固化性热熔有机硅组合物、其固化物、以及包含所述组合物或固化物的层叠体的制作方法

技术特征：
1.一种固化性有机硅组合物，其特征在于，所述固化性有机硅组合物含有：100质量份的(a)以20∶80～90∶10的质量比包含下述的(a1)成分和(a2)成分的聚有机硅氧烷树脂：(a1)分子内具有包含碳-碳双键的固化反应性官能团，并且，含有全部硅氧烷单元的至少20摩尔％以上的sio
4/2
所示的硅氧烷单元，其单独不具有热熔性的、在25℃下为固体的聚有机硅氧烷树脂；(a2)分子内不具有包含碳-碳双键的固化反应性官能团，并且，含有全部硅氧烷单元的至少20摩尔％以上的sio
4/2
所示的硅氧烷单元，其单独不具有热熔性的、在25℃下为固体的聚有机硅氧烷树脂；10～100质量份的(b)分子内具有至少两个包含碳-碳双键的固化反应性官能团，在25℃下为液态或具有可塑性的直链状或支链状的聚有机硅氧烷；组合物整体所含的与硅原子键合的氢原子的量相对于每一个与硅原子键合的烯基的数量成为0.5～20.0个的量的(c)一个分子中具有至少两个硅键合氢原子的有机氢聚硅氧烷；以及使本组合物固化所需的充分的量的(d)若不照射高能量射线则不显示活性，通过照射高能量射线而在组合物中显示活性的氢化硅烷化反应用催化剂，所述固化性有机硅组合物作为组合物整体具有热熔性。2.根据权利要求1所述的固化性有机硅组合物，其特征在于，所述固化性有机硅组合物还含有基于组合物的总质量为1～5000ppm的、在大气压下沸点为200℃以上的氢化硅烷化反应用固化延迟剂作为(e)成分。3.根据权利要求1或2所述的固化性有机硅组合物，其特征在于，将所述成分(a)在200℃下暴露1小时时的质量减少率为2.0质量％以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的固化性有机硅组合物，其中，所述成分(a1)为(a1-1)下述平均单元式所示的、其单独不具有热熔性的聚有机硅氧烷树脂：(r
13
sio
1/2
)
a
(r
12
sio
2/2
)
b
(r1sio
3/2
)
c
(sio
4/2
)
d
(r2o
1/2)e
式中，各r1独立地为具有1～10个碳原子的一价烃基，其中一个分子中的全部r1中的1～12摩尔％为烯基；各r2为氢原子或具有1～10个碳原子的烷基；a、b、c、d以及e为满足以下的数：0.10≤a≤0.60、0≤b≤0.70、0≤c≤0.80、0≤d≤0.65、0≤e≤0.05，其中，c d>0.20，并且a b c d＝1，所述成分(a2)为(a2-1)下述平均单元式所示的、其单独不具有热熔性的聚有机硅氧烷树脂：(r
33
sio
1/2
)
f
(r
32
sio
2/2
)
g
(r3sio
3/2
)
h
(sio
4/2
)
i
(r2o
1/2
)
j
式中，各r3独立地为具有1～10个碳原子，不含碳-碳双键的一价烃基；r2为氢原子或具有1～10个碳原子的烷基；f、g、h、i以及j为满足以下的数：0.35≤f≤0.55、0≤g≤0.20、0≤h≤0.20、0.45≤i≤0.65、0≤j≤0.05并且f g h i＝1，所述成分(b)为(b1)下述结构式所示的直链状聚二有机硅氧烷：r
43
sio(sir
42
o)
k
sir
43
式中，各r4独立地为具有1～10个碳原子的一价烃基，其中一个分子中的r4的至少两个
为烯基，k为20～5000的数。5.一种固化性有机硅组合物的片或膜，所述固化性有机硅组合物为如权利要求1～4中任一项所述的固化性有机硅组合物，所述固化性有机硅组合物的片或膜是在50～150℃的温度范围内进行真空下熔融混炼，进而成型为片或膜状的。6.根据权利要求5所述的固化性有机硅组合物的片或膜，其中，所述固化性有机硅组合物的片或膜的厚度在10～1000μm之间。7.一种片或膜状粘接剂，所述片或膜状粘接剂由如权利要求5或6所述的固化性有机硅组合物的片或膜构成。8.一种片或膜状密封剂，所述片或膜状密封剂由如权利要求5或6所述的固化性有机硅组合物的片或膜构成。9.一种剥离性层叠体，所述剥离性层叠体具有：如权利要求5或6所述的固化性有机硅组合物的片或膜；以及片或膜状基材，粘贴于所述固化性有机硅组合物的片或膜的单面或双面，具备与所述固化性有机硅组合物的片或膜对置的剥离面，固化性有机硅组合物的片或膜能从具备剥离面的片或膜状基材剥离。10.一种层叠体，所述层叠体具有：电子零件或作为该电子零件前体的基材；以及固化性有机硅组合物层，由如权利要求5或6所述的固化性有机硅组合物的片或膜的至少一个面密合于所述基材的表面的一部分或全部而形成，并且所述固化性有机硅组合物处于未固化的状态。11.一种固化产物，所述固化产物是由对如权利要求1～4中任一项所述的固化性有机硅组合物照射高能量射线后，使其固化而成的。12.一种如权利要求10所述的层叠体的制造方法，其特征在于，通过选自真空层压机、真空压制、以及压缩成型中的一种以上的方法，使未固化的固化性有机硅组合物的片或膜的至少一个面与电子零件或作为该电子零件前体的基材的一部分或全部密合。13.一种层叠体的制造方法，所述层叠体包含固化的有机硅组合物层，所述层叠体的制造方法包括如下工序：对如权利要求10所述的层叠体照射高能量射线后，在室温下或通过加热，使未固化的固化性有机硅组合物固化。14.一种层叠体的制造方法，所述层叠体包含固化的有机硅组合物层，所述层叠体的制造方法包括如下工序：对如权利要求5～8中任一项所述的固化性有机硅组合物的片或膜照射高能量射线后，通过选自真空层压机、真空压制、以及压缩成型中的一种以上的方法，使未固化的固化性有机硅组合物的片或膜的至少一个面与电子零件或作为该电子零件前体的基材的一部分或全部密合，并且，一边在室温下或通过加热使有机硅组合物的膜或片固化，一边形成层叠体。

技术总结
本发明提供一种能进行100℃以下的低温固化，且保存稳定性优异，并且通过固化形成比较硬的、表面粘性少的固化物的热熔性的固化性有机硅组合物、以及由此而成的片或膜。本发明的固化性热熔有机硅组合物含有：(A)以0∶100～90∶10的质量比包含下述(A1)和(A2)的固体的聚有机硅氧烷树脂，(A1)为具有固化反应性官能团，包含20摩尔％以上Q单元的聚有机硅氧烷树脂，(A2)为不具有固化反应性官能团，包含20摩尔％以上Q单元的聚有机硅氧烷树脂；10～100质量份(B)具有固化反应性官能团的液态的或具有可塑性的直链状或支链状的聚有机硅氧烷；(C)有机氢聚硅氧烷；以及(D)光活性型的氢化硅烷化反应催化剂，所述固化性热熔有机硅组合物作为组合物整体具有热熔性。合物整体具有热熔性。


技术研发人员：山崎亮介 山本真一 尾崎弘一 今泉彻
受保护的技术使用者：陶氏东丽株式会社
技术研发日：2021.03.26
技术公布日：2022/11/11