一种底部填充胶及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种底部填充胶，其特征在于，包括环氧树脂、固化剂、填料、硅烷偶联剂和笼型倍半硅氧烷，所述笼型倍半硅氧烷结构通式为[r
(y-1)/y r”1/y
(sio
3/2
)]
y
，其中，为y为6、8、10或12，r选自h、c1-18烷基、苯基、乙烯基、环己基、异丁基、叔丁基、-(ch2)
n
nh2、-(ch2)
n
cooh、-(ch2)
n
nh(ch2)
m
ch3、-(ch2)
n
oh、oh、oh、中的一种或多种，r”取自-(ch2)
n
nh2、-(ch2)
n
cooh、-(ch2)
n
nh(ch2)
m
ch3、-(ch2)
n
oh、oh、中一种，m、n为0-18的整数，1≤x≤4，x为整数。2.如权利要求1所述的底部填充胶，其特征在于，y＝8，所述笼型倍半硅氧烷的结构式如下所示：3.如权利要求1所述的底部填充胶，其特征在于，所述笼型倍半硅氧烷选自反式环己二醇异丁基化笼型倍半硅氧烷、丙烯异丁醇化笼形倍半硅氧烷、1,2-丙二醇异丁基化笼形倍
半硅氧烷、氨基化笼形倍半硅氧烷、氨丙基异辛基化笼形倍半硅氧烷、氨乙基氨基丙基异丁基化笼形倍半硅氧烷、n-甲基氨基丙基异丁基化笼形倍半硅氧烷、马来酸异丁酯化笼形倍半硅氧烷、环氧环己基异丁基化笼形倍半硅氧烷、缩水甘油异丁酯化笼形倍半硅氧烷、缩水甘油化笼形倍半硅氧烷、甲基丙烯酸化笼形倍半硅氧烷、丙烯化笼形倍半硅氧烷、正辛烷化笼形倍半硅氧烷、八羟基丁基化笼形倍半硅氧烷、n-苯基氨基丙基化笼形倍半硅氧烷和八缩水甘油二甲基硅基化笼形倍半硅氧烷中的一种或多种。4.如权利要求3所述的底部填充胶，其特征在于，所述笼型倍半硅氧烷选自丙烯异丁醇化笼形倍半硅氧烷、γ-缩水甘油醚笼型倍半硅氧烷、反式环己二醇异丁基化笼形倍半硅氧烷、甲基丙烯酸化笼形倍半硅氧烷、氨基化笼形倍半硅氧烷、氨基乙基氨基丙基异丁基笼形倍半硅氧烷、氨基丙基磺辛基笼形倍半硅氧烷、n-甲基氨基丙基异丁基化笼形倍半硅氧烷、n-苯基氨基丙基化笼形倍半硅氧烷、环氧环己基异丁基笼形倍半硅氧烷、环氧环己基笼形倍半硅氧烷和马来酸异丁酯化笼形倍半硅氧烷中的一种或多种。5.如权利要求1所述的底部填充胶，其特征在于，所述环氧树脂选自液态双酚型环氧树脂、液态氨基酚型环氧树脂、有机硅改性环氧树脂和萘型环氧树脂中的一种或多种；所述固化剂选自芳香胺类固化剂；所述填料为球形二氧化硅；所述硅烷偶联剂选自环氧系、氨基系、乙烯基系、甲基丙烯酸系、丙烯酸系和巯基系硅烷偶联剂中的一种或多种。6.如权利要求1所述的底部填充胶，其特征在于，所述硅烷偶联剂的质量占所述环氧树脂和所述固化剂总质量的0.1-3％，所述笼型倍半硅氧烷的质量占所述环氧树脂和所述固化剂总质量的0.1-1.5％，所述填料的质量占所述底部填充胶总质量的45-70％。7.一种底部填充胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：先将环氧树脂、硅烷偶联剂、笼型倍半硅氧烷和填料混合，最后加入固化剂进行混合即得所述底部填充胶，所述笼型倍半硅氧烷结构通式为[r
(y-1)/y r”1/y
(sio
3/2
)]
y
，其中，n为6、8、10或12，r选自h、c1-18烷基、苯基、乙烯基、环己基、异丁基、叔丁基、-(ch2)
n
nh2、-(ch2)
n
cooh、-(ch2)
n
nh(ch2)
m
ch3、-(ch2)
n
oh、oh、oh、中的一种或多种，r”选自-(ch2)
n
nh2、-(ch2)
n
cooh、-(ch2)
n
nh(ch2)
m
ch3、-(ch2)
n
oh、
中的一种，m、n为0-18的整数，1≤x≤4，x为整数。8.如权利要求7所述的底部填充胶的制备方法，其特征在于，y＝8，所述笼型倍半硅氧烷的结构式如下所示：9.如权利要求7所述的底部填充胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1：将所述环氧树脂、所述硅烷偶联剂和所述笼型倍半硅氧烷混合均匀，在1500rpm或2000rpm下搅拌2min；s2：将所述填料分三次加入s1形成的混合料中，每批次加入所述填料后在1500rpm或2000rpm下搅拌2min；s3：将所述固化剂加入s2形成的混合料中，并在1500rpm或2000rpm下搅拌2min，即得所述底部填充胶。

技术总结
本发明属于胶黏剂技术领域，提供了一种底部填充胶及其制备方法。该底部填充胶包括环氧树脂、固化剂、填料、硅烷偶联剂和笼型倍半硅氧烷。本发明通过在配方中添加笼型倍半硅氧烷化合物提高底部填充胶的内聚力，使底部填充胶各组分在固化过程中能够很好地结合，达成抑制底部填充胶溢胶的目的，同时这种底部填充胶能够保持其良好的流动填充性能和力学性能，将这种底部填充胶应用在Flip chip封装体中能够通过MSL4级Precon老化，并且在PCT老化之后没有出现开裂分层等可靠性问题。现开裂分层等可靠性问题。现开裂分层等可靠性问题。


技术研发人员：杨媛媛 李刚 朱朋莉 朱彩萍 陈静 张振安 孙蓉
受保护的技术使用者：深圳先进电子材料国际创新研究院
技术研发日：2022.08.22
技术公布日：2022/11/11