一种等离子体处理装置及其可伸缩密封部的制作方法

1.本发明涉及半导体设备制造领域，尤其涉及一种等离子体处理装置及其可伸缩密封部。


背景技术：

2.在半导体设备领域，腔体内部很多位置均运用到了不锈钢波纹管，例如：支撑基座的支撑轴四周，支撑基座的支撑轴和腔体之间，移动接地环和固定接地环之间，这些位置的不锈钢波纹管位于射频回路中或射频回路附近会产生很多问题。
3.具体地，以设置在移动接地环和固定接地环之间的波纹管为例，随着技术节点的不断推进，刻蚀工艺对关键尺寸的控制要求进一步提高，14nm及以下节点采用了all-in-one等先进制程。对于all-in-one制程而言，可变的极板间距(gap)能够有效增加工艺窗口，降低调节难度，因此面向all-in-one制程的刻蚀设备需要配备能够相对运动的上下极板设计。为了实现此功能，具有可伸缩特性且可以隔绝真空的波纹管结构是必要的组件之一，而不锈钢波纹管因其较大的伸缩行程及良好的机械强度得以采用。
4.然而，发明人发现现有技术中至少存在如下问题。在复杂的射频环境中，不锈钢波纹管具有以下劣势：1、在不同的伸缩行程下，不锈钢箔片之间具有变化的电容和电感，导致其阻抗的稳定性较差；2、不锈钢材料相对于铜、铝材料具有较高的电阻率，当有射频电流经过时，存在不可忽略的热能量损耗。由于以上因素，在现有产品的测试过程中发现，当不锈钢波纹管位于或靠近射频回路时，腔体内部容易产生不确定性的串联或并联谐振，进而导致刻蚀速率的不稳定。
5.这里的陈述仅提供与本发明有关的背景技术，而并不必然地构成现有技术。


技术实现要素：

6.本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置及其可伸缩密封部，在保持了可伸缩密封部具有隔绝真空和可伸缩功能的基础上，有效地屏蔽了射频耦合，获得稳定的射频回路及刻蚀速率。
7.为了达到上述目的，本发明提供一种可伸缩密封部，所述可伸缩密封部设置在等离子体处理装置的射频回路中或射频回路附近，所述可伸缩密封部包含：
8.波纹管组件，其包含第一端部和第二端部；
9.套筒组件，其包含第一套筒和第二套筒，第一套筒靠近所述波纹管组件的第一端部设置，第二套筒靠近所述波纹管组件的第二端部设置；第一套筒和第二套筒的自由端相互重叠以在第一套筒和第二套筒相对滑动时形成射频屏蔽空间；所述波纹管组件位于所述射频屏蔽空间中；其中，所述套筒组件为导体。套筒组件以屏蔽横向的射频耦合，获得稳定的射频回路和刻蚀速率。
10.所述可伸缩密封部还包含法兰组件，所述法兰组件包含第一法兰和第二法兰，所述第一法兰与所述波纹管组件的第一端部连接，所述第二法兰与所述波纹管组件的第二端
部连接；所述第一套筒的非自由端通过所述第一法兰可拆卸地设置在所述波纹管组件的第一端部，所述第二套筒的非自由端通过所述第二法兰可拆卸地设置在所述波纹管组件的第二端部。
11.所述第一法兰上在远离波纹管组件的一侧设置至少一个密封圈，所述第二法兰上在远离波纹管组件的一侧设置至少一个密封圈，以隔绝真空。
12.所述波纹管组件为不锈钢箔片。
13.所述第一法兰上在远离波纹管组件的一侧设置隔离环，所述第二法兰上在远离波纹管组件的一侧也设置隔离环，以减弱纵向的射频耦合，获得稳定的射频回路和刻蚀速率。
14.所述可伸缩密封部还包含紧固件，所述紧固件用于固定所述第一法兰、第二法兰和/或隔离环。
15.一方面，所述隔离环采用金属材料。
16.另一方面，所述隔离环采用绝缘材料。
17.所述隔离环和所述第一法兰之间设置至少一个密封圈，所述隔离环和所述第二法兰之间设置至少一个密封圈，以隔绝真空。
18.所述套筒组件设置在所述波纹管组件的两侧，或设置在所述波纹管组件靠近射频回路的一侧。
19.所述第一套筒设置在远离所述波纹管组件的外侧或靠近所述波纹管组件的内侧，相应地，所述第二套筒设置在靠近所述波纹管组件的内侧或远离所述波纹管组件的外侧；所述第一套筒和所述第二套筒始终保持在竖直方向上有部分重叠。
20.所述第一套筒和/或第二套筒为一体式结构或分体式结构。
21.所述第一套筒和第二套筒采用经过表面处理的金属材料。
22.所述第一套筒和所述第二套筒之间设置绝缘缓冲层，所述绝缘缓冲层分别接触所述第一套筒和所述第二套筒，并保证所述第一套筒和所述第二套筒之间不接触，以避免不稳定的局部接触，同时也避免产生摩擦颗粒物。
23.所述绝缘缓冲层采用绝缘材料。
24.所述第二套筒上设置卡槽，用于容置所述绝缘缓冲层。
25.所述绝缘缓冲层粘附在所述第一套筒或所述第二套筒上。
26.本发明还提供一种等离子体处理装置，包含：
27.反应腔；
28.设置于腔体内的上电极以及与所述上电极相对设置的下电极，所述上电极和下电极的相对位置可调，从而使上电极与下电极之间的间距可调；
29.至少一个射频电源连接到所述上电极或者所述下电极；
30.所述的可伸缩密封部，其设置于上电极和下电极之间的射频回路中或射频回路附近，所述可伸缩密封部随着所述上电极和下电极的所述相对位置变化而发生伸缩。
31.所述下电极固定于导电支撑杆且位于反应腔的底壁开口之上，固定于所述导电支撑杆下端的驱动装置驱动所述导电支撑杆轴向运动，实现所述下电极的位置调节。
32.所述下电极上设置静电吸盘，所述静电吸盘支撑并夹持晶片。
33.本发明提供的可伸缩密封部，在波纹管组件的上部和下部增加了隔离环以减弱纵向的射频耦合，在波纹管组件的内侧和外侧增加了金属套筒以屏蔽横向的射频耦合，可以
获得稳定的射频回路，并且刻蚀速率具有更好的稳定性及可重复性，相比于传统波纹管结构，更适合在射频回路区域内使用。
附图说明
34.图1是本发明实施例中提供的一种等离子体处理装置的剖面结构示意图。
35.图2是本发明一个实施例中提供的一种可伸缩密封部的剖面结构示意图。
36.图3是本发明另一个实施例中提供的一种可伸缩密封部的剖面结构示意图。
37.图4是本发明第三个实施例中提供的一种可伸缩密封部的剖面结构示意图。
38.图5是本发明第四个实施例中提供的一种可伸缩密封部的剖面结构示意图。
39.图6是本发明第五个实施例中提供的一种可伸缩密封部的剖面结构示意图。
40.图7和图8是刻蚀速率的试验数据图。
具体实施方式
41.以下根据图1～图8，具体说明本发明的较佳实施例。
42.如图1所示，在本发明的一个实施例中，提供一等离子体处理装置1，该等离子体处理装置1具有处理腔室，处理腔室是由腔体100以及其他的必要部件围成的密闭空间，以使得晶片可以在处理腔室的真空环境中完成刻蚀加工工艺。在腔体100内设置有上电极102以及与上电极102相对设置的下电极105，下电极105设置于基座内，所述基座用于支撑待加工的晶片，且所述基座设置在导电支撑杆110上，导电支撑杆110的下端固定于驱动装置(图中未显示)，驱动装置用于驱动导电支撑杆110及基座沿其轴向运动。通常，气体喷淋头作为上电极102固定于处理腔室内的上方，在处理腔室外的端面上设置有与气体喷淋头相连的进气口(图中未显示)，处于处理腔室内的气体喷淋头上设置有通气孔(图中未显示)，工艺气体通过进气口进入气体喷淋头，并通过通气孔输送至处理腔室内，在所述上电极102和下电极105之间形成了反应区域，至少一射频电源通过射频匹配器施加到上电极102或下电极105之一，在上电极102和下电极105之间产生射频电场，用以将工艺气体解离为等离子体，从而加工所述晶片。作为可选的实施方式，所述下电极105通过导电支撑杆110与射频匹配器的输出端连接，所述射频匹配器与射频电源(图中未显示)连接，从而将射频功率提供至下电极105。所述基座上设置有静电吸盘107，用于吸附所述晶片。
43.在一些实施例中，下电极105可以连接一个或多个射频匹配器，例如可以为2个射频匹配器，在连接多个射频匹配器的实施例中，每个射频匹配器可以提供不同于其他射频匹配器的射频频率和功率，以适用于不同加工工艺的需求，在这些实施例中，上电极102可以接地。在另一些实施例中，下电极105可以连接一射频匹配器，上电极102可以连接另一射频匹配器，这两个射频匹配器可以提供不同的射频频率和功率。
44.在本实施例中，下电极105通过射频匹配器连接射频电源，以提供射频功率，上电极102和腔体100可以接地，腔体100、或者与腔体电连接的其他一些附件可以作为射频功率的返回路径，具体的，如图1中的实线所示，射频功率从射频匹配器输出端输出，通过导电支撑杆110之后，进入下电极105，然后射频电流通过上下电极之间的等离子体流入上电极102，经过腔体100内的射频回路返回至射频匹配器的回路端，根据不同的腔体结构以及设计需要，返回路径可以具有不同的设置。
45.射频匹配器与射频电源(连接)，用于输出需要的射频功率，所述射频匹配器具有输出端以及回路端，输出端用于输出射频功率，回路端用于接收返回的射频功率。射频滤波器与射频匹配器连接，射频滤波器用于过滤干扰频率信号。
46.等离子体处理装置的处理腔室是由腔体100以及其他的必要部件围成的密闭空间，以使得晶片可以在处理腔室的真空环境中完成刻蚀加工工艺。在本实施例中，在腔体100的顶部设置上电极102，上电极102可以设置于腔体100内部，通过其他的部件，如上盖板等结构，实现腔体100顶部的密封，上电极102还可以内嵌于腔体100顶部，此处，上电极102的设置仅为示例，本技术对于上电极102的设置方式以及腔体100顶部的密封并不做限定。
47.在本实施例中，腔体100包含侧壁1001以及底壁1002，下电极105位于底壁1002的开口之上，使得导电支撑杆110在开口位置能够上下移动。
48.在本实施例中，环绕下电极105设置有绝缘环142，绝缘环142与下电极105固定，绝缘环142的外侧固定设置有移动接地环136。绝缘环142由绝缘材料制成，例如可以为陶瓷材料，将下电极105与移动接地环136电性隔离开。移动接地环136为导电材料，移动接地环136作为射频返回路径的一部分。在腔体100内还设置有固定接地环101，该固定接地环101为导电材料，同样为射频返回路径的一部分，并位于所述移动接地环136的外侧，其与移动接地环136之间具有间隙，所述移动接地环136用于屏蔽下电极105与该固定接地环101之间的射频干扰。该固定接地环101与腔体100之间构成空腔103，空腔103用于形成排气腔，空腔103上设置等离子约束环134，通过等离子约束环134与所述固定接地环101、以及腔体100构成排气腔，同时，等离子约束环134包含有导电部件。其中，固定接地环101为导电的隔离壁，一方面能够作为射频返回路径，另一方面在横向隔离出排气腔的空间。等离子约束环134为透气结构，使得腔体内多余的等离子体熄灭并使得废气进入排气腔中，通常地，排气腔还设置有气泵，通过气泵将腔室内的废气排出。射频电流从腔体侧壁1001经过等离子约束环134之后，进入固定接地环101，这样，利用腔室内排气腔103以及等离子约束环134这些必要部件实现射频电流的返回路径，可以有效缩短射频电流的返回路径。
49.在本实施例中，所述移动接地环136和所述固定接地环101之间设置有可伸缩密封部140，用于将下电极105的上表面密封设置于腔体100所在的容置空间内。如图1所示，腔体100下部的密闭空间由固定接地环101的侧壁、可伸缩密封部140的内壁以及移动接地环136的侧壁围成，使得下电极105的上表面105置于腔体100内，而下电极105下表面以及导电支撑杆110置于腔体100密闭环境之外，腔体100内将提供真空环境用于刻蚀工艺的进行。所述可伸缩密封部140随着导电支撑杆110的轴向移动而上下伸缩，也就是说，所述可伸缩密封部140与导电支撑杆110具有相同的移动方向，此处下电极105的上表面即朝向上电极102的表面。这样，在当导电支撑杆110被驱动上下移动时，可伸缩密封部140将与下电极105一同伸缩，同时，通过可伸缩密封部140将下电极105密封至腔体100内。可以理解的是，该可伸缩密封部140可以直接或间接与下电极105固定，当腔体100中还设置有其他部件时，可伸缩密封部140可以与其他部件配合，所述可伸缩密封部140一般设置在等离子体处理装置的射频回路中或射频回路附近即可，从而实现腔体底部的密封，使得下电极105朝向上电极102的表面位于密闭腔室内。
50.腔体100上还设置有导电条160，所述导电条160连接在所述移动接地环136和所述固定接地环101之间，所述导电条160的长度适应于所述可伸缩密封部140的伸缩量，所述导
电条160可以为柔性的导电材料，例如可以为金属铜，所述导电条160的长度具有一定的余量，在可伸缩密封部140上下伸缩时，仍可以保证移动接地环136和固定接地环101二者维持良好的电连接状态，由此形成了完整的射频回路。
51.完整的射频回路由附图1中实线箭头示出，射频电流通过导电支撑杆110流入上电极105，然后，射频电流通过上下电极之间的等离子体流入上电极102，接着，经过腔体100的内侧流向等离子约束环134下方的中部接地环上表面，然后经过固定接地环101的内侧流向导电条160的外侧，继而流向移动接地环136的外侧，再折回流向移动接地环136的内侧，最后，通过导电条160的内侧流向固定接地环101，从而返回至射频匹配器的回路端形成完整的射频回路。
52.由于可伸缩密封部140的主体部分是不锈钢波纹管，当不锈钢波纹管位于或靠近射频回路时，腔体内部容易产生不确定性的串联或并联谐振，如图1所示，固定接地环101的内表面及移动接地环136的内外表面均为射频回路的必经路线，不锈钢波纹管在此用于将二者连接并封闭真空，不锈钢波纹管的两端与射频回路存在毫米级的间距，虽然电容很小，但依然存在射频耦合的风险(特别是高频)，进而造成一定的能量损失。如图1中的虚线箭头所示，从不锈钢波纹管的两个上下端部会产生纵向的射频耦合，从不锈钢波纹管的侧面也会产生横向的射频耦合，这些射频耦合会导致刻蚀速率的不稳定。
53.为了解决暴露在射频区域内的可伸缩密封部的射频耦合屏蔽问题，本技术提供了一种可伸缩密封部，所述可伸缩密封部一般设置在等离子体处理装置的射频回路中或射频回路附近。如图1所示，在一个实施例中，所述可伸缩密封部140的两端分别连接固定接地环101和移动接地环136。
54.如图2所示，所述可伸缩密封部140包含具有第一端部和第二端部的波纹管组件11，所述波纹管组件11整体呈环形围绕所述导电支撑杆110一周，所述波纹管组件11为不锈钢箔片，第一端部通过第一法兰131直接连接移动接地环136，第二端部通过第二法兰132直接连接固定接地环101。所述第一法兰131和第二法兰132采用经过表面处理的金属材料，包含但不限于铜、铝、镍等。在本实施例中，所述第一法兰131与移动接地环136之间设置有密封圈15，所述第二法兰132和固定接地环101之间设置有密封圈15，以实现密封和隔绝真空。
55.为了屏蔽流向波纹管组件11的射频耦合，在所述波纹管组件11的靠近导电条160的一侧(即内侧)和靠近侧壁1001的一侧(即外侧)均设有套筒组件，所述套筒组件包含第一套筒121和第二套筒122，第一套筒121靠近所述波纹管组件11的第一端部设置，第二套筒122靠近所述波纹管组件11的第二端部设置，所述第一套筒121为第一屏蔽体，第二套筒122为第二屏蔽体，二者形成了屏蔽空间。所述第一套筒121的非自由端通过所述第一法兰131可拆卸地设置在所述波纹管组件11的第一端部，该第一套筒121可随第一法兰131上下运动，所述第二套筒122的非自由端通过所述第二法兰132可拆卸地设置在所述波纹管组件11的第二端部，该第二套筒122可随第二法兰132上下运动。第一套筒121和第二套筒122的自由端在波纹管组件11的伸缩过程中始终保持在竖直方向上有部分相互重叠，以在第一套筒121和第二套筒122相对滑动时形成射频屏蔽空间，使波纹管组件11始终完全位于所述射频屏蔽空间中。第一套筒121和第二套筒122的重叠位置可互换，可以将第一套筒121设置在靠近所述波纹管组件11的内侧，第二套筒122设置在远离所述波纹管组件11的外侧，或者反过来，将第一套筒121设置在外侧，第二套筒122设置在内侧。在本实施中，所述第一套筒121和
第二套筒122采用经过表面处理的金属材料，包含但不限于铜、铝、镍等。该实施方式的射频回路具体为：射频电流从固定接地环101通过套筒组件靠近侧壁1001的一侧流入移动接地环136(射频电流参见图2中黑色箭头)，由于套筒组件为金属导体，波纹管组件11位于射频屏蔽空间中，因此可以阻断射频电流耦合至波纹管组件11内，从而获得稳定的射频回路及刻蚀速率。
56.对于套筒组件的具体实施方式，图3示出了仅在靠近侧壁1001的一侧设有套筒组件的实施方式。在本实施例中，第一套筒121包括具有沿纵向延伸的环形，第二套筒122同样包括具有沿纵向延伸的环形；作为一个可选的固定套筒组件的方式，在所述第一套筒121的非自由端设置有横向延伸部，在所述第二套筒122的非自由端同样设置有横向延伸部，在所述第一法兰和第二法兰靠近侧壁1001的一侧设置有环形凹槽，所述环形凹槽用于夹持第一套筒121和第二套筒122的横向延伸部，通过紧固件将法兰固定到接地环，在接地环和法兰之间的凹槽便将套筒夹紧形成固定连接，所述紧固件可以选用螺丝。该实施方式的射频回路具体为：射频电流从固定接地环101通过套筒组件靠近侧壁1001的一侧流入移动接地环136(射频电流参见图3中黑色箭头)，由于套筒组件为导体，波纹管组件11位于射频屏蔽空间中，因此可以阻断射频电流耦合至波纹管组件11内，从而获得稳定的射频回路及刻蚀速率。
57.对于套筒组件的具体实施方式，图4示出了在所述波纹管组件11的靠近导电条160的一侧(即内侧)和靠近侧壁1001的一侧(即外侧)均设有套筒组件的实施方式。在本实施例中，第一套筒121包括一体式的“凹”状体，第二套筒122包括两个独立的沿纵向延伸的环形，所述两个环形同心设置，当然第一套筒121和第二套筒122的形状可以互换。可选的，所述第一套筒121和第二套筒122均为“凹”状体或两个独立的环形。对于套筒为“凹”状体时的固定，可选的，通过紧固件171将法兰和套筒固定到接地环上。本实施例中，采用紧固件171将所述第一法兰131固定至移动接地环136，采用紧固件172将所述第二法兰132固定至固定接地环101，所述紧固件同样采用经过表面处理的金属材料，包含但不限于铜、铝、镍等。对于套筒为两个独立的环形时的固定，同样可以采用上文介绍的凹槽和横向延伸部配合的方式，这里就不具体介绍。该实施方式的射频回路具体为：射频电流从固定接地环101通过套筒组件靠近侧壁1001的一侧流入移动接地环136(射频电流参见图4中黑色箭头)，由于套筒组件为导体，波纹管组件11位于射频屏蔽空间中，因此可以阻断射频电流耦合至波纹管组件11内，从而获得稳定的射频回路及刻蚀速率。
58.如图5所示，示出了另一个实施方式，在第一法兰131和移动接地环136之间设置具有一定厚度的隔离环14，同样在第二法兰132和固定接地环101之间也设置隔离环14。在本实施例中，所述隔离环14也采用经过表面处理的金属材料，包含但不限于铜、铝、镍等。该实施方式的射频回路具体为：射频电流从固定接地环101通过套筒组件靠近侧壁1001的一侧再经过隔离环14流入移动接地环136(射频电流参见图5中黑色箭头)，由于套筒组件和隔离环14为导体，波纹管组件11位于射频屏蔽空间中，因此可以阻断射频电流耦合至波纹管组件11内，从而获得稳定的射频回路及刻蚀速率。在本实施例中，所述隔离环14与第一法兰131和第二法兰132之间设置有密封圈15，以实现隔绝真空。在波纹管组件的上部和下部增加了隔离环以减弱纵向的射频耦合，可以获得稳定的射频回路及刻蚀速率。
59.图6示出了另一可选的实施方式，在该实施例中，所述隔离环14采用绝缘材料，可
以为陶瓷或者更低介电常数的材料，包含但不限于氧化铝、氮化铝、石英、聚醚酰亚胺、peek等。该实施方式的射频回路具体为：射频电流从固定接地环101通过导电条160流入移动接地环136(射频电流参见图6中黑色箭头)，由于隔离环14为绝缘体，波纹管组件11位于射频屏蔽空间中，因此可以阻断射频电流耦合至波纹管组件11内，从而获得稳定的射频回路及刻蚀速率。在波纹管组件的上部和下部增加了隔离环以减弱纵向的射频耦合，可以获得稳定的射频回路及刻蚀速率。
60.对于第一套筒和第二套筒的自由端，可选的，第一套筒121和第二套筒122之间可以紧密接触设置，但是这样可能会因为相互之间接触紧密度不一致而导致射频周向的分布不均，而且第一套筒121和第二套筒122之间频繁的相互摩擦运动也会产生颗粒物，对制程造成不利影响。在一个可选的实施方式中，在第一套筒121和第二套筒122之间设置绝缘缓冲层16，所述绝缘缓冲层16分别接触所述第一套筒121和所述第二套筒122，该绝缘缓冲层16的厚度不能太薄，应该保证所述第一套筒121和所述第二套筒之122之间不接触，厚度也不能太厚，应该保证第一套筒121和所述第二套筒之122之间的间隙能够传导射频电流。可以将绝缘缓冲层16直接粘附在所述第一套筒121上或所述第二套筒122上，或者，在所述第一套筒121或第二套筒122上设置卡槽，用于容置所述绝缘缓冲层16。所述绝缘缓冲层16采用绝缘材料，包含但不限于氧化铝、氮化铝、石英、聚醚酰亚胺、peek(聚醚醚酮)等。第一套筒121和第二套筒122之间通过绝缘缓冲层16进行隔离以避免不稳定的局部接触，同时也避免产生摩擦颗粒物。
61.本发明提供的可伸缩密封部，通过密封圈及双层套筒结构，本发明同样具有隔绝真空和可伸缩功能，更进一步地，在波纹管组件的上部和下部增加了隔离环以减弱纵向的射频耦合，在波纹管组件的内侧和外侧增加了金属套筒以屏蔽横向的射频耦合，可以获得稳定的射频回路及刻蚀速率，相比于传统波纹管结构，更适合在射频回路区域内使用。采用不同的隔离环材料，采用不同的金属套筒材料，采用相似的双层套筒结构用于局部的射频屏蔽等均属于本发明的实施方式变形。
62.进行sd-rie 9900实验来验证本发明提供的可伸缩密封部对射频耦合屏蔽的有效性。
63.如图7所示，x轴为上下电极之间的距离，y轴为刻蚀速率，实线为采用本发明提供的可伸缩密封部得到的测试数据，虚线是未采用本发明提供的可伸缩密封部得到的测试数据，从图7可以看出，使用本发明提供的可伸缩密封部，刻蚀速率具有更好的稳定性(不再上下跳动)。如图8所示，x轴为上下电极之间的距离，y轴为刻蚀速率，虚线为采用本发明提供的可伸缩密封部进行第一次工艺得到的测试数据，实线为采用本发明提供的可伸缩密封部进行第二次工艺得到的测试数据，从图8可以看出，使用本发明提供的可伸缩密封部，刻蚀速率具有很好的可重复性(双线重合)。
64.实验数据表示，本发明提供的可伸缩密封部可以有效阻止射频耦合，减少不锈钢箔片造成的热能量损耗，使用此可伸缩密封部的腔体，其刻蚀速率数据具有更好的稳定性及可重复性。
65.需要说明的是，在本发明的实施例中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位
或位置关系，仅是为了便于描述实施例，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
66.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
67.尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。