具有减少的横向模式的表面声波电声器件的制作方法

技术特征：
1.一种电声器件，包括：压电材料；以及电极结构，包括：第一母线和第二母线；以及电极指状物，所述电极指状物以叉指方式布置并且包括连接到所述第一母线的第一多个指状物、和连接到所述第二母线的第二多个指状物，所述第一母线和所述第二多个指状物之间的第一距离以及所述第二母线和所述第一多个指状物之间的第二距离都小于所述电极指状物的节距，所述电极指状物具有中心区，其中第一阱区和第二阱区分别位于所述中心区的边界上，其中所述电声器件的结构特征在所述第一阱区和所述第二阱区中相对于所述中心区是不同的。2.根据权利要求1所述的电声器件，其中所述结构特征与所述电极指状物中的每一者的一部分相对应，该部分在所述第一阱区和所述第二阱区内相对于在所述中心区内具有增大的宽度或增大的高度。3.根据权利要求1所述的电声器件，其中所述结构特征与如下项中的至少一项相对应：位于所述第一阱区和所述第二阱区上的介电材料、所述第一阱区和所述第二阱区内的质量负载、或微调操作的结构效应。4.根据权利要求1所述的电声器件，其中所述电声器件的至少部分地由所述第一母线和所述第二母线限定的区域中的声速高于所述电声器件的由所述第一阱区、所述第二阱区和所述中心区限定的区域中的声速。5.根据权利要求4所述的电声器件，其中所述第一阱区和所述第二阱区中的声速低于所述中心区中的声速。6.根据权利要求1所述的电声器件，其中所述阱区在所述电极指状物延伸的方向上的尺寸在所述电极指状物的节距的一半和所述电极指状物的所述节距的两倍之间。7.根据权利要求1所述的电声器件，其中所述电声器件的由所述第一阱区和所述第二阱区限定的区域中的声速低于所述电声器件的由所述中心区限定的区域中的声速。8.根据权利要求1所述的电声器件，其中所述电极指状物沿与所述第一母线和所述第二母线的方向垂直的方向延伸。9.根据权利要求1所述的电声器件，其中所述压电材料包括钽酸锂(litao3)。10.根据权利要求1所述的电声器件，还包括：衬底；富阱层，形成所述衬底的一部分或被设置在所述衬底上；以及被设置在所述衬底上的介电材料层，所述压电材料被设置在所述介电材料层上。11.根据权利要求1所述的电声器件，还包括：衬底；以及被设置在所述衬底上的补偿层，所述压电材料被设置在所述电极结构和所述补偿层之间。12.根据权利要求1所述的电声器件，其中所述电声器件是saw谐振器的至少一部分，所述saw谐振器形成滤波器电路的一部分。
13.根据权利要求12所述的电声器件，其中所述saw谐振器是梯形网络或双模saw电路中的至少一者的一部分。14.根据权利要求12所述的电声器件，其中所述滤波器电路是收发器的一部分。15.一种用于形成电声器件的方法，包括：形成压电材料层；以及在所述压电材料上或上方形成电极结构，形成所述电极结构包括：形成第一母线和第二母线；形成以叉指方式布置的电极指状物，其中形成所述电极指状物包括形成连接到所述第一母线的第一多个指状物和形成连接到所述第二母线的第二多个指状物，在所述第一母线和所述第二多个指状物之间的第一距离以及所述第二母线和所述第一多个指状物之间的第二距离都小于所述电极指状物的节距，所述电极指状物形成为具有中心区并且形成为具有分别位于所述中心区的边界上的第一阱区和第二阱区；以及调整或形成所述电声器件的在所述第一阱区和第二阱区中的结构特征以减小声速。16.一种电声器件，包括：衬底；被设置在所述衬底上的、包括钽酸锂的压电材料；以及被设置在所述压电材料上的电极结构，并且所述电极结构包括：第一母线和第二母线；以及电极指状物，所述电极指状物以叉指方式布置并且包括连接到所述第一母线的第一多个指状物和连接到所述第二母线的第二多个指状物，所述第一母线和所述第二多个指状物之间的第一距离以及所述第二母线和所述第一多个指状物之间的第二距离都小于所述电极指状物的节距，所述电极指状物具有中心区，第一阱区和第二阱区分别位于所述中心区的边界上，其中所述电声器件的结构特征在所述第一阱区和所述第二阱区中相对于所述中心区是不同的。17.根据权利要求16所述的电声器件，其中所述衬底包括高电阻率层、富阱层和补偿层。18.根据权利要求16所述的电声器件，其中所述结构特征与所述电极指状物的每一者的一部分相对应，该部分在所述第一阱区和所述第二阱区内相对于在所述中心区内具有增大的宽度或增大的高度。19.根据权利要求16所述的电声器件，其中所述电声器件的至少部分地由所述第一母线和所述第二母线限定的区域中的声速高于所述电声器件的由所述第一阱区、所述第二阱区和所述中心区限定的区域中的声速。20.根据权利要求16所述的电声器件，其中所述第一母线和所述第二多个指状物之间的所述第一距离以及所述第二母线和所述第一多个指状物之间的所述第二距离都足够小，使得所述第一母线和所述第二母线作为障碍区以减少横向声学模式。21.一种电声器件，包括：被设置在衬底上的、包括钽酸锂的压电材料；以及被设置在所述压电材料上的电极结构，并且所述电极结构包括：
第一母线和第二母线；以及电极指状物，所述电极指状物以叉指方式布置并且包括连接到所述第一母线的第一多个指状物和连接到所述第二母线的第二多个指状物，所述电极指状物具有中心区，其中第一阱区和第二阱区分别位于所述中心区的边界上，其中所述电声器件的结构特征在所述第一阱区和所述第二阱区中相对于所述中心区是不同的，以减小由所述第一阱区和所述第二阱区限定的区域中相对于由所述中心区限定的区域中的所述电声器件的声速，其中所述电声器件的由所述第一母线和所述第二母线限定的区域中的声速高于由中心区限定的所述区域中的声速。22.根据权利要求21所述的电声器件，其中所述第一母线和所述第二多个指状物之间的第一距离以及所述第二母线和所述第一多个指状物之间的第二距离都小于所述电极指状物的节距。23.根据权利要求21所述的电声器件，其中所述衬底包括高电阻率层、富阱层和补偿层。24.根据权利要求21所述的电声器件，其中所述结构特征与所述电极指状物中的每一者的一部分相对应，该部分在所述第一阱区和所述第二阱区内相对于所述中心区内具有增大的宽度或增大的高度。

技术总结
本公开的各方面涉及一种电声器件，该电声器件包括压电材料(620)和电极结构(629)，该电极结构包括第一母线(622)和第二母线(624)。该电极结构还包括以叉指方式布置的电极指状物(626a，626b)，并且包括连接到第一母线的第一多个指状物(626a)和连接到第二母线的第二多个指状物(626b)。在第一母线和第二多个指状物之间的第一距离(631a)以及在第二母线和第一多个指状物之间的第二距离(631b)都小于电极指状物的节距。电极指状物具有中心区(627)，其中第一阱区(627a)和第二阱区(627b)分别位于中心区的边界上。电声器件的结构特征在的第一阱区和第二阱区中相对于中心区是不同的。阱区和第二阱区中相对于中心区是不同的。阱区和第二阱区中相对于中心区是不同的。


技术研发人员：P
受保护的技术使用者：RF360欧洲有限责任公司
技术研发日：2021.04.29
技术公布日：2022/12/2