一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法与流程

技术特征：
1.一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，其特征在于，包括：获取所述工艺腔的污染程度；当所述工艺腔的污染程度满足轻度污染程度时，在第一工艺条件下，向所述工艺腔内通入第一工艺气体，利用第一工艺气体对所述工艺腔进行清洗；当所述工艺腔的污染程度满足重度污染程度时，在第二工艺条件下，向所述工艺腔内通入第二工艺气体，利用第二工艺气体对所述工艺腔进行清洗。2.根据权利要求1所述的一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，其特征在于，在所述获取所述工艺腔的污染程度前，所述等离子体掺杂工艺腔的清洁方法还包括：提供具有测试晶圆的工艺腔。3.根据权利要求1所述的一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，其特征在于，所述工艺腔的污染程度由所述工艺腔内的污染粒子数量决定；当所述工艺腔内的污染粒子数量小于或等于预设值时，所述工艺腔的污染程度为轻度污染程度；当所述工艺腔内的污染粒子数量大于预设值时，所述工艺腔的污染程度为重度污染程度。4.根据权利要求1所述的一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，其特征在于，所述当所述工艺腔的污染程度满足轻度污染程度时，在第一工艺条件下，向所述工艺腔内通入第一工艺气体，利用第一工艺气体对所述工艺腔进行清洗包括：当所述工艺腔的污染程度满足轻度污染程度时，在第一工艺条件下，向所述工艺腔内通入第一工艺气体；在所述工艺腔内，对所述第一工艺气体进行等离子体处理，得到第一等离子体气体；利用所述第一等离子体气体对所述工艺腔进行清洗。5.根据权利要求1或4任一项所述的一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，其特征在于，所述第一工艺气体为氧气；和/或，所述第一工艺条件包括：所述第一工艺气体的流速为500sccm～3000sccm；或，所述工艺腔内的压力为200mt～1000mt；或，所述等离子体射频功率为50w～150w；或，所述工艺腔内的电压为1kev～5kev；或，所述工艺腔的清洗时间为100sec～200sec。6.根据权利要求1所述的一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，其特征在于，在所述当所述工艺腔的污染程度满足重度污染程度时，在第二工艺条件下，向所述工艺腔内通入第二工艺气体，利用第二工艺气体对所述工艺腔进行清洗包括：当所述工艺腔的污染程度满足重度污染程度时，在第二工艺条件下，向所述工艺腔内通入第二工艺气体；在所述工艺腔内，对所述第二工艺气体进行等离子体处理，得到第二等离子体气体；利用所述第二等离子体气体对所述工艺腔进行清洗。7.根据权利要求1或6任一项所述的一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，其特征在于，所述第二工艺气体为氧气和四氟化碳气体的混合气体。8.根据权利要求7所述的一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，所述第二工艺条件包
括：所述氧气的流速为500sccm～3000sccm；所述四氟化碳气体的流速为5sccm～100sccm；或，所述工艺腔内的压力为200mt～1000mt；或，所述等离子体射频功率为50w～150w；或，所述工艺腔内的电压为1kev～5kev；或，所述工艺腔的清洗时间为200sec～400sec。9.根据权利要求1或6任一项所述的一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，其特征在于，在所述利用第二工艺气体对所述工艺腔进行清洗后，所述等离子体掺杂工艺腔的清洁方法还包括：在第三工艺条件下，向所述工艺腔内通入氧气；在所述工艺腔内，对所述氧气进行等离子体处理，得到所述氧气的等离子体；利用所述氧气的等离子体对所述工艺腔进行清洗。10.根据权利要求1所述的等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，其特征在于，所述第三工艺条件包括：所述氧气的流速为500sccm～3000sccm；或，所述工艺腔内的压力为200mt～1000mt；或，所述等离子体射频功率为50w～150w；或，所述工艺腔内的电压为1kev～5kev；或，所述工艺腔的清洗时间为100sec～200sec。

技术总结
本发明公开一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，涉及半导体制造技术领域，以解决湿法清洗需要打开工艺腔，造成工艺时间增加，效率降低的问题。一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，该等离子体掺杂工艺腔的清洁方法包括：获取所述工艺腔的污染程度。当所述工艺腔的污染程度满足轻度污染程度时，在第一工艺条件下，向所述工艺腔内通入第一工艺气体，利用第一工艺气体对所述工艺腔进行清洗。当所述工艺腔的污染程度满足重度污染程度时，在第二工艺条件下，向所述工艺腔内通入第二工艺气体，利用第二工艺气体对所述工艺腔进行清洗。本发明提供的等离子体掺杂工艺腔的清洁方法用于清洗等离子体掺杂工艺腔。离子体掺杂工艺腔。


技术研发人员：李龙范 刘金彪 刘青 王垚 杨涛 李俊峰
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2021.05.10
技术公布日：2022/11/10