氮化物半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种氮化物半导体装置，包括：电子渡越层，电子供给层，其形成在所述电子渡越层上，栅极层，其形成在所述电子供给层上并且包含含有第一杂质的al
1-x
ga
x
n系材料，且0<x<1，栅极电极，其形成在所述栅极层上并且与所述栅极层进行肖特基接合，以及源极电极和漏极电极，其电连接至所述电子供给层。2.一种氮化物半导体装置，包括：电子渡越层，电子供给层，其形成在所述电子渡越层上，栅极层，其形成在所述电子供给层上并且包含含有第一杂质的al
1-x
ga
x
n系的半绝缘材料，且0<x<1，栅极电极，其形成在所述栅极层上并且与所述栅极层进行肖特基接合，以及源极电极和漏极电极，其与所述电子供给层电连接。3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置，其中，所述栅极电极包含tin、ti、al、w、mo和tan中的至少一种。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，所述第一杂质包含mg和zn中的至少一种。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，所述栅极层具有60nm以上的厚度，且具有3
×
10
18
cm-3
以上的所述第一杂质的浓度。6.根据权利要求5所述的氮化物半导体装置，其中，所述栅极层具有100nm以上的厚度。7.根据权利要求1～6中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，所述电子渡越层包含gan系材料，所述电子供给层包含al
1-x
ga
x
n系材料且0<x<1，所述栅极层具有比所述电子供给层的al组成比小的al组成比。8.根据权利要求7所述的氮化物半导体装置，其中，所述栅极层包含al组成比相对小的第一部分、以及相对于所述第一部分而形成于所述电子供给层的相反侧且相比于所述第一部分具有相对大的al组成比的第二部分，所述第一部分及所述第二部分的平均al组成比小于所述电子供给层的al组成比。9.根据权利要求1～8中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，所述栅极层的al组成比从所述电子供给层朝向所述栅极电极呈线性或阶梯状增加。10.根据权利要求1～9中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，所述氮化物半导体装置包括台地结构部，所述台地结构部具有连续地跨越所述栅极层和所述栅极电极且相对于所述电子供给层的表面倾斜的壁面。11.根据权利要求10所述的氮化物半导体装置，其中，所述栅极电极具有比所述栅极层小的厚度。12.根据权利要求1～9中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，所述栅极电极以在所述栅极层的侧面与所述栅极电极的侧面之间形成有阶梯差的方
式形成于所述栅极层的内侧区域。13.根据权利要求12所述的氮化物半导体装置，其中，所述栅极电极具有比所述栅极层大的厚度。

技术总结
氮化物半导体装置包括电子渡越层、形成在所述电子渡越层上的电子供给层、形成在所述电子供给层上且包含含有第一杂质的Al


技术研发人员：伊藤范和 田中岳利 中原健
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：2021.04.14
技术公布日：2022/12/2