光学构件及包含其的光学显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种光学构件，其包括：基膜；和透光控制层，所述透光控制层堆叠在所述基膜的下表面上，其中所述透光控制层包含染料或染料混合物，所述染料或染料混合物包括选自具有约540nm至约630nm的最大吸收波长的第一染料、具有约390nm至约470nm的最大吸收波长的第二染料、具有约480nm至约530nm的最大吸收波长的第三染料和具有约640nm至约760nm的最大吸收波长的第四染料中的至少一种；以及具有5mgkoh/g或更小的羟值(oh值)的树脂。2.根据权利要求1所述的光学构件，其中包含所述基膜并堆叠在所述透光控制层的上表面上的层压体具有约5％或更小的反射率。3.根据权利要求2所述的光学构件，其中所述层压体包含所述基膜和选自堆叠在所述基膜的上表面上的低折射率层、高折射率层和硬涂层中的至少一种。4.根据权利要求1所述的光学构件，其中所述具有5mgkoh/g或更小的羟值的树脂包含不含对热和/或光具有反应性的官能团的树脂。5.根据权利要求4所述的光学构件，其中所述具有5mgkoh/g或更小的羟值的树脂包含不含选自环氧基、羟基和羧酸基中的至少一种的树脂。6.根据权利要求1所述的光学构件，其中所述具有5mgkoh/g或更小的羟值的树脂包含单体混合物的聚合物，所述单体混合物包含选自含未取代c1至c
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烷基的(甲基)丙烯酸酯、含氰基(-c≡n)的(甲基)丙烯酸或乙烯基单体、含未取代c5至c
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环烷基的(甲基)丙烯酸酯、未取代的芳族乙烯基单体以及含未取代c1至c
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烷基的芳族乙烯基单体中的至少一种。7.根据权利要求1所述的光学构件，其中所述具有5mgkoh/g或更小的羟值的树脂包含选自基于聚(甲基)丙烯酸的树脂、基于聚苯乙烯的树脂、基于苯乙烯-丙烯腈的树脂、基于(甲基)丙烯酸甲酯-苯乙烯-(甲基)丙烯腈的树脂和基于聚亚芳基的树脂中的至少一种。8.根据权利要求1所述的光学构件，其中所述具有5mgkoh/g或更小的羟值的树脂包含选自基于聚碳酸酯的树脂、基于聚氨酯的树脂和基于聚偏氟乙烯的树脂中的至少一种。9.根据权利要求1所述的光学构件，其中所述透光控制层包含所述第一染料。10.根据权利要求9所述的光学构件，其中所述第一染料包含卟啉类染料。11.根据权利要求9所述的光学构件，其中相对于100重量份的所述具有5mgkoh/g或更小的羟值的树脂，所述第一染料以约0.0001重量份至约10重量份的量存在。12.根据权利要求9所述的光学构件，其中所述透光控制层还包含选自所述第二染料、所述第三染料和所述第四染料中的至少一种。13.根据权利要求12所述的光学构件，其中所述第二染料是部花青类染料，所述第三染料是硼二吡咯亚甲基类染料以及所述第四染料是酞菁类染料。14.根据权利要求12所述的光学构件，其中相对于100重量份的所述具有5mgkoh/g或更小的羟值的树脂，所述透光控制层还包含约0重量份至约10重量份的所述第二染料，约0重量份至约10重量份的所述第三染料以及约0重量份至约10重量份的所述第四染料。15.根据权利要求1所述的光学构件，其中所述透光控制层还包含光稳定剂。16.根据权利要求1所述的光学构件，其中所述光学构件具有由等式1计算的5％或更小的光透射率变化，以及由等式2计算的1％或更小的反射率变化：[等式1]光透射率变化＝(光透射率变化绝对值的总和)/(透光控制层中包含染料的数量)，
在等式1中所述光透射率变化绝对值的总和是指在所述透光控制层中包含的所述染料在最大吸收波长处由等式1-1表示的值的总和：[等式1-1]|t1-t0|(在等式1-1中t0是所述光学构件在染料的最大吸收波长处的初始光透射率(单位：％)，并且t1是所述光学构件在耐光可靠性的评价后在染料的最大吸收波长处的光透射率(单位：％))，[等式2]反射率变化＝|r1-r0|，(在等式2中r0是所述光学构件的初始反射率(单位：％)，并且r1是在耐光可靠性的评价后所述光学构件的反射率(单位：％))。17.一种光学显示装置，其包括根据权利要求1-16的任一项的所述光学构件。18.根据权利要求17所述的光学显示装置，其进一步包含：量子点层和含光散射粒子的层，或在所述光学构件的下表面上含量子点和光散射粒子的面板。

技术总结
提供了一种光学构件及包含其的光学显示装置，该光学构件包含：基膜；以及堆叠在基膜的下表面上的透光控制层，其中该透光控制层包含：染料或染料混合物，该染料或染料混合物包括具有约540nm至约630nm的最大吸收波长的第一染料、具有约390nm至约470nm的最大吸收波长的第二染料、具有约480nm至约530nm的最大吸收波长的第三染料和具有约640nm至约760nm的最大吸收波长的第四染料中的至少一种；以及具有5mgKOH/g或更小的羟值的树脂。5mgKOH/g或更小的羟值的树脂。


技术研发人员：崔成学 韩在善
受保护的技术使用者：三星SDI株式会社
技术研发日：2021.03.26
技术公布日：2022/11/11