一种适用于多晶硅还原炉的变压器组及多晶硅还原炉的制作方法

1.本实用新型涉及多晶硅技术领域，特别涉及一种适用于多晶硅还原炉的变压器组及多晶硅还原炉。


背景技术：

2.目前，多晶硅还原炉通常需要连接三相变压器，以便于实现多晶硅还原炉在不同情况下运行。通常需要三相变压器在正常状态或缺相状态运行。
3.在现有技术中，多晶硅还原炉当需要超过6组低压绕组进行供电时，例如需要9组低压绕组进行供电，在一些应用中采用轴向三分裂变压器，由于轴向三分裂变压器中，在磁芯的一个柱上具有三个以上的绕组，其磁芯的柱中间绕组出线较为困难，从而导致轴向磁芯之间间隔距离较宽，在方便中间绕组出线时会增加变压器组整体的占地面积且难以搬运，并且会导致同柱上的3相绕组热点温度极其不均的情况。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是提供一种适用于多晶硅还原炉的变压器组及多晶硅还原炉，其能够有效解决变压器组搬运难及热点温度不平衡的问题。
5.为了达到上述目的，本实用新型的技术方案有：
6.一种适用于多晶硅还原炉的变压器组，包括：
7.三台单相变压器，三台所述单相变压器之间角接；
8.其中，所述单相变压器包括：
9.环形磁芯，所述环形磁芯具有第一芯柱和第二芯柱；
10.第一低压绕组和第一高压绕组，所述第一高压绕组和第一低压绕组对位绕制在第一芯柱上；
11.第二低压绕组和第二高压绕组，所述第二高压绕组和第二低压绕组对位绕制在第二芯柱上；
12.第三低压绕组和第三高压绕组，所述第三低压绕组和第三高压绕组均分成两个部分，且其分别对应绕制在第一芯柱和第二芯柱的上端位置，且第三低压绕组的两个部分与第三高压绕组的两个部分分别对位绕制在第一芯柱和第二芯柱上；
13.其中，所述第一高压绕组与第二高压绕组并联连接；
14.所述第三低压绕组的两个部分包括第一线匝部分和第二线匝部分，所述第一线匝部分与第二线匝部分并联连接；
15.所述第三高压绕组的两个部分包括第三线匝部分和第四线匝部分，所述第三线匝部分与第四线匝部分串联连接，且所述第三高压绕组与第一高压绕组和第二高压绕组并联连接。
16.与现有技术相比，本实用新型的一种适用于多晶硅还原炉的变压器组，包括三台单相变压器，三台所述单相变压器之间角接，通过将第三低压绕组和第三高压绕组分别分
成两部分接入到环形磁芯的两柱上，从而改变第三低压绕组的出线方式，这样环形磁芯同一柱的两绕组均能够从上下出线，从而避免绕组在磁芯的中部出线，从而缩减的单相变压器的整体结高度，节省安装就位空间，解决由于变压器过高引起的机械强度差的问题，也可减少同柱三相热点分布不均匀的情况。另外，变压器组拆分成三台单相变压器，从而方便运输，且能够根据实际而调整单相变压器的设置方位，合理利用安装空间。
17.作为本实用新型的另一种优选方案，一种多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉应用如上述的变压器组。
18.进一步的，所述多晶硅还原炉包括：
19.还原炉本体；
20.多个调功柜；
21.其中，所述第一低压绕组、第二低压绕组和第三低压绕组分别连接一个所述调功柜，且均通过对应的调功柜连接还原炉本体。
22.进一步的，所述多晶硅还原炉包括：高压进线柜，所述单相变压器通过所述高压进线柜与高压进线电缆连接。
23.为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本实用新型。
附图说明
24.图1是本实施例中的变压器组的安装结构示意图；
25.图2是本实施例中的变压器组中的一个单相变压器的绕组设置结构示意图；
具体实施方式
26.为了更好地阐述本实用新型，下面参照附图对本实用新型作进一步的详细描述。
27.应当明确，所描述的实施例仅仅是本技术实施例一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术实施例中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术实施例保护的范围。
28.在本技术实施例使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术实施例。在本技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
29.下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
30.此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
31.作为本实施例中的一个示例性的例子，如图1和图2所示，一种适用于多晶硅还原
炉的变压器组，包括：
32.三台单相变压器100，三台所述单相变压器100之间角接；
33.其中，所述单相变压器100包括：
34.环形磁芯t，所述环形磁芯t具有第一芯柱t1和第二芯柱t2；
35.第一低压绕组xl1和第一高压绕组xh1，所述第一高压绕组xh1和第一低压绕组xl1对位绕制在第一芯柱t1上；
36.第二低压绕组xl2和第二高压绕组xh2，所述第二高压绕组xh2和第二低压绕组xl2对位绕制在第二芯柱t2上；
37.第三低压绕组xl3和第三高压绕组xh3，所述第三低压绕组xl3和第三高压绕组xh3均分成两个部分，且其分别对应绕制在第一芯柱t1和第二芯柱t2的上端位置，且第三低压绕组xl3的两个部分与第三高压绕组xh3的两个部分分别对位绕制在第一芯柱t1和第二芯柱t2上；
38.其中，所述第一高压绕组xh1与第二高压绕组xh2并联连接；
39.所述第三低压绕组xl3的两个部分包括第一线匝部分xl31和第二线匝部分xl32，所述第一线匝部分xl31与第二线匝部分xl32并联连接；
40.所述第三高压绕组xh3的两个部分包括第三线匝部分xh31和第四线匝部分xh32，所述第三线匝部分xh31与第四线匝部分xh32串联连接，且所述第三高压绕组xh3与第一高压绕组xh1和第二高压绕组xh2并联连接。
41.本实施例中的一种适用于多晶硅还原炉的变压器组，包括三台单相变压器100，三台所述单相变压器100之间角接，通过将第三低压绕组xl3和第三高压绕组xh3分别分成两部分接入到环形磁芯t的两柱上，从而改变第三低压绕组xl3的出线方式，这样环形磁芯t同一柱的两绕组均能够从上下出线，从而避免绕组在磁芯的中部出线，从而缩减的单相变压器100的整体结高度，节省安装就位空间，解决由于变压器过高引起的机械强度差的问题，也可减少同柱三相热点分布不均匀的情况。另外，变压器组拆分成三台单相变压器100，从而方便运输，且能够根据实际而调整单相变压器100的设置方位，合理利用安装空间。
42.其中，在本实施例中，将第三低压绕组xl3和第三高压绕组xh3分别分成两个部分绕制在环形磁芯t的第一芯柱t1和第二芯柱t2上，有关对第三低压绕组xl3和第三高压绕组xh3的设置结构的其他表述形式，也与本实施例中等同。
43.另外，需要说明的是，本实施例中所指的热点为绕组温度，本实施例中采用环形磁芯，相对于现有技术中采用e型磁芯，能够减少绕制在磁芯上的绕组数量，例如，本实施例中的环形磁芯仅设置第一低压绕组xl1、第二低压绕组xl2、第三低压绕组xl3以及对应的第一高压绕组xh1、第二高压绕组xh2和第三高压绕组xh3，以实现减少同柱三相热点分布不均衡的情况。
44.作为本实用新型的另一种优选方案，一种多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉应用如上述的变压器组。
45.在本实施例中，所述多晶硅还原炉包括：
46.还原炉本体；
47.多个调功柜；
48.其中，所述第一低压绕组xl1、第二低压绕组xl2和第三低压绕组xl3分别连接一个
所述调功柜，且均通过对应的调功柜连接还原炉本体。
49.优选的，所述调功柜设置9个，每个单相变压器100对应设置3个调功柜，有关低压调功柜的具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
50.上述第一低压绕组xl1、第二低压绕组xl2以及第三低压绕组xl3能够通过调功柜对其输出的电流或电压进行控制，从而便于对多晶硅还原炉进行供能。
51.在本实施例中，所述多晶硅还原炉包括：高压进线柜，所述单相变压器100通过所述高压进线柜与高压进线电缆连接。
52.具体的，由于本实施例中的变压器组使用了三台单相变压器100，相应的，三台单相变压器100均需要连接一台高压进线柜，通过高压进线柜与高压进线电缆连接，以实现高压电输入。
53.根据上述说明书的揭示和教导，本实用新型所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本实用新型并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本实用新型的一些修改和变更也应当落入本实用新型的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本实用新型构成任何限制。