基板处理设备及方法与流程

技术特征：
1.一种用于处理一基板的一设备，该设备包含：一腔体；一基板支撑单元，位于该腔体内部且用以支撑位于该腔体内部的该基板；一气体散布单元，位于该腔体内部以面对该基板支撑单元并用以朝该基板支撑单元散布一制程气体；一第一温度控制单元，安装于该气体散布单元的一中央区域中并用以增加该中央区域的温度；以及一第二温度控制单元，安装于该气体散布单元的一边缘区域中并用以使该边缘区域的温度增加地比该中央区域的温度更快。2.一种用于处理一基板的设备，该设备包含：一腔体；一基板支撑单元，位于该腔体内部且用以支撑位于该腔体内部的该基板；一气体散布单元，位于该腔体内部以面对该基板支撑单元并用以朝该基板支撑单元散布一制程气体；一第一温度控制单元，安装于该气体散布单元的一中央区域中并用以增加或降低该中央区域的温度；以及一第二温度控制单元，安装于该气体散布单元的一边缘区域中并用以增加该边缘区域的温度。3.如权利要求1或2所述的设备，其中该第二温度控制单元相较该第一温度控制单元将该气体散布单元加热到较高的温度。4.如权利要求1或2所述的设备，其中该第一温度控制单元包含：一流道，用以允许一温度控制流体流动于该中央区域内部；一入口，用以将该温度控制流体供应到该流道中；以及一出口，用以将该温度控制流体从该流道排放出去。5.如权利要求4所述的设备，其中该第二温度控制单元包含埋于该边缘区域内部的一电加热线。6.一种用于处理一基板的方法，该方法包含：在内部提供有一气体散布单元的一腔体中将一薄膜沉积于该基板上；用一第一温度增加速率增加该气体散布单元的一中央区域的温度；用高于该第一温度增加速率的一第二温度增加速率增加该气体散布单元的一边缘区域的温度；以及将一清理气体供应到该腔体中以清理该腔体。7.如权利要求6所述的方法，其中该中央区域的温度的增加以及该边缘区域的温度的增加为同时进行。8.如权利要求6所述的方法，其中该中央区域的温度的增加包含允许一加热流体流动于该中央区域中，进而增加该中央区域的温度，其中该边缘区域的温度的增加包含加热埋于该边缘区域中的一电加热线，进而增加该边缘区域的温度。9.如权利要求6所述的方法，其中进行该腔体的清理的同时使该气体散布单元的所有
区域的温度保持恒定或是使该边缘区域的温度保持为高于该中央区域的温度。10.如权利要求6所述的方法，其中位于该薄膜上或该腔体内部的一副产物包含一金属氧化物。

技术总结
本发明提供了一种基板处理设备及方法，其可以在薄膜沉积于基板上之后有效地清理其中累积有副产物的腔体。此外，本发明提供了一种基板处理设备及方法，其可以在进行有机金属化学气相沉积之后有效地清理包含累积在腔体内部的金属的副产物。部的金属的副产物。部的金属的副产物。


技术研发人员：朴昶均 金容玹 黄喆周
受保护的技术使用者：周星工程股份有限公司
技术研发日：2021.03.30
技术公布日：2022/11/18