具有减少的横向模式的表面声波电声器件的制作方法

具有减少的横向模式的表面声波电声器件
1.根据35u.s.c.
§
119的优先权主张
2.本专利申请主张于2021年4月27日提交的发明名称为“surface acoustic wave electroacoustic device for reduced transversal modes”的美国专利申请序列号17/302230的权益，并主张于2020年4月30日提交的、被转让给其受让人的，发明名称为“surface acoustic wave electroacoustic device for reduced transversal modes”的美国临时专利申请号63/018011的权益，并通过引用其整体明确地并入本文。
技术领域
3.本公开一般涉及诸如saw谐振器的表面声波(saw)电声器件，尤其涉及减少横向声波模式的电声器件的叉指式换能器(idt)电极结构。


背景技术：

4.电子设备包括传统的计算设备，诸如台式计算机、笔记本电脑、平板电脑、智能电话、如智能手表的可穿戴设备、因特网服务器等等。这些各种电子设备向人类用户提供信息、娱乐、社交互动、安全性、保险性、生产力、运输、制造和其他服务。这些各种电子设备的许多功能依赖于无线通信。无线通信系统和设备被广泛部署以提供各种类型的通信内容，诸如语音、视频、分组数据、消息传送、广播等。这些系统能够通过共享可用系统资源(例如，时间、频率和功率)来支持与多个用户的通信。这种系统的示例包括码分多址(cdma)系统、时分多址(tdma)系统、频分多址(fdma)系统和正交频分多址(ofdma)系统(例如，长期演进(lte)系统或新无线电(nr)系统)。
5.在这些电子设备中使用的无线通信收发器通常包括多个射频(rf)滤波器，其用于对特定频率或频率范围的信号进行滤波。电声器件(例如，“声滤波器”)在许多应用中用于对高频(例如，一般大于100mhz)信号进行过滤。使用压电材料作为振动介质，声谐振器通过将沿着电导体传播的电信号波转换成经由压电材料传播的声波来操作。声波以幅度显著小于电磁波传播速度的速度传播。一般地，波的传播速度的幅度与波的波长的大小成比例。因此，在电信号转换为声信号之后，声信号波的波长显著小于电信号波的波长。所得到的声音信号的较小波长使得能够使用较小的滤波器件来执行滤波。这允许声谐振器被用在具有尺寸限制的电子设备中，诸如上面列举的电子设备(例如，特别包括诸如手机的便携式电子设备)。
6.随着无线通信中使用的频带数量的增加以及滤波器的期望频带的加宽，声滤波器的性能对于减少损耗和增加电子设备的整体性能的重要性增加。因此寻求具有改进性能的声滤波器。


技术实现要素：

7.在本公开的一个方面，提供了一种电声器件。该电声器件包括压电材料。电声器件还包括电极结构，该电极结构包括第一母线和第二母线。该电极结构还包括以叉指方式布
置的电极指状物，并且包括连接到第一母线的第一多个指状物和连接到第二母线的第二多个指状物。在第一母线和第二多个指状物之间的第一距离以及在第二母线和第一多个指状物之间的第二距离都小于电极指状物的节距。电极指状物具有中心区，其中第一阱区和第二阱区分别位于中心区边界上。电声器件的结构特征在第一阱区和第二阱区中相对于中心区是不同的。
8.在本公开的另一方面，提供了一种用于经由包括压电材料和叉指换能器的电声器件来过滤对电信号的方法。该方法包括向叉指换能器的端子提供电信号。该方法还包括经由第一母线和第二母线来减少横向声波模式，该第一母线和第二母线具有连接到第一母线和第二母线中的任一母线上的多个叉指换能器的叉指电极指状物。第一母线和电极指状物中未连接到第一母线上的第一部分之间的第一距离与第二母线和电极指状物中未连接到第二母线上的第二部分之间的第二距离都小于多个叉指电极指状物的节距。
9.在本公开的另一方面，提供了一种用于形成电声器件的方法。该方法包括形成压电材料层。该方法还包括在压电材料上或上方形成电极结构。形成电极结构包括形成第一母线和第二母线。形成电极结构还包括形成以叉指方式布置的电极指状物，其中形成电极指状物包括形成连接到第一母线的第一多个指状物和形成连接到第二母线的第二多个指状物。第一母线和第二多个指状物之间的第一距离以及第二母线和第一多个指状物之间的第二距离都小于电极指状物的节距。电极指状物形成为具有中心区，并形成为具有分别位于中心区的第一阱区和第二阱区。该方法还包括调整或形成第一和第二阱区中的电声器件的结构特征以减小声速。
10.在本公开的另一方面，提供了一种电声器件。电声器件包括衬底和压电材料，该压电材料包括被设置在衬底上的钽酸锂。该电声器件还包括被设置在压电材料上的电极结构，并且包括第一母线和第二母线。该电极结构还包括以叉指方式布置的电极指状物，并且包括连接到第一母线的第一对个指状物以及连接到第二母线的第二多个指状物。第一母线和第二多个指状物之间的第一距离以及第二母线和第一多个指状物之间的第二距离都小于电极指状物的节距。电极指状物具有中心区，其中第一阱区和第二阱区分别位于中心区边界上。电声器件的结构特征在第一阱区和第二阱区中相对于中心区是不同的。
11.在本公开的另一方面，提供了一种电声器件。该电声器件包括压电材料，该压电材料包括被设置在衬底上的钽酸锂。该电声器件还包括被设置在压电材料上的电极结构，并且包括第一母线和第二母线。该电极结构还包括以叉指方式布置的电极指状物，并包括连接到第一母线的第一多个指状物以及连接到第二母线的第二多个指状物。该电极指状物具有中心区，其中第一阱区和第二阱区分别位于中心区边界上。电声器件的结构特征在第一阱区和第二阱区中相对于中心区是不同的，以减小由第一阱区和第二阱区限定的区域中相对于由中心区限定的区域中的电声器件的声速。由第一母线和第二母线限定的区域中的电声器件的声速高于由中心区限定的区域中的声速。
12.在本公开的另一方面，提供了一种电声器件。该电声器件包括压电材料，该压电材料包括被设置在衬底上的钽酸锂。该电声器件还包括被设置在压电材料上的电极结构，并且包括第一母线和第二母线。该电极结构还包括以叉指方式布置的电极指状物，并且包括连接到第一母线的第一多个指状物和连接到第二母线的第二多个指状物。该电极指状物具有中心区，其中第一阱区和第二阱区分别位于中心区边界上。电声器件的结构特征在第一
阱区和第二阱区中相对于中心区是不同的，以相对于由中心区限定的区域，减小由第一阱区和第二阱区限定的区域中的电声器件的声速。第一母线和第二多个指状物之间的第一距离以及第二母线和第一多个指状物之间的第二距离都足够小使得第一母线和第二母线用作障碍区以减少横向声学模式。由第一母线和第二母线限定的区域中的电声器件的声速高于由中心区限定的区域中的声速。
附图说明
13.图1a是电声器件的示例的透视图。
14.图1b是图1a的电声器件的侧视图。
15.图2a是电声器件的电极结构的示例的顶视图。
16.图2b是电声器件的电极结构的另一示例的顶视图。
17.图3a是电声器件的另一示例的透视图。
18.图3b是图3a的电声器件的侧视图。
19.图4是电声器件的电极结构的一部分的图，其与示出电声器件的不同区域中的声速分布的曲线图对准。
20.图5a和图5b是示出参考图4定义的阱区的不同实施方式的示例的电极结构的示例的示图。
21.图6是根据本公开的各方面的减少横向声学模式的电声器件的电极结构的示例的示图。
22.图7a和图7b是根据本公开的某些方面的图6的电极结构的实施方式的示例的示图。
23.图8是示出根据本公开的某些方面的、针对包括图6的电极结构的电声器件对比包括替代电极结构的电声器件的、电声器件导纳值与频率的关系的曲线图。
24.图9是示出根据本公开的某些方面的用于形成包括压电材料和图6的电极结构的电声器件的方法的示例的流程图。
25.图10是可以包括图6的电极结构的电声滤波器电路的示意图。
26.图11是其中可采用图10的滤波器电路的简化无线收发器电路的示例的至少一部分的功能框图。
27.图12是包括电子设备的环境的示图，该电子设备包括诸如图11的收发器电路的无线收发器。
具体实施方式
28.以下结合附图阐述的详细描述旨在作为示例性实施方式的描述，而非旨在表示可以实践本发明的唯一实施方式。在整个说明书中使用的术语“示例性”意味着“用作示例、实例、或说明”，并且不应该被解释为比其他示例性实施方式优选或有利。详细描述包括用于提供对示例性实施方式的透彻理解的特定细节。在一些实例中，一些设备以框图形式示出。在以下附图中共有的附图元件可以使用相同的附图标记来标识。
29.在压电材料的表面上采用电极结构的电声器件(诸如表面声波(saw)谐振器)被设计成覆盖更多的频率范围(例如，500mhz到6ghz)，具有更高的带宽(例如，高达25％)，并且
具有改进的效率和性能。通常，某些saw谐振器被设计为使声波沿特定方向传播通过压电材料(例如，主声波模式)。然而，由于所使用的特定压电材料的性质和压电材料被电极结构激发的方式，可能在其他方向上产生至少一些不希望的声波模式。例如，横向于主(例如，基本)声波模式的方向的横向声波模式可以在压电材料中被激发。这些横向声波模式可能是不期望的，并且对滤波器性能具有不利影响(例如，在滤波器的通带中引入波纹)。通过调节电极结构的特性，可以以减少横向声波模式的方式控制各个横向区域中的声速。被调节的特性可以取决于压电材料的类型和saw谐振器的其他特性。本公开的各方面涉及减少横向声波模式的特定电极结构配置。具体地，本文描述的电极结构配置包括限定在母线和未连接的电极指状物之间的小间隙，其中由于压电材料和母线之间的耦合，母线可以限定压电材料的区域以具有足够高的声速，以提供减少横向模式的障碍区。
30.图1a是电声器件100的示例的透视图。电声器件100可以被配置为saw谐振器或者是saw谐振器的一部分。在本文的某些描述中，电声器件100可被称为saw谐振器。然而，可以存在可以基于本文描述的原理进行构造的其他电声器件类型。电声器件100包括在压电材料102的表面上的电极结构104，其可被称为叉指换能器(idt)。电极结构104一般包括第一和第二梳形电极结构(导电的并且一般是金属的)，其中电极指状物从两个母线朝向彼此延伸，以互锁方式布置在两个母线之间(例如，以叉指方式布置)。在电极结构104中激发的电信号(例如，施加ac电压)被转换成经由压电材料102在特定方向上传播的声波106。声波106被转换回电信号、并作为输出被提供。在许多应用中，压电材料102具有特定晶体取向，使得当电极结构104相对于压电材料102的晶体取向被布置时，声波主要在与指状物的方向垂直的方向上(例如，平行于母线)传播。
31.图1b是图1a的电声器件100沿图1a所示的截面107的侧视图。电声器件100由包括压电材料102的简化的层堆叠示出，其中电极结构104被设置在压电材料102上。电极结构104是导电的并且一般由金属材料形成。压电材料可以由多种材料形成，诸如石英、钽酸锂(litao3)、铌酸锂(linbo3)这些的掺杂变体或其他压电材料。应当理解，在堆叠内可以有包括各种材料层的更复杂的层堆叠。例如，可选地，由虚线表示的温度补偿层108可以被设置在电极结构104上方。压电材料102可以延伸，其上设置有多个互连的电极结构，以形成多谐振器滤波器或提供多个滤波器。虽然未示出，但是当作为集成电路部件被提供时，可以在电极结构104上提供覆盖层。施加覆盖层，使得在电极结构104和覆盖层的下表面之间形成腔。还可以包括允许部件(例如，通过倒装芯片或其他技术)电连接到衬底上的连接性的电通孔或凸块。
32.图2a是电声器件100的电极结构204a的示例的顶视图。电极结构204a具有idt 205，idt 205包括：电连接到第一端子220的第一母线222(例如，第一导电段或轨)，和与第一母线222隔开、并连接到第二端子230的第二母线224(例如，第二导电段或轨)。多个导电指状物226以叉指方式连接到第一母线222或第二母线224。连接到第一母线222的指状物226朝向第二母线224延伸，但不连接到第二母线224，使得在这些指状物226的端部和第二母线224之间存在小间隙。同样地，连接到第二母线224的指状物226朝向第一母线222延伸，但不连接到第一母线222，使得在这些指状物226的端部和第一母线222之间存在小间隙。
33.在沿着母线的方向上，存在包括中心区的重叠区域，在该重叠区域中，一个指状物的一部分与相邻指状物的一部分重叠，如中心区225所示。包括重叠的该中心区225可以被
称为孔径、轨道或有源区，其中在指状物226之间产生电场以使声波在压电材料102的该区域中传播。指状物226的周期被称为idt的节距。可以以各种方式指示该节距。例如，在某些方面中，节距可对应于中心区225中的指状物之间的距离的幅度。该距离可以被定义为例如每个指状物的中心点之间的距离(并且当指状物具有均匀的厚度时，通常可以在一个指状物的右(或左)边缘和相邻指状物的右(或左)边缘之间测量)。在某些方面，相邻的指状物之间的平均距离可用于节距。压电材料振动的频率是电极结构204a的自谐振(也称为“主谐振”)频率。该频率至少部分地由idt 205的节距和电声器件100的其他特性确定。
34.idt 205被布置在两个反射器228之间，反射器228将声波反射回idt 205，以用于在所示的配置中经由idt 205将声波转换成电信号，并防止损失(例如，限制和防止逸出的声波)。每个反射器228具有两个母线和导电指状物的光栅结构，其中导电指状物各自连接到两个母线。反射器的节距可以与idt 205的节距相似或相同，以对谐振频率范围内的声波进行反射。但是许多配置是可能的。
35.当转换回电信号时，转换后的电信号可以作为输出(诸如第一端子220或第二端子230中的一个端子)提供，而另一个端子可以用作输入。
36.多种电极结构是可能的。图2a一般地示出了单端口配置。其他2端口配置也是可能的。例如，电极结构204a可以具有输入idt 205，在该输入idt205中，每个端子220和230用作输入。在这种情况下，可以提供定位在反射器228之间并与输入idt 205相邻的相邻输出idt(未示出)，以将在压电材料102中传播的声波转换成要在输出idt的输出端子处提供的电信号。
37.图2b是电声器件100的电极结构204b的另一示例的顶视图。在这种情况下，示出了双模saw(dms)电极结构204b，其是可以引起多个谐振的结构。电极结构204b包括多个idt以及如图所示连接的反射器228。提供电极结构204b以说明本文所述原理可应用于包括图2a和图2b的电极结构204a和204b的各种电极结构。
38.应当理解，虽然示出了一定数量的指状物226，但是实际指状物的数量、以及指状物226和母线的长度和宽度在实际实施方式中可以不同。这些参数取决于滤波器的特定应用和期望频率。此外，saw滤波器可以包括多个互连的电极结构，每个电极结构包括多个idt，以实现期望的通带(例如，多个互连的谐振器或idt以形成期望的滤波器传递函数)。
39.图3a是电声器件300的另一示例的透视图。电声器件300(例如，可被配置为saw谐振器或作为saw谐振器的一部分)类似于图1a的电声器件100，但具有不同的层堆叠。具体地，电声器件300包括被设置在衬底310(例如，硅)上的薄压电材料302。在某些情况下，电声器件300可被称为薄膜saw谐振器(tf-saw)。基于所使用的压电材料302的类型(例如，相对于图1的电声器件100，通常具有更高的耦合因子)和压电材料302的受控厚度，所激发的特定声波模式可以与图1a的电声器件100中的声波模式稍微不同。基于设计(层的厚度和材料的选择等)，与图1a的电声器件100相比，电声器件300可具有更高的q因子。例如，压电材料302可以是钽酸锂(litao3)或一些掺杂的变体。图3的压电材料302的另一个示例可以是铌酸锂(linbo3)。通常，衬底310可以比压电材料302厚很多(例如，作为一个示例，可能大约厚50到100倍或更多)。衬底310可以包括其他层(或者可以包括在衬底310和压电材料302之间的其他层)。
40.图3b是图3a的电声器件300的侧视图的视图，图3a示出了示例性层堆叠(沿截面
307)。在图3b所示的示例中，衬底310可以包括诸如衬底子层310-1(例如，硅的)的子层，该子层可以(例如，相对于其他层-高电阻率层)具有较高的电阻。衬底310还可以包括富阱层310-2(例如，多晶硅)。衬底310还可以包括补偿层(例如，二氧化硅(sio2)或另一种介电材料)，该补偿层可以提供温度补偿和其他属性。这些子层可以被认为是衬底310的一部分或它们自己的分离层。在衬底310上设置具有特定厚度的相对薄的压电材料302，以用于提供特定声波模式(例如，与图1a的电声器件100相比，其中压电材料102的厚度可能不是超过一定厚度的重要设计参数，并且与图3a和图3b的电声器件300的压电材料302相比一般可以更厚)。电极结构304定位于压电材料302上方。另外，在某些方面中，在电极结构304上方可能存在一个或多个层(例如，诸如薄钝化层)(未示出)。
41.基于压电材料的类型、厚度和整个层堆叠，在不同类型的电声器件之间(诸如在图1a的电声器件100和图3a和图3b的电声器件300之间)，到电极结构304的耦合和在电极结构304的不同区域中的压电材料内的声速可以不同。
42.关于图1a和图3a的电声器件100和电声器件300，期望减小的潜在损失的一个来源是可能包括横向声学模式的寄生声波模式。这些横向声波模式可能在滤波器的通带中导致不期望的波纹。通常，电声器件被设计成将声波限制或引导在中心区225(例如，图2a中所示的有源区)中，以避免进入主体(例如，在垂直于表面的z方向上)或横向地辐射。声波的限制可导致一系列横向声波模式的生成(例如，一般在朝向母线且更平行于指状物226的方向上)。特别地，被激发的声波垂直于指状物226传播，但也以相对于主传播方向的某些角度传播，这些角度可以对应于各种横向声波模式。期望减少这些横向声波模式，因为当对应的电声器件轨道电连接时，这些横向声波模式导致滤波器通带中的尖的、深的下降。
43.图4是电声器件的电极结构404的一部分的示图，其与示出电声器件的不同区域中的声速分布的曲线图对准。图4的电极结构404示出了idt 405的一部分，idt 405类似于参考图2a所描述的idt，具有第一母线422、第二母线424和叉指指状物426。由于横向声波模式的角度和频率位置取决于定向声波速度，在一方面中，声轨道内的横向速度分布可以被设置为：减少横向声波模式并促进主模式或基本模式的激发。具体地，可以在电极结构404的不同区域中调节电极结构404(以及可能的其他层)，以调节声轨道内的横向速度分布，从而减少横向声学模式(例如，有效地形成横向声学波导)。在某些方面，声速可以对应于电声器件的基本模式的声速，尽管在某些方面可以更一般地理解该声速，以捕获不同的模式或与不同的模式有关。
44.图4示出了电极结构404的不同区域，其可以被设计或在结构上被改变以调节横向速度分布。如关于图2a所描述的，中心区425(或有源轨道区域或孔径)被限定在叉指指状物重叠的地方(例如，在平行于母线的方向上)，并且是主模式或基本模式一般旨在和被设计成垂直于指状物426传播的地方。
45.在一方面中，障碍区429(例如，间隙区域)被限定在中心区425的外部，该障碍区429包括第一母线422和连接到相对的第二母线424的指状物426a之间的区域。更具体地，障碍区429包括第一障碍区429a和第二障碍区429b。第一障碍区429a被限定在第一母线422和连接到第二母线424的第一组指状物426a的未连接端部之间。第二障碍区429b被限定在第二母线424和连接到第一母线422的第二组指状物426b的未连接端部之间。障碍区429有时可对应于或被称为横向间隙，其被包括在idt中以将不同电位的金属结构分开(即，在母线
具有不同电位的情况下，将连接到相对的母线的指状物分开)。
46.为了调节横向速度分布，选择障碍区429内每个波长的指状物的数量(例如，一个指状物代替中心区425中所示的两个指状物)以及障碍区429的距离或尺寸(和/或在调节障碍区429内的其他特性的情况下)，使得存在更高的声波速度，特别是高于中心区425中的声波速度。电极结构404右侧的曲线440示出了电极结构404的每个区域的相对速度，其中y轴表示电极结构404沿指状物426延伸的方向的不同区域、并与其对准。如线450所示(见虚线部分)，与中心区425(例如，有源轨道)中的声速相比，沿x轴的声速在障碍区429中更高。通常，由于声波在速度较低的地方可能倾向于更容易地传播，因此相对较高的波速可能是声波的障碍。障碍区429的距离/宽度(例如，对于某些应用至少2-3个波长)可宽于使得不同电位的金属结构充分分离所需的距离/宽度，这提供足够的障碍并防止声波耦合到外部区域。
47.除了障碍区429之外，在指状物426重叠处的中心区425的任一外部边界(例如，在每一端上界定)处提供被称作阱区427的其他区域。具体地，第一阱区427a被定位朝向或处于中心区425(例如，有源区)的第一端(例如，边界)并且在第一障碍区429a和中心区425之间(例如，在指状物426的如下区域中：该区域朝向被连接到第二母线424的第一组指状物426a的端部，并且在该端部处，该区域远离第二母线424)。第二阱区427b被定位朝向或处于中心区425的第二端部(与第一端相对)并且在第二障碍区429b和中心区425之间(例如，在指状物的如下区域中：该区域朝向被连接到第一母线422的第二组指状物426b的端部，并且在该端部处，该区域远离第一母线422)。阱区427可以对应于中心区425的外边缘或外区域。在阱区427中提供不同于中心区425的结构特征，以创建电声器件的与阱区427对准的区域，该阱区具有减小的声波速度，特别是低于由中心区425限定的区域中的声波速度。这样的结构特征可以包括加宽阱区427中的电极指状物426、或增加阱区427中的电极指状物426的高度，但是许多实施方式是可能的。通常，声波在速度较低时可能倾向于更容易地传播。因此，具有较低声波速度的阱区427可以提供对基本声波模式的横向振幅分布进行整形的方式。
48.作为设计和选择障碍区429、阱区427和中心区425的尺寸的结果，在横向方向(例如，在指状物426的方向)上的基本声波模式振幅可以符合由曲线440的线444指示的矩形分布。由不同区域中的不同声波速度引起的矩形分布对应于不期望的横向模式被抑制的模式。曲线440中的线442对应于横向上的基本模式振幅，而没有可能导致不期望的横向模式的阱区。曲线440中的线446对应于阱区427不够深(例如，声波在该区域内没有充分减慢)的情况下在横向方向上的基本模式振幅。虽然改进了，但不期望的横向模式可能继续影响性能。曲线440中的线448对应于阱区427太深的情况下在横向方向上的基本模式振幅。这也可能导致不期望的横向声波模式。通过调整障碍区429和阱区427的特征，可以调整横向方向上的基本模式振幅以符合线444指示的矩形分布，并且有效地抑制了横向模式。在这种配置中用于提供障碍区429和阱区427的技术有时称为活塞模式。
49.图5a和图5b是电极结构504a和504b的示例的示图，其示出了参考图4定义的阱区527-1和527-2的不同实施方式的示例。示出了障碍区529，但没有具体示出或按比例绘制。相反，提供电极结构504a和504b以说明阱区527-1(图5a)和527-2(图5b)的实施方式。例如，在图5a的电极结构504a中，阱区527-1被示出为电极结构504a的一部分509，该部分509相对于有源区的其他部分具有增大的厚度。在右侧示出了沿着截面531的侧视图。增大的高度可导致阱区527-1中较慢的声速。在另一实施方式中，如图5b的电极结构504b所示，阱区527-2
内的电极结构504b具有与有源区相比更宽的宽度。这些较宽的宽度可导致阱区527-2中较慢的声速。在一些实施方式中，阱区527-2可具有与有源区相比更宽的宽度以及增大的高度(例如，厚度)，如图5a所示。因此，可以组合本文描述的用于阱区527-2的任何技术。在其他实施方式中，其他材料(例如，电介质材料层)可以位于阱区427(图4)上方，以降低阱区427中的声速(例如，或其他类型的质量负载)。此外，一个或多个修整操作可以在各个区域中调整或具有结构效应，使得阱区427中的相对声速相对于中心区425减小。也可以采用使用不同技术的其他实施方式，使得阱区427中的结构特征被调整并且不同于中心区425中的结构特征，使得阱区427中存在降低的声速。
50.在某些电声器件设计中，障碍区429可以是足够的参数，其可被调整以产生期望的横向声速分布，以与阱区427协同工作来抑制横向声模(例如，实现比有源区中相对更高的声速)。然而，对于期望使用不同材料的某些其他电声器件，配置障碍区429的尺寸可能不会产生横向模式声学分布，该横向模式声学分布使得障碍区429中的声速足够高以产生期望的横向速度分布。例如，图3a和图3b示出了薄膜型电声器件300。在一些实施方式中，该电声器件300中的压电材料302可以由钽酸锂(litao3)形成。基于耦合因子(并且可以部分地由于钽酸锂的特定层堆叠和厚度，诸如对于图3a和图3b所示的薄膜类型)，钽酸锂的声速分布可以不同于的其他系统。例如，对于基于钽酸锂的器件，中心区425和障碍区429之间的速度差可能较低，因此横向模式可能不容易在电声器件300的整个阻带宽度上被限制。此外，对于基于钽酸锂的电声器件，在中心区425中，增大的频率可以对应于从主声波传播方向增大的角度(例如，有时称为“凸慢度”)。然而，对于基于钽酸锂的系统，在障碍区429中，模式频率随着传播角度的增加而降低(障碍区429中的“凹慢度”)。凹慢度对于声波是有吸引力的，并且可以形成寄生模式。因此，在障碍区429中具有凹慢度可导致在障碍区429内激发不期望的模式。因此，期望提供一种结构，其在障碍区429中实现凸慢度，以减少障碍区429中的不需要的模式，以及在障碍区429内提供期望的更高的声速。
51.解决这种电声器件的这些问题的某些技术对于较高的金属化率和较高的金属高度(并且由于这种解决方案的其他制造困难)可能难以实施，并且可能增加欧姆损耗。此外，诸如当使用如参考图3a所述的基于钽酸锂的器件时，如参考图4所述的障碍区429(例如，包括每波长1条)可导致针对某些配置的凹慢度。本文所描述的本公开的各方面涉及用于障碍区429的实施方式，以抑制横向模式同时更容易制造和设计。这些技术可以应用于各种不同类型的电声器件，但是对于使用钽酸锂的薄膜电声器件可能具有独特优势。
52.图6是根据本公开的各方面的减少横向声学模式的电声器件(例如，saw谐振器)的电极结构604的示例的示图。电极结构604可以被设置在压电材料602上或上方(或相对于压电材料602布置，使得在压电材料602和电极结构604之间存在电声耦合)。如上所述，在一方面中，压电材料602可以包括或由钽酸锂或与钽酸锂具有类似性质的材料形成(钽酸锂具有特定厚度和与电极结构604对应的独特电声耦合)。电极结构604(其可以是idt 605的形式或包括idt 605)包括第一母线622和第二母线624。在某些方面，第一母线622和第二母线624可以更一般地被称为导电连接结构。在某些方面，第一母线622和第二母线624沿一方向延伸、并且平行或彼此平行(尽管母线之间的角度的某些差异是可能的)。
53.电极结构604还包括电极指状物626，电极指状物626以叉指方式布置、并连接到第一母线622或第二母线624。具体地，电极指状物626包括连接到第一母线622并朝向第二母
线624延伸的第一多个指状物626a。此外，电极指状物626包括连接到第二母线624并朝向第一母线622延伸的多个第二指状物626b。电极指状物626具有节距652。类似于以上参考图2所述，在某些方面，节距652可对应于电极指状物626的周期性。在某些方面，节距652可由相邻电极指状物626的中心之间的距离指示。当电极指状物626一般具有相同的宽度时，该距离也可由相邻电极指状物626的左边缘(或右边缘)之间的距离限定。此外，在电极指状物626不均匀分布的某些方面中，节距652可由相邻电极指状物626的中心之间的距离的平均值来指示。测量或指示节距652的其他方式也是可能的。在某些方面，电极指状物626在与第一母线622和第二母线624的方向垂直的方向上延伸(尽管某些其他角度也是可能的)。
54.如图所示，并且类似于参考图4所描述的，电极指状物626具有中心区625，该中心区625可以对应于或包括有源区(也称为轨道或孔径)。在该区域中，第一多个指状物626a和第二多个指状物626b在第一母线622和第二母线624延伸的方向上重叠。第一阱区627a和第二阱区627b一起被称为阱区，并且被限定位于中心区625的边界上(也参见参考图4描述的阱区427的描述)。在某些方面中，第一阱区627a可以被定位在电极指状物626的、与朝向或处于第二多个指状物626b的端部的部分对准的区域中，该第二多个指状物626b的该端部接近于第一母线622(其中在第一母线622与第二多个指状物626b之间存在第一间隙631a)。类似地，第二阱区627b可以被定位在电极指状物626的、与朝向第一多个指状物626a的端部的部分对准的区域中，该第一多个指状物626a的端部接近于第二母线624(其中在第二母线624与第一多个指状物626a之间存在第二间隙631b)。如上参考图4，图5a和图5b所述，电声器件的结构特征在第一阱区627a和第二阱区627b中相对于中心区625是不同的。例如，结构特征可以对应于电极指状物626的一部分，该部分在第一和第二阱区627内具有增大的宽度或增大的高度或如上参考图4，图5a和图5b所述的任何其他特征。具体地，该结构特征使得由阱区627限定的区域中的声速相对于中心区625中的电声器件中的声速较低(并且也低于障碍区中的声速)。在某些方面中，阱区627在电极指状物626延伸的方向上的尺寸可在电极指状物626的节距652的一半与电极指状物626的节距的两倍之间(尽管量可基于应用而变化)。
55.如上参考图4所述，在用于减少横向模式的某些备选配置中，障碍区429的距离可以被增加或处于如下的水平，该水平超过(例如，远远超过)电隔离以使得不同电位的金属结构分离所需的水平。然而，如上所述，由于与诸如钽酸锂的压电材料602的特定电声耦合，在某些电极配置中，在这些障碍区429内可能产生附加的寄生模式。相反，图6的电极结构604包括母线622和624与电极指状物626之间的小间隙(例如，并且在一个特定示例中，在一方面中，相对于结合参照图4所述的阱区427使用的其他实施方式，该间隙更小)。该小间隙可以由刚好足以提供电隔离以使得不同电位的金属结构分离的距离限定。具体地，第一母线622和第二多个指状物626b之间的第一间隙631a被限定为具有小的距离。第二母线624和第一多个指状物626a之间的第二间隙631b被限定为具有小的距离。小的距离使第一母线622和第二母线624更靠近对应的未连接的指状物626。
56.基于与压电材料602(例如，钽酸锂)的耦合，在图6的电极结构604的配置中，第一母线622和第二母线624可以限定电声器件中的区域，该区域比由电极指状物626的中心区625限定的区域具有更高的声速。铌酸锂和石英是压电材料602的附加的示例。在这方面，第一母线622和第一间隙631a形成电极结构604的第一障碍区629a。类似地，第二母线624和第
二间隙631b形成第二障碍区629b。第一障碍区629a和第二障碍区629b一起可称为障碍区629。在包括第一母线622和第二母线624的这些障碍区629中，在由障碍区629限定的区域中的声速可以高于在中心区625中的声速。因此，障碍区629可以形成对横向声波的障碍，从而结合阱区627有效地减少横向模式。
57.如上所述，第一间隙631a和第二间隙631b限定相对小的距离。可以有多种可以起作用的距离。在一方面中，第一母线622和第二多个指状物626b之间的第一距离、以及第二母线624和第一多个指状物626a之间的第二距离都至少小于电极指状物626的节距。在某些方面中，第一距离和第二距离刚好足以提供电隔离。在任何方面中，第一距离(例如，第一间隙631a)和第二距离(例如，第二间隙631b)足够小(与阱区627结合)，以减少在间隙中产生的任何寄生声波模式，并使第一母线622和第二母线624足够靠近阱区627和中心区625。使第一母线622和第二母线624充分靠近阱区627和中心区625允许利用由第一母线622和第二母线624(例如，基于与压电材料602的耦合)限定的区域中的较高声速来用作对声波的障碍，以将波模式限制在中心区625内并减少横向声波模式。
58.在某些方面中，选择和/或配置第一母线622和第二母线624的高度(例如，厚度)或其他尺寸或特性(例如，金属类型或金属堆叠等)，使得由第一母线622和第二母线624限定的区域中的声速高于中心区625中的声速。这也可以取决于用于第一母线622和第二母线624的特定金属、以及压电材料602的类型。如所配置的，并且与相对小的第一间隙631a和第二间隙631b相结合，第一母线622和第二母线624可以操作作为障碍区629，以减少横向声波模式。
59.由于小的第一间隙631a和小的第二间隙631b，声波速度的差在第一母线622和第二母线624的区域(具有第一间隙631a和第二间隙631b)与中心区625之间增加。如上面参考图4所述，这些区域之间横向声波速度的差(与阱区627结合)抑制了横向声波模式。此外，由于该小间隙，在这些区域中可以被激发的任何寄生模式可以被减小、或可忽略(在一些情况下，该小间隙甚至可以不允许横向间隙模式的激发)。此外，相对于可能需要附加结构的其他实施方式，电极结构604的可制造性可能更容易。此外，将第一母线622和第二母线624移动得更靠近电极指状物626可以减少欧姆损耗。此外，由于缺乏用于障碍区629的附加结构，可以存在可以增加产量的较小工艺变化，且可以更容易针对较小结构(用于针对更高操作频率进行缩放)缩放此类设计、或制作较小芯片。对于包括具有多个障碍区的级联轨道的实施方式，这些方面特别有价值，并且可以允许更小的芯片尺寸。
60.第一母线622，第二母线624和电极指状物626一般可以是金属的或由一些其他导电材料制成。在某些方面中，它们可以由至少一些相同的材料形成，并且可以用多种不同的金属层堆叠来实现。
61.图7a和图7b是图6的电极结构604的实施方式的示例的示图。图7的电极结构704a类似于图6的电极结构604，但是示出了可以存在将电极指状物626连接到第一母线622或第二母线624之一的小连接焊盘782。连接焊盘782可以在指状物626与第一母线622和第二母线624之间提供充足的电连接(尽管在一些实施方式中可以省略连接焊盘728)。在一些方面中，连接焊盘782在电极指状物626延伸的方向上的尺寸例如可以在电极指状物626的节距652的四分之一和电极指状物626的节距652的一半之间的量级上。
62.图7b示出了针对阱区727(第一阱区727a和第二阱区727b)具有不同实施方式的电
极结构704b。电极结构704b的阱区727被实现为相对于中心区725具有更宽的电极部分(参见上面参考图5b的描述)。这说明针对阱区727可以存在多种不同的实施方式。
63.图8是示出针对包括图6的电极结构604的电声器件对比包括可替换电极结构的电声器件的、电声器件导纳值与频率的关系的曲线800。曲线800包括对应于使用图6的电极结构604的电声器件的导纳值与频率的关系的线862。线864对应于以替代方式实现障碍区429的不同电声器件的导纳值与频率的关系。如图所示，线862和864具有相似的性能、并且曲线800说明图6的电极结构604可能有效减少横向声波模式(并具有类似于其他技术的性能)。
64.示例性操作
65.图9是示出根据本公开的某些方面的用于形成电声器件的方法900的示例的流程图，该电声器件包括压电材料602(图6)和图6的电极结构604。该方法900以一组指定可执行的操作的框的形式而被描述。然而，操作不一定限于图9所示或本文所述的次序，因为操作可以替代次序或以完全或部分重叠的方式实现。此外，可以实现更多，更少和/或不同的操作来执行方法900或替代方法。在框902，方法900包括形成压电材料层602。在框904，方法900还包括在压电材料602上或上方形成电极结构604。形成框904的电极结构604包括在框906处，形成第一母线622和第二母线624。形成框904的电极结构604还包括在框908处，形成以叉指方式布置的电极指状物626，其中形成电极指状物626包括形成连接到第一母线622的第一多个指状物626a和形成连接到第二母线624的第二多个指状物626b。第一母线622和第二多个指状物626b之间的第一距离以及第二母线624和第一多个指状物626a之间的第二距离形成为小于电极结构626的节距。
66.如上所述，电极指状物626具有中心区625，该中心区625具有分别位于中心区625的边界上的第一阱区627a和第二阱区627b。在某些方面，方法900在框910处还可包括调整或形成第一和第二阱区627中的电声器件的结构特征，以降低声速。
67.在某些方面，参考图6，可以提供一种用于经由包括压电材料602和叉指换能器605的电声器件对电信号进行过滤的方法。该方法包括向叉指换能器605的端子提供电信号。该方法还包括经由第一母线622和第二母线624减少横向声波模式，该第一母线和第二母线具有连接到第一母线622或第二母线624中的任一母线的叉指换能器605的多个叉指电极指状物626。第一母线622和电极指状物626b中未连接到第一母线622的第一部分之间的第一距离、以及第二母线624和电极指状物626a中未连接到第二母线624的第二部分之间的第二距离都小于多个叉指电极指状物626的节距652。
68.具有图6的电极结构604的电声器件可用于各种应用中。
69.图10是可包括图6的电极结构604的电声滤波器电路1000的示意图。滤波器电路1000提供了可以使用电极结构604的一个示例。滤波器电路1000包括输入端子1002和输出端子1014。在输入端子1002和输出端子1014之间提供saw谐振器的梯形网络。滤波器电路1000包括第一saw谐振器1004，第二saw谐振器1006和第三saw谐振器1008，它们都串联电连接在输入端子1002和输出端子1014之间。第四saw谐振器1010(例如，分路谐振器)具有连接在第一saw谐振器1004和第二saw谐振器1006之间的第一端子、和连接到地电位的第二端子。第五saw谐振器1012(例如，分路谐振器)具有连接在第二saw谐振器1006和第三saw谐振器1008之间的第一端子、和连接到接地电位的第二端子。电声滤波器电路1000例如可以是具有选定频率范围(例如，在100mhz和3.5ghz之间的量级)的通带的带通电路。虽然图10示
出了如上所述的梯形网络的一个示例，但是图6的电极结构604可以被并入到诸如dms设计内的其他谐振器配置中。
70.图11是在其中可以采用图10的滤波器电路1000的简化的无线收发器电路1100的示例的至少一部分的功能框图，其中滤波器电路1000包括图6的电极结构604。收发器电路1100被配置为接收被提供到一个或一个以上基带滤波器1112的、用于传输的信号/信息(示出为i和q值)。滤波后的输出被提供给一个或多个混频器1114。来自一个或多个混频器1114的输出被提供给驱动放大器1116，该驱动放大器1116的输出被提供给功率放大器1118以产生用于传输的放大信号。经放大的信号通过一个或多个滤波器1120(例如，双工器，如果用作频分双工收发器或其他滤波器的话)输出到天线1122。一个或多个滤波器1120可以包括图10的滤波器电路1000，并且可以包括图6的电极结构604。天线1122可以用于无线地传输和接收数据。收发器电路1100包括接收路径，该接收路径通过一个或多个滤波器1120被提供给低噪声放大器(lna)1124和另一滤波器1126，然后在信号被进一步处理(例如，提供给模数转换器，然后在数字域中解调或以其他方式处理)之前，通过一个或多个混频器电路1128将接收频率下变频到基带频率。可存在用于接收电路的单独滤波器(例如，可具有单独的天线或具有单独的接收滤波器)，该单独滤波器可使用图10的滤波器电路1000来实现。此外，示出的收发器电路1100表示收发器架构的一个简化示例，并且具有其他滤波器配置的其他架构(例如，共享或不共享天线)是可能的。
71.图12是包括电子设备1202的环境1200的图，该电子设备1202包括诸如图11的收发器电路1100的无线收发器1296(并且可以包括使用图6的电极结构604的滤波器)。在环境1200中，电子设备1202通过无线链路1206与基站1204通信。如图所示，电子设备1202被描绘为智能电话。然而，电子设备1202可被实现为任何合适的计算或其他电子设备，诸如蜂窝基站、宽带路由器、接入点、蜂窝或移动电话、游戏设备、导航设备、媒体设备、笔记本电脑、台式计算机、平板电脑、服务器计算机、网络附接存储(nas)设备、智能家电、基于车辆的通信系统、物联网(iot)设备、传感器或安全设备、资产跟踪器等。
72.基站1204经由无线链路1206与电子设备1202通信，无线链路1206可以被实现为任何合适类型的无线链路。尽管被描绘为蜂窝式无线电网络的基站塔，但基站1204可表示或被实现为另一设备，诸如卫星、地面广播塔、接入点、对等设备、网状网络节点、光纤线路、大体上如上文所描述的另一电子设备等。因此，电子设备1202可以经由有线连接、无线连接或其组合与基站1204或另一设备通信。无线链路1206可以包括从基站1204传送到电子设备1202的数据或控制信息的下行链路以及从电子设备1202传送到基站1204的其他数据或控制信息的上行链路。无线链路1206可以使用任何合适的通信协议或标准来实现，诸如第三代合作关系项目长期演进(3gpp lte，3gpp nr 5g)，ieee 802.11，ieee 802.16，蓝牙
tm
等。
73.电子设备1202包括处理器1280和存储器1282。存储器1282可以是或形成计算机可读存储介质的一部分。处理器1280可以包括任何类型的处理器(诸如应用处理器或多核处理器)，该处理器被配置成执行由存储器1282存储的处理器可执行指令(例如，代码)。存储器1282可以包括任何合适类型的数据存储介质，诸如易失性存储器(例如，随机存取存储器(ram))、非易失性存储器(例如，闪存)、光学介质、磁性介质(例如，磁盘或磁带)等。在本公开的上下文中，存储器1282被实现为存储指令1284、数据1286和电子设备1202的其他信息，并且因此当被配置为计算机可读存储介质或其一部分时，存储器1282不包括暂态传播信号
或载波。
74.电子设备1202还可以包括输入/输出端口1290(i/o端口116)。i/o端口1290实现与其他设备，网络或用户或在设备的部件之间进行数据交换或交互。
75.电子设备1202还可以包括信号处理器(sp)1292(例如，诸如数字信号处理器(dsp))。信号处理器1292的功能可以类似于处理器，并且能够结合存储器1282执行指令和/或处理信息。
76.出于通信目的，电子设备1202还包括调制解调器1294、无线收发器1296和天线(未示出)。无线收发器1296使用射频(rf)无线信号提供到相应网络和与其连接的其他电子设备的连通性，并且可以包括图11的收发器电路1100。无线收发器1296可促进通过任何合适类型的无线网络的通信，诸如，无线局域网(lan)(wlan)、对等(p2p)网络、网状网络、蜂窝式网络、无线广域网(wwan)，、导航网络(例如，北美的全球定位系统(gps)或另一全球导航卫星系统(gnss))、和/或无线个域网(wpan)。
77.在以下编号条款中描述了实施方式示例：
78.1.一种电声器件，包括：
79.压电材料；以及
80.电极结构，包括：
81.第一母线和第二母线；以及
82.电极指状物，所述电极指状物以叉指方式布置并且包括连接到所述第一母线的第一多个指状物、和连接到所述第二母线的第二多个指状物，
83.所述第一母线和所述第二多个指状物之间的第一距离以及所述第二母线和所述第一多个指状物之间的第二距离都小于所述电极指状物的节距，
84.所述电极指状物具有中心区，其中第一阱区和第二阱区分别位于所述中心区的边界上，其中所述电声器件的结构特征在所述第一阱区和所述第二阱区相对于所述中心区是不同的。
85.2.根据条款1所述的电声器件，其中所述结构特征与所述电极指状物的每一者的一部分相对应，所述部分在所述第一阱区和所述第二阱区内相对于在所述中心区内具有增大的宽度或增大的高度。
86.3.根据条款1所述的电声器件，其中所述结构特征与定位在所述第一阱区和所述第二阱区上的介电材料相对应，所述第一阱区和所述第二阱区内的质量负载、或微调操作的结构效应中的至少一者。
87.4.根据条款1至3中任一项所述的电声器件，其中所述电声器件的至少部分地由所述第一母线和所述第二母线限定的区域中的声速高于所述电声器件的由所述第一阱区，所述第二阱区和所述中心区限定的区域中的声速。
88.5.根据条款4所述的电声器件，其中所述第一阱区和所述第二阱区中的所述声速低于所述中心区中的所述声速。
89.6.根据条款1至5中任一项所述的电声器件，其中所述阱区在所述电极指状物延伸的方向上的尺寸在所述电极指状物的节距的一半与所述电极指状物的所述节距的两倍之间。
90.7.根据条款1至6中任一项所述的电声器件，其中所述电声器件的由所述第一阱区
和所述第二阱区限定的区域中的声速低于所述电声器件的由所述中心区限定的区域中的声速。
91.8.根据条款1至7中任一项所述的电声器件，其中电极指状物沿与所述第一母线和所述第二母线的方向垂直的方向延伸。
92.9.根据条款1至8中任一项所述的电声器件，其中所述压电材料包括钽酸锂(litao3)。
93.10.根据条款1至9中任一项所述的电声器件，还包括：
94.衬底；
95.富阱层，所述富阱层形成所述衬底的一部分或被设置在所述衬底上；以及
96.被设置在所述衬底上的介电材料层，所述压电材料被设置在所述介电材料层上。
97.11.根据条款1至9中任一项所述的电声器件，还包括：
98.衬底；以及
99.被设置在所述衬底上的补偿层，所述压电材料被设置在所述电极结构和所述补偿层之间。
100.12.根据条款1至11中任一项所述的电声器件，其中所述电声器件是saw谐振器的至少一部分，saw谐振器形成滤波器电路的一部分。
101.13.根据条款12所述的电声器件，其中所述saw谐振器是梯形网络或双模saw电路中的至少一个的一部分。
102.14.根据条款12所述的电声器件，其中所述滤波器电路是收发器的一部分。
103.15.一种用于形成电声器件的方法，包括：
104.形成压电材料层；以及
105.在所述压电材料上或上方形成电极结构，形成所述电极结构包括：
106.形成第一母线和第二母线；
107.形成以交叉梳状方式布置的电极指状物，其中形成所述电极指状物包括形成连接到所述第一母线的第一多个指状物和形成连接到所述第二母线的第二多个指状物，所述第一母线和所述第二多个指状物之间的第一距离以及所述第二母线和所述第一多个指状物之间的第二距离都小于所述电极指状物的节距，所述电极指状物形成为具有中心区并且形成为具有分别位于所述中心区的边界上的第一阱区和第二阱区；以及
108.调整或形成所述电声器件的所述第一阱区和所述第二阱区中的结构特征以减小声速。
109.16.一种电声器件，包括：
110.衬底；
111.设置在所述衬底上的包括钽酸锂的压电材料；以及
112.设置在所述压电材料上的电极结构，所述电极结构包括：
113.第一母线和第二母线；以及
114.电极指状物，所述电极指状物以叉指方式布置并且包括连接到所述第一母线的第一多个指状物和连接到所述第二母线的第二多个指状物，
115.所述第一母线和所述第二多个指状物之间的第一距离以及所述第二母线和所述第一多个指状物之间的第二距离都小于所述电极指状物的节距，
116.所述电极指状物具有中心区，其中第一阱区和第二阱区分别位于所述中心区的边界上，其中所述电声器件的结构特征在所述第一阱区和所述第二阱区中相对于所述中心区是不同的。
117.17.根据条款16所述的电声器件，其中所述衬底包括高电阻率层、富阱层和补偿层。
118.18.根据条款16至17中任一项所述的电声器件，其中所述结构特征与所述电极指状物中的每一者的一部分相对应，所述部分在所述第一阱区和所述第二阱区内相对于在所述中心区内具有增大的宽度或增大的高度。
119.19.根据条款16至18中任一项所述的电声器件，其中所述电声器件的至少部分地由所述第一母线和所述第二母线限定的区域中的声速高于电声器件的由所述第一阱区、所述第二阱区和所述中心区限定的区域中的声速。
120.20.根据条款16至19中任一项所述的电声器件，其中所述第一母线与所述第二多个指状物之间的所述第一距离以及所述第二母线与所述第一多个指状物之间的所述第二距离都足够小，使得所述第一母线和所述第二母线用作障碍区以减少横向声学模式。
121.21.一种电声器件，包括：
122.被设置在衬底上的包括钽酸锂的压电材料；以及
123.被设置在所述压电材料上的电极结构，所述电极结构包括：
124.第一母线和第二母线；以及
125.电极指状物，所述电极指状物以叉指方式布置并且包括连接到所述第一母线的第一多个指状物和连接到所述第二母线的第二多个指状物，
126.所述电极指状物具有中心区，其中第一阱区和第二阱区分别位于所述中心区的边界上，其中所述电声器件的结构特征在所述第一阱区和所述第二阱区中相对于所述中心区域是不同的，以相对于由所述中心区域界定的区域，减小所述电声器件的在由所述第一阱区和所述第二阱区限定的区域中的声速，
127.其中在由所述第一母线和所述第二母线限定的区域中的所述电声器件的声速高于在由中心区限定的所述区域中的声速。
128.22.根据条款21所述的电声器件，其中所述第一母线和所述第二多个指状物之间的第一距离以及所述第二母线和所述第一多个指状物之间的第二距离都小于所述电极指状物的节距。
129.23.根据条款21至22中任一项所述的电声器件，其中所述衬底包括高电阻率层、富阱层和补偿层。
130.24.根据条款21至23中任一项所述的电声器件，其中所述结构特征与所述电极指状物中的每一者的一部分相对应，所述部分在所述第一阱区和所述第二阱区内相对于所述中心区内具有增大的宽度或增大的高度。
131.25.一种用于经由包括压电材料和叉指换能器的电声器件过滤电信号的方法，所述方法包括：
132.向所述叉指换能器的端子提供所述电信号；以及
133.经由第一母线和第二母线减少横向声波模式，所述第一母线和第二母线具有被连接到所述第一母线或所述第二母线的所述叉指换能器的多个叉指电极指状物，所述第一母
线和所述电极指状物的未连接到所述第一母线的第一部分之间的第一距离以及所述第二母线和所述电极指状物的未连接到所述第二母线的第二部分之间的第二距离都小于所述多个叉指电极指状物的节距。
134.26.一种电声器件，包括：
135.被设置在衬底上的包括钽酸锂的压电材料；以及
136.被设置在所述压电材料上的电极结构，所述电极结构包括：
137.第一母线和第二母线；
138.电极指状物，所述电极指状物以叉指方式布置并且包括连接到所述第一母线的第一多个指状物和连接到所述第二母线的第二多个指状物，
139.所述电极指状物具有中心区，其中第一阱区和第二阱区分别位于所述中心区的边界上，其中所述电声器件的结构特征在所述第一阱区和所述第二阱区中相对于所述中心区是不同的，以相对于由所述中心区域限定的区域，减小所述电声器件的由所述第一阱区和所述第二阱区限定的区域中的声速，
140.其中所述第一母线和所述第二多个指状物之间的第一距离以及所述第二母线和所述第一多个指状物之间的第二距离都足够小，使得所述第一母线和所述第二母线用作障碍区以减少横向声学模式，所述电声器件在由所述第一母线和所述第二母线限定的区域中的声速高于在由中心区域限定的区域中的声速。
141.上述方法的各种操作可以由能够执行所述相应功能的任何适当装置来执行。所述装置可以包括各种硬件和/或软件部件和/或模块，包括但不限于电路，专用集成电路(asic)或处理器。
142.作为示例，本文描述的元件或元件的任何部分或元件的任何组合可以被实现为包括一个或多个处理器的“处理系统”。处理器的示例包含微处理器，微控制器，图形处理单元(gpu)、中央处理单元(cpu)、应用处理器、数字信号处理器(dsp)、精简指令集计算(risc)处理器、芯片上系统(soc)、基带处理器、现场可编程门阵列(fpga)、可编程逻辑设备(pld)、状态机、门控逻辑、离散硬件电路和被配置为执行贯穿本公开所描述的各种功能性的其他合适硬件。处理系统中的一个或多个处理器可以执行软件。软件应被广义地解释为表示指令、指令集、代码、代码段、程序代码、程序、子程序、软件组件、应用程序、软件应用程序、软件包、例程、子例程、对象、可执行文档、执行线程、过程、函数等，无论是否被称为软件、固件、中间件、微代码、硬件描述语言还是其他。
143.因此，在一个或多个示例实施例中，所描述的功能或电路块可以以硬件，软件或其任何组合来实现。如果在软件中实现，则功能可以存储在计算机可读介质上或编码为计算机可读介质上的一个或多个指令或代码。计算机可读介质包括计算机存储介质。存储介质可以是可由计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限制，这样的计算机可读介质可以包括随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、光盘存储、磁盘存储、其他磁存储设备，前述类型的计算机可读介质的组合，或可以用于存储计算机可访问的指令或数据结构形式的计算机可执行代码的任何其他介质。在某些方面中，用电路描述的部件可由硬件，软件或其任何组合来实现。
144.一般地，在图中示出的操作的情况下，这些操作可以具有带有类似编号的对应的对应装置加功能部件。
145.如本文所使用的，术语“确定”包括多种动作。例如，“确定”可包括计算、运算、处理、导出、调查、查找(例如，在表格，数据库或另一数据结构中查找)，查明等。此外，“确定”可以包括接收(例如，接收信息)，访问(例如，访问存储器中的数据)等。此外，“确定”可以包括解决，选择，挑选，建立等。
146.如本文所使用的，提及项目列表中的“至少一个”的短语是指这些项目的任何组合，包括单个成员。作为示例，"“a、b或c中的至少一个”旨在涵盖：a、b、c、a-b、a-c、b-c和a-b-c，以及相同元素的倍数的任何组合(例如，a-a、a-a-a、a-a-b、a-a-c、a-b-b、a-c-c、b-b、b-b-b、b-b-c、c-c和c-c-c或a、b和c的任何其他顺序)。
147.本文公开的方法包括用于实现所述方法的一个或多个步骤或动作。在不脱离权利要求的范围的情况下，方法步骤和/或动作可以彼此互换。换句话说，除非指定了步骤或动作的特定次序，否则可以在不脱离权利要求的范围的情况下修改特定步骤和/或动作的次序和/或使用。应当理解，权利要求不限于上述的精确配置和部件。在不脱离权利要求的范围的情况下，可以对上述方法和装置的布置，操作和细节进行各种修改，改变和变化。