使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法与流程

1.本发明涉及一种使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法，即，在半导体生产线中，若在以安装半导体晶圆箱体的状态进行作业的装载台发生提取晶圆(wafer)的操作臂(indexarm)发生损坏或故障及错误等情况下或需要进行预防性维护(preventivemaintenance，在发生突发故障之前停止设备并提前进行检查、修理的作业行为)等正常制造工序运行前测试，则重新进行示教(teaching)，更详细地涉及如下的使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法，即，在为了重新设置操作臂等制造设备而进行示教作业时，可在示教时便捷、准确地确认到如下的操作臂与晶圆之间的操作关系，准确而便捷地实施操作臂的位置测量及校准，不仅如此，还可便捷地确认操作臂和晶圆是否位于准确的夹持位置并是否能通过操作臂准确地插入安装或提取晶圆等。
2.换句话说，本发明涉及如下的使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法，即，在半导体生产线中，在因操作臂发生损坏或故障及错误等而导致工序停止运转并为了重新运转而需设置设备时，通过预先确认、检查及校准是否能通过操作臂从半导体晶圆箱体(以下，简称“箱体”)准确地夹持晶圆来提取及安装，从而设置操作臂的设备。


背景技术：

3.通常，在半导体制造工序中，在向收纳安装多个晶圆的箱体(即，frontopeningunifiedpod，也称为“foup”)插入安装或从中提取半导体晶圆的操作臂等设备发生损坏或故障及错误等的情况下，以往都会在停止制造工序的运转并重新更换或修理设备后，会为了预先检查操作臂是否能正常从箱体准确地提取或插入安装晶圆，通过使用箱体进行示教。
4.作为一列，在韩国授权专利公报授权号10-0293906号的附图1中，上述箱体被标为“树脂薄板收纳容器”。
5.但是，箱体本身在半导体制造生产线中用于在收纳安装半导体晶圆后进行供给及移送，在将这种箱体作为示教用使用的情况下，会在示教作业时难以明确地确认操作臂是否准确地夹持晶圆并正常执行插入安装或提取，或者难以明确地确认操作臂与晶圆之间的操作关系是否准确，而且不方便、作业性变差。
6.即，难以精密测量及校准操作臂的高度或直线度、水平、中心、倾斜度及位置等且不方便，所以会发生需在设置设备后工序运行时重新进行示教的情况。
7.现有技术文献
8.专利文献
9.专利文献0001：韩国授权专利公报授权号10-0293906号(2001年11月22日公告)


技术实现要素：

10.由此，本发明用于解决上述问题，而本发明的目的在于，提供一种用于半导体晶圆示教的测量仪，即，在为了重新设置操作臂等制造设备而进行示教作业时，可在示教时便
捷、准确地确认到如下的操作臂与晶圆之间的操作关系，准确而便捷地实施操作臂的位置测量及校准，不仅如此，还可通过自动检测传感器精密、便捷地确认操作臂和晶圆是否位于准确的夹持位置并是否能通过操作臂准确地插入安装或提取晶圆等。
11.作为实现本发明的上述目的的实施例，本发明的用于半导体晶圆示教的测量仪包括：支架轴，在支撑板上，竖立设置于两侧，在上部和下部形成有用于插入安装半导体晶圆的多个支架槽(slot)；止挡件轴，竖立设置在上述支架轴的后方两侧部，用于使半导体晶圆固定在准确位置；以及框架顶板，固设于上述支架轴和止挡件轴的上端部，而上述支架轴的支架槽由搁架台肩形成，上述搁架台肩在入口处形成有倾斜部，在搁架台肩上，向两侧突出形成安装半导体晶圆的支撑台肩，在上述止挡件轴形成有支撑台肩，以在与上述支撑台肩相同的水平线上安装半导体晶圆，在上述支架轴的前方侧设置位置测量装置，上述位置测量装置在两侧固设导轨，以通过轨块进行引导的方式在上述导轨插入设置具有止挡件的测量固定块，以能够通过铰链轴转动的方式在上述测量固定块设置标有位置刻度的测量板，在上述止挡件和测量板分别固设极性不同的磁体，在上述测量固定块10的末端固设刻度指示尖部，在两侧的上述刻度指示尖部的前方配置有刻度板，在上述支撑板的前方设置用于测量水平状态的水平测量等级计量仪，在上述支撑板的规定位置设置用于在示教时将支撑板固定到桩钉的孔块，在上述支撑板的两侧设置用于搬运或示教时进行移动等的把手。
12.在两侧的上述支架轴之间固设内置有中央处理器的控制箱，上述中央处理器配置有用于执行检测功能及测量功能的程序，在上述控制箱的后表面配置有触摸显示面板，可通过显示测量值来查看并通过触摸来操作，在两侧的上述支架轴的下部的两侧，分别配置第一激光传感器及第二激光传感器和第三激光传感器及第四激光传感器，上述第一激光传感器及第二激光传感器用于测量半导体晶圆的左右偏差，上述第三激光传感器及第四激光传感器用于测量半导体晶圆的左右倾斜度，在配置在两侧的上述支架轴的上侧部的框架顶板的两侧，配置第五激光传感器及第六激光传感器和第七激光传感器及第八激光传感器，上述第五激光传感器及第六激光传感器用于测量半导体晶圆的左右偏差，上述第七激光传感器及第八激光传感器用于测量半导体晶圆的左右倾斜度，在两侧的上述支架轴的后方下侧中心部配置第九激光传感器和第十激光传感器，上述第九激光传感器用于测量半导体晶圆的深度，上述第十激光传感器用于测量半导体晶圆的前后倾斜度，在配置在两侧的上述支架轴的上侧部的框架顶板的中心部，配置第十一激光传感器和第十二激光传感器，上述第十一激光传感器用于测量半导体晶圆的深度，上述第十二激光传感器用于测量半导体晶圆的前后倾斜度。
13.作为实现本发明的上述目的的另一实施例，本发明的使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法包括：第一步骤，通过操作测量仪的电源开关来实现开启(on)；第二步骤，随着通过操作上述电源开关来开启测量仪，窗口(window)启动及测量程序自动开始工作；第三步骤，随着上述测量程序的工作，执行自动初始化工作；第四步骤，随着根据上述测量程序的工作来执行自动初始化工作，从而完成初始化；第五步骤，在完成上述初始化的步骤中，当半导体晶圆开始进入到支架槽时，开始进行半导体晶圆的放入检测，通过下部侧的第一激光传感器及第二激光传感器和上部侧的第五激光传感器及第六激光传感器测量半导体晶圆的左右偏差，若超出偏差范围，则无法进行半导体晶圆的放入并重新返回初始化的步骤，若不超出偏差范围，则开始进行半导体晶圆的放入，从而测量左右偏差；第六步骤，
在测量上述半导体晶圆的左右偏差时，若不超出偏差范围，则通过下部侧的第三激光传感器及第四激光传感器和上部侧的第七激光传感器及第八激光传感器测量半导体晶圆的左右倾斜度，若不超出偏差范围，则开始进行半导体晶圆的进入；第七步骤，在经过上述半导体晶圆开始进入的第六步骤进行进入后，通过下部侧的第一激光传感器及第二激光传感器和上部侧的第五激光传感器及第六激光传感器以及下部侧的第三激光传感器及第四激光传感器和上部侧的第七激光传感器及第八激光传感器测量半导体晶圆的左右进入偏差和左右倾斜度，并测量高度，若测量值不超出偏差范围，则执行完全进入；以及第八步骤，若上述半导体晶圆完全完成进入，则通过后方部下侧的第九激光传感器和上侧部的第十一激光传感器执行深度测量，并且，通过下侧的第十激光传感器和第三激光传感器及第四激光传感器执行半导体晶圆的前后倾斜度测量，并且，通过上侧的第十二激光传感器和第七激光传感器及第八激光传感器执行半导体晶圆的前后倾斜度测量，若测量值不超出偏差范围，则结束测量。
14.如上所述的本发明可通过在触摸显示面板输出通过激光传感器测量的半导体晶圆的左右偏差和左右倾斜度、深度及前后倾斜度、高度的测量值来进行确认，还可以确认半导体晶圆的直线度、平坦度、左右偏差、进入高度等测量值，从而通过所有测量和校准来完成测试。
15.即，在为了重新设置操作臂等制造设备而进行示教作业时，可在示教时便捷、准确地确认到如下的操作臂与晶圆之间的操作关系，准确而便捷地实施操作臂及晶圆的直线度、水平、高度、左右偏心、倾斜度及位置等的精密测量，不仅如此，还可通过这种测量轻松进行校准，而且可便捷地确认操作臂和晶圆是否位于准确的夹持位置并是否能通过操作臂准确地插入安装或提取晶圆等。
16.而且，所测量的所有测量信息可以存储在控制箱内的中央处理器中，可通过接口传输到基于有线通信或无线通信的个人计算机(pc)或智能手机等外部终端来进行管理及存储。
附图说明
17.图1为示出本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”的结构的立体图。
18.图2为本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”的整体主视图。
19.图3为本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”的整体俯视图。
20.图4为在本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”中以操作臂装载晶圆的状态插入安装于支架槽来进行操作臂和晶圆的位置测量的俯视图。
21.图5为本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”的整体侧视图，属于以操作臂装载晶圆的状态插入安装于支架槽来进行操作臂和晶圆的位置测量的侧视图。
22.图6为本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”的整体后视图。
23.图7为在本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”中部分截取位置测量装置的放大立体图。
24.图8为示出在本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”中将晶圆插入安装在支架轴的支架槽和止挡件轴的止挡件槽的状态的部分截取放大图。
25.图9为从平面上看到的在本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”中使半导体晶
圆插入并进入到支架槽的入口处并通过激光传感器测量晶圆的左右偏差的状态的示意图。
26.图10为从侧面看到的在本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”中使半导体晶圆插入并进入到支架槽的入口处并通过激光传感器测量晶圆的左右偏差的状态的示意图。
27.图11为从平面上看到的在本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”中使半导体晶圆进入到支架槽并通过激光传感器测量晶圆的左右偏差及左右倾斜度的状态的示意图。
28.图12为从侧面看到的在本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”中使半导体晶圆进入到支架槽并通过激光传感器测量晶圆的左右偏差及左右倾斜度的状态的示意图。
29.图13为从平面看到的在本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”中使半导体晶圆完全进入到支架槽并通过激光传感器测量晶圆的深度和前后倾斜度的状态的示意图。
30.图14为从侧面看到的在本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”中使半导体晶圆完全进入到支架槽并通过激光传感器测量晶圆的深度和前后倾斜度的状态的示意图。
31.图15为示出使用本发明的“用于半导体晶圆示教的测量仪”进行的用于半导体晶圆示教的测量方法的流程图。
具体实施方式
32.以下，根据作为优选实施例示出的附图来进行详细说明。
33.在说明本发明的过程中，在考虑本发明中的功能或形态等的情况下定义本说明书中的术语，不应理解为限定本发明的技术结构要素。
34.可对本发明进行多种变更，可具有多种实施方式，因此将在本文中详细说明实例(aspect)(或者实施例)。但这并不是将本发明限定于特定的公开实施方式，应理解为包含本发明的思想及技术范围内的所有变更、等同技术方案或代替技术方案。
35.而且，为了便于理解等，可夸大(或更厚)或缩小(或更薄)各个附图中的结构要素的大小或厚度，或者可简化附图中的结构要素，但不应解释成由此限定本发明的保护范围。
36.在本说明书中使用的术语只是用于说明特定的实例(实施方式)(或者实施例)，并不限定本发明。
37.通常使用的词典中所定义的常用术语应解释成含义与相关技术的文脉上的含义相同，除非在本技术中明确定义，否则不应解释成理想化或过于形式化的含义。
38.以下，根据作为本发明的优选实施例示出的附图进行详细说明。
39.作为用于实现本发明的目的的实施例，以下首先参照图1至图8进行说明。
40.本发明包括：支架轴3，在支撑板1上，竖立设置于两侧，在上部和下部形成有用于插入安装半导体晶圆w的多个支架槽2；止挡件轴4，竖立设置于上述支架轴3的后方两侧部，用于使半导体晶圆w固定在准确位置；以及框架顶板7，固设于上述支架轴3和止挡件轴4的上端部。
41.上述支架轴3的支架槽2由搁架台肩2a形成，上述搁架台肩2a在入口处形成有倾斜部2b，在上述搁架台肩2a上，向两侧突出形成安装半导体晶圆w的支撑台肩2c，在上述止挡件轴4形成有支撑台肩4b，以在与上述支撑台肩2c相同的水平线上安装半导体晶圆w(参照图8)。
42.在上述支架轴3的前侧设置位置测量装置p，上述位置测量装置p在两侧固设导轨8，以通过轨块11进行引导的方式在上述导轨8插入设置具有止挡件9的测量固定块10(参照
图2及图7)。
43.以能够通过铰链轴14转动的方式在上述测量固定块10设置标有位置刻度12的测量板13，在上述止挡件9和测量板13分别固设极性不同的磁体15、15a，在上述测量固定块10的末端固设刻度指示尖部16。
44.在两侧的上述刻度指示尖部16的前方配置有刻度板17，在上述支撑板1的前方设置用于测量水平状态的水平测量等级计量仪18，在支撑板1的规定位置设置用于在示教时将支撑板1固定到桩钉(未图示)的孔块20，在上述支撑板1的两侧设置用于搬运或示教时进行移动等的把手21。
45.在两侧的上述支架轴3之间固设内置有中央处理器的控制箱c，上述中央处理器配置有用于执行检测功能及测量功能的程序，在上述控制箱c的后表面配置触摸显示面板22，可通过显示测量值来查看并通过触摸来操作。
46.在两侧的上述支架轴3的下部的两侧，分别配置第一激光传感器23及第二激光传感器23a和第三激光传感器24及第四激光传感器24a，上述第一激光传感器23及第二激光传感器23a用于测量半导体晶圆w的左右偏差，上述第三激光传感器24及第四激光传感器24a用于测量半导体晶圆w的左右倾斜度。
47.在配置在两侧的上述支架轴3的上侧部的框架顶板7的两侧，配置第五激光传感器25及第六激光传感器25a和第七激光传感器26及第八激光传感器26a，上述第五激光传感器25及第六激光传感器25a用于测量半导体晶圆的左右偏差，上述第七激光传感器26及第八激光传感器26a用于测量半导体晶圆的左右倾斜度。
48.在两侧的上述支架轴3的后方下侧中心部配置第九激光传感器27和第十激光传感器28，上述第九激光传感器27用于测量半导体晶圆的深度，上述第十激光传感器28用于测量半导体晶圆的前后倾斜度，在配置在两侧的上述支架轴3的上侧部的框架顶板7的中心部，配置第十一激光传感器29和第十二激光传感器30，上述第十一激光传感器29用于测量半导体晶圆的深度，上述第十二激光传感器30用于测量半导体晶圆w的前后倾斜度。
49.在如上所述的本发明中，首先安装半导体晶圆箱体并使其位于进行作业的装载台的基准板上，将配置在支撑板1的底面的孔块20设置于在上述基准板所设置的桩钉。
50.在此情况下，本发明的测量仪被定位在上述装载台上，配置有操作臂r的机器人也被移动到欲进行示教的位置。
51.在此情况下，存储机器人的示教位置(例如，xyz空间坐标)，在本发明的测量仪中实施晶圆的插入安装或提取测试来存储示教数据。
52.而且，若测试结束，则从装载台的基准板分离本发明的用于示教的测量仪。
53.接下来，对利用在本发明的用于示教的上述测量仪所配置的激光传感器和窗口(window)及测量程序来执行晶圆的插入安装或提取测试的方法进行说明。
54.将晶圆w安装在与机器人连接配置的操作臂r上，接着插入并进入到在两侧的支架轴3的内侧所形成的支架槽2(参照图5、图9及图10)。
55.上述晶圆w可以同时插入并进入到下侧部和上侧部，或者可以分别选择性地仅插入并进入到下部侧或上部侧。
56.如上所述，若通过操作臂r来使晶圆w插入并进入到支架槽2，则晶圆w的边缘(edge)将插入并位于支架槽2的入口，在此情况下，通过下部侧的第一激光传感器23及第二
激光传感器23a和上部侧的第五激光传感器25及第六激光传感器25a来测量半导体晶圆w的左右偏差。
57.即，若晶圆w的边缘插入并位于支架槽2的入口，则下部侧的第一激光传感器23及第二激光传感器23a和上部侧的第五激光传感器25及第六激光传感器25a将照射激光并检测，若所测量的测量值超出半导体晶圆的左右偏差范围，则无法进行半导体晶圆的放入，若不超出左右偏差范围，则进行进入。
58.例如，若半导体晶圆的左右偏差大于
±
0.5mm，则通过调整示教并使半导体晶圆重新进入，若半导体晶圆的左右偏差小于
±
0.5mm，则将以无需示教的方式进行进入。
59.所测量的上述半导体晶圆的左右偏差值可以通过输出到配置在后方的触摸显示面板c来确认。
60.如图11及图12所示，若上述半导体晶圆实现进入，则通过下部侧的第一激光传感器23及第二激光传感器23a测量半导体晶圆的左右偏差，并通过第三激光传感器24及第四激光传感器24a测量高度，来测量左右侧倾斜度(即，半导体晶圆的左侧或右侧的高低)。
61.而且，通过上部侧的第五激光传感器25及第六激光传感器25a测量半导体晶圆的左右偏差，通过第七激光传感器26及第八激光传感器26a测量左右侧倾斜度。
62.如上所述，测量插入并进入的半导体晶圆的左右偏差、直线度及平坦度。
63.如上所述，若半导体晶圆的左右偏差、直线度及平坦度的测量值不超出偏差范围，则继续进行进入，若测量值超出偏差范围，则通过示教安装在与机器人连接配置的操作臂r的半导体晶圆，从而重新插入并进入且测量。
64.如图13及图14所示，不超出上述偏差范围的半导体晶圆实现完全进入，若实现完全进入，则通过支撑板1的后方下侧部的第九激光传感器27测量半导体晶圆w的深度，来测量是否实现完全进入，通过第十激光传感器28和上述第三激光传感器24及第四激光传感器24a测量半导体晶圆的前后倾斜度(即，半导体晶圆的前侧或后侧的高低)。
65.而且，通过配置于在两侧的上述支架轴3的上侧部所设置的框架顶板7的后方的第十一激光传感器29测量半导体晶圆w的深度，从而测量是否实现完全进入，通过第十二激光传感器30和上述第七激光传感器26及第八激光传感器26a测量半导体晶圆的前后倾斜度。
66.如上所述，可通过在触摸显示面板22输出测量上述半导体晶圆的左右偏差和左右倾斜度、深度及前后倾斜度、高度的测量值来进行确认，还可以确认半导体晶圆的直线度、平坦度、左右偏差、进入高度等测量值，从而通过所有测量和校准来完成测试，若在工序运行时被辨别为操作臂正常运行，则完成通过本发明的用于示教的测量仪进行的示教。
67.所测量的所有上述测量信息可以存储在控制箱c内的中央处理器中，也可以通过接口传输到基于有线通信或无线通信的个人计算机或智能手机等外部终端来进行管理及存储。
68.如上所述，根据本发明，在为了重新设置操作臂等制造设备而进行示教作业时，可在示教时便捷、准确地确认到如下的操作臂与晶圆之间的操作关系，准确而便捷地实施操作臂的位置测量及校准，不仅如此，还可便捷地确认操作臂和晶圆是否位于准确的夹持位置并是否能通过操作臂准确地插入安装或提取晶圆等。
69.另一方面，在本发明中，用户可以通过肉眼直接确认半导体晶圆的状态，也可以一边确认水平状态、左右偏心及倾斜度，一边进行示教，将在以下内容中对此进行说明。
70.如上所述，安装半导体晶圆箱体并使其位于进行作业的装载台的基准板上，将配置在支撑板1的底面的孔块20设置于在上述基准板所设置的桩钉。
71.接着，在与机器人连接配置的操作臂r安装晶圆w，之后向在两侧的支架轴3的内侧所形成的支架槽2(参照图1至图8)。
72.上述晶圆w可以同时插入并进入到下侧部和上侧部，或者可以分别选择性地仅插入并进入到下部侧或上部侧。
73.如上所述，若通过操作臂r来使晶圆w插入并进入到支架槽2，则晶圆w的边缘将插入到支架槽2，从而安装在搁架台肩2a的支撑台肩2c上，而晶圆w的后方部边缘部分将安装在止挡件轴4的支撑台肩4b上，若晶圆进入到准确位置，则卡止在形成于两侧的上述止挡件轴4的止挡件槽4a并停止进一步进入。
74.如上所述，若晶圆w完成插入安装，则在此情况下实施晶圆w的水平、高度、左右偏心、倾斜度及位置等的精密测量，发生错误的部分将在重新校准后待确认到正常运行时存储测试数据。
75.可通过标记在上述刻度尺5的刻度标记5a测量晶圆进入时的高度，若确认到安装在两侧的支架轴3的支撑台肩2c和止挡件轴4的支撑台肩4b上的晶圆的状态，则可以确认到水平状态、左右偏心及倾斜度，所有的测量可用肉眼轻松确认。
76.而且，即使在以使晶圆w被插入安装的状态下通过操作臂r提取的情况下，也可通过透视窗6便捷地确认操作关系，即，确认晶圆w是否准确地装入到操作臂r而提取等。
77.当操作臂r进入时，配置在上述支架轴3的前方的第一位置测量装置p在上述操作臂r暂停的状态下使两侧的测量固定块10沿着引导轨8相互向内侧移动，使两侧的测量板13紧贴在操作臂r的两侧边角，接着使两侧的刻度指示尖部16位于刻度标记17并在操作臂r的进入或提取时准确地测量并确认中心，从而测量左右偏心状态。
78.而且，在支架轴3的前方侧配置第一位置测量装置p，可在操作臂的进入及提取时测量直线度，可通过两侧的上述测量板13的刻度标记12测量水平度和倾斜度。
79.配置在上述支撑板1的前方一侧的用于测量左侧水平状态、右侧水平状态的水平测量等级计量仪18测量放置晶圆的装载台的左侧水平状态、右侧水平状态。
80.在上述搁架台肩2a的前方下侧所形成的倾斜面2b用于预先防止装载晶圆的操作臂进入时发生碰撞，支撑台肩2c、4b的突出使晶圆的接触面积最小化，以防止水平状态的高精度测量和晶圆受损。
81.如上所述，若通过所有测量和校准完成测试并在工序运行时辨别为操作臂正常运行，则通过本发明的用于示教的测量仪完成示教。
82.接着，参照图15对作为本发明另一实施例的使用测量仪进行半导体晶圆的示教的测量方法进行说明。
83.使用测量仪进行半导体晶圆的示教的测量方法包括：第一步骤s1，通过操作测量仪的电源开关(未图示)来实现开启(on)；第二步骤s2，随着通过操作上述电源开关来开启测量仪，窗口启动及测量程序自动开始工作；第三步骤s3，随着上述测量程序的工作，执行自动初始化工作；第四步骤s4，随着根据上述测量程序的工作来执行自动初始化工作，从而完成初始化；第五步骤s5，在完成上述初始化的步骤中，当半导体晶圆w开始进入到支架槽2时，开始进行半导体晶圆的放入检测，通过下部侧的第一激光传感器23及第二激光传感器
23a和上部侧的第五激光传感器25及第六激光传感器25a测量半导体晶圆w的左右偏差，若超出偏差范围，则无法进行半导体晶圆的放入并重新返回初始化的步骤，若不超出偏差范围，则开始进行半导体晶圆w的放入，从而测量左右偏差。
84.上述半导体晶圆w向支架槽2进行的进入可以是同时插入并进入到下侧部和上侧部，也可以分别选择性地仅插入并进入到下部侧或上部侧。
85.由此，若上述半导体晶圆向支架槽2进行的进入为同时插入并进入到下侧部和上侧部的情况，则通过下部侧的第一激光传感器23及第二激光传感器23a和上部侧的第五激光传感器25及第六激光传感器25a测量半导体晶圆w的左右偏差，在半导体晶圆w仅向下侧部的支架槽2进入的情况下，通过第一激光传感器23及第二激光传感器23a测量左右偏差，在半导体晶圆w仅向上侧部的支架槽2进入的情况下，通过第五激光传感器25及第六激光传感器25a测量半导体晶圆w的左右偏差。
86.本发明还包括第六步骤s6，即，在测量上述半导体晶圆的左右偏差时，若不超出偏差范围，则通过下部侧的第三激光传感器24及第四激光传感器24a和上部侧的第七激光传感器26及第八激光传感器26a测量半导体晶圆的左右倾斜度(即，半导体晶圆的左侧的高低或右侧的高低)，若不超出偏差范围，则开始进行半导体晶圆的进入。
87.若上述第五步骤s5中的半导体晶圆w向支架槽2进行的进入为同时插入并进入到下侧部和上侧部的情况，则上述第六步骤s6中的半导体晶圆的左右倾斜度测量也通过下部侧的第三激光传感器24及第四激光传感器24a和上部侧的第七激光传感器26及第八激光传感器26a测量半导体晶圆w的左右倾斜度，若半导体晶圆w仅向下侧部的支架槽2进入，则通过第三激光传感器24及第四激光传感器24a测量左右倾斜度，若半导体晶圆w仅向上侧部的支架槽2进入，则通过第七激光传感器26及第八激光传感器26a测量半导体晶圆w的左右倾斜度。
88.本发明还包括第七步骤s7，即，在经过上述半导体晶圆开始进入的第六步骤s6进行进入后，通过下部侧的第一激光传感器23及第二激光传感器23a和上部侧的第五激光传感器25及第六激光传感器25a以及下侧的第三激光传感器24及第四激光传感器24a和上部侧的第七激光传感器26及第八激光传感器26a来分别在上部和下部测量半导体晶圆w的左右进入偏差和左右倾斜度，并测量高度，若测量值不超出偏差范围，则执行完全进入。
89.本发明还包括第八步骤s8，即，若上述半导体晶圆w完全完成进入，则通过后方部下侧的第九激光传感器27和上侧部的第十一激光传感器29执行深度测量，并且，通过下侧的第十激光传感器28和第三激光传感器24及第四激光传感器24a执行半导体晶圆w的前后倾斜度(即，半导体晶圆的前侧的高低或后侧的高低)测量，并且，通过上侧的第十二激光传感器30和第七激光传感器26及第八激光传感器26a执行半导体晶圆w的前后倾斜度测量，若测量值不超出偏差范围，则结束测量。
90.如上所述，由于可以测量上述半导体晶圆的左右偏差和左右倾斜度、深度及前后倾斜度、高度，从而可以确认进入到用于示教的测量仪的半导体晶圆的直线度、平坦度、左右偏差、进入高度等的测量值。
91.由此，通过所有测量和校准来完成测试，若在工序运行时被辨别为操作臂正常运行，则完成通过本发明的用于示教的测量仪进行的示教。
92.如上所述，在为了根据通过本发明的测量方法得到的测量信息来重新设置操作臂
等制造设备而进行示教作业时，可在示教时便捷、准确地确认到如下的操作臂与晶圆之间的操作关系，准确而便捷地实施操作臂的位置测量及校准，不仅如此，还可便捷地确认操作臂和晶圆是否位于准确的夹持位置并是否能通过操作臂准确地插入安装或提取晶圆等。