一种EMC电磁兼容实验室用吸波材料结构的制作方法

一种emc电磁兼容实验室用吸波材料结构
技术领域
1.本发明涉及吸波材料技术领域，具体是指一种emc电磁兼容实验室用吸波材料结构。


背景技术：

2.在emc电磁兼容电波暗室应用领域，一般为铁氧体瓦片匹配吸波角锥设计方案，铁氧体瓦片主要吸收1ghz以下波段电磁波信号，1ghz以上吸波角锥起吸波作用，由于铁氧体瓦片匹配吸波角锥的组合方式，如果吸波角锥吸波性能太好，反而不利于铁氧体瓦片的性能发挥；目前市场上的所有吸波角锥在和铁氧体瓦匹配时，吸波角锥都会造成铁氧体瓦性能的损失。


技术实现要素：

3.本发明要解决的技术问题是，针对上述问题，提供一种1ghz以下电磁波可以很好的穿透周期性结构吸波材料，在1ghz以上时电磁波被又能很好的被周期性结构吸波材料吸收的emc电磁兼容实验室用吸波材料结构。
4.为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：一种emc电磁兼容实验室用吸波材料结构，包括底板，所述底板上设有四棱角锥一，所述四棱角锥一底边长为50-200mm，所述四棱角锥一高度为100-500mm，所述四棱角锥一顶端边长为0.1-100mm，所述四棱角锥一表面电阻与体积电阻率为10-50000ω，所述四棱角锥一四个为一组，相邻两个所述四棱角锥一之间的中心距离为250-600mm，所述底板上四个四棱角锥一内侧设有四棱角锥二，所述四棱角锥二的表面电阻与体积电阻率为1ω-绝缘电阻率(或介电常数损耗角正切小于1)与底板相同。
5.作为改进，所述四棱角锥一底端通过凸起块插入底板或者胶粘方式与底板固定，所述底板厚度为0-200mm，所述底板表面电阻与体积电阻率为1mω-绝缘电阻率(或介电常数损耗角正切小于1)。
6.作为改进，所述四棱角锥二底端通过凸起块插入底板或者胶粘方式与底板固定。
7.作为改进，所述底板上四棱角锥一外侧设有挡板，所述挡板的形状为长方体或与四棱角锥一相同尺寸的角锥中的一种，所述挡板的表面电阻与体积电阻率底板相同。
8.作为改进，所述挡板的高度为250-1600mm。
9.作为改进，所述挡板底端通过凸起块插入底板或者胶粘方式与底板固定。
10.本发明与现有技术相比的优点在于：提供一种周期性结构吸波材料，由于是周期性结构吸波材料，当电磁波通过四棱台一和四棱台二和铁氧体瓦即底板时，1ghz以下电磁波可以很好的穿透周期性结构吸波材料，并且在1ghz以上时电磁波被又能很好的被周期性结构吸波材料吸收，所以整个设计对emc电磁兼容电波暗室性能具有很大的提升。
附图说明
11.图1为本发明的俯视图。
12.图2为本发明的底板的结构示意图。
13.图3为本发明的测试曲线图。
14.图4为现有吸波材料的结构示意图。
15.图5为实验室外墙的结构示意图。
16.附图标记：1、底板，2、四棱角锥一，3、四棱角锥二，4、挡板。
具体实施方式
17.下面结合附图对本发明做进一步的详细说明。
18.结合附图1-2，所述底板1上设有四棱角锥一2，所述四棱角锥一2底边长为50-200mm，所述四棱角锥一2高度为100-500mm，所述四棱角锥一2顶端边长为0.1-100mm，所述四棱角锥一2表面电阻与体积电阻率为10-50000ω，所述四棱角锥一2底端通过凸起块插入底板1或者胶粘方式与底板1固定，所述底板1厚度为0-200mm，所述底板1表面电阻与体积电阻率为1mω-绝缘电阻率(或介电常数损耗角正切小于1)，所述四棱角锥一2四个为一组，相邻两个所述四棱角锥一2之间的中心距离为250-600mm，所述底板1上四个四棱台一2内侧设有四棱角锥二3，所述四棱角锥二3的尺寸小于四棱角锥一2或与四棱角锥一2尺寸一致，所述四棱角锥二3的表面电阻与体积电阻率为1ω-绝缘电阻率(或介电常数损耗角正切小于1)与底板1相同，所述底板1上四棱角锥一2外侧设有挡板4，所述底板1上四棱角锥一2外侧设有挡板4或为与四棱角锥一2相同尺寸的角锥为挡板，其所述外侧设有挡板4或为与四棱角锥一2相同尺寸的角锥，其表面电阻与体积电阻率为1ω-绝缘电阻率(或介电常数损耗角正切小于1)与底板1相同。
19.通过四棱角锥一2四个为一组，其所设定的电阻率，且底板与挡板为高电阻材料，四棱角锥一2四个为一组形成周期性结构吸波材料，由于是周期性结构吸波材料，当电磁波通过四棱角锥一2和四棱角锥二3和铁氧体瓦即底板时，1ghz以下电磁波可以很好的穿透周期性结构吸波材料，并且在1ghz以上时电磁波被又能很好的被周期性结构吸波材料吸收，所以整个设计对emc电磁兼容电波暗室性能具有很大的提升。
20.实施例一
21.四棱角锥一的底边长100mm，高度240mm，顶端边长10mm，四棱角锥一底面至铁氧体表面距离为0mm，四棱角锥一的电阻为500ω，四棱角锥之间的间距为300mm。
22.实施例二
23.四棱角锥一的底边长100mm，高度240mm，顶端边长10mm，四棱角锥一底面至铁氧体表面距离为25mm，四棱角锥一的电阻为500ω，四棱角锥之间的间距为300mm。
24.实施例三
25.四棱角锥一的底边长100mm，高度240mm，顶端边长10mm，四棱角锥一底面至铁氧体表面距离为45mm，四棱角锥一的电阻为500ω，四棱角锥之间的间距为300mm。
26.实施例四
27.四棱角锥一的底边长100mm，高度240mm，顶端边长10mm，四棱角锥一底面至铁氧体表面距离为200mm，四棱角锥一的电阻为500ω，四棱角锥之间的间距为300mm。
28.实施例五
29.四棱角锥一的底边长100mm，高度240mm，顶端边长30mm，四棱角锥一底面至铁氧体表面距离为0mm，四棱角锥一的电阻为500ω，四棱角锥之间的间距为300mm。
30.实施例六
31.四棱角锥一的底边长100mm，高度240mm，顶端边长30mm，四棱角锥一底面至铁氧体表面距离为25mm，四棱角锥一的电阻为500ω，四棱角锥之间的间距为300mm。
32.实施例七
33.四棱角锥一的底边长100mm，高度240mm，顶端边长30mm，四棱角锥一底面至铁氧体表面距离为45mm，四棱角锥一的电阻为500ω，四棱角锥之间的间距为300mm。
34.实施例八
35.四棱角锥一的底边长100mm，高度240mm，顶端边长30mm，四棱角锥一底面至铁氧体表面距离为200mm，四棱角锥一的电阻为500ω，四棱角锥之间的间距为300mm。
[0036][0037]
市面常规3款不同高度的吸波材料性能表
[0038][0039][0040]
实施例一-实施例八与常见吸波材料参数对照表
[0041]
可见，传统emc暗室采用的吸波材料为角锥与角锥之间是紧密挨在一起，整块吸波材料电阻为100kω至1mω之间，此电阻范围可以让电磁波穿透吸波材料达到背后的铁氧体瓦，但同时也会造成部分频段的性能降低。
[0042]
本发明及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结
构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。