一种深紫外LED芯片的返工方法与流程

技术特征：
1.一种深紫外led芯片的返工方法，其特征在于，包括如下步骤：s1，清水冲洗待返工的深紫外led芯片后，进行一次酸浸泡处理；s2，对经过s1步骤后的深紫外led芯片进行表面刻蚀处理；s3，采用boe溶液浸泡经过s2步骤后的深紫外led芯片；s4，对经过s3步骤后的深紫外led芯片进行二次酸浸泡处理；s5，采用返工液浸泡经过s4步骤后的深紫外led芯片；s6，清水冲洗经过s4步骤后的深紫外led芯片，返回进行制程工序。2.根据权利要求1所述深紫外led芯片的返工方法，其特征在于，所述s1步骤和s6步骤中，采用99.99％的去离子水进行清水冲洗，且单次冲洗时间大于10min。3.根据权利要求1所述深紫外led芯片的返工方法，其特征在于，所述s1步骤中，采用王水进行一次酸浸泡处理，其浸泡时间为2～4h。4.根据权利要求1所述深紫外led芯片的返工方法，其特征在于，所述s2步骤中，采用电感耦合等离子体刻蚀工艺或反应等离子体刻蚀工艺，对经过s1步骤后的深紫外led芯片表面金属和有机物进行刻蚀。5.根据权利要求4所述深紫外led芯片的返工方法，其特征在于，所述s2步骤中，采用等离子去胶机对经过s1步骤后的深紫外led芯片进行轰击，刻蚀时间为1～5000s。6.根据权利要求1所述深紫外led芯片的返工方法，其特征在于，所述s3步骤中，所述boe溶液为氟化铵腐蚀液，且氟化铵与溶剂的质量比为1：20，所述boe溶液的浸泡时间为1～5000s。7.根据权利要求1所述深紫外led芯片的返工方法，其特征在于，所述s4步骤中，采用ito溶液进行二次酸浸泡处理，所述ito溶液包括盐酸和三氯化铁，所述二次酸浸泡处理的时间为1～5000s。8.根据权利要求7所述深紫外led芯片的返工方法，其特征在于，所述ito溶液中盐酸的质量占比为5～30％，所述三氯化铁的质量占比为5～30％。9.根据权利要求1所述深紫外led芯片的返工方法，其特征在于，所述s5步骤中，所述返工液以质量百分数计包括如下组分：无机酸1～10％，氟化物1～10％，分散剂0.1～10％，溶剂70～80％。10.根据权利要求9所述深紫外led芯片的返工方法，其特征在于，所述s5步骤中，返工液浸泡时间为0.1～4h。

技术总结
本发明公开了一种深紫外LED芯片的返工方法，包括如下步骤：清水冲洗待返工的深紫外LED芯片后，进行一次酸浸泡处理；对深紫外LED芯片进行表面刻蚀处理；采用BOE溶液浸泡深紫外LED芯片；对深紫外LED芯片进行二次酸浸泡处理；采用返工液浸泡深紫外LED芯片；清水冲洗深紫外LED芯片，返回进行制程工序。本发明通过一次酸浸-表面刻蚀-BOE溶液浸泡-二次酸浸-返工液浸泡的工艺，使经返工后的外延片发光效果接近与正常外延片的发光效果，有效避免了传统强酸或强碱浸泡时间长，易造成损伤的问题。易造成损伤的问题。


技术研发人员：邱小龙 罗红波 王梦祥 张会雪 陈景文
受保护的技术使用者：湖北深紫科技有限公司
技术研发日：2022.08.29
技术公布日：2022/11/18