碳化硅复合晶圆及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种碳化硅复合晶圆，其特征在于，包含：一碳化硅材料；及一晶圆基底，该晶圆基底的上表面结合于该碳化硅材料的下表面，其中，该碳化硅材料的下表面及该晶圆基底的上表面两者或任一经表面改质，使该碳化硅材料与该晶圆基底直接接合。2.如权利要求1所述的碳化硅复合晶圆，其特征在于，该晶圆基底为陶瓷或玻璃。3.如权利要求1所述的碳化硅复合晶圆，其特征在于，该陶瓷选自由氮化铝、氧化铝、碳化硅及氮化硅所组成的群组。4.如权利要求1所述的碳化硅复合晶圆，其特征在于，该晶圆基底为单晶或多晶材料。5.如权利要求1至4任一项所述的碳化硅复合晶圆，其特征在于，该碳化硅材料的厚度为0.2～500μm。6.如权利要求5所述的碳化硅复合晶圆，其特征在于，该碳化硅材料的上表面进一步包含结晶层。7.如权利要求1至4任一项所述的碳化硅复合晶圆，其特征在于，该表面改质为表面产生物理键结。8.如权利要求1至4任一项所述的碳化硅复合晶圆，其特征在于，该表面改质为表面产生静电或氢键。9.一种碳化硅复合晶圆的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：(a)一碳化硅经长晶处理为一碳化硅材料；及(b)提供一晶圆基底，将该碳化硅材料的下表面及该晶圆基底的上表面两者或任一者经表面改质产生氢键、静电或物理键结后，直接接合形成一碳化硅复合晶圆。10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该表面改质经氢化处理使该碳化硅材料的下表面及该晶圆基底的上表面两者或任一产生氢键。11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该碳化硅材料与晶圆基底以静电结合。

技术总结
本发明为一种碳化硅复合晶圆及其制造方法，适用于半导体制程程序、电子产品及半导体设备所需。该碳化硅复合晶圆包含一碳化硅材料及一晶圆基底，该晶圆基底的上表面结合于该碳化硅材料的下表面，其中，该碳化硅材料的下表面及该晶圆基底的上表面两者或任一经表面改质，使该碳化硅材料与该晶圆基底直接紧密接合。本发明的功效在于该复合晶圆不同材料间接合处的接合能力强，后续加工处理较容易，材料间彼此紧密结合的状态下能缩短制程并且提高良率，产业利用性高。产业利用性高。产业利用性高。


技术研发人员：曾彦凯 江柏萱
受保护的技术使用者：鸿创应用科技有限公司
技术研发日：2021.05.27
技术公布日：2022/11/29