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一种硅片分片用侧喷装置的制作方法

2022-11-18 20:24:00 来源:中国专利 TAG:


1.本实用新型属于硅片分片设备技术领域,尤其是涉及一种硅片分片用侧喷装置。


背景技术:

2.硅片清洗后现有分片方式都是立式分片,若在滚轮分片之前喷水结构设计不合理,极易产生叠片。由于靠近分片滚轮一侧的清洗槽中,空间结构有限,因此,如何在靠近分片滚轮一侧的有限空间内设置侧喷分片机构,是提高分片质量和分片效率的关键问题。


技术实现要素:

3.本实用新型提供一种硅片分片用侧喷装置,解决了现有技术中如何在靠近分片滚轮一侧的有限空间内设置侧喷分片机构,是以提高分片质量和分片效率的技术问题。
4.为解决至少一个上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:
5.一种硅片分片用侧喷装置,在靠近分片滚轮一侧至少配设有一组相对设置的喷管;至少在所述喷管的一端沿其长度方向上至少设有一个流道,并在所述流道靠近硅片的侧面上设有若干通孔;使用时从所述通孔喷出的液体均朝硅片立面喷射以使硅片在步进前行的过程中逐片分开。
6.本实用新型中的其中一个实施例,所有喷管均固设在靠近所述分片滚轮一侧的定板上,且所述喷管的长度均沿硅片步进传输方向设置。
7.本实用新型中的其中一个实施例,所述流道是从所述喷管靠近所述分片滚轮的一端设置和/或从所述喷管远离所述分片滚轮的一端并沿其长度方向。
8.本实用新型中的其中一个实施例,从所述喷管靠近所述分片滚轮一端配设的所述流道与从所述喷管远离所述分片滚轮一端配设的所述流道为同轴设置或错位设置。
9.本实用新型中的其中一个实施例,所有所述流道均为盲孔结构。
10.本实用新型中的其中一个实施例,所述通孔沿所述流道的长度方向均匀布置;且所述通孔所在的侧面为平面。
11.本实用新型中的其中一个实施例,沿所述流道长度设置的每排所有所述通孔的轴线垂直于和/或平行于所述流道长度方向设置。
12.本实用新型中的其中一个实施例,同一组相对设置的所述喷管上的所述流道的布局及配设在所述流道上的所有所述通孔的结构都相同。
13.本实用新型中的其中一个实施例,配设于从所述喷管靠近所述分片滚轮一端配设的所述流道中的所述通孔的轴线以及从所述喷管远离所述分片滚轮一端配设的所述流道中的所述通孔的轴线垂直于所述喷管轴线和/或并行于所述喷管轴线位置。
14.本实用新型中的其中一个实施例,所述通孔为长条形圆孔、圆形孔、椭圆形孔或多边形孔结构。
15.本实用新型中的其中一个实施例,包括两组相对设置的所述喷管,同一侧面的所述喷管间隔设置且分设在沿硅片高度的上段部和下段部。
16.采用本实用新型设计的一种硅片分片用侧喷装置,设置不同结构的侧喷管,从不同方向和不同高度对硅片的侧边进行喷射液体,以快速且均匀地对硅片进行冲洗分片,分片效率高且无叠片产生。
附图说明
17.图1是本实用新型一实施例的一种硅片分片用侧喷装置的立体图;
18.图2是本实用新型一实施例的头喷单流道的喷管的结构示意图;
19.图3是本实用新型另一实施例的头喷单流道的喷管的结构示意图;
20.图4是本实用新型另一实施例的头喷单流道的喷管的结构示意图;
21.图5是本实用新型一实施例的头喷双流道的喷管的结构示意图;
22.图6是本实用新型另一实施例的头喷双流道的喷管的结构示意图;
23.图7是本实用新型一实施例的尾喷单流道的喷管的俯视剖面图;
24.图8是本实用新型一实施例的尾喷双流道的喷管的俯视剖面图;
25.图9是本实用新型一实施例的双向喷单流道的喷管的俯视剖面图;
26.图10是本实用新型一实施例的双向喷双流道的喷管的侧视剖面图;
27.图11是本实用新型一实施例的上方喷管底座的结构示意图;
28.图12是本实用新型一实施例的下方喷管底座的结构示意图。
29.图中:
30.10、清洗槽
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20、分片滚轮
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30、喷管
31.31、流道一
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32、通孔一
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33、流道二
32.34、通孔二
具体实施方式
33.下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
34.本实施例提出一种硅片分片用侧喷装置,如图1所示,在靠近分片滚轮20的一侧至少配设有一组相对设置的喷管30;所有喷管30都设置在清洗槽10中且喷管30的一端固设在靠近分片滚轮20一侧的定板上,另一端则朝清洗槽10的中部悬空设置。所有喷管30均垂直于立放设置的定板上,并至少在喷管30的一端沿其长度方向上至少设有一个流道,并在流道靠近硅片的侧面上设有若干通孔;工作时,从通孔中喷出的液体均朝硅片立面喷射以使硅片在步进前行的过程中逐片分开。
35.本实用新型中的其中一个实施例,所有喷管30的长度均沿硅片步进传输方向设置,目的是在硅片靠近分片滚轮时,从硅片两侧边喷射液体,以使硅片在受喷射的过程中逐片分离,以提高硅片分片的质量。其中,本实用新型中,包括两组相对设置的喷管30,也就是位于上方的一组相对设置的喷管30和位于下方的一组相对设置的喷管30,同一侧面的上下两组喷管30均是间隔设置且分设在沿硅片高度的上段部和下段部,这样可在硅片的上下两段都被清洗液体冲击,在提高清洗质量的条件下还可进一步提高分片质量,使相邻的硅片之间从上到下都被清洗液体冲洗,使其完全分片分离。
36.本实用新型中的其中一个实施例,为了保持硅片两侧喷液冲洗的平衡性,要求同一组相对设置的喷管30的结构相同,也就是在同一组相对设置的喷管30上设置的流道的布
局和通孔的结构都相同。所有通孔均沿流道的长度方向均匀布置,在本实施例中喷管30的横截面为方形结构,不仅易于加工,而且用料少,同时为了提高通孔所在的侧面加工通孔的便捷性以及从通孔中喷射的清洗液体流通的稳定性和均匀性,优选地,喷管30中通孔所在的侧面为平面。当然,喷管30的横截面可以是多边形、圆形、扇形、或方形,只要保证喷管30中通孔所在的侧面为平面即可。
37.进一步的,从喷管30靠近分片滚轮20一端起步配设的流道一31作为靠近一组硅片中的前端硅片进行喷洗,称为头喷流道;当一组硅片中的数量逐步减小时,尤其是一组硅片还剩下30-50个硅片时,相当于一组硅片中的尾端硅片,此时需要从远离分片滚轮20一端起步配设的流道二33对硅片进行喷洗,且倾斜地朝靠近分片滚轮20的一端喷射,此时,流道二33即作为尾喷流道对硅片进行冲洗分片。其中,流道一31上的喷液孔为通孔一32;流道二33上的喷液孔为通孔二34;为了保证通孔喷射的流畅性和稳定性,所有流道一31和流道二33均为盲孔结构。还有,关于硅片步进方向及流道中的溶液流通方向均在各实施例中的附图中已做示意,如下同。
38.对于上下两组的喷管30的结构可以相同,也可以不相同,其中,喷管30上的流道可以都是从喷管30靠近分片滚轮20的一端起步并沿其长度方向设置的流道一31,结构如图2-6所示,也就是喷管30上仅设有流道一31,此时所有的通孔一32都垂直于硅片的立面设置。喷管30上也可以都是从喷管30远离分片滚轮20的一端起步并沿其长度方向设置的流道二33,结构如图7-8所示,此时,喷管30上仅设有流道二33,且所有通孔二34都是倾斜地朝硅片前进的方向倾斜设置。喷管30上也可同时从喷管30的两端起步相向设置,既有从喷管30靠近分片滚轮20的一端起步设置的流道一31,也有从喷管30远离分片滚轮20的一端起步设置的流道二33,结构如图8-9所示,从而对前端的硅片和尾部的硅片都能冲洗到。相应地,喷管30上既设有流道一31又设有流道二33,也就是从喷管30的两端分别进入流道内,以同步向硅片侧壁面进行双向喷射,以提高不同方向的喷洗分流的效果。
39.具体地,对于如图2-6所示的头喷单流道一31,流道一31沿喷管30的长度设置但不贯通喷管30的长度,流道一31的长度可基于实际的工况条件设置。在喷管30上,可设置单一的流道一31,如图2、图3和图4所示;也可以设置双流道二31,如图5和图6所示。其中,对于流道一31上的通孔一32,通孔一31均匀且间隔地沿流道一31的长度方向设置,通孔一31的长度可平行于流道一31的长度设置,如图2所示;也可以垂直于流道一31的长度设置(附图省略);也可以部分平行于流道31的长度设置、部分垂直于流道31的长度设置,如图3所示。其中,对于每一个流道一31上的通孔一32,通孔一32的长度可以相同,也可以不相同,都可自行设定,但必须两侧相对设置的两个喷管30上的通孔一32的结构是对称设置。在图4中,流道一31中的通孔一32的排布均是错位设置,设有垂直于流道一31轴线的通孔一32,也有平行于流道一31轴线的通孔一32。其中,对于垂直于流道一31轴线的通孔一32是沿其高度方向错位设置;对于平行于流道一31轴线的通孔一32是沿其长度方向错位设置,这种结构可以扩大喷液的喷射面积,而且还不减弱喷液的流量强度,可快速且精准地将硅片逐片分离。
40.对于双流道一31的结构,通孔一32的布局可以均为竖直设置的结构,如图5所示,但在本实施例中,靠近入口端即靠近安装位置处一段的密度较远离安装位置处一段的密度小,因为液流越靠后流,即向远离安装位置处一端的位置流的流速逐步减小,为了提高其喷射强度和密度,则在远离安装位置一端的通孔一32长度和密度都较大。对于图6,与图5中相
比,最大的区别在于,两个流道一31上的通孔一32的排数不同,但通孔一32的布局方向一致。也即是,每一个流道一31上的通孔一32的排列数可以相同,可以不相同。
41.如图7和图8,喷管30上紧设有流道二33,流道二33是从远离分片滚轮20的一端灌液喷洗,流道二33仍为盲孔结构,流道二33可以为直孔结构,相应地,通孔二34的排布可以如图2、图3和图4中的排布一样,所有通孔均垂直于喷管30的侧壁面设置,附图省略;还可以所有通孔二34均倾斜地朝分片滚轮20一侧设置,也就是均斜向上喷射,其结构如图7所示,这样可以给硅片一个向前的推力,以使硅片步进移动的过程中还可继续向前分离,以提高硅片前移的稳定性和分片的可靠性。对于双流道二33而言,可以设置其中一个双流道二33中的通孔二34是垂直于其所在侧壁面设置的,即直接朝硅片一侧垂直喷射,另一个双流道二33中的通孔二34是倾斜地朝硅片一侧斜射冲洗,如图8所示,都可以达到冲洗分片的效果。
42.本实用新型中的其中一个实施例,如图9-10所示,每个喷管30上都设有流道一31和流道二33,且在流道一31上的通孔一32和设置在流道二33上的通孔二34的布局都沿其各自的流道长度均匀设置。喷管30上可以含有一组双向喷射的流道一31和流道二33,结构如图9所示;可以含有两组双向喷射的流道一31和流道二33,结构如图10所示。在图9中,流道一31和流道二33沿其轴线方向为错位设置,且流道一31的长度与流道二33的长度不相同;当然也可设置为流道一31和流道二33的长度相同的结构。优选地,为了进一步提高双向喷液中分片时的喷流力,流道一31的长度较流道二33的长度长,进而使其靠近分片滚轮20一侧的硅片被更大的喷流力冲洗,相应地,从流道二33中喷出的溶液作为辅助力以助推尾部的硅片在步进的过程中边前行边被溶液冲洗分离,从而可进一步提高硅片分离质量,扩大分离效果。在图10中,流道一31和流道二33的轴线方向均是同轴设置,且通孔二34均倾斜向上设置,通孔一32均垂直于硅片的长度方向设置。由于两组的流道二33的长度不相同,进而使得相对应的流道一31的长度也不相同,对于均匀分布的通孔一32和通孔二34,其在不同长度上的流道的数量就不相同了。当然,流道一31和流道二33的长度也可以均等,其上的通孔一32的数量与通孔二34的数量可以相同;对于不同的结构设置,通孔一32的数量与通孔二34的数量也可以不相同;这些都可基于实际情况而定,在此不具体限制,但都在本案保护范围之内。
43.本实用新型中的其中一个实施例,基于硅片上段部与下段部吸力的不同,因为硅片在立放时硅片上的液体会沿其高度方向从上往下流,进而使得相邻硅片上段部的吸力小于下段部的吸力,从而使得硅片上段部之间容易留有空隙,而硅片的下段部之间紧贴力更大,进而为了迫使硅片分离,使得向硅片上段部喷射的清洗液体的流量或冲力小于下段部喷射的流量,进而使得上下两组喷管30的结构不相同,其中,上方的喷管30的结构如图11所示,下方的喷管30的结构如图12所示,这样就可基于溶液在硅片之间的吸力不同而设计不同的喷管结构。当然,上对于方的喷管30和下方的喷管30中的通孔一32和通孔二34的结构布局可以是如2-10上的任意一种。
44.本实用新型中的其中一个实施例,由于在底板上安装上方的喷管30的位置与安装下方的喷管30的位置不同,相应地,其喷管30的底座结构不同。在本实施例中,所有上方的喷管30的安装底座,卡接在底板上的导柱上,结构如图11所示;下方的喷管30的安装底座如图12所示,直接通过内螺钉将其固定在底板上。
45.本实用新型中的其中一个实施例,所有通孔为长条形圆孔,当然,还可以为圆形孔、椭圆形孔或多边形孔,附图省略,在此不再详述。
46.采用本实用新型设计的一种硅片分片用侧喷装置,设置不同结构的侧喷管,从不同方向和不同高度对硅片的侧边进行喷射液体,以快速且均匀地对硅片进行冲洗分片,分片效率高且无叠片产生。
47.以上对本实用新型的实施例进行了详细说明,所述内容仅为本实用新型的较佳实施例,不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
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