反射型光掩模坯以及反射型光掩模的制作方法

技术特征：
1.一种反射型光掩模坯，其是用于制作以极端紫外线作为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，特征在于，具备：基板、形成在所述基板上并反射入射光的反射部、以及形成在所述反射部上并吸收入射光的低反射部，所述低反射部是由吸收层和最表层构成的至少2层以上的层叠结构体，所述吸收层的至少1层包含合计为50原子％以上的选自第1材料群中的1种以上，所述最表层包含合计为80原子％以上的选自第2材料群中的至少1种以上，所述第1材料群为铟(in)、锡(sn)、碲(te)、钴(co)、镍(ni)、铂(pt)、银(ag)、铜(cu)、锌(zn)及铋(bi)、及它们的氧化物、氮化物以及氧氮化物，所述第2材料群为钽(ta)、铝(al)、钌(ru)、钼(mo)、锆(zr)、钛(ti)、锌(zn)及钒(v)、及它们的氧化物、氮化物、氧氮化物、以及铟氧化物(inxoy(y＞1.5x))。2.一种反射型光掩模坯，其是用于制作以极端紫外线作为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，特征在于，具备：基板、形成在所述基板上并反射入射光的反射部、以及形成在所述反射部上并吸收入射光的低反射部，所述低反射部是由吸收层和最表层构成的至少2层以上的层叠结构体，所述吸收层的至少1层包含氧化铟，所述最表层包含钽(ta)、铝(al)、硅(si)、钯(pd)、锆(zr)、铪(hf)、铌(nb)、铬(cr)、铂(pt)、钇(y)、镍(ni)、铅(pb)、钛(ti)、镓(ga)及铋(bi)、及它们的氧化物、氮化物、氟化物、硼化物、氧氮化物、氧硼化物以及氧氮化硼化物中的任意1者以上。3.根据权利要求2所述的反射型光掩模坯，其特征在于，所述吸收层由含有合计为50原子％以上的铟(in)和氧(o)的材料形成，氧(o)相对于铟(in)的原子数比(o/in)为1以上1.5以下。4.根据权利要求2或权利要求3所述的反射型光掩模坯，其特征在于，所述吸收层进一步包含铍(be)、钙(ca)、钪(sc)、钒(v)、锰(mn)、铁(fe)、钴(co)、铜(cu)、钌(ru)、银(ag)、钡(ba)、铱(ir)、金(au)、硅(si)、锗(ge)、铪(hf)、钽(ta)、铝(al)、钯(pd)、锆(zr)、铌(nb)、铬(cr)、铂(pt)、钇(y)、镍(ni)、铅(pb)、钛(ti)、镓(ga)、碲(te)、钨(w)、钼(mo)及锡(sn)、及它们的氧化物、氮化物、氟化物、硼化物、氧氮化物、氧硼化物以及氧氮化硼化物中的任意1者以上。5.根据权利要求2至权利要求4中任1项所述的反射型光掩模坯，其特征在于，所述最表层包含过渡元素及铋(bi)、及它们的氧化物、氮化物、氟化物、硼化物、氧氮化物、氧硼化物以及氧氮化硼化物中的任意1者以上。6.根据权利要求1至权利要求5中任1项所述的反射型光掩模坯，其特征在于，所述低反射部的膜厚为60nm以下，即使在所述吸收层被分割为多层的情况下，各层的合计膜厚也为17nm以上47nm以下，所述最表层的膜厚为1nm以上。7.根据权利要求6所述的反射型光掩模坯，其特征在于，
即使在所述吸收层被分割为多层的情况下，各层的合计膜厚也为17nm以上45nm以下。8.根据权利要求1至权利要求6中任1项所述的反射型光掩模坯，其特征在于，所述吸收层的合计膜厚在17nm以上47nm以下的范围内、且od值(optica density：光学浓度)为1.0以上。9.一种反射型光掩模，其是以极端紫外线作为光源的图案转印用的反射型光掩模，特征在于，具备：基板、形成在所述基板上并反射入射光的反射部、以及形成在所述反射部上并吸收入射光的低反射部，所述低反射部是由吸收层和最表层构成的至少2层以上的层叠结构体，所述吸收层的至少1层包含合计为50原子％以上的选自第1材料群中的1种以上，所述最表层包含合计为80原子％以上的选自第2材料群中的至少1种以上，所述第1材料群为铟(in)、锡(sn)、碲(te)、钴(co)、镍(ni)、铂(pt)、银(ag)、铜(cu)、锌(zn)及铋(bi)、及它们的氧化物、氮化物以及氧氮化物，所述第2材料群为钽(ta)、铝(al)、钌(ru)、钼(mo)、锆(zr)、钛(ti)、锌(zn)及钒(v)、及它们的氧化物、氮化物、氧氮化物、以及铟氧化物(inxoy(y＞1.5x))。10.一种反射型光掩模，其是以极端紫外线作为光源的图案转印用的反射型光掩模，具备：基板、形成在所述基板上并反射入射光的反射部、以及形成在所述反射部上并吸收入射光的低反射部，特征在于，所述低反射部是由吸收层和最表层构成的至少2层以上的层叠结构体，所述吸收层的至少1层包含氧化铟，所述最表层包含钽(ta)、铝(al)、硅(si)、钯(pd)、锆(zr)、铪(hf)、铌(nb)、铬(cr)、铂(pt)、钇(y)、镍(ni)、铅(pb)、钛(ti)、镓(ga)及铋(bi)、及它们的氧化物、氮化物、氟化物、硼化物、氧氮化物、氧硼化物以及氧氮化硼化物中的任意1者以上。11.根据权利要求10所述的反射型光掩模，其特征在于，所述吸收层由含有合计为50原子％以上的铟(in)和氧(o)的材料形成，氧(o)相对于铟(in)的原子数比(o/in)为1以上1.5以下。12.根据权利要求10或权利要求11所述的反射型光掩模，其特征在于，所述吸收层进一步包含铍(be)、钙(ca)、钪(sc)、钒(v)、锰(mn)、铁(fe)、钴(co)、铜(cu)、钌(ru)、银(ag)、钡(ba)、铱(ir)、金(au)、硅(si)、锗(ge)、铪(hf)、钽(ta)、铝(al)、钯(pd)、锆(zr)、铌(nb)、铬(cr)、铂(pt)、钇(y)、镍(ni)、铅(pb)、钛(ti)、镓(ga)、碲(te)、钨(w)、钼(mo)及锡(sn)、及它们的氧化物、氮化物、氟化物、硼化物、氧氮化物、氧硼化物以及氧氮化硼化物中的任意1者以上。13.根据权利要求10至权利要求12中任1项所述的反射型光掩模，其特征在于，所述最表层包含过渡元素及铋(bi)、及它们的氧化物、氮化物、氟化物、硼化物、氧氮化物、氧硼化物以及氧氮化硼化物中的任意1者以上。14.根据权利要求9至权利要求13中任1项所述的反射型光掩模，其特征在于，
所述低反射部的膜厚为60nm以下，即使在所述吸收层被分割为多层的情况下，各层的合计膜厚也为17nm以上47nm以下，所述最表层的膜厚为1nm以上。15.根据权利要求14所述的反射型光掩模，其特征在于，即使在所述吸收层被分割为多层的情况下，各层的合计膜厚也为17nm以上45nm以下。

技术总结
本发明的目的在于提供对氢自由基的耐性高、且将投影效应抑制至最小限从而提高转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(7)以及低反射部(8)，低反射部(8)由吸收层(4)和最表层(5)构成，吸收层(4)包含合计为50原子％以上的选自第1材料群中的1种以上，最表层(5)包含合计为80原子％以上的选自第2材料群中的至少1种以上，第1材料群为铟、锡、碲、钴、镍、铂、银、铜、锌及铋、及它们的氧化物、氮化物以及氧氮化物，第2材料群为钽、铝、钌、钼、锆、钛、锌及钒、及它们的氧化物、氮化物、氧氮化物、以及铟氧化物。以及铟氧化物。以及铟氧化物。


技术研发人员：合田步美 山形悠斗 中野秀亮 市川显二郎
受保护的技术使用者：凸版光掩模有限公司
技术研发日：2021.04.28
技术公布日：2022/12/2