能够生长在由第二半导体材料组成的生长基板(例如gaas基板、gan基板或si基板)上，或者由绝缘材料组成的生长基板上(例如在蓝宝石基板上)。
33.根据使用目的，半导体能够基于直接或间接半导体材料。特别适合产生电磁辐射的半导体材料的示例特别包括能够产生紫外光、蓝光或长波长光氮化物半导体化合物，例如gan、ingan、aln、algan、algainn、algainbn；例如能够产生绿光或波长更长的光的磷化物
半导体化合物，例如gaasp、algainp、gap、algap；以及其他半导体材料，例如gaas、algaas、ingaas，alingaas、algaasp、ingaasp、sic、znse、zno、ga2o3、金刚石、六角bn和上述材料的组合。化合物半导体材料的化学计量比能够变化。半导体材料的进一步示例能够包括硅、硅锗和锗。在本说明书的上下文中，术语“半导体”还包括有机半导体材料。
34.术语“基板”通常包括绝缘、导电或半导体基板。
35.本说明中使用的术语“横向”和“水平”旨在描述基本平行于基板或半导体主体的第一表面延伸的取向或对准。例如，这能够是晶圆或芯片(管芯)的表面。
36.水平方向能够位于例如在层的生长期间垂直于生长方向的平面中。
37.本说明书中使用的术语“垂直”意在描述基本垂直于基板或半导体主体的第一表面延伸的取向。垂直方向能够对应于例如层的生长期间的生长方向。
38.图1a示出了根据实施例的半导体激光器10的部件。半导体激光器10包括半导体层装置112。半导体层装置112具有用于产生辐射的有源区115。半导体激光器10还具有第一谐振器镜144、第二谐振器镜146和设置在第一谐振器镜114与第二谐振器镜146之间的谐振器131。谐振器131沿平行于半导体层装置112的主表面111的方向延伸。半导体激光器10还具有设置在半导体层装置112与第一谐振器镜144之间的第一波长选择吸收元件140。根据进一步的实施例，半导体激光器10还能够在半导体层装置112与第二谐振器镜146之间具有第二波长选择性吸收元件147。下面将更具体地解释第一波长选择吸收元件140和第二波长选择吸收元件147的结构和功能。
39.第二谐振器镜146能够具有例如低于第一谐振器镜144的反射率的反射率。产生的激光辐射135能够通过第二谐振器镜146耦合出来。或者，第一谐振器镜144能够具有低于第二谐振器镜146的反射率的反射率。举例来说，产生的激光辐射135也能够经由第一谐振器镜144耦合出来。
40.半导体层装置112包括第一导电类型(例如p型)的第一半导体层110，以及第二导电类型(例如n型)的第二半导体层120。其他半导体层能够设置在基板与第一半导体层110之间。基板能够是绝缘的，也能够包括半导体材料。半导体层能够例如在基板100之上外延生长。有源区115能够设置在第一与第二半导体层110、120之间。有源区115能够具有用于产生辐射的例如pn结、双异质结构、单量子阱(sqw)结构或多量子阱(mqw)结构。在这种情况下，“量子阱结构”的命名对于量子化的维数没有任何意义。因此，它特别包括量子阱、量子线和量子点以及这些层的任何组合。
41.有源区115由主表面垂直于光学谐振器131的延伸方向的层或层序列提供。通常，这种类型的半导体激光器称为边缘发射半导体激光器。然而，正如稍后将参考图2a至4c解释的那样，即使具有这样的配置形式，也可以通过半导体层装置112的主表面111发射电磁辐射。
42.此外，能够提供接触元件(未示出)，以便向半导体激光器施加电压。
43.在图1b所示的布置的情况下，三个激光元件1271、1272、1273彼此叠置。单个激光元件中的每个都具有第一半导体层110、第二半导体层120和有源区115。这里，第一半导体层能够再次各自为第一导电类型，第二半导体层120各自为第二导电类型。单个激光元件1271、1272和1273各自通过连接层1281、1282彼此连接。连接层1281、1282能够各自是隧道结，从而可以实现电连接。
44.通常，在本技术的上下文下，术语“隧道结”包括第一和第二导电类型的一系列非常高掺杂的半导体层。例如，第一导电类型的第一高掺杂层能够以与激光元件1271、1272和1273的第一导电类型的第一半导体层110相邻并接触的方式设置。此外，第二导电类型的第二高掺杂层能够以与激光元件1271、1272、1273的第二导电型的第二半导体层120相邻并接触的方式设置。可选地，能够在高掺杂层之间另外设置中间层。第一和第二导电类型的非常高掺杂层以及可选的中间层的序列构成隧道二极管。能够使用这些隧道二极管来串联连接各个激光元件1271、1272和1273。
45.如图1a所示，此处还提供了第一谐振器镜144和第二谐振器镜146。此外，半导体激光器10包括半导体层装置112与第一谐振器镜144之间的第一吸收元件140。半导体激光器10可选地还包括半导体层装置112与第二谐振器镜146之间的第二吸收元件147。
46.不言自明，激光元件1271、1272、1273的数量能够不同于三个。
47.根据图1c所示的实施例，第一吸收元件140也能够仅设置在半导体层装置112的一侧上，例如在半导体层装置112与第一谐振器镜144之间。根据实施例，产生的电磁辐射能够通过第二谐振器镜146耦合出来。根据进一步的实施例，产生的电磁辐射也能够通过第一谐振器镜144耦合出来。也就是说，在这种情况下，第一吸收元件140设置在半导体激光器10的光输出耦合侧。
48.下面参考图1d更详细地描述第一吸收元件140的结构。该描述比照适用于第二吸收元件147。如果半导体激光器10具有第一和第二吸收元件140、147，则它们能够具有相同的结构或相互不同的结构。
49.第一吸收元件140具有一个或更多个吸收层143。吸收层143是例如薄的、吸收性强的层。吸收层143的层厚度能够例如小于20nm，例如小于5nm。例如，吸收层143的材料能够是锗。吸收层143还能够包括隧道结或一些其他的强吸收层。例如，吸收层143能够含有一些锗单层。光学透明绝缘体层141，例如透明iii-v半导体层或包括sio2、sin或这些材料的混合物的层，能够设置在半导体层装置112与吸收层143之间。设置透明绝缘体层141例如是为了避免吸收层143与半导体层装置112之间的短路。
50.设置在吸收层143与第一谐振器镜144之间的透明介电层142例如由以使得折射率和层厚的乘积随温度变化小的方式构成的材料构成。例如，折射率和层厚的乘积变化小于0.1nm/k。通常，例如，介电层142能够含有单个层，或者可选地包括多个层。例如，透明介电层142的光学厚度的尺寸设定为使得以目标波长形成的驻波的节点设置在吸收层143中，例如，在吸收层143的中心中。例如，透明介电层142能够包括透明iii-v半导体层，znse层或包括sio2、sin或这些材料的混合物的层。
51.能够在半导体层装置112与第一谐振器镜144之间设置多个吸收层143和透明介电层142序列。在这种情况下，例如，设置在相邻吸收层143之间的介电层142的尺寸设计成使得相邻吸收层143的各个中心之间的距离d或光学距离对应于激光的有效目标波长的一半的整数倍。此处，术语“有效波长”与相关传播介质(即透明层)中的波长有关。此外，吸收元件被调整为使得所有吸收层130被设置在主驻波148的强度最小值的位置处。
52.在具有透明绝缘体层141、吸收层143和另一透明介电层142的吸收元件以及第一或第二谐振器镜144、146的这种设置的情况下，例如在半导体激光器的目标波长处，形成的驻波148的节点位于吸收层143的位置处。例如，节点在每种情况下都能位于吸收层143的中
心。术语“节点”在这里表示驻波的电场强度为零的区域。图1d示出了驻波148的电场强度大小。也就是说，所示的最小值分别对应于驻波的节点。
53.这样，当半导体部件在目标波长下工作时，吸收层143中不会发生吸收。如果波长随着温度的升高而偏移，则吸收层143中会对该波长的吸收增加。具体来说，在这种情况下，现在位于吸收层143区域的不是节点，而是具有有限场强(即场强不为零)的区域。因此，这些模式被衰减，并且只有那些涉及电场强度的节点存在于吸收层143位置处的模式形成。由于在目标波长处形成的驻波148的节点存在于吸收层143的位置处，因此吸收层143的位置处的电场强度等于零。因此，该光不会被吸收层143吸收。通过这种方式，可以确保半导体激光器10发射具有目标波长的电磁辐射。该效果能够由在每种情况下都具有多个如上所述定位的多个吸收层143的吸收元件140、147来增强。
54.这样，提供了波长选择性吸收元件，该元件与谐振器镜结合，实现波长选择性反射。例如，谐振器镜能够具有非波长相关的反射率。根据进一步的实施例，具有波长相关的反射率的谐振器镜也能够与波长选择性吸收元件组合。例如，第一和/或第二谐振器镜144、146能够实现为例如由金构成的金属镜。根据进一步的实施例，第一和/或第二谐振器镜144、146能够实现为介电镜。通常，术语“介电镜”包括在很大程度上反射入射电磁辐射(例如》90％)且不导电的任何装置。举例来说，介电镜层能够由一系列各自具有不同折射率的极薄介电层形成。举例来说，这些层能够交替地具有高折射率(例如n》1.7)和低折射率(如n《1.7)，并且可以实施为布拉格反射器。
55.所描述的构思也适用于半导体激光器，其中谐振器的至少一部分沿平行于半导体层装置112的主表面111的方向延伸，而辐射135通过半导体层装置112的第一主表面111发射。
56.图2a示出了根据实施例的包括平行于主表面111延伸的谐振器131的表面发射半导体激光器。如图2a所示，半导体层装置112的端面以45
°
角蚀刻。能够以相邻倾斜蚀刻侧壁的方式施加介电层138。根据进一步的实施例，介质载体基板100也能够直接邻接倾斜蚀刻的侧壁。由于半导体层装置112的半导体材料与介电层138之间的折射率差异，在每个侧壁处发生全内反射。结果，半导体层装置112的倾斜侧壁充当镜面反射侧壁137。因此，所产生的电磁辐射朝着半导体层装置112的第一主表面111的方向反射。第一和第二谐振器镜144、146设置在第一主表面111之上。
57.激光在每种情况下被第一谐振器镜144和第二谐振器镜146反射到具有有源区115的半导体层装置中。例如，可以按照上述方式在半导体层装置112与第一谐振器镜144之间设置波长相关的吸收元件140。如上所述，在此，在介电材料层之间还包含薄吸收层。吸收层的位置对应于镜面反射侧壁137与第一谐振器镜144之间形成的驻波的节点的位置。在图2a中，多个激光元件1271、1272和1273彼此堆叠，并通过连接层1281、1282彼此连接。连接层能够再次为隧道结。载体基板100以与半导体层装置的形状相对应的方式构造。例如，第二谐振器镜146具有低于第一谐振器镜144的反射率的反射率。相应地，产生的电磁辐射135通过第一主表面111在第二谐振器镜146位置处耦合出来。
58.根据图2b中所示的实施例，吸收元件140也能够设置在反射率较低的第二谐振器镜与半导体层装置112之间。举例来说，在这种情况下，在没有插入吸收元件140的情况下，第一谐振器镜144能够与半导体层装置112相邻。在这种情况中，发射的电磁辐射135在通过
吸收元件140和第二谐振器镜146后，通过半导体层装置112的第一主表面111的区域发射。图2b中半导体激光器的其他部件与参考图2a描述的部件类似或相同。
59.图3a示出了图2a、5b、3b、4a、4b、4c中描述的半导体激光器的一般部件，例如，在该激光器的情况下，谐振器的的至少一部分沿着平行于半导体层装置112的主表面111的方向延伸，并且产生的电磁辐射通过第一主表面111发射。
60.例如，根据图2a、2b、3b、4a、4b、4c所示实施例的半导体激光器具有彼此叠置的多个激光元件1271、1272和1273。激光元件例如通过连接层1281、1282彼此连接并串联电连接。举例来说，每个激光元件1271、1272、1273能够具有第一导电类型(例如p导电)的第一半导体层110，第二导电类型(例如n导电)的第二半导体层120，和有源区115。连接层1281、1282能够各自实现为隧道结。半导体层装置112的半导体层的侧壁以45
°
角蚀刻，并覆盖有介电层138。由于半导体层与相邻介电层之间的折射率差异，半导体材料与介电层间的界面充当全内反射镜。
61.因此，发射的辐射通过半导体层堆叠112的第一主表面111沿垂直方向发射。吸收元件140具有多个吸收层143和设置在吸收层143之间的透明介电层142。透明介电层142的层厚度的尺寸被确定以使得在每种情况下在反射侧壁137与相邻的谐振器镜(图3a中未示出)之间形成的驻波具有节点，节点位置位于吸收层143的位置处(如上文参考图1d所述)。这确保了吸收层143在目标波长下不会发生吸收。在波长偏移的情况下，吸收层143发生吸收，使得这些分量被衰减，并形成波长稳定的激光辐射。
62.图3b示出了半导体激光器10的截面图，用于说明图3a所示半导体激光器的其他部件。具有有源区115的谐振器131沿平行于第一主表面111的方向延伸，辐射通过半导体层装置112的第一主表面111发射。如图3b所示，公共吸收元件140设置在半导体层装置112的第一主表面111之上。因此，公共吸收元件140既设置在第一谐振器镜144与半导体层装置112之间，又设置在第二谐振器镜146与半导体层装置112之间。第一和第二谐振器镜144和146各自设置在半导体层装置112的第一主表面之上。第一和第二谐振器镜各自在平行于第一主表面111的平面中延伸。
63.因此，图3a中所示的部件在图3b中更详细的示出。吸收元件140的透明介电层142的层厚为s1，这里的适用关系为s1＝m*λ/2，其中m是自然数。每个激光元件1271、1272、1273的有源区115设置在这样的位置处，使得形成的驻波的最大值在每种情况下都被设置在有源区115的位置处。这确保在谐振器131中形成的驻波在每个情况下都在有源区115中被引导。因此对于单个激光元件1272和1273的层厚度，这会产生各自的关系s2＝u*λ/2，s3＝n*λ/2，其中u和n都是自然数。在每种情况下，此处指定的波长始终与相应半导体介质中的波长(即有效波长)有关。
64.单个激光元件1271、1272、1273的层厚度在每种情况下能够相同，也能够不同。如果第二激光元件1272的层厚度s2和第三激光元件1273的层厚度s3满足上述关系，则第一和第二连接层1281、1282能够表示除目标波长以外的所有放大波长的损耗通道。举例来说，第一和第二连接层1281、1282能够实施为吸收隧道结。给定该尺寸，驻波的节点在每种情况下都位于隧道结的位置处。因此，发生波长偏离目标波长的激光模式的吸收。因此，即使增益峰值放大变化，发射波长在温度变化的情况下也可能保持几乎恒定。
65.例如，第二谐振器镜146具有低于100％的反射率。第一谐振器镜144具有比第二谐
振器镜146高的反射率。根据进一步的实施例，第二谐振器镜146也能够具有比第一谐振器镜144高的反射率。
66.根据此处描述的实施例，吸收层143和透明介电层142能够例如外延地或随后，例如通过溅射、气相沉积等方式应用。例如，吸收层143能够含有一些单层的吸收材料，例如锗。
67.图4a示出了根据实施例的半导体激光器10的截面图。图4a所示的半导体激光器具有图3a和3b中所示的部件。吸收元件140设置在第一谐振器镜144与半导体层装置112之间。吸收元件140还设置在第二谐振器镜146与半导体层装置112之间。产生的电磁辐射135通过第二谐振器镜146输出。
68.例如，第一和第二半导体层110、120以及有源区的材料能够基于gaas材料系统，并且能够含有gaas半导体层。在这种情况下，连接层1281、1282能够具有含有高掺杂algaas(例如掺杂碲或碳的algaas)的隧道结。根据进一步的实施例，隧道结能够包括例如掺杂碲或碳的高掺杂gaas。例如，隧道结的层厚能够小于λ/2，其中λ对应于相应传播介质中的有效波长。
69.根据进一步的实施例，例如在半导体层装置112与第二谐振器镜146之间，或者在半导体层装置112与第一谐振器镜144之间的吸收层140中的一个能够被去掉。
70.图4b示出了根据实施例的半导体激光器的截面图，其中吸收元件140以上述方式设置在半导体层装置112与第一谐振器镜144之间。相比之下，第二谐振器镜146与半导体层装置112之间没有设置吸收元件140。例如，第二共振镜146直接邻接半导体层装置112。产生的电磁辐射135通过第二谐振器镜146输出。
71.图4c示出了吸收元件140设置在第二谐振器镜146与半导体层装置112之间的示例。相比之下，第一谐振器镜144与半导体层设置112之间没有设置吸收元件140。例如，第一谐振器镜144直接邻接半导体层装置112。产生的电磁辐射135经由第二谐振器镜146输出。
72.如前所述，通过在半导体层装置与谐振器镜之间使用波长选择吸收元件，可以提供具有改进的温度稳定性的半导体激光器。因此，可以提高使用半导体激光器的系统的性能。此外，该半导体激光器可以以经济高效的方式生产。
73.图5示出了能够使用所描述的半导体激光器10的lidar系统150的示意装置。由半导体激光器10发射的激光辐射(通常为脉冲激光辐射)例如通过准直器光学单元157和偏转/扫描单元154发射。目标光束153入射到目标156上并被后者反射。反射光束155在此过程中出现。反射光束155通过接收光学单元152馈送到检测器160。目标156的距离能够根据激光脉冲的发射与激光脉冲的接收之间的时间差来确定。
74.由于半导体激光器即使在变化的温度下也能够在稳定波长下工作，故可以使用窄带检测器。例如，检测器能够使用小于10nm或小于5nm或者甚至小于1nm的窄波长窗口。
75.结果，能够减少日照的影响，并且提高信噪比。结果，例如，为了测量相同的距离，需要较低的激光功率。或者在功率保持不变的情况下，能够增加系统的范围。结果，总体提高了系统的性能。此外，为了以恒定的信噪比进行相同的测量，激光器能够以较小的功率工作。因此，能耗降低。此外，所描述的半导体激光器能够以简单的方式经济高效地生产。
76.该半导体激光器也能够用于其他应用。例如，半导体激光器能够用于计量学、传感器技术领域，以及需要温度稳定波长的应用，例如期望少量颜色漂移的显示设备。
77.尽管本文已经对具体实施例进行了图示和描述，但本领域技术人员仍将认识到，在不脱离本发明保护范围的情况下，所示和描述的具体实施例能够被多种替换和/或等效配置所取代。本技术旨在涵盖本文讨论的具体实施例的任何修改或变体。因此，本发明仅受权利要求及其等同物的限制。
78.附图标记
79.10
ꢀꢀ
半导体激光器
80.100 载体基板
81.110 第一半导体层
82.111 第一主表面
83.112 半导体层装置
84.115 有源区
85.120 第二半导体层
86.127
1 第一激光元件
87.127
2 第二激光元件
88.127
3 第三激光元件
89.128
1 第一连接层
90.128
2 第二连接层
91.131 谐振器
92.135 发射的激光辐射
93.137 镜面反射侧壁
94.138 介电层
95.140 第一吸收元件
96.141 透明绝缘层
97.142 透明介电层
98.143 吸收层
99.144 第一谐振器镜
100.146 第二谐振器镜
101.147 第二吸收元件
102.148 驻波
103.150 lidar系统
104.151 分束器
105.152 接收光学单元
106.153 目标光束
107.154 偏转/扫描单元
108.155 反射光束
109.156 目标
110.157 准直器光学单元
111.160 检测器