一种45的制作方法

一种45
°
d形光纤阵列
技术领域
1.本实用新型涉及光学组件技术领域，具体涉及一种45
°
d形光纤阵列。


背景技术：

2.光纤的益处包括极宽的带宽和低噪声操作。由于这些优点，光纤越来越多地用于各种应用，包括但不限于宽带语音、视频和数据传输。室外光纤网络得到普及以支持数据消费的需求。由于高速无线通信网络和物联网，许多通信设备和天线需要配备光纤连接，以便将数据传送到这种通信网络所需的光纤基础设施中。
3.45
°
光纤阵列通常跟光学芯片的边缘耦合，将光纤阵列前端抛光成约45
°
(不限于45
°
，实际是一个角度范围，如39
°
、41
°
、42
°
、43
°
等)，利用45
°
角产生一个全反射条件，使得进出光纤的光束发生约90
°
偏转，从而实现跟光学芯片在垂直面方向的光学耦合，光学耦合区可能是探测器pd、或者激光器、或者是一个光栅耦合器等。因为光纤存在一个发散角的问题，理论上光纤距离光学芯片耦合区越小，发散光斑越小，则耦合效率越高，损耗就越小。常规45
°
光纤阵列，因为光纤包层直径是125微米，则光纤纤芯到边缘最近距离也有62.5微米，因此耦合效率不高，导致光信号损耗较高，急需进行改进。


技术实现要素：

4.本实用新型提供了一种45
°
d形光纤阵列，解决了以上所述的技术问题。
5.本实用新型解决上述技术问题的方案如下：
6.一种45
°
d形光纤阵列，包括玻璃盖板、光纤本体、玻璃板和光学芯片，所述玻璃板的一端设有抛光端面，所述抛光端面上开设有v型槽，所述光纤本体的内部设有光纤包层，所述光纤本体通过光纤包层和v型槽卡接在玻璃板上，所述抛光端面上盖设有玻璃盖板，所述玻璃板通过抛光端面与光学芯片对接。
7.本实用新型的有益效果是：在常规45
°
光纤阵列基础上，将玻璃板上抛光端面处的一部份光纤包层被磨削掉，使其形成45
°
d形光纤阵列，光纤纤芯到平面边缘的距离可以缩短到20-30微米，则可以让光纤纤芯更接近光学芯片，从而可显著提高光学耦合效率，降低光学耦合损耗。
8.在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
9.进一步，所述光纤包层在抛光端面上抛光至与抛光端面的水平面相齐平。
10.采用上述进一步方案的有益效果是：使其形成45
°
d形光纤阵列，可以让光纤纤芯更接近光学芯片，从而可显著提高光学耦合效率，降低光学耦合损耗。
11.进一步，所述光纤包层的位置与光学芯片的光波导位置相对应。
12.采用上述进一步方案的有益效果是：便于使光纤精确与光学芯片耦合。
13.进一步，所述玻璃板背离抛光端面的一侧开设有倒角。
14.采用上述进一步方案的有益效果是：便于组装保护外壳。
15.上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技
术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
16.此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本技术的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。
17.在附图中：
18.图1为本实用新型的仰视外观示意图；
19.图2为本实用新型的装配外观示意图。
20.附图中，各标号所代表的部件列表如下：
21.1、v型槽；2、玻璃盖板；3、光纤包层；4、光纤本体；5、玻璃板；6、抛光端面；7、光学芯片。
具体实施方式
22.以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
23.需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
24.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
25.请参阅图1至图2所示，本实用新型提供的实施例：
26.实施例一
27.一种45
°
d形光纤阵列，包括玻璃盖板2、光纤本体4、玻璃板5和光学芯片7，玻璃板5的一端设有抛光端面6，玻璃板5背离抛光端面6的一侧开设有倒角，抛光端面6上开设有v型槽1，光纤本体4的内部设有光纤包层3。
28.光纤本体4通过光纤包层3和v型槽1卡接在玻璃板5上，光纤包层3在抛光端面6上抛光至与抛光端面6的水平面相齐平，在常规45
°
光纤阵列基础上，将玻璃板5上抛光端面6处的一部份光纤包层3被磨削掉，使其形成45
°
d形光纤阵列，光纤纤芯到平面边缘的距离可以缩短到20-30微米，则可以让光纤纤芯更接近光学芯片7，从而可显著提高光学耦合效率，降低光学耦合损耗，抛光端面6上盖设有玻璃盖板2，玻璃板5通过抛光端面6与光学芯片7对
接，光纤包层3的位置与光学芯片7的光波导位置相对应。
29.基于实施例1的一种45
°
d形光纤阵列在使用时：在常规45
°
光纤阵列基础上，将玻璃板5上抛光端面6处的一部份光纤包层3被磨削掉，使其形成45
°
d形光纤阵列，光纤纤芯到平面边缘的距离可以缩短到20-30微米，则可以让光纤纤芯更接近光学芯片7，从而可显著提高光学耦合效率，降低光学耦合损耗。
30.以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制；凡本行业的普通技术人员均可按说明书附图所示和以上所述而顺畅地实施本实用新型；但是,凡熟悉本专业的技术人员在不脱离本实用新型技术方案范围内，利用以上所揭示的技术内容而做出的些许更动、修饰与演变的等同变化，均为本实用新型的等效实施例；同时,凡依据本实用新型的实质技术对以上实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变等，均仍属于本实用新型的技术方案的保护范围之内。