一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

显示装置的制作方法

2022-11-14 11:29:38 来源:中国专利 TAG:
1.本公开涉及显示装置。
背景技术
::2.显示装置是通过视觉方式显示数据的装置。显示装置包括被划分为显示区域和非显示区域的基板。在显示区域,彼此绝缘地设有扫描线和数据线,并且包括多个像素。此外,在显示区域,与各像素对应地具备晶体管以及与晶体管电连接的第一电极。此外,在显示区域,可具备共同设置在各像素的第二电极。在非显示区域,可具备向显示区域传递电信号的各种信号布线、扫描驱动部、数据驱动部、控制部、焊盘部等。这种显示装置其用途变得多样化。由此,正在对提高显示装置的品质的设计进行着各种尝试。技术实现要素:3.各实施例用于在不追加掩模的情况下提高焊盘部的可靠性。此外,各实施例用于解决在焊盘部产生的布线不良以及在显示区域产生的像素不良等。4.一实施例涉及的显示装置包括:基板,包括显示区域和非显示区域;晶体管和发光元件,配置在所述显示区域上;焊盘部,位于所述非显示区域,并且包括第一金属图案;以及印刷电路基板和数据驱动部中的至少一个,与所述焊盘部连接,所述晶体管包括:半导体层,位于所述基板上;以及源电极或漏电极,与所述半导体层电连接,所述源电极和所述漏电极包括:第一层,包括第一金属;第二层,包括第二金属;以及第三层,包括所述第一金属,所述第一金属图案包括所述第一金属,并且所述第一金属图案与所述印刷电路基板和所述数据驱动部中的至少一个连接。5.所述第一金属可包括钛,并且所述第二金属可包括铝。6.所述第一金属图案可包括:第1-1子金属图案,包括所述第一金属;以及第1-2子金属图案,包括所述第二金属。7.所述第1-2子金属图案可与所述印刷电路基板和所述数据驱动部中的至少一个连接。8.所述第1-2子金属图案的厚度可比所述第二层的厚度薄。9.所述第二层的厚度可为5000埃至8000埃,并且所述第1-2子金属图案的厚度可在1000埃以下。10.所述显示装置还可包括:连接电极,与所述漏电极及所述发光元件电连接。11.所述连接电极可包括:第四层,包括所述第一金属;第五层,包括所述第二金属;以及第六层,包括所述第一金属。12.一实施例涉及的显示装置包括:基板,包括显示区域和非显示区域;半导体层,位于所述基板上;栅电极,位于所述半导体层上;源电极或漏电极,位于所述栅电极上;连接电极,位于所述源电极和所述漏电极上;发光元件,位于所述连接电极上;焊盘部,位于所述非显示区域;以及印刷电路基板和数据驱动部中的至少一个,与所述焊盘部连接,所述连接电极包括:第四层,包括第一金属;第五层,包括第二金属;以及第六层,包括所述第一金属,所述焊盘部包括:信号布线,包括与所述栅电极相同的物质;第一金属图案,位于所述信号布线上,并且包括与所述源电极或所述漏电极相同的物质;以及第二金属图案,位于所述第一金属图案上,所述第二金属图案包括含所述第一金属的第2-1子金属图案。13.所述第二金属图案还可包括含所述第二金属的第2-2子金属图案。14.所述第2-2子金属图案的厚度可比所述第五层的厚度薄。15.所述第五层的厚度可为5000埃至8000埃,并且所述第2-2子金属图案的厚度可在1000埃以下。16.一实施例涉及的显示装置的制造方法包括:在基板上形成栅电极和信号布线的步骤;在所述信号布线上形成绝缘膜的步骤;在所述绝缘膜上形成源电极、漏电极和第一金属层的步骤;在所述第一金属层上形成第二金属层的步骤;蚀刻所述第二金属层来形成连接电极的步骤;以及去除与非显示区域重叠的所述第二金属层的步骤。17.所述第一金属层可包括第1-1层、第1-2层和第1-3层,并且所述显示装置的制造方法还可包括去除所述第1-3层的步骤。18.可去除与所述非显示区域重叠的所述第1-2层的一部分来形成第一金属图案。19.所述第一金属图案可包括:第1-1子金属图案,包括所述第一金属;以及第1-2子金属图案,包括所述第二金属,并且所述第1-2子金属图案的厚度可小于所述第二层的厚度。20.所述第1-2子金属图案的厚度可在1000埃以下。21.所述显示装置的制造方法还可包括去除与所述非显示区域重叠的所述第1-2层的步骤。22.所述显示装置的制造方法还可包括形成与所述连接电极电连接的第一电极的步骤。23.去除所述第1-2层的蚀刻液可不同于形成所述第一电极的蚀刻液。24.(发明效果)25.根据各实施例,控制在非显示区域产生的布线不良或者在显示区域产生的像素不良来提高显示装置的可靠性。附图说明26.图1a是一实施例涉及的显示装置的分解立体图,图1b是一实施例涉及的显示装置的示意性剖视图。27.图2是示出一实施例涉及的显示面板的部分构成要素的平面图。28.图3a是一实施例涉及的显示装置的电路图,图3b是一实施例涉及的显示区域的剖视图,图3c是部分区域的放大图,图3d是一实施例涉及的显示区域的显示面板的剖视图。29.图4a是一实施例涉及的焊盘部的剖视图,图4b是一实施例涉及的焊盘部的平面图,图4c、图4d和图4e是制造工序涉及的焊盘部的剖视图。30.图5a是一实施例涉及的焊盘部的剖视图,图5b是一实施例涉及的焊盘部的平面图,图5c、图5d和图5e是制造工序涉及的焊盘部的剖视图。31.图6a是一实施例涉及的焊盘部的剖视图,图6b、图6c和图6d是制造工序涉及的焊盘部的剖视图。32.图7是一实施例涉及的焊盘部的剖视图。33.图8a是比较例涉及的焊盘部的剖视图,图8b是比较例涉及的焊盘部的平面图。34.图9是根据实施例蚀刻了铝和钛布线的截面图像。35.符号说明:36.da:显示区域;pa:非显示区域;sub:基板;tr:晶体管;pad:焊盘部;pcb:印刷电路基板;act:半导体层;se:源电极;de:漏电极;de-a:第一层;de-b:第二层;de-c:第三层;m1:第一金属图案;m2:第二金属图案;m1-a:第1-1子金属图案;m1-b:第1-2子金属图案。具体实施方式37.以下,参照附图,详细说明本发明的各实施例,以便本领域技术人员能够容易实施。本发明可以由各种不同的形态实现,并不限于在此说明的各实施例。38.为了明确说明本发明,省略了与说明无关的部分,并在整个说明书中对相同或者类似的构成要素赋予相同的符号。39.此外,图示的各构成的大小以及厚度为了便于说明而任意示出,本发明并不一定限于图示的情况。在附图中,为了明确表示各层以及区域,有所夸张地示出了厚度。此外,在附图中,为了便于说明,有所夸张地示出了部分层和区域的厚度。40.此外,层、膜、区域、板等部分位于其他部分上或上方时,不仅包括直接位于其他部分上的情况,还包括其间具有其他部分的情况。相反,某一部分直接位于其他部分上时,是指其间不存在其他部分。此外,位于作为基准的部分上或上方是指位于作为基准的部分的上或下方,并不一定指在重力方向侧位于上或上方的情况。41.此外,在整个说明书中,某一部分包括某一构成要素时,在没有特别相反的记载的情况下,并不是排除包括其他构成要素,而是指还可以包括其他构成要素。42.此外,在整个说明书中,“平面上”是指从上观察对象部分的情况,“截面上”是指从侧方观察垂直截取对象部分的截面的情况。43.以下,参照图1a和图1b对一实施例涉及的显示装置进行说明。图1a是一实施例涉及的显示装置的分解立体图,图1b是一实施例涉及的显示装置的示意性剖视图。44.首先,参照图1a和图1b,显示装置1000在由第一方向dr1和第二方向dr2定义的平面上朝向第三方向dr3显示图像。各部件的前表面(或者上表面)和背面(或者下表面)根据第三方向dr3来划分。第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3所指示的方向是相对概念,可变换为不同的方向。45.图1a的显示装置1000可显示动态图像或静态图像。作为一例,显示装置1000不仅可被用作如移动电话(mobilephone)、智能电话(smartphone)、平板pc(tabletpersonalcomputer)、移动通信终端机、电子手册、电子书、pmp(portablemultimediaplayer)、导航仪、umpc(ultramobilepc)等这样的便携式电子设备的显示画面,还可被用作电视机、笔记本电脑、显示屏、广告板、物联网(internetofthings,iot)等各种产品的显示画面。此外,一实施例涉及的显示装置1000可用在如智能手表(smartwatch)、手表电话(watchphone)、眼镜型显示器和头戴式显示器(headmounteddisplay,hmd)这样的可穿戴装置(wearabledevice)中。此外,一实施例涉及的显示装置1000可被用作配置在汽车的仪表盘和汽车的中央仪表盒(centerfascia)或仪表板的cid(centerinformationdisplay)、代替汽车的侧镜的室内镜显示器(roommirrordisplay)、作为汽车的后座用娱乐设施而配置在前座的背面的显示器。为了便于说明,在图1a中示出了一实施例涉及的显示装置1000被用作智能电话的情况。46.一实施例涉及的显示装置1000包括盖窗wu、显示面板dp和壳体部件hm。在本实施例中,盖窗wu、显示面板dp和壳体部件hm可被结合而构成显示装置1000。47.盖窗wu配置在显示面板dp上,从而保护显示面板dp。盖窗wu可包括聚酰亚胺窗或超薄型玻璃(ultra-thinglass)窗。48.盖窗wu可包括透过区域ta和阻断区域ba。透过区域ta可为在光学上透明的区域,是使入射的光透过的区域。阻断区域ba可为光透过率比透过区域ta相对低的区域。阻断区域ba定义透过区域ta的形状。阻断区域ba可包围透过区域ta。阻断区域ba可表现出预定的颜色。阻断区域ba可与显示面板dp的非显示区域pa重叠而阻断在外部观察到非显示区域pa的情况。49.盖窗wu可包括第一孔区域ha1和第二孔区域ha2。第一孔区域ha1和第二孔区域ha2分别可与电子模块em重叠。电子模块em可接收通过第一孔区域ha1和第二孔区域ha2提供的外部信号而工作。50.根据一实施例,第一孔区域ha1可位于透过区域ta,并且第二孔区域ha2可位于阻断区域ba。但是,这仅仅是作为例示示出的,第一孔区域ha1和第二孔区域ha2可位于彼此相反的区域、均位于透过区域ta、或者均位于阻断区域ba。51.第一孔区域ha1和第二孔区域ha2可具有彼此不同的形态。第一孔区域ha1可在平面上具有圆形形态,并且第二孔区域ha2可在平面上具有包括沿着第一方向dr1延伸的长轴的椭圆形态。但是,第一孔区域ha1和第二孔区域ha2的形态并不限于此,大小或形状可具有各种变形。52.显示面板dp可为平坦的刚性显示面板,但是并不限于此,可为柔性显示面板。本发明的一实施例涉及的显示面板可为发光型显示面板,并不特别限于此。例如,显示面板可为有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可包括有机发光物质。量子点发光显示面板的发光层可包括量子点和量子棒等。以下,以显示面板为有机发光显示面板的情况进行说明。53.显示面板dp在前表面显示图像。显示面板dp的前表面可包括显示区域da和非显示区域pa。图像被显示在显示区域da。非显示区域pa可包围显示区域da。54.显示面板dp可包括位于显示区域da的多个像素px。像素px可响应于电信号而显示光。像素px所显示的光可实现图像。一像素px所包括的晶体管的数量和电容器的数量以及连接关系可具有各种变形。55.一实施例涉及的显示面板dp可包括贯通显示面板dp的开口dta。开口dta可位于显示区域da。开口dta可与盖窗wu的第一孔区域ha1重叠。多个像素px中的一部分可被配置成包围开口dta。因此,图像也可被显示在与开口dta相邻的区域。56.显示面板dp包括从显示区域da延伸而被设置多个信号线和焊盘部的非显示区域pa。数据驱动部50可位于非显示区域pa。根据一实施例,非显示区域pa的焊盘部可与包括驱动芯片80的印刷电路基板pcb电连接,以下在图2中对其进行更加具体的说明。57.如图1b所示,在显示面板dp与盖窗wu之间可设置使显示面板dp和盖窗wu结合的粘接层ad。另一方面,虽然在本说明书中未示出,但是还可包括位于显示面板dp与盖窗wu之间的触摸单元。触摸单元可以为了显示装置1000的触屏功能而被配置在显示面板dp上。触摸单元可包括各种图案的触摸电极,并且可为电阻膜方式或电容方式等。58.电子模块em包括用于使显示装置1000工作的各种功能性模块。电子模块em可通过未图示的连接器等而与显示面板dp电连接。例如,电子模块em可为相机、扬声器或者光或热等的感知传感器。59.电子模块em可包括第一电子模块em1和第二电子模块em2。第一电子模块em1可感知通过开口dta和第一孔区域ha1接收到的外部被摄体。第一电子模块em1可接收通过开口dta和第一孔区域ha1传递的外部输入、或者可通过开口dta和第一孔区域ha1提供输出。60.例如,第一电子模块em1可为发光模块、光感知模块和拍摄模块中的至少任一个。例如,第一电子模块em1可包括输出红外线的发光模块、用于感知红外线的cmos传感器、拍摄外部被摄体的相机模块中的至少任一个。61.第二电子模块em2可通过第二孔区域ha2收集声音等音响信号、或者将处理过的声音等音响信号提供到外部。例如,第二电子模块em2可包括音响输入模块和音响输出模块中的至少任一个、或者包括传感器。音响输入模块可包括能够接收音响信号的麦克风(microphone)。音响输出模块可包括将音响数据输出为音响信号的扬声器。62.但是,这是作为例示示出的,电子模块em也可由单一模块构成、或者还可包括更多数量的电子模块,并且可被排列成各种配置关系,并不限于任一实施例。63.壳体部件hm配置在显示面板dp的下侧。壳体部件hm与盖窗wu结合而构成显示装置1000的外观。壳体部件hm可包括具有相对高的刚性的物质。例如,壳体部件hm可包括由玻璃、塑料、金属构成的多个框体和/或板。64.壳体部件hm提供预定的容纳空间。显示面板dp可被容纳在容纳空间内而受到保护以免受到外部冲击的影响。65.以下,参照图2,观察一实施例涉及的显示面板。图2是示出一实施例涉及的显示面板的部分构成要素的平面图。省略对于在前说明过的构成要素的说明。66.如前所述,显示面板dp包括具有显示区域da和非显示区域pa的基板sub。可沿着显示区域da的边框定义非显示区域pa。67.显示面板dp包括多个像素px。多个像素px可配置在基板sub上的显示区域da内。各个像素px包括发光元件以及与其连接的驱动电路部。各像素px例如可射出红色、绿色、蓝色或白色的光,作为一例可包括有机发光元件(organiclightemittingdiode)。68.显示面板dp可包括多个信号线和焊盘部。多个信号线可包括在第一方向dr1上延伸的扫描线sl以及在第二方向dr2上延伸的数据线dl和驱动电压线pl等。69.扫描驱动部20生成扫描信号来通过扫描线sl将扫描信号传递到各像素px。根据一实施例,扫描驱动部20可配置在显示区域da的左侧或右侧。虽然在本说明书中示出了扫描驱动部20配置在基板sub的两侧的结构,但是作为其他实施例,扫描驱动部20也可仅配置在基板sub的一侧。70.焊盘部pad配置在显示面板dp的一端部,并且包括多个端子p1、p2、p3、p4。通过后述的图4a、图5a、图6a和图6b来观察沿着a-a′线截取的焊盘部pad。焊盘部pad可不被绝缘层覆盖而是被露出,从而与印刷电路基板pcb电连接。焊盘部pad可与印刷电路基板pcb的焊盘部pcb_p电连接。印刷电路基板pcb可将ic驱动芯片80的信号或电源传递到焊盘部pad。71.从外部传递的多个图像信号被变更为多个图像数据信号,并且变更的信号通过端子p1而被传递到数据驱动部50。此外,可生成用于控制扫描驱动部20和数据驱动部50的驱动的控制信号,从而通过端子p3、p1将其分别传递到控制扫描驱动部20和数据驱动部50。此外,通过端子p2向驱动电压供给布线60传递驱动电压elvdd(参照图3a)。此外,通过端子p4向各个公共电压供给布线70传递公共电压elvss(参照图3a)。72.数据驱动部50配置在非显示区域pa上,生成数据信号来将其传递到各像素px。数据驱动部50可配置在显示面板dp的一侧,例如可配置在焊盘部pad与显示区域da之间。73.驱动电压供给布线60配置在非显示区域pa上。例如,驱动电压供给布线60可配置在数据驱动部50与显示区域da之间。驱动电压供给布线60将驱动电压elvdd提供到像素px。驱动电压供给布线60可配置在第一方向dr1上,并且与配置在第二方向dr2上的多个驱动电压线pl连接。74.公共电压供给布线70配置在非显示区域pa上。公共电压供给布线70可具有包围基板sub的形态。公共电压供给布线70向像素px所包括的发光元件的一电极(例如,第二电极)传递公共电压elvss。75.以下,参照图3a至图3d观察一像素。图3a是一实施例涉及的显示装置的电路图,图3b是一实施例涉及的显示区域的剖视图,图3c是部分区域的放大图,图3d是一实施例涉及的显示区域的显示面板的剖视图。76.首先,参照图3a,一实施例涉及的显示装置的一个像素px包括与多个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、741连接的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、维持电容器cst、升压电容器cbt和发光二极管led。77.一个像素px与多个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、741连接。多个布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。78.第一扫描信号线151与栅极驱动部(未图示)连接,从而将第一扫描信号gw传递到第二晶体管t2。第二扫描信号线152可在与第一扫描信号线151的信号相同的时刻被施加与施加到第一扫描信号线151的电压相反极性的电压。例如,在向第一扫描信号线151施加负极性的电压时,可向第二扫描信号线152施加正极性的电压。第二扫描信号线152将第二扫描信号gc传递到第三晶体管t3。79.初始化控制线153将初始化控制信号gi传递到第四晶体管t4。旁路控制线154将旁路信号gb传递到第七晶体管t7。旁路控制线154可由前级的第一扫描信号线151构成。发光控制线155将发光控制信号em传递到第五晶体管t5和第六晶体管t6。80.数据线171是传递由数据驱动部(未图示)生成的数据电压data的布线,根据施加到像素px的数据电压data,发光二极管led发光的亮度会变化。81.驱动电压线172施加驱动电压elvdd。第一初始化电压线127传递第一初始化电压vint,第二初始化电压线128传递第二初始化电压aint。公共电压线741将公共电压elvss施加到发光二极管led的阴极。在本实施例中,施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127、第二初始化电压线128和公共电压线741的电压可分别为恒定的电压。82.多个晶体管可包括驱动晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7。多个晶体管可包括含氧化物半导体的氧化物晶体管以及含多晶硅半导体的硅晶体管。例如,第三晶体管t3和第四晶体管t4可由氧化物晶体管构成,驱动晶体管t1、第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7可由硅晶体管构成。或者,第三晶体管t3、第四晶体管t4和第七晶体管t7可由氧化物晶体管构成,驱动晶体管t1、第二晶体管t2、第五晶体管t5和第六晶体管t6可由硅晶体管构成。但是,并不限于此,多个晶体管也可均由硅晶体管构成。83.在上述中说明了一个像素px包括七个晶体管t1至t7、一个维持电容器cst、一个升压电容器cbt的情况,但是并不限于此,对晶体管的数量、电容器的数量以及它们的连接关系可进行各种变更。84.接着,参照图3b观察位于显示区域da的晶体管和发光元件的层叠结构。本说明书示出了简化的显示区域da的层叠结构,但是当然也可以是用于实现图3a的电路的任何其他层叠结构。85.参照图3b,基板sub可具有各种程度的柔韧性(flexibility)。基板sub可为刚性(rigid)基板、或者能够进行弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。86.基板sub可包括玻璃材料或高分子树脂。例如,高分子树脂可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素等。基板sub可为包括含前述的高分子树脂的层和无机层(未图示)的多层结构。87.缓冲层il1可位于基板sub上。缓冲层il1可阻断杂质从基板sub传递到缓冲层il1的上部层(尤其是半导体层act),从而防止半导体层act的特性劣化并且缓解应力。缓冲层il1可为包括硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和硅氮氧化物(sioxny)中的至少一种的单层或多层。也可省略缓冲层il1的一部分或整体。88.半导体层act位于缓冲层il1上。半导体层act可包括多晶硅半导体和氧化物半导体中的至少一种。半导体层act包括沟道区域c、第一区域p和第二区域q。第一区域p和第二区域q分别配置在沟道区域c的两侧。沟道区域c可包括掺杂了少量的杂质或者未掺杂杂质的半导体,第一区域p和第二区域q可包括与沟道区域c相比掺杂了大量的杂质的半导体。半导体层act也可由氧化物半导体构成,在该情况下,为了保护对高温等外部环境脆弱的氧化物半导体物质,可追加单独的保护层(未图示)。89.第一绝缘层il2位于半导体层act上。第一绝缘层il2可为包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物和铪氧化物等这样的无机绝缘物中的至少一种的单层或多层。90.栅电极ge和下部电极ce1位于第一绝缘层il2上。下部电极ce1可为栅电极ge的一部分。91.栅电极ge可为包括铜(cu)、铜合金、铝(al)、铝合金、钼(mo)、钼合金、钛(ti)和钛合金中的任一种的金属膜被层叠的单层膜或多层膜。栅电极ge可与半导体层act的沟道区域c重叠。92.第二绝缘层il3位于栅电极ge和第一绝缘层il2上。第二绝缘层il3可为包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物和铪氧化物等这样的无机绝缘物中的至少一种的单层或多层。93.维持电容器cst的上部电极ce2位于第二绝缘层il3上。94.维持电容器cst可包括夹着第二绝缘层il3而重叠的下部电极ce1和上部电极ce2。根据一实施例,虽然示出了栅电极ge为维持电容器cst的下部电极ce1的情况,但是并不限于此,下部电极ce1也可由单独的电极形成。95.第三绝缘层il4位于上部电极ce2和第二绝缘层il3上。第三绝缘层il4可为包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物和铪氧化物等这样的无机绝缘物中的至少一种的单层或多层。96.源电极se和漏电极de位于第三绝缘层il4上。源电极se通过形成在第一绝缘层il2、第二绝缘层il3和第三绝缘层il4的接触孔而与半导体层act的第一区域p连接,并且漏电极de通过形成在第一绝缘层il2、第二绝缘层il3和第三绝缘层il4的接触孔而与半导体层act的第二区域q连接。97.源电极se和漏电极de可包括含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电物质,并且可形成为包括上述的材料的多层或单层。98.根据一实施例,源电极se和漏电极de可形成为三层。如图3c所示,源电极se和漏电极de可包括含第一金属的第一层de-a、含第二金属的第二层de-b以及含第一金属的第三层de-c。第一层de-a和第三层de-c可包括相同的金属。作为一例,第一层de-a和第三层de-c可包括钛,第二层de-b可包括铝。源电极se和漏电极de可形成为钛层、铝层和钛层(ti/al/ti)的多层结构。99.第一层de-a和第三层de-c的厚度可小于第二层de-b的厚度。作为一例,第一层de-a和第三层de-c可具有约100埃至约500埃的厚度,第二层de-b可具有约5000埃至约8000埃的厚度。第一层de-a和第三层de-c可具有相同的厚度或者具有彼此不同的厚度。作为一例,第三层de-c的厚度可小于第一层de-a的厚度。100.第四绝缘层il5位于第三绝缘层il4、源电极se和漏电极de上。第四绝缘层il5可包括如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)这样的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子和它们的混合物等。101.连接电极ce位于第四绝缘层il5上。连接电极ce可通过形成在第四绝缘层il5的接触孔而与漏电极de连接。102.连接电极ce可包括含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电物质,并且可形成为包括上述的材料的多层或单层。103.根据一实施例,连接电极ce可形成为三层。如图3c所示,连接电极ce可包括含第一金属的第四层ce-a、含第二金属的第五层ce-b以及含第一金属的第六层ce-c。第四层ce-a和第六层ce-c可包括相同的金属。作为一例,第四层ce-a和第六层ce-c可包括钛,第五层ce-b可包括铝。连接电极ce可形成为钛层、铝层和钛层(ti/al/ti)的多层结构。104.第四层ce-a和第六层ce-c的厚度可小于第五层ce-b的厚度。作为一例,第四层ce-a和第六层ce-c可具有约100埃至约500埃的厚度,第五层ce-b可具有约5000埃至约8000埃的厚度。第四层ce-a和第六层ce-c可具有相同的厚度或者具有彼此不同的厚度。作为一例,第六层ce-c的厚度可小于第四层ce-a的厚度。105.第五绝缘层il6位于连接电极ce和第四绝缘层il5上。第五绝缘层il6可包括如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)这样的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子和它们的混合物等。106.第一电极e1可位于第五绝缘层il6上。第一电极e1可通过第五绝缘层il6的接触孔而与连接电极ce连接,并且与漏电极de电连接。107.第一电极e1可包括如银(ag)、锂(li)、钙(ca)、铝(al)、镁(mg)、金(au)这样的金属,也可包括如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)这样的透明导电性氧化物(tco)。第一电极e1可构成为包括金属物质或透明导电性氧化物的单层或者包括它们的多层。108.由栅电极ge、半导体层act、源电极se和漏电极de构成的晶体管tr与第一电极e1电连接,从而向发光元件供给电流。109.像素定义层il7位于第一电极e1上。像素定义层il7与第一电极e1的至少一部分重叠。尤其是,像素定义层il7与第一电极e1的边缘位置重叠。110.像素定义层il7具有定义发光区域的开口。例如,露出第一电极e1的上表面的开口的宽度可相当于射出光的发光区域的宽度或者像素的宽度。开口可在平面上具有菱形或者与菱形相似的八边形形状,但是并不限于此,也可具有四边形、多边形、圆形、椭圆形等任何其他形状。111.间隔物il8可位于像素定义层il7上。像素定义层il7和间隔物il8可包括如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、聚酰亚胺、丙烯酸系聚合物、硅氧烷系聚合物等有机绝缘物质。或者,像素定义层il7可包括如硅氮化物、硅氮氧化物或硅氧化物这样的无机绝缘物。或者,像素定义层il7可包括有机绝缘物和无机绝缘物。在一实施例中,像素定义层il7可包括阻光物质,可被设置为黑色。阻光物质可包括含炭黑、碳纳米管或黑色染料的树脂或者膏体、金属粒子(例如,镍、铝、钼及其合金)、金属氧化物粒子(例如,氧化铬)或者金属氮化物粒子(例如,铬氮化物)等。在像素定义层il7包括阻光物质的情况下,可减少由配置在像素定义层il7的下部的金属结构物引起的外光反射。112.发光层eml位于第一电极e1上。发光层eml可包括有机物质和/或无机物质。发光层eml可生成预定的有色颜色光。发光层eml可利用掩模而形成为仅位于像素定义层il7的开口内。113.功能层ml1、ml2可位于发光层eml的上部和下部。第一功能层ml1可包括空穴注入层(holeinjectionlayer,hil)和空穴传输层(holetransportinglayer,htl)中的至少一个,并且第二功能层ml2可为包括电子传输层(electrontransportinglayer,etl)和电子注入层(electroninjectionlayer,eil)中的至少一个的多重膜。114.功能层ml1、ml2可与基板sub的显示区域da的整个面重叠。在显示区域da,可彼此间隔开地配置根据相应的像素的颜色而彼此不同颜色的发光层eml,但是功能层ml1、ml2可形成为整体覆盖显示区域da。在配置于显示区域da的多个像素中可分别共用功能层ml1、ml2。功能层ml1、ml2分别可覆盖多个第一电极e1。115.第二电极e2位于第二功能层ml2上。第二电极e2可包括含钙(ca)、钡(ba)、镁(mg)、铝(al)、银(ag)、金(au)、镍(ni)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)等的反射性金属或者如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)这样的透明导电性氧化物(tco)。116.第一电极e1、发光层eml和第二电极e2可构成发光元件。在此,第一电极e1可为作为空穴注入电极的阳极,第二电极e2可为作为电子注入电极的阴极。但是,实施例并不限于此,根据发光显示装置的驱动方法,也可以是第一电极e1为阴极并且第二电极e2为阳极。117.空穴和电子分别从第一电极e1和第二电极e2被注入到发光层eml的内部,在被注入的空穴和电子所结合的激子(exciton)从激发态跃迁至基态时实现发光。118.封装层enc位于第二电极e2上。封装层enc不仅可密封发光元件的上部面,而且可密封至侧面。发光元件对水分和氧非常脆弱,因此封装层enc密封发光元件来阻断外部的水分和氧的流入。119.封装层enc可包括多个层,其中,可形成为包括无机层和有机层这两者的复合膜,作为一例,可形成为依次形成有第一封装无机层eil1、封装有机层eol和第二封装无机层eil2的三层。120.第一封装无机层eil1可覆盖第二电极e2。第一封装无机层eil1可防止外部的水分或氧渗透到发光元件的情况。例如,第一封装无机层eil1可为包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物中的一种以上的无机物的单层或多层。第一封装无机层eil1可通过沉积工序形成。121.封装有机层eol可配置在第一封装无机层eil1上,从而与第一封装无机层eil1接触。形成在第一封装无机层eil1的上表面的弯曲或存在于第一封装无机层eil1上的颗粒(particle)等可被封装有机层eol覆盖,从而可阻断第一封装无机层eil1的上表面的表面状态对形成在封装有机层eol上的构成带来的影响。此外,封装有机层eol可缓解接触的层之间的应力。封装有机层eol可包括有机物,可通过如旋涂工序、狭缝涂覆、喷墨工序这样的溶液工序形成。122.第二封装无机层eil2配置在封装有机层eol上,从而覆盖封装有机层eol。相比于配置在第一封装无机层eil1上的情况,第二封装无机层eil2可稳定地形成在相对平坦的面。第二封装无机层eil2对从封装有机层eol放出的水分等进行封装,从而防止其流入到外部。第二封装无机层eil2可为包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物中的一种以上的无机物的单层或多层。第二封装无机层eil2可通过沉积工序形成。123.虽然在本说明书中未示出,但是还可包括位于第二电极e2与封装层enc之间的盖层(cappinglayer)。盖层可包括有机物质。盖层保护第二电极e2免受后续的工序(例如,溅射工序)的影响,并且提高发光元件的出光效率。盖层可具有比第一封装无机层eil1大的折射率。124.参照图3d,覆盖封装层enc的附加平坦化层ypvx可位于显示区域da。附加平坦化层ypvx不仅可延伸至显示区域da,还可延伸至包围开口dta的周边区域。显示区域da和包围开口dta的周边区域通过位于封装层enc上的附加平坦化层ypvx而具有整体上平坦的特性。根据实施例,在显示区域da,在封装层enc与附加平坦化层ypvx之间可为了感知触摸而进一步形成有触摸电极。125.以下,参照图4a至图4e,观察一实施例涉及的焊盘部。图4a是一实施例涉及的焊盘部的剖视图,图4b是一实施例涉及的焊盘部的平面图,图4c、图4d和图4e是制造工序涉及的焊盘部的剖视图。具体地,可为沿着图2的a-a′的截面线截取的剖视图,并且可为与印刷电路基板pcb连接的焊盘部pad的截面。但是,并不限于此,可为对于位于图2的数据驱动部50的下部区域的焊盘部pad的截面。即,可为电连接数据驱动部50与数据线dl的焊盘部pad的截面。可省略对于与前述的构成要素相同的构成要素的说明,并且可参照在前的附图。126.首先,参照图4a和图4b,位于基板sub上的绝缘层可位于一实施例涉及的焊盘部pad。虽然在本说明书中示出了位于基板sub上的缓冲层il1和第一绝缘层il2,但是并不限于此,可为缓冲层il1和第一绝缘层il2中的至少任一个被省略的形态。127.信号布线sl位于第一绝缘层il2上。信号布线sl可根据实施例向数据驱动部50或扫描驱动部20传递控制信号、传递驱动电压elvdd、或者传递公共电压elvss。128.信号布线sl可在与图3b中说明的栅电极ge相同的工序中形成。信号布线sl可包括与栅电极ge相同的物质。信号布线sl可为层叠了包括铜(cu)、铜合金、铝(al)、铝合金、钼(mo)、钼合金、钛(ti)和钛合金中的任一种的金属膜的单层膜或多层膜。129.第二绝缘层il3和第三绝缘层il4可位于信号布线sl上。第二绝缘层il3和第三绝缘层il4可为包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物和铪氧化物等这样的无机绝缘物中的至少一种的单层或多层。130.第一金属图案m1可位于第三绝缘层il4上。第一金属图案m1可通过第二绝缘层il3和第三绝缘层il4所具有的开口部而与信号布线sl连接。第一金属图案m1可连接图2中说明的印刷电路基板pcb与信号布线sl。或者,第一金属图案m1可位于数据驱动部50的下端部并且连接传递数据信号的信号布线sl与数据驱动部50。131.一实施例涉及的第一金属图案m1可在与形成图3b中说明的源电极se及漏电极de的工序相同的工序中形成。第一金属图案m1可包括第1-1子金属图案m1-a和第1-2子金属图案m1-b。第1-2子金属图案m1-b可与印刷电路基板pcb连接。或者,根据实施例,第1-2子金属图案m1-b可与数据驱动部50连接。132.第1-1子金属图案m1-a可包括与位于显示区域da的第一层de-a相同的物质。第1-1子金属图案m1-a可包括第一金属,作为一例可包括钛。第1-1子金属图案m1-a可在与位于显示区域da的第一层de-a相同的工序中形成。133.第1-2子金属图案m1-b可包括与位于显示区域da的第二层de-b相同的物质。第1-2子金属图案m1-b可包括第二金属,作为一例可包括铝。134.第1-1子金属图案m1-a在平面上的宽度可大于第1-2子金属图案m1-b在平面上的宽度。作为一例,第1-1子金属图案m1-a的末端可具有比第1-2子金属图案m1-b的末端突出的形态。135.第1-2子金属图案m1-b的厚度ta可小于如图3c所示的第二层de-b的厚度tb。第1-2子金属图案m1-b的厚度ta可在约1000埃以下。如前所述,第二层de-b的厚度tb可为约5000埃至约8000埃。第1-2子金属图案m1-b可在与位于显示区域da的第二层de-b相同的工序中形成。可在形成第二层de-b的厚度的金属层之后进行附加蚀刻,从而提供为如第1-2子金属图案m1-b这样薄厚度的金属图案。136.以下,参照图4c至图4e,说明第一金属图案m1的制造方法。137.参照图4c,在基板sub上形成缓冲层il1和第一绝缘层il2,并且在第一绝缘层il2上形成信号布线sl。信号布线sl可在与前述的栅电极ge相同的工序中形成。在信号布线sl上形成第二绝缘层il3和第三绝缘层il4。138.在第三绝缘层il4上形成第一金属层l1,第一金属层l1包括在与形成位于显示区域da的源电极se及漏电极de的工序相同的工序中形成的第1-1层l1-1、第1-2层l1-2和第1-3层l1-3。作为一例,第1-1层l1-1、第1-2层l1-2和第1-3层l1-3可通过干式蚀刻工序形成。第1-1层l1-1、第1-2层l1-2和第1-3层l1-3可具有被图案化成第一金属图案m1的形状的形态。139.第1-1层l1-1可在与第一层de-a相同的工序中形成,并且可包括与第一层de-a相同的物质(作为一例是钛)。第1-2层l1-2可在与第二层de-b相同的工序中形成,并且可包括与第二层de-b相同的物质(作为一例是铝)。第1-3层l1-3可在与第三层de-c相同的工序中形成,并且可包括与第三层de-c相同的物质(作为一例是钛)。140.接着,如图4d所示,在基板sub上形成包括第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3的第二金属层l2。第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3可通过蚀刻工序而在显示区域da上形成连接电极ce,并且如图4e所示那样在焊盘部pad可被完全去除。所述蚀刻工序可为干式蚀刻工序。141.此时,如图4e所示,第1-3层l1-3可在去除第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3的工序中同时被去除。图案化工序可为了形成可靠的图案而被设定为过蚀刻,由此可在对包括第一金属的第2-1层l2-1进行蚀刻的同时也对包括相同的第一金属的第1-3层l1-3进行蚀刻。142.然后,在形成位于显示区域da上的第一电极e1的蚀刻工序中,可部分地蚀刻露出于外部的第1-2层l1-2。作为一例,形成第一电极e1的工序可为湿式蚀刻工序。143.由此,如图4a和图4b所示,可形成包括第1-1子金属图案m1-a和第1-2子金属图案m1-b的第一金属图案m1。第1-2子金属图案m1-b可形成为具有比第二层de-b薄的厚度。144.在包括对第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3进行图案化的工序的情况下,因在形成第一电极e1的工序中使用的蚀刻液,在第2-1层l2-1可能会形成尖端(tip)。这种尖端(tip)通过清洗工序等而脱落的同时会变成导电性异物。在导电性异物位于显示区域da的情况下存在可能会引起像素不良的问题,并且在导电性异物位于非显示区域pa的情况下,存在可能会引起信号布线之间的短路不良的问题。但是,一实施例涉及的焊盘部pad完全去除第2-1层l2-1和第2-2层l2-2,因此可防止因尖端引起的不良的产生。145.此外,形成第一电极e1的蚀刻液随着进行蚀刻工序会包括银(ag)离子。这种银(ag)离子可接收从包括铝的第1-2层l1-2产生的电子的传递,从而可能会被还原成银(ag)颗粒形态。如上那样被还原的银(ag)粒子可通过从去除掩模图案的工序至其他构成要素的沉积工序为止的物理或化学清洗工序而从非显示区域pa移动到显示区域da。移动到显示区域da的银(ag)粒子可渗透到发光元件或者渗透到晶体管。由于银(ag)粒子,可能会存在在显示区域da产生暗部的问题。146.但是,一实施例涉及的第一金属图案m1包括非常薄的厚度的第1-2子金属图案m1-b,因此可显著减少会产生的银(ag)粒子的量。147.此外,在一实施例的情况下,位于焊盘部的金属图案的厚度可形成得非常薄,从而有利于与印刷电路基板或数据驱动部的接合。148.以下,参照图5a至图5e,说明一实施例涉及的焊盘部。图5a是一实施例涉及的焊盘部的剖视图,图5b是一实施例涉及的焊盘部的平面图,图5c、图5d和图5e是制造工序涉及的焊盘部的剖视图。具体地,可为沿着图2的a-a′的截面线截取的剖视图,并且可为与印刷电路基板pcb连接的焊盘部pad的截面。但是,并不限于此,可为位于图2的数据驱动部50的下部区域的焊盘部pad的截面。即,位于数据驱动部50的下端部的焊盘部pad可与数据驱动部50及数据线dl电连接。可省略对于与前述的构成要素相同的构成要素的说明,并且可参照在前的附图。149.首先,参照图5a和图5b,一实施例涉及的焊盘部pad可包括位于基板sub上的绝缘层。虽然在本说明书中示出了位于基板sub上的缓冲层il1和第一绝缘层il2,但是并不限于此,可为缓冲层il1和第一绝缘层il2中的至少任一个被省略的形态。150.信号布线sl位于第一绝缘层il2上。信号布线sl可根据实施例向数据驱动部50或扫描驱动部20传递控制信号、传递驱动电压elvdd、或者传递公共电压elvss。151.信号布线sl可在与位于显示区域da的栅电极ge相同的工序中形成。信号布线sl可包括与栅电极ge相同的物质。信号布线sl可为层叠了包括铜(cu)、铜合金、铝(al)、铝合金、钼(mo)、钼合金、钛(ti)和钛合金中的任一种的金属膜的单层膜或多层膜。152.第二绝缘层il3和第三绝缘层il4可位于信号布线sl上。第二绝缘层il3和第三绝缘层il4可为包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物和铪氧化物等这样的无机绝缘物中的至少一种的单层或多层。153.第一金属图案m1可位于第三绝缘层il4上。第一金属图案m1可通过第二绝缘层il3和第三绝缘层il4所具有的开口部而与信号布线sl连接。第一金属图案m1可连接图2中说明的印刷电路基板pcb与信号布线sl。或者,第一金属图案m1可位于数据驱动部50的下端部并且连接传递数据信号的信号布线sl与数据驱动部50。154.第一金属图案m1可在与形成位于显示区域da的源电极se及漏电极de的工序相同的工序中形成。155.第一金属图案m1可包括第1-1子金属图案m1-a。第1-1子金属图案m1-a可与印刷电路基板pcb连接。或者,第1-1子金属图案m1-a可与数据驱动部50连接。156.第1-1子金属图案m1-a可包括与位于显示区域da的第一层de-a相同的物质。第1-1子金属图案m1-a可包括第一金属,作为一例可包括钛。第1-1子金属图案m1-a可在与位于显示区域da的第一层de-a相同的工序中形成。第1-1子金属图案m1-a的厚度可与第一层de-a的厚度实质上相同。157.以下,参照图5c至图5e,说明第一金属图案m1的制造方法。158.参照图5c,在基板sub上形成缓冲层il1和第一绝缘层il2,并且在第一绝缘层il2上形成信号布线sl。在信号布线sl上形成第二绝缘层il3和第三绝缘层il4。159.在第三绝缘层il4上,形成在与形成位于显示区域da的源电极se及漏电极de的工序相同的工序中被形成的第1-1层l1-1、第1-2层l1-2和第1-3层l1-3。第1-1层l1-1、第1-2层l1-2和第1-3层l1-3可具有被图案化成第一金属图案m1的形状的形态。160.第1-1层l1-1可在与第一层de-a相同的工序中形成,并且可包括与第一层de-a相同的物质。第1-2层l1-2可在与第二层de-b相同的工序中形成,并且可包括在与第二层de-b相同的物质。第1-3层l1-3可在与第三层de-c相同的工序中形成,并且可包括与第三层de-c相同的物质。161.接着,如图5d所示,在基板sub上形成包括第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3的第二金属层l2。第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3可通过图案化工序而在显示区域da上形成连接电极ce,并且如图5e所示那样在焊盘部pad可被完全去除。162.此时,如图5e所示,第1-3层l1-3可在去除第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3的工序中同时被去除。图案化工序可为了形成可靠的图案而被设定为过蚀刻,由此可在对第2-1层l2-1进行蚀刻的同时也对包括与第2-1层l2-1相同的物质的第1-3层l1-3进行蚀刻。163.然后,可附加地利用第一蚀刻液来去除图5e所示的第1-2层l1-2,从而形成如图5a和图5b所示那样的第一金属图案m1。164.去除第1-2层l1-2的工序可在形成第一电极e1之前的工序中实施。具体地,可追加仅蚀刻第1-2层l1-2的专用工序。由此,可抑制在第一电极e1的蚀刻工序中产生的银(ag)颗粒。165.若在去除第1-2层l1-2的工序中完全去除第1-2层l1-2,则可防止因在作为后续工序的第一电极e1的形成工序中所使用的第二蚀刻液而产生银粒子的情况。166.以下,参照图6a至图6d,说明一实施例涉及的焊盘部。图6a是一实施例涉及的焊盘部的剖视图,图6b、图6c和图6d分别为制造工序涉及的焊盘部的剖视图。具体地,可为沿着图2的a-a′的截面线截取的剖视图,并且可为与印刷电路基板pcb连接的焊盘部pad的截面。但是,并不限于此,可为位于图2的数据驱动部50的下部区域的焊盘部pad的截面。即,可为与数据驱动部50及数据线dl电连接的焊盘部pad的截面。可省略对于与前述的构成要素相同的构成要素的说明,并且可参照在前的附图。此外,图6a的实施例可适用于在图3b的显示区域da的结构中附加导电层位于连接电极ce与第一电极e1之间的结构,所述附加导电层可具有与连接电极ce、源电极se和漏电极de相同的层叠结构。167.首先,参照图6a,根据一实施例的焊盘部pad可包括位于基板sub上的绝缘层。虽然在本说明书中示出了位于基板sub上的缓冲层il1和第一绝缘层il2,但是并不限于此,可为缓冲层il1和第一绝缘层il2中的至少任一个被省略的形态。168.信号布线sl位于第一绝缘层il2上。信号布线sl可根据实施例向数据驱动部50或扫描驱动部20传递控制信号、传递驱动电压elvdd、或者传递公共电压elvss。169.信号布线sl可在与位于显示区域da的栅电极ge相同的工序中形成。信号布线sl可包括与栅电极ge相同的物质。170.第二绝缘层il3和第三绝缘层il4可位于信号布线sl上。根据实施例,可省略第三绝缘层il4。171.第一金属图案m1可位于第三绝缘层il4上。第一金属图案m1可通过第二绝缘层il3和第三绝缘层il4所具有的开口部而与信号布线sl连接。172.第一金属图案m1可在与形成位于显示区域da的源电极se及漏电极de的工序相同的工序中形成。第一金属图案m1可包括第1-1子金属图案m1-a、第1-2子金属图案m1-b和第1-3子金属图案m1-c。第1-1子金属图案m1-a可包括与位于显示区域da的第一层de-a相同的物质。第1-1子金属图案m1-a可包括第一金属,作为一例可包括钛。第1-1子金属图案m1-a可在与位于显示区域da的第一层de-a相同的工序中形成。第1-2子金属图案m1-b可包括与位于显示区域da的第二层de-b相同的物质。第1-2子金属图案m1-b可包括第二金属,作为一例可包括铝。第1-2子金属图案m1-b可在与位于显示区域da的第二层de-b相同的工序中形成。第1-3子金属图案m1-c可包括第一金属,作为一例可包括钛。第1-3子金属图案m1-c可在与位于显示区域da的第三层de-c相同的工序中形成。173.一实施例涉及的焊盘部pad还可包括位于第一金属图案m1上的第二金属图案m2。第二金属图案m2可包括第2-1子金属图案m2-a和第2-2子金属图案m2-b。第2-2子金属图案m2-b可与前述的印刷电路基板pcb连接。或者,第2-2子金属图案m2-b可与前述的数据驱动部50连接。174.第2-1子金属图案m2-a可在与位于显示区域da的连接电极ce的第四层ce-a相同的工序中形成。第2-1子金属图案m2-a可包括与位于显示区域da的连接电极ce的第四层ce-a相同的物质,作为一例可包括钛。175.第2-2子金属图案m2-b可在与位于显示区域da的连接电极ce的第五层ce-b相同的工序中形成。第2-2子金属图案m2-b可包括与位于显示区域da的连接电极ce的第五层ce-b相同的物质,作为一例可包括铝。176.第2-2子金属图案m2-b的厚度td可小于第五层ce-b的厚度tc。第2-2子金属图案m2-b的厚度td可在约1000埃以下。如前所述,第五层ce-b的厚度tc可为约5000埃至约8000埃。177.图6a所示的第二金属图案m2的制造方法可适用图4a至图4d的第一金属图案m1的制造方法。以下,参照图6b至图6d,说明第一金属图案m1和第二金属图案m2的制造方法。178.如图6b所示,在基板sub上形成缓冲层il1和第一绝缘层il2,并且在第一绝缘层il2上形成信号布线sl。信号布线sl可在与栅电极ge相同的工序中形成。在信号布线sl上形成第二绝缘层il3和第三绝缘层il4。179.在与在第三绝缘层il4上形成位于显示区域da的源电极se及漏电极de的工序相同的工序中,形成第一金属图案m1。180.接着,在第一金属图案m1上形成包括第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3的第二金属层l2。作为一例,第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3可通过干式蚀刻工序形成。第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3可具有被图案化成前述的第二金属图案m2的形状的形态。第2-1层l2-1可包括钛,第2-2层l2-2可包括铝,并且第2-3层l2-3可包括钛。181.接着,如图6c所示,在基板sub上形成包括第3-1层l3-1、第3-2层l3-2和第3-3层l3-3的第三金属层l3。182.然后,如图6d所示,第3-1层l3-1、第3-2层l3-2和第3-3层l3-3可通过蚀刻工序从与非显示区域pa相当的焊盘部pad中完全被去除。所述蚀刻工序可为干式蚀刻工序。此时,可在去除第3-1层l3-1、第3-2层l3-2和第3-3层l3-3的工序中同时去除第2-3层l2-3。图案化工序可为了形成可靠的图案而被设定为过蚀刻,由此可在对包括第一金属的第3-1层l3-1进行蚀刻的同时也对包括相同的第一金属的第2-3层l2-3进行蚀刻。183.然后,在形成位于显示区域da上的第一电极e1的蚀刻工序中,可部分地蚀刻露出于外部的第2-2层l2-2。作为一例,形成第一电极e1的工序可为湿式蚀刻工序。184.由此,可形成图6a所示那样包括第2-1子金属图案m2-a和第2-2子金属图案m2-b的第二金属图案m2。第2-2子金属图案m2-b可形成为具有比通过相同工序形成的显示区域da的连接电极ce的第五层ce-b薄的厚度。185.当包括在非显示区域pa对第3-1层l3-1、第3-2层l3-2和第3-3层l3-3进行图案化的工序的情况下,因在形成第一电极e1的工序中使用的蚀刻液,第3-1层l3-1可能会形成尖端(tip)。这种尖端(tip)通过清洗工序等而脱落的同时会变成导电性异物。在导电性异物位于显示区域da的情况下,存在可能会引起像素不良的问题,并且在导电性异物位于非显示区域pa的情况下,存在可能会引起信号布线之间的短路不良的问题。但是,一实施例涉及的焊盘部pad完全去除了第3-1层l3-1和第3-2层l3-2,因此可防止因尖端引起的不良的产生。186.以下,参照图7,说明一实施例涉及的焊盘部。图7是一实施例涉及的焊盘部的剖视图。187.参照图7,一实施例涉及的焊盘部pad可包括位于基板sub上的绝缘层。虽然在本说明书中示出了位于基板sub上的缓冲层il1和第一绝缘层il2,但是并不限于此,可为缓冲层il1和第一绝缘层il2中的至少任一个被省略的形态。188.信号布线sl位于第一绝缘层il2上。信号布线sl可根据实施例向数据驱动部50或扫描驱动部20传递控制信号、传递驱动电压elvdd、或者传递公共电压elvss。189.信号布线sl可在与位于显示区域da的栅电极ge相同的工序中形成。信号布线sl可包括与栅电极ge相同的物质。190.第二绝缘层il3和第三绝缘层il4可位于信号布线sl上。191.第一金属图案m1可位于第三绝缘层il4上。第一金属图案m1可通过第二绝缘层il3和第三绝缘层il4所具有的开口部而与信号布线sl连接。192.第一金属图案m1可在与形成位于显示区域da的源电极se及漏电极de的工序相同的工序中形成。第一金属图案m1可包括第1-1子金属图案m1-a、第1-2子金属图案m1-b和第1-3子金属图案m1-c。第1-1子金属图案m1-a可包括与位于显示区域da的第一层de-a相同的物质。第1-1子金属图案m1-a可包括第一金属,作为一例可包括钛。第1-1子金属图案m1-a可在与位于显示区域da的第一层de-a相同的工序中形成。第1-2子金属图案m1-b可包括与位于显示区域da的第二层de-b相同的物质。第1-2子金属图案m1-b可包括第二金属,作为一例可包括铝。第1-2子金属图案m1-b可在与位于显示区域da的第二层de-b相同的工序中形成。第1-3子金属图案m1-c可包括第一金属,作为一例可包括钛。第1-3子金属图案m1-c可在与位于显示区域da的第三层de-c相同的工序中形成。193.一实施例涉及的焊盘部pad还可包括位于第一金属图案m1上的第二金属图案m2。第二金属图案m2可包括第2-1子金属图案m2-a。第2-1子金属图案m2-a可与前述的印刷电路基板pcb连接。或者,第2-1子金属图案m2-a可位于数据驱动部50的下端部并且连接传递数据信号的信号布线sl与数据驱动部50。194.第2-1子金属图案m2-a可在与位于显示区域da的连接电极ce的第四层ce-a相同的工序中形成。第2-1子金属图案m2-a可包括与位于显示区域da的连接电极ce的第四层ce-a相同的物质,作为一例可包括钛。第2-1子金属图案m2-a的厚度与第四层ce-a的厚度可实质上相同。195.图7所示的第二金属图案m2的制造方法可适用图6b至图6d的第一金属图案m1的制造方法。以下,参照前述的图6b至图6d,说明第二金属图案m2的制造方法。196.如图6b所示,在基板sub上形成缓冲层il1和第一绝缘层il2,并且在第一绝缘层il2上形成信号布线sl。信号布线sl可在与栅电极ge相同的工序中形成。在信号布线sl上形成第二绝缘层il3和第三绝缘层il4。197.在与在第三绝缘层il4上形成位于显示区域da的源电极se及漏电极de的工序相同的工序中,形成第一金属图案m1。198.接着,在第一金属图案m1上形成包括第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3的第二金属层l2。作为一例,第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3可通过干式蚀刻工序形成。第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3可具有被图案化成前述的第二金属图案m2的形状的形态。第2-1层l2-1可包括钛,第2-2层l2-2可包括铝,并且第2-3层l2-3可包括钛。199.接着,如图6c所示,在基板sub上形成包括第3-1层l3-1、第3-2层l3-2和第3-3层l3-3的第三金属层l3。如图6d所示,第3-1层l3-1、第3-2层l3-2和第3-3层l3-3可在焊盘部pad被完全去除。所述蚀刻工序可为干式蚀刻工序。此时,第2-3层l2-3可在去除第3-1层l3-1、第3-2层l3-2和第3-3层l3-3的工序中同时被去除。图案化工序可为了形成可靠的图案而被设定为过蚀刻,由此可在对包括第一金属的第3-1层l3-1进行蚀刻的同时也对包括相同的第一金属的第2-3层l2-3进行蚀刻。200.然后,可附加地利用第一蚀刻液来去除图6d所示的第2-2层l2-2,从而形成如图7所示那样的第二金属图案m2。201.去除第2-2层l2-2的工序可在形成第一电极e1之前的工序中实施。具体地,可追加仅蚀刻第2-2层l2-2的专用工序。由此,可抑制在第一电极e1的蚀刻工序中产生的银(ag)颗粒的情况。202.若在去除第2-2层l2-2的工序中完全去除第2-2层l2-2,则可防止因在作为后续工序的第一电极e1的形成工序中所使用的第二蚀刻液而产生银粒子的情况。203.以下,参照图8a和图8b,说明比较例涉及的焊盘部。图8a是比较例涉及的焊盘部的剖视图,图8b是比较例涉及的焊盘部的平面图。可省略对于与前述的构成要素相同的构成要素的说明。204.参照图8a和图8b,比较例涉及的焊盘部可包括位于第三绝缘层il4上的第一金属图案m1。第一金属图案m1可在与形成位于显示区域da的源电极se及漏电极de的工序相同的工序中形成。第一金属图案m1可包括第1-1子金属图案m1-a、第1-2子金属图案m1-b和第1-3子金属图案m1-c。第1-1子金属图案m1-a可包括与位于显示区域da的第一层de-a相同的物质。第1-1子金属图案m1-a可包括第一金属,作为一例可包括钛。第1-1子金属图案m1-a可在与位于显示区域da的第一层de-a相同的工序中形成。第1-2子金属图案m1-b可包括与位于显示区域da的第二层de-b相同的物质。第1-2子金属图案m1-b可包括第二金属,作为一例可包括铝。第1-2子金属图案m1-b可在与位于显示区域da的第二层de-b相同的工序中形成。第1-3子金属图案m1-c可包括第一金属,作为一例可包括钛。第1-3子金属图案m1-c可在与位于显示区域da的第三层de-c相同的工序中形成。205.根据一实施例,形成位于第一金属图案m1上的第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3。第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3可使用光敏图案pr来图案化成第二金属图案m2。第二金属图案m2可包括第2-1子金属图案m2-a、第2-2子金属图案m2-b和第2-3子金属图案m2-c。第2-3子金属图案m2-c可与前述的印刷电路基板pcb连接。或者,第2-3子金属图案m2-c可与前述的数据驱动部50连接。206.第2-1子金属图案m2-a可在与位于显示区域da的连接电极ce的第四层ce-a相同的工序中形成。第2-1子金属图案m2-a可包括与位于显示区域da的连接电极ce的第四层ce-a相同的物质,作为一例可包括钛。207.第2-2子金属图案m2-b可在与位于显示区域da的连接电极ce的第五层ce-b相同的工序中形成。第2-2子金属图案m2-b可包括与位于显示区域da的连接电极ce的第五层ce-b相同的物质,作为一例可包括铝。208.第2-3子金属图案m2-c可在与位于显示区域da的连接电极ce的第六层ce-c相同的工序中形成。第2-3子金属图案m2-c可包括与位于显示区域da的连接电极ce的第六层ce-c相同的物质,作为一例可包括钛。209.根据比较例,在包括对第2-1层l2-1、第2-2层l2-2和第2-3层l2-3进行图案化的工序的情况下,因在形成第一电极e1的工序中使用的蚀刻液,在第2-1子金属图案m2-a上可能会形成尖端(tip)。这种尖端(tip)通过清洗工序等而脱落的同时会变成导电性异物。在导电性异物位于显示区域da的情况下,存在可能会引起像素不良的问题,并且在导电性异物位于非显示区域pa的情况下,存在可能会引起信号布线之间的短路不良的问题。210.此外,形成第一电极e1的蚀刻液会随着进行蚀刻工序而包含银(ag)离子。这种银(ag)离子可能会接收从包括铝的第2-2子金属图案m2-b产生的电子的传递,从而被还原成银(ag)颗粒形态。如上所述,被还原的银(ag)粒子可能会通过从去除掩模图案的工序至其他构成要素的沉积工序为止的物理或化学清洗工序而从非显示区域pa移动到显示区域da。移动到显示区域da的银(ag)粒子可渗透到发光元件或者渗透到晶体管。由于银(ag)粒子,可能会存在在显示区域da产生暗部的问题。211.以下,参照图9,观察实施例涉及的截面。图9是根据实施例蚀刻了铝和钛布线的截面图像。212.如图9所示,蚀刻了在与源电极及漏电极相同的工序中形成的第一金属层以及在与连接电极相同的工序中形成的第二金属层,从而确认出可如图4a所示那样形成第1-1子金属图案(包括ti)和薄厚度的第1-2子金属图案(包括al)。213.具体地,在形成约500埃的厚度的下部钛布线、在其上形成约6000埃的厚度(左侧箭头)的铝布线以及在其上形成约300埃的厚度的上部钛布线的实施例中,确认到通过部分地蚀刻可形成约1000埃的厚度(右侧箭头)的薄的铝布线。214.以上,对本发明的实施例进行了详细说明,但是本发明的权利范围并不限于此,本领域技术人员利用权利要求书中定义的本发明的基本概念进行的各种变形以及改良形态也属于本发明的权利范围。当前第1页12当前第1页12
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