苯基三氟甲磺酸酯增强CsPb(Br/Cl)3纳米晶光电性能的方法

技术特征：
1.苯基三氟甲磺酸酯增强cspb(br/cl)3纳米晶光电性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将十八烯、油酸以及碳酸铯放在容器中，在真空环境下，加热脱气干燥，然后在惰性气体氛围下升温，加热搅拌至溶液溶解，得到油酸铯溶液；步骤2：将溴化铅、氯化铅、苯基三氟甲磺酸酯、油酸、油胺倒入到装有十八烯的容器中，在真空环境下，加热脱气干燥，然后在惰性气体氛围下升温，将油酸铯溶液注入，充分反应后将溶液水浴冷却到室温；步骤3：将步骤2中的反应产物离心提纯，将离心后的沉淀物分散到甲苯中，然后继续离心提纯，最后将离心后的沉淀分散到甲苯溶液中，即得到的苯基三氟甲磺酸酯优化后的cspb(br/cl)3纳米晶；步骤4：初步制备基于苯基三氟甲磺酸酯优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led；在紫外光处理的清洁的ito 基底上旋涂pedot: pss，之后进行退火处理；然后将底物转移到充满n2气体的手套箱中，在pedot: pss薄膜上旋涂聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]（poly-tpd），形成pedot:pss/poly-tpd层，之后再进行退火处理，将pedot:pss/poly-tpd层作为空穴注入层和传输层；将步骤3中制备好的苯基三氟甲磺酸酯优化后的cspb(br/cl)3纳米晶溶液旋涂在pedot:pss/poly-tpd层上，作为发光层；步骤5：将步骤4中获得的产物最后转移到真空腔内，通过热蒸发依次沉积1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯（tmpypb）、lif/al层，其中tmpypb层作为电子传输层和电子阻挡层，lif/al层作为顶部电极；由此获得基于苯基三氟甲磺酸酯优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led。2.根据权利要求1所述的苯基三氟甲磺酸酯增强cspb(br/cl)3纳米晶光电性能的方法，其特征在于，在步骤1中所述油酸与十八烯的体积比为1:12。3.根据权利要求1所述的苯基三氟甲磺酸酯增强cspb(br/cl)3纳米晶光电性能的方法，其特征在于，在步骤1和步骤2中，通入的惰性气体为氮气。4.根据权利要求1所述的苯基三氟甲磺酸酯增强cspb(br/cl)3纳米晶光电性能的方法，其特征在于，在步骤2中，十八烯、油酸和油胺的体积比为 10：1：1。5.根据权利要求1所述的苯基三氟甲磺酸酯增强cspb(br/cl)3纳米晶光电性能的方法，其特征在于，在步骤3中，所述离心转速为5000-10000 r/min。6.根据权利要求1所述的苯基三氟甲磺酸酯增强cspb(br/cl)3纳米晶光电性能的方法，其特征在于，在步骤4中，所述旋涂pedot: pss的转速为4000 r/min，旋涂poly-tpd的转速为4000 r/min，纳米晶旋涂在pedot: pss/poly-tpd层上的转速为1000 r/min。7.根据权利要求1所述的苯基三氟甲磺酸酯增强cspb(br/cl)3纳米晶光电性能的方法，其特征在于，在步骤4中，所述pedot: pss的退火处理具体为140℃的温度下退火15min，poly-tpd的退火处理具体为在140℃的温度下退火15min。

技术总结
本发明涉及光电材料领域，为了解决现有的CsPb(Br/Cl)3纳米晶光电性能不佳的问题，公开了苯基三氟甲磺酸酯增强CsPb(Br/Cl)3纳米晶光电性能的方法，包括以下步骤：步骤1：将十八烯、油酸以及碳酸铯放在三颈瓶中，得到油酸铯溶液；步骤2：将溴化铅、氯化铅、苯基三氟甲磺酸酯、油酸、油胺以及十八烯倒入到三颈瓶中，并在高温下注入步骤1中的油酸铯溶液。本发明利用苯基三氟甲磺酸酯处理的CsPb(Br/Cl)3纳米晶的发光强度和薄膜电导率得到提升，且样品形貌尺寸均一，发光色纯度高，光致发光量子效率高，薄膜电导率提升；且本发明提供的方法，操作简单，耗时少。耗时少。耗时少。


技术研发人员：张宇 黄启章 孙思琦 陆敏 白雪
受保护的技术使用者：吉林大学
技术研发日：2022.09.07
技术公布日：2022/11/11