薄膜及其制造方法、圆偏振光检测元件、器件、及方法与流程

1.本发明涉及薄膜及其制造方法、圆偏振光检测元件、器件、及方法。本技术基于于2020年5月28日在日本提出申请的日本特愿2020-093727号主张优先权，并将其内容援用于此。


背景技术：

2.利用偏振光现象将各种各样的物体的结构
·
性质等信息可视化的偏振光图像传感器是已知的。偏振光图像传感器具备由偏光镜阵列、和由以与各偏光镜的组对置的方式配置的多个光电二极管形成的光电二极管阵列，前述偏光镜阵列具备多个偏振光方向不同的四个偏光镜的组。透射属于同一组的四个偏光镜后的线偏振光的信号作为一个像素的信息经光电二极管转换成电信号并被输出。根据由线偏振光输出的信号，通过正交的偏振光成分彼此的强度之和、差的组合，能够算出三种斯托克斯参数，能够使用这些参数对透射后的光的状态进行定量。
3.然而，仅凭由线偏振光得到的三个斯托克斯参数的情况下，将物体弯曲时所观察到的双折射、应力分布等状态的可视化是困难的。已知这些状态能够通过使用根据圆偏振光的强度算出的斯托克斯参数而可视化，因此期望检测圆偏振光的技术。此外，用上述偏振光图像传感器检测圆偏振光的情况下，还需要波片，因此存在灵敏度显著降低的问题。因此，期望直接检测圆偏振光的技术。
4.非专利文献1中，公开了(pbi6)
4-(八面体结构)一维排列(即通过使(pbi6)
4-共有面而排列)且手性分子(1-苯乙胺)包围在其周围的结构作为直接检测波长区域为400nm附近的圆偏振光的结构体。
5.现有技术文献
6.非专利文献
7.非专利文献1：chao chen et al.，nature communications，volume 10，article number：1927(2019)


技术实现要素：

8.发明所要解决的课题
9.当前，要求对体系整体促进大的手性结构以直接检测圆偏振光的、新的薄膜及其制造方法。
10.本发明是鉴于上述情况而做出的，其目的在于提供能够直接检测宽的波长区域的圆偏振光的薄膜及其制造方法、具备该薄膜的圆偏振光检测元件、器件、及方法。
11.用于解决课题的手段
12.为了解决上述课题，本发明采用以下手段。
13.(1)本发明的一个方式的薄膜为用于圆偏振光检测的薄膜，其具备：由钙钛矿型物质形成的、构成层状结构体的多个无机层及/或构成链状结构体的多个无机链；和手性分
子，其被包含于相邻的前述无机层彼此及/或前述无机链彼此的边界部之中的至少一部分，前述手性分子中存在s型的手性分子或r型的手性分子中的仅任一者、或者s型的手性分子或r型的手性分子中的任一者的存在比例高于另一者的存在比例，前述钙钛矿型物质的晶体结构沿规定的方向取向。
14.(2)前述(1)所述的薄膜中，每单位厚度的吸收强度优选为50,000cm-1
以上500,000cm-1
以下。
15.(3)前述(1)或(2)中任一项所述的薄膜中，表面粗糙度ra优选为1nm以上30nm以下。
16.(4)前述(1)～(3)中任一项所述的薄膜中，优选是前述手性分子在前述边界部形成有机层、前述无机层与前述有机层相互层叠、以及/或者前述手性分子包围在前述无机链的周围而形成的。
17.(5)前述(1)～(4)中任一项所述的薄膜中，优选前述手性分子固定于前述无机层及/或前述无机链。
18.(6)前述(1)～(5)中任一项所述的薄膜中，优选前述手性分子介由与构成该手性分子的手性碳原子共价键合的官能团而键合于前述无机层及/或前述无机链。
19.(7)前述(6)所述的薄膜中，优选：前述官能团为能具有电荷的取代基，该取代基与前述钙钛矿型物质介由卤素离子形成键，由此前述手性分子固定于前述无机层及/或前述无机链。
20.(8)前述(1)～(7)中任一项所述的薄膜，其优选：前述钙钛矿型物质与前述手性分子构成由三种离子a、b、x构成的化合物a2bx4及/或abx3，前述离子b、前述离子x形成具有八面体结构的多个单位单元，并且包含相邻的前述单位单元的前述八面体结构彼此共有一个顶点及/或面的结构。
21.(9)前述(8)所述的薄膜具备构成层状结构体的多个无机层，并且前述钙钛矿型物质与前述手性分子构成由三种离子a、b、x构成的化合物a2bx4，前述离子b、前述离子x形成具有八面体结构的多个单位单元，并且包含相邻的前述单位单元的前述八面体结构彼此共有一个顶点的结构。
22.(10)前述(8)所述的薄膜具备构成链状结构体的多个无机链，并且前述钙钛矿型物质与前述手性分子构成由三种离子a、b、x构成的化合物abx3，前述离子b、前述离子x形成具有八面体结构的多个单位单元，并且包含相邻的前述单位单元的前述八面体结构彼此共有一个面的结构。
23.(11)前述(8)～(10)中任一项所述的薄膜中，优选：前述离子a为包含乙基铵离子的芳香族化合物，前述离子b为铅离子或锡离子，前述离子x为卤素离子。
24.(12)本发明的一个方式的薄膜的制造方法为前述(1)～(11)中任一项所述的薄膜的制造方法，其具有：第一工序，使成为前述薄膜的原料的前述钙钛矿型物质的前体、前述手性分子、及能够因加热而升华并且与前述钙钛矿型物质的构成元素的一部分反应的有机卤化物溶解于溶剂；第二工序，使用旋涂法将前述第一工序中得到的溶液涂布于基板上，在前述基板上形成处理前涂膜；和第三工序，对前述处理前涂膜进行加热，使前述处理前涂膜中所含的前述有机卤化物升华。
25.(13)前述(12)所述的薄膜的制造方法中，优选：前述钙钛矿型物质的前体为卤化
铅，前述有机卤化物为卤代甲基铵、或卤化甲脒鎓。
26.(14)前述(13)所述的薄膜的制造方法中，优选前述卤化铅及前述有机卤化物中所含的卤原子为溴原子、氯原子、或碘原子中的任一者。
27.(15)本发明的一个方式的圆偏振光检测元件包含前述(1)～(11)中任一项所述的薄膜。
28.(16)前述(15)所述的圆偏振光检测元件中，优选：其是以负极层、前述薄膜、正极层的顺序层叠而成的，前述负极层与前述正极层之中的至少一者具有透光性。
29.(17)本发明的一个方式的器件是组入前述(15)或(16)中任一项所述的圆偏振光检测元件而成的。
30.(18)本发明的一个方式的方法是针对包含构成层状结构体的多个无机层及/或构成链状结构体的多个无机链的钙钛矿型物质所具有的钙钛矿结构诱导出r或s构型的手性结构的方法，该方法包括使存在s型的手性分子或r型的手性分子中的仅任一者、或者s型的手性分子或r型的手性分子中的任一者的存在比例高于另一者的存在比例的手性分子以前述钙钛矿型物质的晶体结构沿规定的方向取向的方式包含于前述钙钛矿型物质所包含的相邻的前述无机层彼此及/或前述无机链彼此的边界部之中的至少一部分的工序。
31.(19)本发明的一个方式的薄膜是由钙钛矿型物质形成的被赋予了手性的薄膜，前述薄膜具备：构成层状结构体的多个无机层及/或构成链状结构体的多个无机链；和包含于相邻的前述无机层彼此及/或前述无机链彼此的边界部之中的至少一部分的手性分子，前述手性分子是存在s型的手性分子或r型的手性分子中的仅任一者、或者s型的手性分子或r型的手性分子中的任一者的存在比例高于另一者的存在比例的手性分子，前述钙钛矿型物质的晶体结构沿规定的方向取向。
32.发明效果
33.根据本发明，能够提供能直接检测宽的波长区域的圆偏振光的薄膜及其制造方法、具备该薄膜的圆偏振光检测元件、器件、及方法。
附图说明
34.[图1]为本发明的一个实施方式的薄膜的截面图。
[0035]
[图2]为本发明的另一实施方式的薄膜的截面图。
[0036]
[图3]为本发明的一个实施方式的圆偏振光检测元件的截面图。
[0037]
[图4]为本发明的另一实施方式的圆偏振光检测元件的截面图。
[0038]
[图5]为示出针对实施例1、实施例2、及比较例3的薄膜进行xrd分析后的结果的图表。
[0039]
[图6]为示出针对实施例4、实施例5、及比较例6的薄膜进行xrd分析后的结果的图表。
[0040]
[图7]为示出针对实施例1及4的薄膜使用二维检测器进行xrd分析后的结果的图表。
[0041]
[图8]为示出实施例1、实施例2、及比较例3的薄膜的光吸收光谱及圆偏振二向色性光谱的图表。
[0042]
[图9]为示出实施例4、实施例5、及比较例6的薄膜的光吸收光谱及圆偏振二向色
性光谱的图表。
[0043]
[图10]为示出比较例8及9的薄膜的光吸收光谱及圆偏振二向色性光谱的图表。
[0044]
[图11]为示出针对实施例1的薄膜进行光电流及暗电流特性的测定后的结果的图表。
[0045]
[图12]为示出针对实施例1的薄膜进行开关(on-off)特性的测定后的结果的图表。
[0046]
[图13]为示出针对实施例4的薄膜进行光电流及暗电流特性的测定后的结果的图表。
[0047]
[图14]为示出针对实施例4的薄膜进行开关特性的测定后的结果的图表。
具体实施方式
[0048]
(层叠结构体)
[0049]
以下，使用附图对适用了本发明的实施方式的薄膜及其制造方法、圆偏振光检测元件、器件、及方法详细地进行说明。需要说明的是，为了易于理解特征，方便起见，以下的说明中使用的附图有时将特征部分放大显示，各构成要素的尺寸比率等并非与实际一致。此外，以下的说明中所例示的材料、尺寸等为一个例子，本发明并不限于此，能够在不改变其主旨的范围内进行适当变更而实施。
[0050]
图1为示意性地示出本发明的一个实施方式的薄膜100的构成的截面图。薄膜100为用于圆偏振光检测的薄膜，是由钙钛矿型物质形成的被赋予了手性的薄膜。薄膜100主要具备由钙钛矿型物质101形成的、构成层状结构体的多个无机层102和手性分子103。需要说明的是，图1中，作为手性分子103的官能团，以氨基为例进行了说明，但本发明并不限于氨基。
[0051]
每个无机层102为厚度1nm左右的片状，由构成由三种离子a、b、x构成的化合物a2bx4的一部分、且形成多晶结构的多个钙钛矿型物质构成。钙钛矿型物质的晶体结构具有织构性，沿规定的方向取向。具体而言，离子b、离子x形成具有八面体结构的多个单位单元(bx6)
4-，并且相邻的单位单元的八面体结构彼此共有一个顶点。离子b配置于八面体的中心，离子x配置于八面体的顶点。此外，离子a配置于与各单位单元的八面体结构外接的位置。需要说明的是，离子a为手性分子103。即、钙钛矿型物质与手性分子103构成由三种离子a、b、x构成的化合物a2bx4。
[0052]
无机层102通过使八面体结构彼此共有各顶点而排列，其层间组入有手性分子103。如此，由于成为与通过使八面体结构彼此共有面而排列的结构(具有直接检测波长区域为400nm附近的圆偏振光的能力的结构)不同的结构，因此吸收位置发生变化。作为其结果，能够赋予直接检测波长区域扩展至500nm以上的圆偏振光的能力。此外，通过使八面体结构彼此共有顶点，能够增大圆偏振光吸收能力。
[0053]
作为离子a，例如可举出包含乙基铵离子等的芳香族化合物。作为离子b，例如可举出铅离子、锡离子等。作为离子x，例如可举出卤素离子。作为卤素离子，可举出氯离子、溴离子、碘离子。作为卤素离子，优选碘离子。
[0054]
手性分子103包含于相邻的无机层102彼此的边界部104之中的至少一部分，与无机层102的表面的钙钛矿型物质键合而固定。更详细而言，手性分子103介由与构成手性分
子103的手性碳原子共价键合的官能团而键合于钙钛矿型物质。该官能团为能具有电荷的取代基，取代基与钙钛矿型物质能够介由卤素离子而形成键。作为官能团，优选为氨基。通过使氨基(nh
3
)与例如(pbi6)
4-的i-键合，在由(pbi6)
4-形成的无机层中产生手性，新显示出圆偏振光吸收能力。优选手性分子103具有一个以上、优选两个以上的芳香环。此外，芳香环当为萘环、蒽环等共有苯环的一个边的结构的芳香环时，可增大圆偏振光吸收强度，故而优选。
[0055]
需要说明的是，手性分子103存在r型和s型。r型或者s型的手性分子103强烈地吸收右旋或左旋中的任一者的圆偏振光。此处，4个不同的键合基团键合于手性碳，原子序数最小的置于最远，剩下的3个键合基团按原子序数从大到小顺时针排列的称为r型，逆时针排列的称为s型。作为r型，例如可举出下述式(1)所示的r-( )-1-(1-萘基)乙胺氢溴酸盐。作为s型，例如可举出下述式(2)所示的s-(-)-1-(1-萘基)乙胺氢溴酸盐。
[0056]
[化学式1]
[0057][0058]
[化学式2]
[0059][0060]
手性分子103若相对于无机层102的pb离子1分子而言以1.2分子以上进行反应时，则通常形成层状结构(a2bx4)，另一方面，手性分子103若相对于无机层102的pb离子1分子而言以0.75分子以下进行反应时，则通常形成链状结构(abx3)。手性分子103相对于无机层102的pb1分子而言以超过0.75分子、小于1.2分子进行反应的情况下，通常形成链状结构及层状结构混合存在的结构。链状结构及层状结构混合存在的结构的情况下，钙钛矿型物质与手性分子构成由三种离子a、b、x构成的化合物a2bx4及abx3。作为离子a，例如可举出包含乙基铵离子等的芳香族化合物。作为离子b，例如可举出铅离子、锡离子等。作为离子x，例如可举出卤素离子等。作为卤素离子，可举出氯离子、溴离子、碘离子。作为卤素离子，优选碘离子。通过调节手性分子103与无机层102的pb的比率，能够调节圆偏振光吸收能力。
[0061]
图1中例示了手性分子103在边界部104处形成有机层105、无机层102与有机层105相互层叠的情况。层叠的无机层102的数目没有特别限定，但将薄膜100用于圆偏振光检测元件等时，从易于使电流沿厚度方向d流动的观点考虑，薄膜100的厚度优选为100～500nm程度。此外，从保护手性分子103的观点考虑，优选以使最上层及最下层为无机层102的方式进行层叠。
[0062]
从高效地透射照射光以使钙钛矿型物质吸收照射光的观点考虑，每个薄膜100的
表面粗糙度ra(算术平均粗糙度)优选为1nm以上30nm以下。只要薄膜100的算术平均粗糙度ra为30nm以下，就能够抑制圆偏振光检测元件110的泄漏。算术平均粗糙度ra例如能够使用原子力显微镜(afm)进行测定。使用原子力显微镜进行测定的情况下，例如能够从通过使用岛津制作所公司制的原子力显微镜、将扫描范围及扫描模式设定为适当的值(具体而言，例如，扫描模式：动态模式)进行测定而得到的观察图像中得到算术平均粗糙度ra。
[0063]
此外，由于需要使钙钛矿型物质高效地吸收照射光，因此薄膜100的每单位厚度的吸收强度期望为50,000cm-1
以上500,000cm-1
以下。需要说明的是，每单位厚度的吸收强度设为吸收强度最高的峰的峰值波长的每单位厚度的吸收强度的值。薄膜100的吸收强度的测定利用透射法进行。
[0064]
图3为包含薄膜100的圆偏振光检测元件110的截面图。圆偏振光检测元件110是主要依次将负极层106、薄膜100、正极层107层叠而成的。为了使薄膜100内的钙钛矿型物质吸收光(圆偏振光)，负极层106与正极层107之中的至少一者具有透光性。负极层106介由由例如sno2、tio2等形成的负极侧粘接层108(电子传输层)粘接于薄膜100的厚度方向的一侧。正极层107介由由例如bcp(bathocuproine(注册商标))、spiro-meotad、tpd等形成的正极侧粘接层109(空穴输送层)粘接于薄膜100的厚度方向的另一侧。负极层106具有透光性的情况下，负极侧粘接层108也具有透光性。此外，正极层107具有透光性的情况下，正极侧粘接层109也具有透光性。
[0065]
圆偏振光检测元件110中，构成薄膜100的无机层102具有多晶结构，因此薄膜100的光吸收大(波长488nm的吸收强度：约50,000cm-1
以上)，且具有高的导电性(载流子扩散长度，约1μm以上)。因此，照射至薄膜100的光为圆偏振光的情况、或者包含圆偏振光的情况下，能够检测因所吸收的圆偏振光引起的电流。需要说明的是，通过仅使用r型或者s型的手性分子，能够在钙钛矿结构中诱导出r或s构型的手性结构，能够选择性地吸收右旋圆偏振光、或者左旋圆偏振光并检测其电流。此外，r型及s型中的任一者的存在比例高于另一者的存在比例的情况下，也能够在钙钛矿结构中诱导出r或s构型的手性结构，能够选择性地吸收右旋圆偏振光、或者左旋圆偏振光并检测其电流。
[0066]
(层状结构体的制造方法)
[0067]
通过调节钙钛矿型物质的前体、手性分子、有机卤化物的比例，能够控制钙钛矿型物质的形状。例如，形成层状结构体的情况下，薄膜100主要能够按以下步骤制造。首先，使0.5mol/l～2mol/l(摩尔/升)的比例的成为薄膜100原料的钙钛矿型物质的前体、0.5mol/l～2mol/l的比例的手性分子，以及1mol/l以下(优选0.4mol/l～0.8mol/l)的比例的能够因热而升华且与钙钛矿型物质的构成元素的一部分反应的有机卤化物溶解于溶剂(第一工序)。作为溶剂，例如能够使用二甲基甲酰胺(dmf)、二甲基亚砜(dmso)、γ-丁内酯等。需要说明的是，要实质上形成层状结构体的情况下，以使手性分子相对于无机层102的pb离子1分子而言为1.2分子以上的方式计算比率并进行配合。
[0068]
作为钙钛矿型物质的前体，例如可举出卤化铅等。作为有机卤化物，例如，可举出卤代甲基铵、或卤化甲脒鎓等。作为此处的卤化铅及有机卤化物中所含的卤原子，例如可优选举出溴原子、氯原子、或碘原子中的任一者。
[0069]
接着，使用旋涂法将第一工序中得到的溶液(混合液)滴加于另行准备的基底基板上，以1000rpm～5000rpm进行旋转，从而在基底基板上形成处理前涂膜(第二工序)。基底基
板的材料没有限定。
[0070]
接着，使用加热装置对处理前涂膜进行加热，使处理前涂膜中所含的有机卤化物升华(第三工序)，从而能够得到由已多晶化的无机层和分布于其间的手性分子构成的薄膜。此处优选将加热温度设为70℃～120℃、将加热时间设为15分钟～60分钟程度。
[0071]
通过在不使第一工序中得到的溶液结晶化的状态下进行第二工序及第三工序的处理，经过第三工序得到的薄膜100的无机层102具有织构性，成为并非随机而是在特定方向上优先取向的多晶体。
[0072]
针对经过第三工序得到的薄膜100，使用真空蒸镀、溅射法等已知的成膜法在厚度方向的一侧形成正极层107，在另一侧形成负极层106，从而能够得到能将圆偏振光的信息输出为电信号的圆偏振光检测元件110。需要说明的是，可以使用真空蒸镀、旋涂、溅射法等已知的成膜法分别在薄膜100与正极层107之间、薄膜100与负极层106之间形成正极侧粘接层109、负极侧粘接层108。
[0073]
如上所述，本实施方式的薄膜100为叠合有多个无机层102的层状结构体，在被相邻的无机层102彼此夹着且二维延伸的纳米空间中固定化有对圆偏振光具有吸光度的手性分子103。手性分子103在无机层102的排列中诱导手性，因此能够将基于无机层102的圆偏振光的吸收波长区域扩展至350～800nm的宽范围。
[0074]
此外，无机层102为多晶结构，具有高导电性，因此通过在厚度方向的两端连接电极，能够在照射至薄膜100的光为圆偏振光的情况、或包含圆偏振光的情况下检测因被无机层102吸收的圆偏振光引起的电流。即，仅使用r构型的手性分子、或使用s构型的手性分子形成的无机层102能够选择性地吸收右旋圆偏振光、或者左旋圆偏振光并检测其电流。
[0075]
此外，本实施方式的薄膜100在检测圆偏振光时无需使用偏光镜、波片，因此可得到高的消光比。能够以高灵敏度、且高分辨率对以往的光检测元件无法直接检测的圆偏振光进行直接检测。
[0076]
因此，本实施方式的薄膜100能够作为圆偏振光检测元件而活用，能够实现组入有圆偏振光检测元件(其组入有本实施方式的薄膜100)的偏振相机等各种各样的器件。通过直接检测圆偏振光，能够得到凭线偏振光无法得到的双折射的强度分布等信息。
[0077]
(链状结构体)
[0078]
接着，对链状结构体的情况进行说明。图2为示意性地示出本发明的一个实施方式的薄膜200的构成的截面图。薄膜200是由钙钛矿型物质形成的被赋予了手性的薄膜。薄膜200主要具备钙钛矿型物质201形成的、构成链状结构体的多个无机链202和手性分子203。链状结构体较之层状结构体而言能够增大各向异性因子，故而优选。需要说明的是，图2中，作为手性分子203的官能团，以氨基为例进行了说明，但本发明并不限于氨基。
[0079]
每个无机链202为直径1nm左右的链状结构体，由构成由三种离子a、b、x构成的化合物abx3的一部分、且形成多晶结构的多个钙钛矿型物质构成。钙钛矿型物质的晶体结构具有织构性，沿规定的方向取向。具体而言，离子b、离子x形成具有八面体结构的多个单位单元(bx6)
4-，并且相邻的单位单元的八面体结构彼此共有一个面。离子b配置于八面体的中心，离子x配置于八面体的顶点。此外，离子a配置于与各单位单元的八面体结构外接的位置。需要说明的是，离子a为手性分子203。即、前述钙钛矿型物质和前述手性分子构成由三种离子a、b、x构成的化合物abx3。
[0080]
无机链202通过使八面体结构彼此共有各面而排列，手性分子203包围该无机链202的周围。如此，由于成为与通过使八面体结构彼此共有顶点而配列的结构(具有直接检测波长区域为500nm附近的圆偏振光的能力的结构)不同的结构，因此吸收位置发生变化。作为其结果，能够赋予直接检测波长区域400nm附近的圆偏振光的能力。此外，通过使八面体结构彼此共有面，能够增大圆偏振光吸收能力。
[0081]
作为离子a，例如可举出包含乙基铵离子等的芳香族化合物。作为离子b，例如可举出铅离子、锡离子等。作为离子x，例如可举出卤素离子等。作为卤素离子，例如可举出f-、cl-、br-及i-等。作为卤素离子，优选i-。
[0082]
手性分子203包含于相邻的无机链202彼此的边界部204之中的至少一部分，与无机链202的表面的钙钛矿型物质键合而被固定。更详细而言，手性分子203介由与构成手性分子203的手性碳原子共价键合的官能团而键合于钙钛矿型物质。该官能团为能具有电荷的取代基，取代基与钙钛矿型物质能够介由卤素离子形成键。作为官能团，优选为氨基。通过使氨基(nh
3
)与例如(pbi6)
4-的i-键合，在由(pbi6)
4-形成的无机链中产生手性，新显示出圆偏振光吸收能力。优选手性分子203具有一个以上、二个以上的芳香环。此外，芳香环当为萘环、蒽环等共有苯环的一个边的结构的芳香环时，可增大圆偏振光吸收强度，故而优选。
[0083]
需要说明的是，手性分子203存在r型和s型。r型或者s型的手性分子203强烈地吸收右旋或左旋中的任一者的圆偏振光。作为r型，例如可举出上述式(1)所示的r-( )-1-(1-萘基)乙胺氢溴酸盐。作为s型，例如可举出上述式(2)所示的s-(-)-1-(1-萘基)乙胺氢溴酸盐。
[0084]
图2中例示了手性分子203在边界部204处形成有机层205、有机层205覆盖无机链202的周围的情况。无机链202有时介由有机层205在b轴方向与其他无机链202连结。此外，c轴方向上，与无机链键合的有机分子彼此的芳香环堆积。连结的无机链202的数目没有限定。将薄膜200用于圆偏振光检测元件等时，从易于使电流沿厚度方向d流动的观点考虑，薄膜200的厚度优选为100～500nm程度。
[0085]
从高效地透射照射光以使钙钛矿型物质吸收照射光的观点考虑，每个薄膜200的表面粗糙度ra(算术平均粗糙度)优选为1nm以上30nm以下。此外，当薄膜200的算术平均粗糙度ra为30nm以下时，能够抑制圆偏振光检测元件220的泄漏。算术平均粗糙度ra例如能够使用原子力显微镜(afm)进行测定。使用原子力显微镜进行测定的情况下，例如能够从通过使用岛津制作所公司制的原子力显微镜、将扫描范围及扫描模式设定为适当的值(具体而言，例如，扫描模式：动态模式)进行测定而得到的观察图像中得到算术平均粗糙度ra。
[0086]
此外，由于需要使钙钛矿型物质高效地吸收照射光，因此薄膜200的每单位厚度的吸收强度期望为50,000cm-1
以上500,000cm-1
以下。需要说明的是，每单位厚度的吸收强度设为吸收强度最高的峰的峰值波长的值。薄膜200的吸收强度的测定利用透射法进行。
[0087]
图4为包含薄膜200的圆偏振光检测元件220的截面图。圆偏振光检测元件220是主要依次将负极层206、薄膜200、正极层207层叠而成的。为了使薄膜200内的钙钛矿型物质吸收光(圆偏振光)，负极层206与正极层207之中的至少一者具有透光性。负极层206介由由例如sno2、tio2等形成的负极侧粘接层208(电子传输层)粘接于薄膜200的厚度方向的一侧。正极层207介由由例如bcp(bathocuproine(注册商标))、spiro-meotad、tpd等形成的正极侧粘接层209(空穴输送层)粘接于薄膜200的厚度方向的另一侧。负极层206具有透光性的情
况下，负极侧粘接层208也设为具有透光性。此外，正极层207具有透光性的情况下，正极侧粘接层209也设为具有透光性。
[0088]
圆偏振光检测元件220中，构成薄膜200的无机链202具有多晶结构，因此薄膜200的光吸收大(波长375nm的吸收强度：约50,000cm-1
以上)，且具有高导电性(载流子扩散长度，约1μm以上)。因此，照射至薄膜200的光为圆偏振光的情况、或者包含圆偏振光的情况下，能够检测因所吸收的圆偏振光引起的电流。需要说明的是，通过仅使用r型或者s型的手性分子，能够在钙钛矿结构中诱导出r或s构型的手性结构，能够选择性地吸收右旋圆偏振光、或者左旋圆偏振光并检测其电流。
[0089]
(链状结构体的制造方法)
[0090]
通过调节钙钛矿型物质的前体、手性分子、有机卤化物的比例，能够控制钙钛矿型物质的形状。例如，构成链状结构体的情况下，薄膜200主要能够按以下步骤制造。首先，使0.5mol/l～2mol/l的比例的成为薄膜200原料的钙钛矿型物质的前体、0.5mol/l～2mol/l手性分子、以及1mol/l以下(优选0.4mol/l～0.8mol/l)的比例的能够因加热而升华且与钙钛矿型物质的构成元素的一部分反应的有机卤化物溶解于溶剂(第一工序)。作为溶剂，例如能够使用二甲基甲酰胺(dmf)、二甲基亚砜(dmso)、γ-丁内酯等。需要说明的是，要使多个无机链实质上形成链状结构体的情况下，以使手性分子相对于无机链202的pb离子1分子而言为0.75分子以下的方式计算比率并进行配合。
[0091]
作为钙钛矿型物质的前体，例如可举出卤化铅等。作为有机卤化物，例如，可举出卤代甲基铵、或卤化甲脒鎓等。作为此处的卤化铅及有机卤化物中所含的卤原子，例如可优选举出溴原子、氯原子、或碘原子中的任一者。
[0092]
接着，使用旋涂法将第一工序中得到的溶液(混合液)滴加于另行准备的基底基板上，以1000rpm～5000rpm进行旋转，从而在基底基板上形成处理前涂膜(第二工序)。基底基板的材料没有限定。
[0093]
接着，使用加热装置对处理前涂膜进行加热，使处理前涂膜中所含的有机卤化物升华(第三工序)，从而能够得到由已多晶化的无机层和分布于其间的手性分子构成的薄膜。此处优选将加热温度设为70℃～120℃、将加热时间设为15分钟～60分钟程度。
[0094]
通过在不使第一工序中得到的溶液结晶化的状态下进行第二工序及第三工序的处理，经过第三工序得到的薄膜200的无机链202具有织构性，成为并非随机而是在特定方向上优先取向的多晶体。
[0095]
针对经过第三工序得到的薄膜200，使用真空蒸镀、溅射法等已知的成膜法，在厚度方向的一侧形成正极层207，在另一侧形成负极层206，从而能够得到能将圆偏振光的信息输出为电信号的圆偏振光检测元件220。需要说明的是，可以使用真空蒸镀、旋涂、溅射法等已知的成膜法分别在薄膜200与正极层207之间、薄膜200与负极层206之间形成正极侧粘接层209、负极侧粘接层208。
[0096]
如上所述，本实施方式的薄膜200为排列有无机链202的链状结构体，在被相邻的无机链202彼此夹着且一维延伸的纳米空间中固定化有具有对圆偏振光的吸光度的手性分子203。手性分子203在无机链202的排列中诱导出手性，因此能够将基于无机链202的圆偏振光的吸收波长区域扩展至350nm～800nm的宽范围。
[0097]
此外，无机链202为多晶结构，具有高导电性，因此通过在厚度方向的两端连接电
极，能够在照射至薄膜200的光为圆偏振光的情况、或包含圆偏振光的情况下检测因被无机链202吸收的圆偏振光引起的电流。即，仅使用r构型的手性分子、或使用s构型的手性分子形成的无机链202能够选择性地吸收右旋圆偏振光、或者左旋圆偏振光并检测其电流。此外，r型及s型中的任一者的存在比例高于另一者的存在比例的情况下也能够在钙钛矿结构中诱导出r或s构型的手性结构，能够选择性地吸收右旋圆偏振光、或者左旋圆偏振光并检测其电流。
[0098]
此外，本实施方式的薄膜200在检测圆偏振光时无需使用偏光镜、波片，因此可得到高的消光比。能够以高灵敏度、且高分辨率对以往的光检测元件无法直接检测的圆偏振光进行直接检测。
[0099]
因此，本实施方式的薄膜200能够作为圆偏振光检测元件而活用，能够实现组入有圆偏振光检测元件(其组入有本实施方式的薄膜200)的偏振相机等各种各样的器件。通过直接检测圆偏振光，能够得到凭线偏振光无法得到的双折射的强度分布等信息。
[0100]
如以上所说明的，通过使存在s型的手性分子103、203或r型的手性分子103、203中的仅任一者、或者s型的手性分子103、203或r型的手性分子103、203中的任一者的存在比例高于另一者的存在比例的手性分子103、203以钙钛矿型物质的晶体结构沿规定的方向取向的方式包含于钙钛矿型物质所包含的相邻的无机层102彼此及/或无机链彼此202的边界部之中的至少一部分的方法，能够针对包含构成层状结构体的多个无机层102及/或构成链状结构体的多个无机链202的钙钛矿型物质所具有的钙钛矿结构诱导出r或s构型的手性结构，能够直接检测圆偏振光。
[0101]
实施例
[0102]
以下，利用实施例进一步明确本发明的效果。需要说明的是，本发明并不限于以下的实施例，能够在不改变其主旨的范围内进行适当变更而实施。
[0103]
(实施例1)
[0104]
按以下步骤实施上述实施方式的薄膜的制造方法，制作薄膜。将r-( )-1-(1-萘基)乙基胺(r-1-nea)1g和碘化氢(hi)500μl混合，将得到的混合物于0℃搅拌2小时，由此得到r-( )-1-(1-萘基)乙胺氢溴酸盐((r-1-nea)i)2.8g。接着，将二甲基甲酰胺(dmf)500μl作为溶剂，向其中混合碘化铅(pbi2)230mg、((r-1-nea)i)299mg及甲胺氢碘酸盐(mai)60mg，将得到的混合物于70℃搅拌1小时，由此制作包含薄膜原料的溶液。将所制作的溶液涂布于另行准备的基底基板上，利用旋涂法(1000rpm、10s/5000rpm、60s)，形成处理前涂膜。对所形成的处理前涂膜于100℃进行30分钟的加热，由此得到(r-1-nea)2pbi4的薄膜。
[0105]
(实施例2)
[0106]
将s-(-)-1-(1-萘基)乙基胺(s-1-nea)1g和碘化氢(hi)500μl混合，将得到的混合物于0℃搅拌2小时，由此得到s-( )-1-(1-萘基)乙胺氢溴酸盐((s-1-nea)i)2.9g。接着，将二甲基甲酰胺(dmf)500μl作为溶剂，向其中混合碘化铅(pbi2)230mg、((s-1-nea)i)299mg及甲胺氢碘酸盐(mai)60mg，将得到的混合物于70℃搅拌1小时，由此制作包含薄膜原料的溶液。接着，以与实施例1同样的步骤进行旋涂、随后进行加热(100℃、30分钟)，由此得到(s-1-nea)2pbi4的薄膜。
[0107]
(比较例3)
[0108]
将外消旋体dl-1-(1-萘基)乙基胺(rac-1-nea)1g和碘化氢(hi)500μl混合，于0℃
搅拌2小时，由此得到dl-1-(1-萘基)乙胺氢溴酸盐((rac-1-nea)i)2.8g。接着，将二甲基甲酰胺(dmf)500μl作为溶剂，向其中混合碘化铅(pbi2)230mg、((rac-1-nea)i)299mg及甲胺氢碘酸盐(mai)60mg，将得到的混合物于70℃搅拌1小时，由此制作包含薄膜原料的溶液。接着，以与实施例1同样的步骤进行旋涂、随后进行加热(100℃、30分钟)，由此得到(rac-nea)2pbi4的薄膜。
[0109]
(实施例4)
[0110]
按以下步骤实施上述实施方式的薄膜的制造方法，制作薄膜。将r-( )-1-(1-萘基)乙基胺(r-1-nea)1g和碘化氢(hi)500μl混合，将得到的混合物于0℃搅拌2小时，由此得到r-( )-1-(1-萘基)乙胺氢溴酸盐((r-1-nea)i)2.8g。接着，将二甲基甲酰胺(dmf)500μl作为溶剂，向其中混合碘化铅(pbi2)230mg、((r-1-nea)i)112mg及甲胺碘化氢(mai)60mg，将得到的混合物于70℃搅拌1小时，由此制作包含薄膜原料的溶液。将所制作的溶液涂布于另行准备的基底基板上，利用旋涂法形成处理前涂膜。对所形成的处理前涂膜于100℃进行30分钟的加热，由此得到(r-1-nea)pbi3的薄膜。
[0111]
(实施例5)
[0112]
将s-(-)-1-(1-萘基)乙基胺(s-1-nea)1g和碘化氢(hi)500μl混合，将得到的混合物于0℃搅拌2小时，由此得到s-( )-1-(1-萘基)乙胺氢溴酸盐((s-1-nea)i)2.9g。接着，将二甲基甲酰胺(dmf)500μl作为溶剂，向其中混合碘化铅(pbi2)230mg、((s-1-nea)i)112mg及甲胺氢碘酸盐(mai)60mg，将得到的混合物于70℃搅拌1小时，由此制作包含薄膜原料的溶液。接着，以与实施例1同样的步骤进行旋涂、随后进行加热(100℃、30分钟)，由此得到(s-1-nea)pbi3的薄膜。
[0113]
(比较例6)
[0114]
通过将外消旋体dl-1-(1-萘基)乙基胺(rac-1-nea)1g和碘化氢(hi)500μl混合，于0℃搅拌2小时，由此得到dl-1-(1-萘基)乙胺氢溴酸盐((rac-1-nea)i)2.8g。接着，将二甲基甲酰胺(dmf)500μl作为溶剂，向其中混合碘化铅(pbi2)230mg、((rac-1-nea)i)112mg及甲胺氢碘酸盐(mai)60mg，将得到的混合物于70℃搅拌1小时，由此制作包含薄膜原料的溶液。接着，以与实施例1同样的步骤进行旋涂、随后的加热(100℃、30分钟)，由此得到(rac-1-nea)pbi3的薄膜。
[0115]
(比较例7)
[0116]
除了不使用甲胺氢碘酸以外，以与实施例1同样的方法制作薄膜。
[0117]
(比较例8)
[0118]
除了不使用甲胺氢碘酸以外，以与实施例4同样的方法制作薄膜。
[0119]
(比较例9)
[0120]
除了不使用甲胺氢碘酸以外，以与实施例5同样的方法制作薄膜。
[0121]
(表面粗糙度测定)
[0122]
对实施例1、2、4及5、比较例3、6～9进行原子力显微镜测定。原子力显微镜使用岛津制作所公司制spm-9700(si制动态模式用悬臂)、以动态模式进行测定。从得到的观测图像中得到算术平均粗糙度ra。
[0123]
(xrd测定)
[0124]
针对实施例1、2、4及5、比较例3、6～9，x射线衍射测定装置使用brukeraxs公司制
d8 discover，利用x射线衍射(xrd：x-ray diffraction)法于室温下进行各薄膜的x射线衍射图案的测定。进行该测定时，射线源使用cukα，x射线准直器使用检测器使用二维检测器检测器(vantec-500)。测定时的管电压及管电流分别设为40kv、40ma。关于测定条件，将ω设为1
°
，将2θ设为10
°
，将累积时间设为300秒。
[0125]
(光吸收光谱测定)
[0126]
针对实施例1、2、4及5、比较例3、6～9，使用紫外可见分光光度计(日本分光公司制j-1500)进行测定，得到各薄膜的光吸收光谱。
[0127]
(圆偏振二向色性光谱测定)
[0128]
针对实施例1、2、4及5、比较例3、6～9，使用圆二色光谱仪(日本分光公司制j-1500)进行测定，得到各薄膜的圆偏振二向色性光谱。
[0129]
(光电流及暗电流特性测定)
[0130]
在以与实施例1及4相同的条件下，在利用溅射或者真空蒸镀法成膜有负极层的基板(geomatec公司制高耐久性带透明导电膜的玻璃)上形成薄膜。然后，利用溅射或真空蒸镀法在厚度方向的相反侧形成正极层(银、厚度80～100nm)。利用keithley公司制数字源表2450测定在向正极层与负极层之间施加电压并对薄膜照射了光(右旋圆偏振光、左旋圆偏振光)的状态下流动的电流。光照射中，使用用单色仪(cms-100)对朝日分光公司制max350的氙光源进行分光而得的光。照射强度设为1mw/cm2。使用线偏光镜和1/4波片(thorlabs日本公司制)将照射光制成圆偏振光。
[0131]
(开关特性测定)
[0132]
针对上述中形成有正极层及负极层的试样，以一定间隔照射光(右旋圆偏振光、左旋圆偏振光)，测定开关特性。
[0133]
将实施例1、实施例2、及比较例3中得到的薄膜的xrd分析的结果示于图5。图5的横轴表示衍射角度，图5的纵轴表示衍射强度。图5中的(a)示出实施例1的薄膜的测定结果，图5中的(b)示出实施例2的薄膜的结果，图5中的(c)示出比较例3的薄膜的结果。实施例1、实施例2、及比较例3中的任一薄膜均在5.83、11.7、17.6、23.5，及29.5
°
处显示与(002)、(004)、(006)、(008)、及(0010)面对应的周期性衍射图案。该薄膜晶体的空间组在布拉格的反射条件(2dsinθ＝nλ)下，晶面间距为即，可知在由钙钛矿型物质形成的无机层彼此之间有手性分子的状态下，以间距形成层状化合物。
[0134]
将实施例4、实施例5、及比较例6中得到的薄膜的xrd测定的结果示于图6。图6的横轴表示衍射角度，图6的纵轴表示衍射强度。图6中的(a)示出实施例4的薄膜的测定结果，图6中的(b)示出实施例5的薄膜的结果，图6中的(c)示出比较例6的薄膜的结果。实施例4、实施例5、及比较例6中的任一薄膜均在6.84、10.2、11.3、13.2、13.7、及24.3
°
处显示与(002)、(011)、(102)、(110)、(004)、及(013)面对应的衍射图案，显示属于手性空间组(p212121)的晶体结构。在晶体内，相邻的八面体结构(pbi6)
4-共有一个面，形成一维链。可知通过使1-nea包围该一维链，在链中诱导出螺旋结构。
[0135]
将使用二维检测器得到的实施例1的薄膜及实施例4的薄膜的xrd测定的结果示于图7。插入图7中的(a)及图7中的(b)中的图为示出了(002)面的取向分布的图。可知实施例1的薄膜的(002)面沿面外方向强烈地取向(图7中的(a))。即，意味着由钙钛矿形成的无机层
与基板平行地层叠。实施例4的薄膜在面外方向与面内方向的正中间位置显示出(002)面的峰(图7中的(b))。这意味着由钙钛矿形成的链是倾斜取向的。
[0136]
将实施例1、实施例2、及比较例3的薄膜的圆偏振二向色性光谱(cd光谱)的测定结果示于图8中的(a)。图8中的(a)的横轴表示波长，图8中的(a)的纵轴表示cd信号强度(cd[mdeg]＝32980
×
δ吸光度(左圆偏振光与右圆偏振光的吸收强度之差))。图8中的(a)的虚线表示实施例1的cd光谱，点线表示实施例2的cd光谱，实线表示比较例3的cd光谱。实施例1的薄膜在488nm处显示-56mdeg的cd信号。即，实施例1的薄膜较之左圆偏振光而言对右圆偏振光显示强吸收。实施例2的薄膜显示反方向的cd信号，显示对左圆偏振光的强吸收。由于比较例3的外消旋薄膜不显示cd信号，因此无法识别圆偏振光。识别具有二维结构的薄膜的圆偏振光的、各向异性因子(g
cd
)为0.003。该g
cd
值比通常的有机手性分子的gcd大一个数量级。
[0137]
将实施例1、实施例2、及比较例3的薄膜的光吸收光谱测定结果示于图8中的(b)。图8中的(b)的横轴表示波长，图8中的(b)的纵轴表示吸光度。图8中的(b)的虚线表示实施例1的光吸收光谱，点线表示实施例2的光吸收光谱。实施例1及2的薄膜在488nm处具有峰。实施例1的薄膜的每单位厚度的吸收强度为89,286cm-1
。实施例2的薄膜的每单位厚度的吸收强度为96,7517cm-1
。需要说明的是，比较例3的光吸收光谱与实施例1及2同样。
[0138]
将实施例4、实施例5、及比较例6的薄膜的光吸收及圆偏振二向色性光谱(cd光谱)的测定结果示于图9中的(a)。图9中的(a)的横轴表示波长，图9中的(a)的纵轴表示cd信号强度(cd[mdeg]＝32980
×
δ吸光度(左圆偏振光与右圆偏振光的吸收强度之差))。图9中的(a)的虚线表示实施例4的cd光谱，点线表示实施例5的cd光谱，实线表示比较例6的cd光谱。实施例4的薄膜在395nm处显示 3200mdeg的cd信号。即，实施例4的薄膜较之右圆偏振光而言对左圆偏振光显示强吸收。实施例5的薄膜显示反方向的cd信号，对左圆偏振光显示强吸收。由于比较例6的外消旋薄膜不显示cd信号，因此无法识别圆偏振光。顺便提及，识别圆偏振光的各向异性因子(g
cd
)大于二维结构，大于使用了苯基乙基胺的一维结构。这意味着具有2个芳香环的萘骨架较之苯环而言能够更强地诱导一维结构的螺旋性。
[0139]
此外，由于例如j.am.chem.soc.2020，142，4206-4212等中记载的已知的层状结构体所具有的g
cd
值为0.002以下，因此能够确认本发明的薄膜具有优异的g
cd
值。
[0140]
将实施例4、实施例5、及比较例6的薄膜的光吸收光谱测定结果示于图9中的(b)。图9中的(b)的横轴表示波长，图9中的(b)的纵轴表示吸光度。图9中的(b)的虚线表示实施例4的光吸收光谱，点线表示实施例5的光吸收光谱。实施例4及5的薄膜在395nm处具有峰。实施例4的薄膜的每单位厚度的吸收强度为127,273cm-1
。实施例5的薄膜的每单位厚度的吸收强度为120,780cm-1
。需要说明的是，比较例6的光吸收光谱与实施例4及5同样。
[0141]
将针对比较例8及9的薄膜测定圆偏振二向色性光谱(cd光谱)后的结果示于图10中的(a)。图10中的(a)的横轴表示波长，图10中的(b)的纵轴表示cd信号强度(cd[mdeg]＝32980
×
δ吸光度(左圆偏振光与右圆偏振光的吸收强度之差))。图10中的(a)的虚线表示比较例8的cd光谱，点线表示比较例9的cd光谱。比较例8及9的薄膜的cd信号比实施例4及5小一个数量级。该结果意味着有机卤化物强烈地影响一维螺旋结构的形成。
[0142]
将比较例8及9的薄膜的光吸收光谱测定结果示于图9中的(b)。图9中的(b)的横轴表示波长，图9中的(b)的纵轴表示吸光度。图9中的(b)的虚线表示比较例8的光吸收光谱，
点线表示比较例9的光吸收光谱。实施例4及5的薄膜在395nm处具有峰。比较例8的薄膜的每单位厚度的吸收强度为95,586cm-1
。比较例9的薄膜的每单位厚度的吸收强度为96,086cm-1
。
[0143]
图11、12为示出实施例1中得到的薄膜的光电流及暗电流特性及开关特性的结果的图表。
[0144]
图11的虚线表示照射了右旋圆偏振光的情况(rcp)下的电流-电压特性，点线表示照射了左旋圆偏振光的情况(lcp)下的电流-电压特性，实线表示未照射光的情况(黑暗)下的、薄膜的电流-电压特性。图11的横轴表示施加的电压(v)，图11的纵轴表示产生的电流密度(a/cm2)。
[0145]
在照射了任意的圆偏振光的情况下，均会产生比不照射的情况的电流(暗电流)高的电流。此外，实施例1中对右旋圆偏振光显示强吸收，因此照射了右旋圆偏振光时会产生比照射了左旋圆偏振光的情况高的电流。需要说明的是，实施例2对左圆偏振光显示强吸收，因此得到照射了左旋圆偏振光时会产生比照射了右旋圆偏振光的情况高的电流的结果。二维结构的消光比(左圆偏振光相对右圆偏振光而言的灵敏度比，r
l
/rr)为1.2。由上述结果可知，本发明的薄膜对圆偏振光具有充分的灵敏度，能够作为圆偏振光检测元件而活用。
[0146]
图12的虚线表示将施加电压设为0.5v、照射了右旋圆偏振光的情况(rcp)下的薄膜的电流开关特性，点线表示照射了左旋圆偏振光的情况(lcp)下的、薄膜的电流开关特性。图12的横轴表示经过的时间(s)，图12的纵轴表示产生的电流密度(a/cm2)。
[0147]
由于在照射了任意的圆偏振光的情况下，电流的升高都会变得急剧，因此本发明的薄膜在作为圆偏振光检测元件而活用的情况下，显示优异的响应性。需要说明的是，使用比较例7的薄膜进行同样的实验，结果电流泄漏。认为这是由于比较例7中制作的薄膜的表面粗糙度大(＞30nm)，因此正极层与负极层的一部分导通。即，通过在有机卤化物(甲胺)存在下制作薄膜，能够抑制元件化所需的表面粗糙度，其结果，能够抑制电流的泄漏。
[0148]
将实施例4的薄膜的光电流特性测定及开关特性的测定结果示于图13及图14。
[0149]
图13的虚线表示照射了右旋圆偏振光的情况(rcp)下的薄膜的电流-电压特性，点线表示照射了左旋圆偏振光的情况(lcp)下的薄膜的电流-电压特性，实线表示未照射光的情况(黑暗)下的薄膜的电流-电压特性。图13的横轴表示施加的电压(v)，图14的纵轴表示产生的电流密度(a/cm2)。
[0150]
在照射了任意的圆偏振光的情况下，均会产生比不照射的情况的电流(暗电流)高的电流。此外，实施例4中，对左旋圆偏振光显示强吸收，因此照射了左旋圆偏振光时会产生比照射了右旋圆偏振光的情况高的电流。需要说明的是，实施例5中，对右圆偏振光显示强吸收，因此得到照射了右旋圆偏振光时会产生比照射了右旋圆偏振光的情况高的电流的结果。一维结构的消光比(左圆偏振光相对右圆偏振光的灵敏度比，r
l
/rr)为25.4。由上述结果可知，本发明的薄膜对圆偏振光具有充分的灵敏度，能够作为圆偏振光检测元件而活用。
[0151]
图14的虚线表示将施加电压设为0.5v、照射了右旋圆偏振光的情况(rcp)下的薄膜的电流开关特性，点线表示照射了左旋圆偏振光的情况(lcp)下的薄膜的电流开关特性。图14的横轴表示经过的时间(s)，图14的纵轴表示产生的电流密度(a/cm2)。
[0152]
由于在照射了任意的圆偏振光的情况下，电流的升高都会变得急剧，因此本发明
的薄膜在作为圆偏振光检测元件而活用的情况下，显示优异的响应性。
[0153]
附图标记说明
[0154]
100、200
···
薄膜
[0155]
101、201
···
钙钛矿型物质
[0156]
102
·····
无机层
[0157]
103、203
···
手性分子
[0158]
104、204
···
边界部
[0159]
105、205
···
有机层
[0160]
106、206
···
负极层
[0161]
107、207
···
正极层
[0162]
108、208
···
负极侧粘接层
[0163]
109、209
···
正极侧粘接层
[0164]
110、220
···
圆偏振光检测元件
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无机链