半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底，所述基底内具有多个位线接触区以及位于相邻所述位线接触区之间的隔离区；于所述基底内形成凹槽，所述凹槽的底部暴露所述位线接触区以及与所述位线接触区相邻的所述隔离区；形成至少覆盖所述凹槽侧壁的接触区隔离层；形成覆盖所述接触区隔离层表面并填充所述凹槽的位线接触层，所述位线接触层与所述凹槽底部的所述位线接触区接触；形成位于所述位线接触层上的位线层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及位于所述衬底表面的衬底隔离层；于所述基底内形成凹槽的具体步骤包括：形成覆盖所述衬底隔离层表面的第一掩模层，所述第一掩模层中具有暴露所述衬底隔离层的第一刻蚀窗口；沿所述第一刻蚀窗口刻蚀所述衬底隔离层和所述衬底，形成所述凹槽。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的底部暴露所述位线接触区、以及位于所述位线接触区相对两侧且与所述位线接触区相邻的所述隔离区。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在沿平行于所述基底的方向上，所述凹槽未贯穿所述隔离区。5.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述凹槽侧壁的接触区隔离层的具体步骤包括：沉积隔离材料于所述凹槽内壁和所述衬底隔离层表面，形成接触区隔离层；去除所述衬底隔离层表面和所述凹槽底部的所述接触区隔离层。6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述接触区隔离层为单层结构或者多层结构。7.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成接触区隔离层的具体步骤包括：沉积第一绝缘材料于所述凹槽内壁和所述衬底隔离层表面，形成第一子接触区隔离层；沉积第二绝缘材料于所述第一子接触区隔离层表面，形成第二子接触区隔离层；沉积第三绝缘材料于所述第二子接触区隔离层表面，形成第三子接触区隔离层。8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘材料和所述第三绝缘材料均为氮化物材料，所述第二绝缘材料为氧化物材料。9.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述接触区隔离层表面并填充满所述凹槽的位线接触层的具体步骤包括：沉积第一导电材料于所述接触区隔离层表面、所述衬底隔离层表面、并填充所述凹槽，形成位线接触层；去除覆盖于所述衬底隔离层表面的所述位线接触层。10.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述位线接触层的顶
面与所述衬底隔离层的顶面平齐。11.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成位于所述位线接触层上的位线层的具体步骤包括：沉积扩散阻挡材料于所述位线接触层和所述衬底隔离层表面，形成初始扩散阻挡层；沉积第二导电材料于所述初始扩散阻挡层表面，形成初始位线层；沉积盖层材料于所述初始位线层表面，形成初始位线盖层；形成第二掩模层于所述初始位线盖层上，所述第二掩模层中具有暴露所述初始位线盖层的第二刻蚀窗口；沿所述第二刻蚀窗口刻蚀所述初始位线盖层、所述初始位线层和所述初始扩散阻挡层，形成位于所述位线接触层上的扩散阻挡层、位于所述扩散阻挡层上的位线层、以及位于所述位线层上的位线盖层。12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成位于所述位线接触层上的扩散阻挡层、位于所述扩散阻挡层上的位线层、以及位于所述位线层上的位线盖层之后，还包括如下步骤：形成覆盖所述扩散阻挡层侧壁、所述位线层侧壁、所述位线盖层侧壁和顶面、以及所述衬底隔离层表面的位线隔离层。13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述位线隔离层与所述接触区隔离层的材料相同。14.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述扩散阻挡层侧壁、所述位线层侧壁、所述位线盖层侧壁和顶面、以及所述衬底隔离层表面的位线隔离层的具体步骤包括：沉积第一介质材料于所述扩散阻挡层侧壁、所述位线层侧壁、所述位线盖层侧壁和顶面、以及所述衬底隔离层表面，形成第一子位线隔离层；沉积第二介质材料于所述第一子位线隔离层表面，形成第二子位线隔离层；沉积第三介质材料于所述第二子位线隔离层表面，形成第三子位线隔离层。15.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内具有多个位线接触区以及位于相邻所述位线接触区之间的隔离区；凹槽，位于所述基底内，所述凹槽的底部暴露所述位线接触区以及与所述位线接触区相邻的所述隔离区；接触区隔离层，覆盖所述凹槽的侧壁；位线接触层，覆盖所述接触区隔离层表面并填充所述凹槽，所述位线接触层与所述凹槽底部的所述位线接触区接触，且所述位线接触层的顶面与所述基底的顶面平齐或者所述位线接触层的顶面低于所述基底的顶面；位线层，位于所述位线接触层上。16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底以及位于所述衬底表面的衬底隔离层；所述位线接触层的顶面与所述衬底隔离层的顶面平齐。17.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的底部暴露所述位线接触区、以及位于所述位线接触区相对两侧且与所述位线接触区相邻的所述隔离区。
18.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，在沿平行于所述基底的方向上，所述凹槽未贯穿所述隔离区。19.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述接触区隔离层为单层结构或者多层结构。20.根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述接触区隔离层包括：第一子接触区隔离层，覆盖于所述凹槽侧壁；第二子接触区隔离层，覆盖于所述第一子接触区隔离层表面；第三子接触区隔离层，覆盖于所述第二子接触区隔离层表面。21.根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，还包括：扩散阻挡层，位于所述位线接触层与所述位线层之间；位线盖层，位于所述位线层上；位线隔离层，覆盖于所述扩散阻挡层侧壁、所述位线层侧壁、所述位线盖层侧壁和顶面、以及所述衬底隔离层表面。22.根据权利要求21所述的半导体结构，其特征在于，所述位线隔离层与所述接触区隔离层的材料相同。23.根据权利要求21所述的半导体结构，其特征在于，所述位线隔离层包括：第一子位线隔离层，覆盖于所述扩散阻挡层侧壁、所述位线层侧壁、所述位线盖层侧壁和顶面、以及所述衬底隔离层表面；第二子位线隔离层，覆盖于所述第一子位线隔离层表面；第三子位线隔离层，覆盖于所述第二子位线隔离层表面。

技术总结
本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供基底，所述基底内具有多个位线接触区以及位于相邻所述位线接触区之间的隔离区；于所述基底内形成凹槽，所述凹槽的底部暴露所述位线接触区以及与所述位线接触区相邻的所述隔离区；形成至少覆盖所述凹槽侧壁的接触区隔离层；形成覆盖所述接触区隔离层表面并填充所述凹槽的位线接触层，所述位线接触层与所述凹槽底部的所述位线接触区接触；形成位于所述位线接触层上的位线层。本发明避免了对基底内有源区侧壁的损伤，有效减少甚至是避免了位线漏电的问题，还可以防止位线接触层与电容接触层之间短路。路。路。


技术研发人员：于业笑 刘忠明 陈龙阳 方嘉
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.06.02
技术公布日：2022/12/5