反应腔内外延片测温方法、装置、电子设备及存储介质与流程

1.本技术涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及反应腔内外延片测温方法、装置、电子设备及存储介质。


背景技术：

2.第三代半导体中外延工艺为在真空高温环境中使得基片上均匀地生长一层薄膜材料，在此过程中，外延片整体温度对于最终产品的质量有很大影响。
3.由于现有外延炉反应温度很高，一般为了避免测温结构影响反应腔内温度场，将测温探头设置在反应腔外，现有手段一般是直接通过测温探头测取反应腔石墨件的温度视为反应腔内外延片温度，但实际上该温度并不是反应腔内外延片温度。
4.针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。


技术实现要素：

5.本技术的目的在于提供一种反应腔内外延片测温方法、装置、电子设备及存储介质，可有效的解决现有外延工艺中采用外延测温探头测量外延片温度不准确的问题。
6.第一方面，本技术提供了一种反应腔内外延片测温方法，方法包括以下步骤：将钨铼热电偶和热电偶温度计分别置于反应腔内和反应腔的衬底托盘上,分别用于获取第一温度信息和第二温度信息；对反应腔进行加热；获取在预设的第一加热温度范围内第一温度信息和第二温度信息的第一温度变换关系；撤去热电偶温度计；对反应腔进行加热，并通过外延设备的测温探头获取第三温度信息；获取在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息，第二加热温度范围的最高温度大于第一加热温度范围的最高温度，外延设备的反应温度大于第一加热温度范围的最高温度且在第二加热温度范围内；根据在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息、以及第一温度变换关系获取第三温度信息和第二温度信息的第二温度变换关系；在外延反应过程中，根据第二温度变换关系和通过测温探头实际测取的第三温度信息获取外延片的温度信息。
7.本技术的反应腔内外延片测温方法，先通过在热电偶温度计可测量的温度环境下，将热电偶温度计充当外延片放置于反应腔内的衬底托盘上，也将钨铼热电偶放在反应腔内并接触热电偶温度计，获取钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，即获得钨铼热电偶与外延片实际温度之间的变换关系；再通过外延片在实际反应温度的环境下，根据钨铼热电偶和测温探头测取的温度、以及钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，换算得到关于外延片实际温度与测温设备所测取的温度之间的变换关系，从而使得
在实际反应中，只需获取测温探头所测取的温度，将其代入关于外延片实际温度与测温设备所测取的温度之间的变换关系，即可获得外延片的实际温度，该方法简单，实用，可直接地获取到外延片的实际温度。
8.可选地，本技术的反应腔内外延片测温方法，热电偶温度计尺寸大小与外延设备加工的外延片尺寸大小相同。
9.本技术通过将与外延设备加工的外延片尺寸大小相同的热电偶温度计放置于反应腔的衬底托盘上，使得热电偶温度计所测取的温度更加接近于外延片的实际温度，确保了第一温度变换关系的准确性，从而避免因为热电偶温度计与外延片尺寸不同，导致热电偶温度计模拟外延片在反应腔内的衬底托盘上的整体温度时产生误差。
10.可选地，本技术的反应腔内外延片测温方法，获取在预设的第一加热温度范围内第一温度信息和第二温度信息的第一温度变换关系步骤包括：获取在第一加热温度范围内的多组第一温度信息和第二温度信息，在根据第一加热温度范围内的多组第一温度信息和第二温度信息获取第一温度变换关系。
11.本技术根据第一加热温度范围内的多组的第一温度信息和第二温度信息拟合出第一温度变换关系中参数。
12.可选地，本技术的反应腔内外延片测温方法，第一温度变换关系为一元一次函数。
13.可选地，本技术的反应腔内外延片测温方法，第二温度变换关系为一元三次函数。
14.可选地，本技术的反应腔内外延片测温方法，预设的第一加热温度范围为125℃-1200℃。
15.第二方面，本技术还提供另一种反应腔内外延片测温方法，应用于外延设备上，该方法包括：获取基于测温探头实际测取的第三温度信息；根据第三温度信息和预设的第二温度变换关系获取外延片的温度信息；预设的第二温度变换关系通过以下步骤获取：将钨铼热电偶和热电偶温度计分别置于反应腔内和反应腔的衬底托盘上,分别用于获取第一温度信息和第二温度信息；对反应腔进行加热；获取在预设的第一加热温度范围内第一温度信息和第二温度信息的第一温度变换关系；撤去热电偶温度计；对反应腔进行加热，并通过外延设备的测温探头获取第三温度信息；获取在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息，第二加热温度范围的最高温度大于第一加热温度范围的最高温度，外延设备的反应温度大于第一加热温度范围的最高温度且在第二加热温度范围内；根据在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息、以及第一温度变换关系获取第三温度信息和第二温度信息的第二温度变换关系。
16.在实际反应过程中，只需获取测温探头实际测取的温度和通过第一方面所提供的反应腔内外延片测温方法得到的第二温度变换关系，第二温度换算关系为测温探头实际测取的温度与外延片实际温度之间的变换关系，即可换算出外延片的实际温度。
17.第三方面，本技术提供一种反应腔内外延片测温装置，应用于外延设备上，步骤包括：第一获取模块，用于获取基于测温探头实际测取的第三温度信息；第二获取模块，用于根据第三温度信息和预设的第二温度变换关系获取外延片的温度信息；预设的第二温度变换关系通过以下步骤获取：将钨铼热电偶和热电偶温度计分别置于反应腔内和反应腔的衬底托盘上,分别用于获取第一温度信息和第二温度信息；对反应腔进行加热；获取在预设的第一加热温度范围内第一温度信息和第二温度信息的第一温度变换关系；撤去热电偶温度计；对反应腔进行加热，并通过外延设备的测温探头获取第三温度信息；获取在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息，第二加热温度范围的最高温度大于第一加热温度范围的最高温度，外延设备的反应温度大于第一加热温度范围的最高温度且在第二加热温度范围内；根据在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息、以及第一温度变换关系获取第三温度信息和第二温度信息的第二温度变换关系。
18.本技术的反应腔内外延片测温装置通过获取外延设备的测温探头实际测取的温度信息，再根据温度信息和通过第一方面提及的反应腔内外延片测温方法所获取的第二温度变换关系，即可获得外延片的实际温度。
19.第四方面，本技术还提供一种电子设备，包括处理器以及存储器，存储器存储有计算机可读取指令，当计算机可读取指令由处理器执行时，运行如上述第二方面提供的方法中的步骤。
20.第五方面，本技术提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时运行如上述第二方面提供的方法中的步骤。
21.由上可知，本技术提供了一种反应腔内外延片测温方法、装置、电子设备及存储介质，其中，通过在热电偶温度计可测量的温度环境下，将热电偶温度计充当外延片放置于反应腔内的衬底托盘上，也将钨铼热电偶放在反应腔内并接触热电偶温度计，获取钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，即获得钨铼热电偶与外延片实际温度之间的变换关系；再通过外延片在实际反应温度的环境下，根据钨铼热电偶和测温探头测取的温度、以及钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，换算得到关于外延片实际温度与测温设备所测取的温度之间的变换关系，从而使得在实际反应中，只需获取测温探头所测取的温度，将其代入关于外延片实际温度与测温设备所测取的温度之间的变换关系，即可获得外延片的实际温度，该方法简单，实用，能直接地获取到外延片的实际温度。
22.本技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术实施例了解。本技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
23.图1为本技术实施例提供的反应腔内外延片测温方法的一种流程图。
24.图2为本技术实施例提供的tc wafer的结构示意图。
25.图3为本技术实施例提供的另一种反应腔内外延片测温方法的一种流程图。
26.图4为本技术实施例提供的反应腔内外延片测温装置结构示意图。
27.图5为本技术实施例提供的电子设备结构示意图。
28.附图标记：1、tc wafer；2、测温引出线；401、第一获取模块；402、第二获取模块；51、处理器；52、存储器；53、通信总线。
具体实施方式
29.下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
30.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
31.第一方面，如图1所示，本技术提供了一些实施例的反应腔内外延片测温方法，应用于外延设备上，该方法包括以下步骤：a1.将钨铼热电偶和热电偶温度计分别置于反应腔内和反应腔的衬底托盘上,分别用于获取第一温度信息和第二温度信息；a2.对反应腔进行加热；a3.获取在预设的第一加热温度范围内第一温度信息和第二温度信息的第一温度变换关系；a4.撤去热电偶温度计；a5.对反应腔进行加热，并通过外延设备的测温探头获取第三温度信息；a6.获取在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息，第二加热温度范围的最高温度大于第一加热温度范围的最高温度，外延设备的反应温度大于第一加热温度范围的最高温度且在第二加热温度范围内；a7.根据在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息、以及第一温度变换关系获取第三温度信息和第二温度信息的第二温度变换关系；a8.在外延反应过程中，根据第二温度变换关系和通过测温探头实际测取的第三温度信息获取外延片的温度信息。
32.具体地，在a1步骤中，热电偶温度计为tc wafer1，在预设的第一加热温度范围内将tc wafer1放置于反应腔的衬底托盘上，实际上是将tc wafer1充当于外延片放在反应腔的衬底托盘上，tc wafer1实际上测取的温度相当于是在预设的第一加热温度范围内外延片位于反应腔的衬底托盘上的温度，钨铼热电偶放置在反应腔内，第一温度信息为钨铼热
电偶所测取的温度，第二温度信息为tc wafer1所测取的温度；将tc wafer1放置于反应腔的衬底托盘上充当外延片，是因为tc wafer1能测出外延片处于第一加热温度范围内整体的温度分布，即得到的温度更接近外延片温度。
33.具体地，tc wafer1所能测取的最高温度为1200℃，即tc wafer1测温上限较低，钨铼热电偶测温上限高，所以本技术将tc wafer1和测温上限高的钨铼热电偶结合起来获取变换关系。
34.在一些具体的实施方式中，测温过程中衬底托盘带动tc wafer1旋转，模拟外延片在外延腔内加热时的动作，提高了tc wafer1测量精确性。
35.具体地，在另一些具体的实施方式中，钨铼热电偶接触tc wafer1测量温度，使得钨铼热电偶所获得的温度更加准确。
36.具体地，在a2-a4步骤中，对反应腔进行加热，根据钨铼热电偶所测取的温度和tc wafer1所测取的温度，获到两者温度之间的第一温度变换关系，即获得的第一温度变换关系为钨铼热电偶测的温度和外延片的温度之间在预设的第一加热温度范围内的变换关系；在得到第一温度变换关系之后，撤去tc wafer1。
37.在一些具体的实施方式中，在a3步骤中，第一温度变换关系可以是正比例函数，一元一次函数等等，本技术实施例的第一温度变换关系优选为一元一次函数，因为钨铼热电偶和tc wafer1都是在反应腔内测取温度，两者测取的温度变化基本是同步，利用一元一次函数拟合能清楚反应两者之间的关系，而且一元一次函数计算简单、方便。
38.具体地，一元一次函数为，其中，为tc wafer1所测的温度，为钨铼热电偶所测得的温度，k、b为第一温度变换关系的参数；在一些实施方式中，a3步骤获取在预设的第一加热温度范围内第一温度信息和第二温度信息的第一温度变换关系还包括：获取在第一加热温度范围内的多组第一温度信息和第二温度信息，根据在第一加热温度范围内的多组第一温度信息和第二温度信息获取第一温度变换关系。
39.具体地，通过获取多组钨铼热电偶所测取的温度和tc wafer1所测取的温度，通过第一温度变换关系，获得拟合参数k、b的值，进而获得热电偶温度计和钨铼热电偶之间的一元一次函数，即得到在预设的第一加热温度范围内钨铼热电偶所测得的温度与外延片实际温度之间的函数关系式。
40.具体地，根据上述步骤获得拟合参数k、b，即一元一次函数：，只需获得钨铼热电偶测取的温度即可获得tc wafer1在反应腔中的温度，即是获取钨铼热电偶所测取的温度就可以获得反应腔中外延片在预设的第一加热温度范围内的实际温度。
41.具体地，在a4、a5步骤中，在撤去tc wafer1之后，将外延片放入反应腔的衬底托盘上，钨铼热电偶位置不变，并对外延反应腔进行加热，外延设备的测温探头测取反应室石墨件的温度，即第三温度信息为反应室石墨件的温度。
42.具体地，在一些具体的实施方式中，将钨铼热电偶接触外延片，使得测取的温度值更为精确。
43.具体地，在外延反应腔温度达到第二加热温度范围时，获取此时钨铼热电偶和测温探头测取的温度；具体地，本技术实施例获取在预设的第一加热温度范围内钨铼热电偶所测取的温
度和tc wafer1所测取的温度，具体是反应腔内的部件的温度在第一加热温度范围时，获取钨铼热电偶所测取的温度和tc wafer1所测取的温度，其中，反应腔内的部件可以是石墨件内壁、原位测试反应腔，石墨件内壁的温度由测温探头测取；本技术实施例优选为测温探头测取石墨件内壁温度在预设的第一加热温度范围时，获取钨铼热电偶所测取的温度和tc wafer1所测取的温度；其中，在a6步骤中，获取在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息，本技术实施例也是优选为测温探头测取石墨件内壁温度在预设的第二加热温度范围时，获取第一温度信息和第三温度信息。
44.具体地，第二加热温度范围的最高温度大于第一加热温度范围的最高温度，外延设备的反应温度大于第一加热温度范围的最高温度且在第二加热温度范围内，无论在第一加热温度范围或预设的第二加热温度范围内，钨铼热电偶测的温度和tc wafer1所测得的温度仍满足第一温度变换关系，即钨铼热电偶测的温度和外延片的温度仍满足第一温度变换关系。
45.具体地，在a7步骤中，根据在预设的第二加热温度范围内钨铼热电偶和测温探头测取的温度，以及上述的第一温度变换关系即可获得tc wafer1所测取的温度和测温探头测取的温度之间的第二温度变换关系。
46.在一些优选的实施方式中，在a7步骤中，第二温度变换关系可以是分段函数、拟合函数、三次函数等等，本技术实施例的第二温度变换关系优选为一元三次函数。
47.具体地，一元三次函数为，式中为外延片的实际温度，为测温探头所测取反应腔内石墨件的温度，a、b、c、d为第二温度变换关系的待定参数；其中，通过将外延片的实际温度和测温探头所测取反应腔内石墨件的温度之间的温度关系设为一元三次函数能更好的拟合出外延片的实际温度，确保获取外延片实际温度的准确性。
48.具体地，在a7步骤中，先将a
、
x3 b
、
x2 c
、
x d
、
赋值于x，再代入第一温度变换关系中，得到y=k（a
、
x3 b
、
x2 c
、
x d
、
） b，又因为上述获得的一元一次函数关系式与一元三次函数关系式相等，即是=k（a
、
x3 b
、
x2 c
、
x d
、
） b，根据等式两边相等原则，得到：a=ka
、
、b=kb
、
、c=kc
、
、d=kd
、
b；其中，k、b参数是已知的，a、b、c、d是待定参数，只要求出a
、
、b
、
、c
、
、d
、
，即可得到a、b、c、d，所以步骤a6还包括获取在预设的第二加热温度范围内的至少四组的第一温度信息和第三温度信息；根据在预设的第二加热温度范围内的至少四组的第一温度信息和第三温度信息、以及第一温度变换关系获取第二温度信息和第三温度信息在第二加热温度范围内的第二温度变换关系。
49.具体地，由上述得到y=k（a
、
x3 b
、
x2 c
、
x d
、
） b，再通过至少四组的钨铼热电偶测取的温度和测温探头测取反应室石墨件的温度，以及关于钨铼热电偶所测取的温度和tc wafer1所测取的温度之间的变换关系拟合，得到a
、
、b
、
、c
、
、d
、
，再通过a=ka
、
、b=kb
、
、c=kc
、
、d=kd
、
b，即可拟合出第二温度变换关系中的待定参数a、b、c、d，进而获得tc wafer与测温探头测取的温度之间的函数关系式，即获得测温探头与反应腔内外延片之间的温度变换关系。
50.具体地，在a8步骤中，在实际外延反应过程中，只需要将测温探头实际测取的反应腔内石墨件的温度代入到第二温度变换关系中，即可得到此时外延片的实际温度。
51.本技术实施例的反应腔内外延片测温方法，先通过在tc wafer1可测量的温度环境下，将tc wafer1充当外延片放置于反应腔内的衬底托盘上，也将钨铼热电偶放在反应腔内，获取钨铼热电偶与tc wafer1之间的温度变换关系，即获得钨铼热电偶与外延片实际温度之间的变换关系；再通过外延片在实际反应温度的环境下，根据钨铼热电偶和测温探头测取的温度、以及钨铼热电偶与tc wafer1之间的温度变换关系，拟合得到关于外延片实际温度与测温设备所测取的温度之间的变换关系，从而使得在实际反应中，只需获取测温探头所测取的温度，将其代入关于外延片实际温度与测温设备所测取的温度之间的变换关系，即可获得外延片的实际温度，该方法简单、准确，能直接地获取到外延片的实际温度。
52.在一些优选地实施方式中，热电偶温度计尺寸大小与外延设备加工的外延片尺寸大小相同。
53.具体地，将与外延设备加工的外延片尺寸大小相同的热电偶温度计放置于反应腔的衬底托盘上，使得tc wafer1所测取的温度更加接近于外延片的实际温度，确保了第一温度变换关系的准确性，从而避免因为tc wafer1与外延片尺寸不同，导致tc wafer1模拟外延片在反应腔内的衬底托盘上的整体温度产生误差。
54.在一些优选的实施方式中，预设的第一加热温度范围为125℃-1200℃。
55.具体地，tc wafer1所能测取的最高温度为1200℃，所以将第一加热温度范围设置为适合tc wafer1所能测取的温度值。
56.在一些优选的实施方式中，预设的第二加热温度范围为125℃-1800℃。
57.具体地，本技术实施例的外延炉优选是碳化硅外延使用的，因为碳化硅反应温度在1700℃左右，所以优选预设的第二加热温度范围为125℃-1800℃。
58.在一些优选的实施方式中，本技术的钨铼热电偶测温引出线和tc wafer1的测温引出线2是通过真空热电偶接插头外接到控制器上。
59.进而，在外延反应过程中，只需将测温探头测取的反应腔石墨件的温度，代入到经过上述方法得到的第二温度变换关系中，即可获得该温度下的外延片的实际温度。
60.第二方面，如图3所示，本技术实施例提出的另一种反应腔内外延片测温方法，应用于外延设备上，方法包括：s301：获取基于测温探头实际测取的第三温度信息；s302：根据第三温度信息和预设的第二温度变换关系获取外延片的温度信息；预设的第二温度变换关系通过以下步骤获取：将钨铼热电偶和热电偶温度计分别置于反应腔内和反应腔的衬底托盘上,分别用于获取第一温度信息和第二温度信息；对反应腔进行加热；获取在预设的第一加热温度范围内第一温度信息和第二温度信息的第一温度变换关系；撤去热电偶温度计；对反应腔进行加热，并通过外延设备的测温探头获取第三温度信息；获取在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息，第二加热温度范围的最高温度大于第一加热温度范围的最高温度，外延设备的反应温度大于第一加热温度范围的最高温度且在第二加热温度范围内；
根据在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息、以及第一温度变换关系获取第三温度信息和第二温度信息在第二加热温度范围内的第二温度变换关系。
61.具体地，测温探头测取的是反应室石墨件的温度，第三温度信息为外延设备的测温探头所测取的温度，其中，预设的第二温度变换关系通过上述第一方面提供的外延反应腔内外延片测温方法获得，具体获取过程参见第一方面所提供的反应腔内外延片测温方法。
62.本技术只需获取外延设备的测温探头所测取的温度和第二温度变换关系即可得到外延片的实际温度。
63.第三方面，如图4所示，本技术实施例的一种反应腔内外延片测温装置，应用于外延设备上，装置包括：第一获取模块401，用于获取基于测温探头实际测取的第三温度信息；第二获取模块402，用于根据第三温度信息和预设的第二温度变换关系获取外延片的温度信息；预设的第二温度变换关系通过上述第一方面提供的外延反应腔内外延片测温的方法获得。
64.本技术实施例提出的反应腔内外延片测温装置，通过外延设备的测温探头所测取的温度和第二温度变换关系即可得到外延片的实际温度，该方法简单、实用。
65.具体地，通过第一获取模块401获取测温探头实际获取的温度，第二获取模块402再根据测温探头实际获取的温度和预设的第二温度变换关系获得外延片的实际温度信息。
66.在一些优选的实施方式中，优选采用上述第三方面提供的反应腔内外延片测温装置执行第二方面提供的反应腔内外延片测温方法。
67.第四方面，参照图5，图5所示为本技术提供的一种电子设备，包括：处理器51和存储器52，处理器51和存储器52通过通信总线53和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器52存储有处理器51可执行的计算机程序，当电子设备运行时，处理器51执行该计算机程序，以执行上述实施例的任一项可选的实现方式，以实现以下功能：获取基于测温探头实际测取的第三温度信息；根据第三温度信息和预设的第二温度变换关系获取外延片的温度信息；预设的第二温度变换关系通过以下步骤获取：将钨铼热电偶和热电偶温度计分别置于反应腔内和反应腔的衬底托盘上,分别用于获取第一温度信息和第二温度信息；对反应腔进行加热；获取在预设的第一加热温度范围内第一温度信息和第二温度信息的第一温度变换关系；撤去热电偶温度计；对反应腔进行加热，并通过外延设备的测温探头获取第三温度信息；获取在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息，第二加热温度范围的最高温度大于第一加热温度范围的最高温度，外延设备的反应温度大于第一加热温度范围的最高温度且在第二加热温度范围内；根据在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息、以及第一温度变换关系获取第三温度信息和第二温度信息的第二温度变换关系。
68.第五方面，本技术提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器51执行时，执行上述实施例的任一项可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：获取基于测温探头实际测取的第三温度信息；根据第三温度信息和预设的第二温度变换关系获取
外延片的温度信息；预设的第二温度变换关系通过以下步骤获取：将钨铼热电偶和热电偶温度计分别置于反应腔内和反应腔的衬底托盘上,分别用于获取第一温度信息和第二温度信息；对反应腔进行加热；获取在预设的第一加热温度范围内第一温度信息和第二温度信息的第一温度变换关系；撤去热电偶温度计；对反应腔进行加热，并通过外延设备的测温探头获取第三温度信息；获取在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息，第二加热温度范围的最高温度大于第一加热温度范围的最高温度，外延设备的反应温度大于第一加热温度范围的最高温度且在第二加热温度范围内；根据在预设的第二加热温度范围内的第一温度信息和第三温度信息、以及第一温度变换关系获取第三温度信息和第二温度信息的第二温度变换关系。
69.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多组单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
70.另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多组网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
71.再者，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
72.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
73.以上仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。