c轴择优取向氧化锌镁脊型波导及制作方法

技术特征：
1.一种c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o脊型波导的制作方法，包括：在c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o薄膜上形成条形的掩蔽层，其中0≤x≤0.3；以及在所述掩蔽层的保护下，采用干法刻蚀技术对所述c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o薄膜进行刻蚀，形成脊型波导结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o薄膜的厚度为500～600nm，优选为500nm。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述掩蔽层为采用旋涂法制备的光刻胶层，所述干法刻蚀技术为基于hbr和ar混合气体的电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术的工艺参数包括：向刻蚀腔中通入hbr和ar的混合气体，ar/(ar hbr)气体比例为20％-80％，流量范围在15-25sccm之间，气压范围在3-7mtorr之间，icp功率范围在500-1000w之间，射频功率范围在250-500w之间，直流偏压范围在150-250v之间。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述掩蔽层为采用等离子体增强化学沉积法形成的sio2层，所述干法刻蚀技术为ar离子束刻蚀技术。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o薄膜上形成条形的掩蔽层包括：采用等离子体增强化学沉积法在所述c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o薄膜上淀积一层sio2层；使用光刻版和光刻胶经光刻工艺在所述sio2层上形成条形的光刻胶掩蔽层；以及在所述光刻胶掩蔽层的保护下，采用反应离子刻蚀技术对所述sio2层进行刻蚀，形成条形的sio2掩蔽层。7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述ar离子束刻蚀处理的工艺参数包括：向刻蚀腔中通入ar气体，流量范围在15-25sccm之间，气压范围在0.5-1.5pa之间，样品倾斜角度范围在5-60
°
之间，样品转速范围在5-10rpm之间，束电压范围在100-500v之间，束电流范围在50-150ma之间。8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀技术对所述c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o薄膜进行刻蚀包括：采用ar离子束分步刻蚀所述c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o薄膜，在所述分步刻蚀中逐步减小样品倾斜角度。9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o薄膜为采用射频磁控溅射法在热氧化si(100)衬底上形成；和/或在所述在c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o薄膜上形成条形的掩蔽层之前，所述制作方法还包括：将所述c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o薄膜在丙酮溶剂、无水酒精溶剂、超纯水中清洗，然后进行干燥。10.一种通过权利要求1至9中任一项所述的制作方法得到的c轴择优取向zn
1-x
mg
x
o脊形波导。

技术总结
一种c轴择优取向氧化锌镁脊型波导及制作方法，该方法包括：在c轴择优取向Zn


技术研发人员：孟磊 杨涛
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2021.05.21
技术公布日：2022/11/22