液晶显示装置的制作方法

液晶显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术基于并主张2021年6月3日申请的日本国专利申请2021-093665的优先权的利益，上述日本国专利申请的全部内容被引用于本技术。
技术领域
3.本发明的实施方式涉及液晶显示装置。


背景技术：

4.作为显示装置的一例，已知有ips(in－plane－switching：平板开关)模式的液晶显示装置。在ips模式的液晶显示装置中，在隔着液晶层而对置的一对基板中的一个基板上设置像素电极及共用电极，利用在这些电极间产生的横向电场来控制液晶层的液晶分子的取向。另外，在ips模式中，将像素电极及共用电极配置于不同层的ffs(fringe field switching：边缘场开关)模式的液晶显示装置已被实用化。在该液晶显示装置中，利用在一对电极间产生的边缘电场来控制液晶分子的取向。
5.另一方面，在日本特开2018－116184号公报中，公开了一种液晶显示装置，通过在各像素中周期性地形成液晶分子不旋转的区域来加快响应速度。以下，将这种液晶显示装置的结构称为高速响应模式。
6.在高速响应模式中，需要在各像素中以窄间距形成梳齿状的电极图案。在使液晶显示装置更高精细化的情况下，该梳齿状的电极图案有可能短路。


技术实现要素：

7.一个实施方式的液晶显示装置具备：第一基板；第二基板，与所述第一基板对置；以及所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层。所述第一基板具备：第一共用电极，被施加共用电压；第二共用电极，在所述第一基板的厚度方向上位于所述第一共用电极与所述液晶层之间，被施加所述共用电压；以及第一像素电极，在所述厚度方向上位于所述第一共用电极与所述第二共用电极之间，具有在第一方向上排列的一对第一侧边。所述第二共用电极具有：第一主干部及第二主干部，分别在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向交叉的第二方向上排列；以及第一分支部，从所述第二主干部朝向所述第一主干部延伸。所述第一像素电极位于所述第一主干部与所述第二主干部之间。所述第一分支部在所述一对第一侧边之间与所述第一像素电极重叠。进而，所述一对第一侧边之间的所述第一像素电极的宽度随着接近所述第二主干部而变小。
8.根据这样的结构，能够提供可高精细化的液晶显示装置。
附图说明
9.图1是概略地表示第一实施方式的液晶显示装置的结构例的立体图。
10.图2是概略地表示第一实施方式的液晶显示装置的等效电路的一例的图。
11.图3是第一实施方式的显示面板的示意性剖视图。
12.图4是第一实施方式的显示面板的另一示意性剖视图。
13.图5是表示用于说明高速响应模式的动作原理的模型的俯视图。
14.图6是表示在图5的模型中形成了电场的状态的俯视图。
15.图7是表示用于说明高速响应模式的动作原理的其他模型的俯视图。
16.图8是表示在图7的模型中形成了电场的状态的俯视图。
17.图9是第一实施方式的第一共用电极、第二共用电极及像素电极的示意性俯视图。
18.图10是示出可应用于第一实施方式的副像素的更详细的结构的示意性俯视图。
19.图11是第一实施方式的另一例的副像素的示意性俯视图。
20.图12是第二实施方式的副像素的示意性俯视图。
21.图13是第三实施方式的副像素的示意性俯视图。
22.图14是第四实施方式的副像素的示意性俯视图。
具体实施方式
23.以下，参照附图对几个实施方式进行说明。
24.另外，公开只不过是一个例子，对于本领域技术人员来说，关于针对保持发明主旨的适当变更而能够容易地想到的内容，当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更明确，与实际的方式相比，附图有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对发挥与已出现的图有关的上述的结构要素相同或类似的功能的结构要素标注相同的参照附图标记，有时适当省略重复的详细说明。
25.在各实施方式中，作为电子设备的一例而公开了液晶显示装置。该液晶显示装置例如可以用于vr(virtual reality)浏览器、智能手机、平板终端、移动电话终端、个人计算机、电视接收装置、车载装置、游戏机以及可穿戴终端等各种装置。
26.[第一实施方式]
[0027]
图1是概略地表示第一实施方式的液晶显示装置dsp(以下，称为显示装置dsp)的结构例的立体图。图示的第一方向x、第二方向y及第三方向z相互正交，但也可以以90度以外的角度交叉。第一方向x及和第二方向y相当于与构成液晶显示装置(以下，简称为显示装置)dsp的基板的主面平行的方向。第三方向z相当于显示装置dsp及其结构要素的厚度方向。在本说明书中，将从第一基板sub1朝向第二基板sub2的方向称为“上侧”(或简称为上)，将从第二基板sub2朝向第一基板sub1的方向称为“下侧”(或简称为下)。在设为“第一层之上的第二层”及“第一层之下的第二层”的情况下，第二层可以与第一层接触，也可以与第一层分离。另外，将与第三方向z平行地观察显示装置dsp及其结构要素的情况称为俯视。
[0028]
显示装置dsp具备：显示面板pnl；与显示面板pnl对置的照明装置bl；驱动显示面板pnl的驱动器ic4；控制显示面板pnl及照明装置bl的动作的控制模块5；柔性电路基板fpc1；以及柔性电路基板fpc2。
[0029]
在图1的例子中，显示面板pnl的俯视时的形状是具有与第一方向x平行的短边和与第二方向y平行的长边的长方形状。显示面板pnl的平面形状例如可以是正方形，正圆形或椭圆形等其他形状。
[0030]
显示面板pnl具备：第一基板sub1；与第一基板sub1对置的第二基板sub2；以及位于这些基板sub1、sub2之间的液晶层(后述的液晶层lc)。
[0031]
显示面板pnl具有显示区域da及非显示区域nda。显示区域da是显示图像的区域。非显示区域nda是图像不被显示的区域。在图1的例子中，非显示区域nda包围显示区域da。非显示区域nda也可以称为周边区域、边框区域。显示面板pnl例如在显示区域da具备排列成矩阵状的多个像素px。
[0032]
驱动器ic4位于非显示区域nda中。在图1的例子中，驱动器ic4安装在第一基板sub1的安装部mt。安装部mt是第一基板sub1中不与第二基板sub2重叠的部分。另外，驱动器ic4也可以安装在柔性电路基板fpc1等其他位置。
[0033]
柔性电路基板fpc1将显示面板pnl与控制模块5电连接。柔性电路基板fpc2将照明装置bl与控制模块5电连接。柔性电路基板fpc1将从控制模块5输出的信号传递到显示面板pnl。柔性电路基板fpc2将从控制模块5输出的信号传递到照明装置bl。
[0034]
图2是概略地表示显示装置dsp的等效电路的一例的图。显示装置dsp具备：第一驱动器dr1；第二驱动器dr2；连接于第一驱动器dr1的多条扫描线g；以及连接于第二驱动器dr2的多条信号线s。各扫描线g在显示区域da中沿第一方向x延伸、并且在第二方向y隔开间隔地排列。各信号线s在显示区域da中沿第二方向y延伸、并且在第一方向x上隔开间隔地排列，并与各扫描线g交叉。
[0035]
像素px具有多个副像素sp。例如，在本实施方式中，假设一个像素px包括一个红色副像素spr、一个绿色副像素spg及一个蓝色副像素spb。但是，像素px可以还包括显示白色的副像素sp等，也可以包括与同一颜色对应的多个副像素sp。另外，有时也将副像素简称为像素。
[0036]
在图2中，副像素sp相当于由在第一方向x上相邻的两条扫描线g和在第二方向y上相邻的两条信号线s划分的区域。对各副像素sp配置有开关元件sw和像素电极pe。此外，遍及多个副像素sp而形成有共用电极ce。对共用电极ce施加共用电压。开关元件sw例如由薄膜晶体管(tft)构成，与扫描线g、信号线s及像素电极pe连接。
[0037]
扫描线g与在第一方向x上排列的副像素sp各自中的开关元件sw连接。信号线s与在第二方向y上排列的副像素sp各自中的开关元件sw连接。例如，在共用电极ce与像素电极pe之间形成保持电容。
[0038]
第一驱动器dr1向各扫描线g依次供给扫描信号。第二驱动器dr2向信号线s选择性地供给影像信号。当向与某个开关元件sw对应的扫描线g供给扫描信号，并且向与该开关元件sw连接的信号线s供给影像信号时，向像素电极pe施加与该影像信号对应的像素电压。此时，通过在像素电极pe与共用电极ce之间产生的电场，液晶层lc的液晶分子的取向从未被施加电压的初始取向状态发生变化。通过这样的动作，在显示区域da显示图像。
[0039]
图3是本实施方式的显示面板pnl的示意性剖视图。在图3中，示出了一个副像素sp的示意性截面。在图示的截面中，第一基板sub1具备透明的绝缘基材10、绝缘层11、12、13、14、15、16、第一取向膜17、信号线s、共用电极ce及像素电极pe。
[0040]
绝缘基材10例如由玻璃或塑料形成。绝缘层11、12、13、14、15、16按照该顺序在第三方向z上层叠。绝缘层11、12、13、15、16例如由氮化硅或氧化硅等无机材料形成。绝缘层14例如由丙烯酸树脂等有机材料形成。
[0041]
信号线s配置在绝缘层13之上，被绝缘层14覆盖。在本实施方式中，共用电极ce包括第一共用电极ce1和在第三方向z上位于第一共用电极ce1与液晶层lc之间的第二共用电极ce2。向第一共用电极ce1及第二共用电极ce2分别施加共用电压。
[0042]
第一共用电极ce1配置在绝缘层14之上，被绝缘层15覆盖。第二共用电极ce2配置在绝缘层16之上，被第一取向膜17覆盖。
[0043]
像素电极pe配置在绝缘层15之上，被绝缘层16覆盖。即，像素电极pe在第三方向z上位于第一共用电极ce1与第二共用电极ce2之间。
[0044]
在图3的截面中，第一共用电极ce1、第二共用电极ce2及像素电极pe在第三方向z上重叠。第一共用电极ce1、第二共用电极ce2及像素电极pe例如由ito(indium tin oxide：铟锡氧化物)等透明导电材料形成。
[0045]
第二基板sub2具备透明的绝缘基材20、遮光层21、滤色器22、保护层23及第二取向膜24。绝缘基材20例如由玻璃或塑料形成。
[0046]
遮光层21及滤色器22配置在绝缘基材20之下，被保护层23覆盖。保护层23被第二取向膜24覆盖。第一取向膜17及第二取向膜24使液晶层lc中所包含的液晶分子取向为后述的初始取向方向。
[0047]
遮光层21配置在副像素sp的边界。遮光层21在每个副像素sp中具有开口op。开口op与和设置有该开口op的副像素sp对应的颜色的滤色器22重叠。
[0048]
显示面板pnl还具备第一偏振片pl1和第二偏振片pl2。第一偏振片pl1粘贴在绝缘基材10的下表面。第二偏振片pl2粘贴在绝缘基材20的上表面。偏振片pl1、pl2的偏振轴(或吸收轴)相互正交。显示面板pnl可以还具备第一偏振片pl1及第二偏振片pl2以外的光学功能层。
[0049]
图4是显示面板pnl的另一示意性剖视图。开关元件sw具备半导体层sc。图4所示的截面相当于沿着该半导体层sc的截面。
[0050]
半导体层sc配置在绝缘层11之上，被绝缘层12覆盖。扫描线g配置在绝缘层12之上，被绝缘层13覆盖。在图4的截面中，扫描线g与半导体层sc在两处对置。即，该开关元件sw是双栅极型。但是，开关元件sw也可以是单栅极型。
[0051]
信号线s通过设置在绝缘层12、13的接触孔ch1而与半导体层sc的一部分接触。像素电极pe通过设置在绝缘层12、13、14、15的接触孔ch2而与半导体层sc的其他的一部分接触。也可以在像素电极pe和半导体层sc之间夹设有中继用的导电层。该导电层例如可以由与信号线s相同的材料形成在与信号线s相同的层。
[0052]
在图4的截面中，半导体层sc、信号线s、扫描线g、接触孔ch1、ch2在第三方向z上与遮光层21对置。但是，例如半导体层sc的一部分也可以不与遮光层21对置。
[0053]
这里，对高速响应模式进行说明。图5及图6是表示用于说明高速响应模式的动作原理的模型m1的俯视图。模型m1包括下部电极e1、与下部电极e1重叠的上部电极e2、以及多个液晶分子lm。模型m1中的液晶分子lm具有正(正型)的介电常数各向异性。
[0054]
上部电极e2具有主干部tpm和从主干部tpm延伸出的多个分支部bpm。分支部bpm具有：前端侧的角部c1、c2；根部侧的角部c3、c4；角部c1、c3之间的侧边101；以及角部c2、c4之间的侧边102。
[0055]
在图5的例子中，在下部电极e1与上部电极e2之间不形成电场。此时，液晶分子lm
通过取向膜的作用被取向为其长轴与初始取向方向ad一致。在图5的例子中，初始取向方向ad与分支部bpm的延伸方向一致。
[0056]
在图6的例子中，在下部电极e1与上部电极e2之间形成电场。在图中用点划线表示的el是在上部电极e2的周围产生的电场的等电位线的一例。在液晶分子lm上作用有旋转的力，使得长轴相对于电场的方向平行(与等电位线el正交)。
[0057]
在角部c1、c3的附近，液晶分子lm向第一旋转方向r1旋转。另外，在角部c2、c4的附近，液晶分子lm向第二旋转方向r2旋转。第一旋转方向r1及第二旋转方向r2是互不相同的旋转方向(相反的旋转方向)。
[0058]
角部c1～c4具有对侧边101、102附近的液晶分子lm的旋转方向进行控制的取向控制功能(换言之，使取向稳定化的功能)。即，侧边101附近的液晶分子lm受到角部c1、c3附近的液晶分子lm的旋转的影响，向第一旋转方向r1旋转。另外，侧边102附近的液晶分子lm受到角部c2、c4附近的液晶分子lm的旋转的影响，向第二旋转方向r2旋转。在图像显示时，侧边101、102的附近成为高透射率区域(亮区域)。
[0059]
另一方面，在分支部bpm的中心cl1的附近，两条分支部bpm之间的区域中的中心cl2的附近，向第一旋转方向r1旋转的液晶分子lm与向第二旋转方向r2旋转的液晶分子lm对抗。因此，在中心cl1、cl2，液晶分子lm维持于初始取向状态，几乎不旋转。在图像显示时，中心cl1、cl2的附近成为低透射率区域(暗区域)。
[0060]
图7及图8是表示用于说明高速响应模式的动作原理的模型m2的俯视图。模型m2与模型m1相同，包含下部电极e1、上部电极e2以及多个液晶分子lm。但是，模型m2中的液晶分子lm具有负(负型)的介电常数各向异性。
[0061]
在模型m2中，初始取向方向ad与分支部bpm的延伸方向正交。在下部电极e1与上部电极e2之间未形成电场的状态下，如图7所示，液晶分子lm被取向。
[0062]
在图8的例子中，在下部电极e1与上部电极e2之间形成电场。在液晶分子lm上作用有旋转力，使得长轴垂直于电场方向(平行于等电位线el)。
[0063]
在模型m2中也是，侧边101附近的液晶分子lm向第一旋转方向r1旋转，侧边102附近的液晶分子lm向第二旋转方向r2旋转。另外，在中心cl1、cl2，液晶分子lm维持于初始取向状态，几乎不旋转。
[0064]
在模型m1、m2的任一个中，电场形成时液晶分子lm向规定方向旋转的区域和液晶分子lm不旋转的区域都在图中的上下方向上交替形成。由此，能够提高显示装置的响应速度。
[0065]
图9是本实施方式的第一共用电极ce1、第二共用电极ce2及像素电极pe的示意性俯视图。这里，关注四个副像素sp(spa、spb、spc、spd)。在显示区域da中，由这些副像素spa、spb、spc、spd构成的结构在第一方向x及第二方向y上反复地排列。
[0066]
副像素spa、spb、spc、spd是上述副像素spr、spg、spb中的任一个。副像素spa、spb在第一方向x上排列，副像素spc、spd在第一方向x上排列，副像素spa、spc在第二方向y上排列，并且副像素spb、spd在第二方向y上排列。
[0067]
第二共用电极ce2具有在第一方向x上延伸的多个主干部tp和从各主干部tp延伸的多个分支部bp。在图9中，示出了在第二方向y上排列的三个主干部tp(第一至第三主干部tpa、tpb、tpc)和四个分支部bp(第一至第四分支部bpa、bpb、bpc、bpd)。分支部bpa、bpb从主
干部tpb朝向主干部tpa延伸。分支部bpc、bpd从主干部tpc朝向主干部tpb延伸。分支部bpa、bpb、bpc、bpd的延伸方向与第二方向y平行。
[0068]
对副像素spa、spb、spc、spd分别设计有开口op(第一至第四开口opa、opb、opc、opd)。开口opa、opb位于主干部tpa、tpb之间。开口opc、opd位于主干部tpb、tpc之间。即，在图9的例子中，主干部tpa、tpb、tpc与上述遮光层21重叠。
[0069]
对副像素spa、spb、spc、spd分别配置有像素电极pe(第一至第四像素电极pea、peb、pec、ped)和半导体层sc(第一至第四半导体层sca、scb、scc、scd)。像素电极pea、peb的大部分位于主干部tpa、tpb之间。像素电极pec、ped的大部分位于主干部tpb、tpc之间。
[0070]
分支部bpa具有在第一方向x上排列的一对侧边31、32、根部33、前端部34。侧边31以相对于第二方向y顺时针形成锐角θ1的方式倾斜。侧边32以相对于第二方向y逆时针形成锐角θ1的方式倾斜。根部33相当于分支部bpa和主干部tpb的连接部分。前端部34与主干部tpa分离。
[0071]
像素电极pea是具有在第一方向x上排列的一对侧边41、42、短边43(上底)、与短边43平行的长边44(下底)的梯形形状。侧边41以相对于第二方向y形成锐角θ2的方式倾斜。侧边42以相对于第二方向y顺时针形成锐角θ2的方式倾斜。短边43及长边44与第一方向x平行。
[0072]
由于侧边41、42如上述那样倾斜，因此侧边41、42之间的像素电极pea的宽度wpe随着接近主干部tpb(或根部33、短边43)而变小。分支部bpa及像素电极pea的大部分与开口opa重叠。分支部bpa在侧边41、42之间与像素电极pea重叠。
[0073]
锐角θ1、θ2例如为10度以下。作为其他例子，锐角θ1、θ2为5度以下。在图9的例子中，锐角θ1小于锐角θ2。在这种情况下，可以使宽度比像素电极pea小的分支部bpa形成得尽可能长。但是，也可以使锐角θ1为锐角θ2以上。
[0074]
在图9的例子中，短边43与主干部tpb重叠，长边44与主干部tpa重叠。但是，短边43和主干部tpb也可以不重叠。另外，长边44和主干部tpa也可以不重叠。
[0075]
分支部bpb、bpc、bpd具有与分支部bpa相同的形状。另外，像素电极peb、pec、ped具有与像素电极pea相同的形状。
[0076]
第一共用电极ce1具有与副像素spa、spb、spc、spd完全重叠的形状。即，在图9中，在不存在第二共用电极ce2及各像素电极pe的区域，存在第一共用电极ce1。
[0077]
图10是表示可应用于副像素sp的更详细的结构的示意性俯视图。这里，关注图9所示的副像素spa。副像素spa的开口opa由两条扫描线g(第一及第二扫描线ga、gb)和两条信号线s(第一及第二信号线sa、sb)包围。扫描线ga、gb及信号线sa、sb整体与遮光层21重叠。另外，扫描线ga与主干部tpa重叠，扫描线gb与主干部tpb重叠。
[0078]
在图10的例子中，像素电极pea的短边43与扫描线gb重叠，像素电极pea的长边44与扫描线ga重叠。作为另一例，既可以在第二方向y上短边43与扫描线gb分离，也可以在第二方向y上长边44与扫描线ga分离。此外，在图10的例子中，像素电极pea不与信号线sa、sb重叠。作为另一例，像素电极pea的一部分可以与信号线sa、sb中的至少一个重叠。
[0079]
在图10的例子中，像素电极pea的短边43的宽度w43大于分支部bpa的根部33的宽度w33。进而，在第一方向x上，像素电极pea的侧边41、42与根部33分离。
[0080]
副像素spa的半导体层sca和信号线sa通过接触孔ch1(见图4)连接。另外，半导体
层sca和像素电极pea通过接触孔ch2(参照图4)连接。半导体层sca在接触孔ch1、ch2之间与扫描线ga交叉两次。
[0081]
接触孔ch1在扫描线ga、gb之间位于靠近扫描线ga的位置。接触孔ch2位于开口opa和长边44之间。也可以说接触孔ch2位于开口opa与扫描线ga之间、开口opa与主干部tpa之间、或者侧边41与长边44所成的角部。
[0082]
对于包括副像素spb，spc、spd在内的其他副像素sp，可以应用与图10所示的副像素spa相同的结构。
[0083]
如果是以上那样的本实施方式的结构，则如图9中主干部tpb、tpc之间所例示的那样，形成第一共用电压区域ac1、第二共用电压区域ac2、像素电压区域ap。第一共用电压区域ac1和第二共用电压区域ac2是被施加共用电压的区域。像素电压区域ap是被施加像素电压的区域。
[0084]
第一共用电压区域ac1是形成第一共用电极ce1而没有形成第二共用电极ce2和像素电极pe的区域，位于在第一方向x上相邻的两个像素电极pe之间。第二共用电压区域ac2是形成有分支部bp的区域，在第一方向x上位于一对第一共用电压区域ac1之间。像素电压区域ap是形成有像素电极pe而没有形成第二共用电极ce2的区域，在第一方向x上分别位于一对第一共用电压区域ac1和第二共用电压区域ac2之间。
[0085]
在图9的例子中，液晶分子lm的初始取向方向ad与第二方向y一致。即，第一取向膜17及第二取向膜24使液晶分子lm取向为第二方向y。液晶分子lm具有正的介电常数各向异性。
[0086]
在共用电极ce1、ce2与像素电极pe之间形成电场时，在分支部bp的侧边31的附近或像素电极pe的侧边42的附近，液晶分子lm向第一旋转方向r1旋转。另外，在分支部bp的侧边32的附近或像素电极pe的侧边41的附近，液晶分子lm向第二旋转方向r2旋转。
[0087]
另一方面，在第一共用电压区域ac1的第一方向x上的中心clc1、第二共用电压区域ac2的第一方向x上的中心clc2、像素电压区域ap的第一方向x上的中心clp，液晶分子lm的旋转被抑制。由此，实现与上述模型m1相同的高速响应模式。
[0088]
假设在第一共用电压区域ac1和第二共用电压区域ac2由一个导电层形成的情况下，需要将这些共用电压区域ac1、ac2在第一方向x上以窄间距图案化。例如，在实现2000ppi以上的高精细的显示装置dsp时，由于图案化的分辨极限，可能难以用一个导电层形成共用电压区域ac1、ac2。
[0089]
与此相对，在本实施方式中，第一共用电压区域ac1和第二共用电压区域ac2由在第三方向z上重叠的不同导电层形成。因此，能够将这些共用电压区域ac1、ac2以窄间距排列。另外，各副像素sp中的一对像素电压区域ap通过使分支部bp与像素电极pe重合而形成。因此，不需要对像素电极pe进行精细的图案化。由此，能够制造高精细的显示装置dsp。
[0090]
进而，在本实施方式中，像素电极pe具有宽度wpe随着接近被连接有与该像素电极pe重叠的分支部bp的主干部tp而变小的形状。由此，像素电极pe的侧边41、42以相对于第二方向y(初始取向方向ad)形成锐角θ2的方式倾斜。在这样的结构中，与侧边41、42与第二方向y平行的情况相比，容易确定侧边41、42附近的液晶分子lm的旋转方向。结果，液晶分子lm的取向稳定性提高，显示装置dsp的显示品质提高。
[0091]
另外，在本实施方式中，分支部bp的侧边31、32以相对于第二方向y(初始取向方向
ad)形成锐角θ1的方式倾斜。由此，与侧边41、42的情况相同，液晶分子lm的取向稳定性提高。
[0092]
图11是本实施方式的另一例的副像素spa、spb、spc、spd的示意性俯视图。在该例子中，初始取向方向ad与第一方向x(主干部tp的延伸方向)平行，液晶分子lm具有负的介电常数各向异性。即，第一取向膜17及第二取向膜24使液晶分子lm取向为第一方向x。其他结构与图9相同。
[0093]
与图9的例子相同，在共用电极ce1、ce2与像素电极pe之间形成电场时，在侧边31、42的附近，液晶分子lm向第一旋转方向r1旋转，在侧边32、41的附近，液晶分子lm向第二旋转方向r2旋转。另一方面，在中心clc1、clc2、clp，液晶分子lm的旋转被抑制。由此，实现与上述模型m2相同的高速响应模式。
[0094]
在图11的例子中，侧边31、32、41、42以相对于第二方向y(与初始取向方向ad正交的方向)形成锐角的方式倾斜，由此侧边31、32、41、42附近的液晶分子lm的旋转方向容易确定。结果，液晶分子lm的取向稳定性提高，显示装置dsp的显示品质提高。
[0095]
除了以上之外，根据本实施方式还能够得到各种优选的效果。
[0096]
[第二实施方式]
[0097]
对第二实施方式进行说明。未特别提及的结构与第一实施方式相同。
[0098]
图12是第二实施方式的副像素spa、spb、spc、spd的示意性俯视图。在显示区域da中，由这些副像素spa、spb、spc、spd构成的结构在第一方向x和第二方向y上反复地排列。
[0099]
在图12的例子中，副像素spa、spc的结构与图9的例子相同，但是副像素spb、spd的结构与图9的例子不同。即，副像素spb、spd具有关于平行于第一方向x的轴而与副像素spa、spc线对称的形状。
[0100]
具体而言，分支部bpb从主干部tpa朝向主干部tpb延伸，分支部bpd从主干部tpb朝向主干部tpc延伸。另外，像素电极peb具有随着接近主干部tpa而宽度变小的形状，像素电极ped具有随着接近主干部tpb而宽度变小的形状。
[0101]
在图12的例子中，副像素spa的开口opa和副像素spb的开口opb在第二方向y上偏移。即，开口opa、opb的尺寸相同，但开口opb与主干部tpa之间的距离比开口opa与主干部tpa之间的距离小。而且，开口opb与主干部tpb之间的距离比开口opa与主干部tpb之间的距离大。副像素spc的开口opc和副像素spd的开口opd之间的关系与开口opa、opb之间的关系相同。
[0102]
副像素spa的半导体层sca的配置方式与图10所示的相同。即，半导体层sca的一部分与主干部tpa重叠。另一方面，副像素spb的半导体层scb的一部分与主干部tpb重叠。连接半导体层scb和像素电极peb的接触孔ch2位于开口opb与主干部tpb之间。副像素spc的半导体层scc和副像素spd的半导体层scd的配置方式分别与半导体层sca、scb相同。即，半导体层scc的一部分与主干部tpb重叠，半导体层scd的一部分与主干部tpc重叠。
[0103]
与图10的例子相同，在相邻的主干部tp之间形成有第一共用电压区域ac1、第二共用电压区域ac2和像素电压区域ap。在图10的例子中，第一共用电压区域ac1的宽度不是恒定的，而是随着接近相邻像素电极pe的长边44而减小。与此相对，在图12的例子中，第一方向x上的第一共用电压区域ac1的宽度(在第一方向x上相邻的像素电极pe的间隔)恒定。因此，即使在第一方向x上以窄间距排列像素电极pe的情况下，相邻的像素电极pe也难以短
路。
[0104]
在图12中，示出了初始取向方向ad与第二方向y一致，且具有正的介电常数各向异性的液晶分子lm由于电场而旋转的状态。在本实施方式中，因为在第一方向x上相邻的像素电极pe的侧边彼此平行，因此如在图12中重叠于像素电极pec的侧边42和像素电极ped的侧边41而示出的液晶分子lm那样，第一共用电压区域ac1中的液晶分子lm的旋转方向一致。由此，在第一共用电压区域ac1难以形成液晶分子lm不旋转的部分。因此，从实现稳定的高速响应模式的观点来看，第一实施方式的结构具有优点。
[0105]
另外，在本实施方式的结构中，也可以与图11的例子相同，初始取向方向ad与第一方向x平行，且液晶分子lm具有负的介电常数各向异性。
[0106]
[第三实施方式]
[0107]
对第三实施方式进行说明。未特别提及的结构与上述各实施方式相同。
[0108]
图13是第三实施方式的副像素spa、spb、spc、spd的示意性俯视图。在显示区域da中，由这些副像素spa、spb、spc、spd构成的结构在第一方向x及第二方向y上反复地排列。
[0109]
在图13的例子中，副像素spa、spb的结构与图9的例子类似，但是副像素spc、spd的结构与图9的例子不同。即，分支部bpc、bpd都从主干部tpb朝向主干部tpc延伸，像素电极pec、ped都具有随着接近主干部tpb而宽度变小的形状。
[0110]
在图13中，例示了单栅极型的半导体层sca、scb、scc、scd。半导体层sca、scb、scc、scd也可以是与上述各实施方式相同的双栅极型。
[0111]
在图13的例子中，半导体层sca的一部分与主干部tpa重叠。连接半导体层sca和像素电极pea的接触孔ch2在侧边41和长边44所成的角部附近位于开口opa和主干部tpa之间。半导体层scb的配置方式与半导体层sca相同。
[0112]
另外，在图13的例子中，半导体层scc的一部分与主干部tpc重叠。连接半导体层scc和像素电极pec的接触孔ch2在侧边42和长边44所成的角部附近位于开口opc和主干部tpc之间。半导体层scd的配置方式与半导体层scc相同。
[0113]
在本实施方式的结构中，也与图9的例子相同，在相邻的两个主干部tp之间形成第一共用电压区域ac1、第二共用电压区域ac2以及像素电压区域ap。在图13中，示出了初始取向方向ad与第二方向y一致，且具有正的介电常数各向异性的液晶分子lm由于电场而旋转的状态。作为其他例子，也可以是初始取向方向ad与第一方向x平行，且液晶分子lm具有负的介电常数各向异性。
[0114]
[第四实施方式]
[0115]
对第四实施方式进行说明。未特别提及的结构与上述各实施方式相同。
[0116]
图14是第四实施方式的副像素spa、spb、spc、spd的示意性俯视图。在显示区域da中，由这些副像素spa、spb、spc、spd构成的结构在第一方向x及第二方向y上反复地排列。
[0117]
在图14的例子中，副像素spa、spd的结构与图9的例子相同。此外，副像素spb、spc的结构与图12的例子中的副像素spb相同。即，分支部bpa从主干部tpb朝向主干部tpa延伸，分支部bpb从主干部tpa朝向主干部tpb延伸，分支部bpc从主干部tpb朝向主干部tpc延伸，分支部bpd从主干部tpc朝向主干部tpb延伸。
[0118]
另外，像素电极pea具有随着接近主干部tpb而宽度变小的形状，像素电极peb具有随着接近主干部tpa而宽度变小的形状，像素电极pec具有随着接近主干部tpb而宽度变小
的形状，像素电极ped具有随着接近主干部tpc而宽度变小的形状。
[0119]
在本实施方式的结构中，也与图9的例子相同，在相邻的两个主干部tp之间形成第一共用电压区域ac1、第二共用电压区域ac2以及像素电压区域ap。另外，与图12的例子相同，第一方向x上的第一共用电压区域ac1的宽度(在第一方向x上相邻的像素电极pe的间隔)是一定的。
[0120]
在图14中，示出了初始取向方向ad与第二方向y一致，且具有正的介电常数各向异性的液晶分子lm由于电场而旋转的状态。作为其他例子，也可以是初始取向方向ad与第一方向x平行，且液晶分子lm具有负的介电常数各向异性。
[0121]
以上，以作为本发明的实施方式说明的液晶显示装置为基础，本领域技术人员进行适当设计变更而能够实施的全部显示装置，只要包含本发明的主旨，也属于本发明的范围。
[0122]
在本发明的思想范畴内，本领域技术人员能够想到各种变形例，这些变形例也属于本发明的范围。例如，对于上述的实施方式，本领域技术人员适当地进行了结构要素的追加、删除或设计变更后的实施方式，或者进行了工序的追加、省略或条件变更后的实施方式，只要具备本发明的主旨，也包含在本发明的范围内。
[0123]
另外，关于在上述实施方式中叙述的方式所带来的其他作用效果，根据本说明书的记载而明确的内容，或者本领域技术人员能够适当想到的内容，当然理解为由本发明带来。